排除侵害專利權等
智慧財產及商業法院民事判決
112年度民專訴字第66號
原 告 ENTEGRIS, INC.(美國安堤格里斯公司)
法定代理人 Joseph Colella
訴訟代理人 張哲倫律師
羅秀培律師
複 代 理人 蔡昀廷律師
訴訟代理人 許文亭專利師
林蘭君專利師
複 代 理人 古乃任專利師
被 告 兆捷科技國際股份有限公司
兼法定代理人高啓全
上二人共同
訴訟代理人 賴安國律師
楊啓元律師
黃秀禎律師
蔡祁芳律師
上列當事人間排除侵害專利權等事件,本院於民國114年2月17日
言詞辯論終結,判決如下:
主 文
原告之訴及假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序部分
一、按民事事件涉及外國人或外國地者,為涉外民事事件,內國
法院應先確定有國際管轄權,始得受理,次依內國法之規定
或概念,就爭執之法律關係予以定性後,決定應適用之法律
(即準據法),而涉外民事法律適用法並無明文規定國際管
轄權,應類推適用民事訴訟法之規定(最高法院98年度台上
字第2259號判決意旨參照)。本件原告美商ENTEGRIS, INC.
為依外國法設立之外國法人,具有涉外因素,為涉外民事事
件。原告主張被告在我國境內,侵害其所有第I386983號(
下稱系爭專利1)、第I466179號(下稱系爭專利2,與系爭
專利1合稱系爭專利)「用以增進離子植入系統中之離子源
的壽命及性能之方法與設備」專利權,乃依專利法、民法及
公司法規定,起訴請求排除防止被告侵害系爭專利及賠償損
害,是應定性為專利侵權事件,應類推民事訴訟法第1條前
段及第15條第1項因侵權行為涉訟之特別審判籍規定,以行
為地之我國法院有國際管轄權。再者,依專利法所保護之智
慧財產權益所生之第一、二審民事訴訟事件,智慧財產及商
業法院有專屬管轄權,智慧財產及商業法院組織法第3條第1
款、智慧財產案件審理法第9條第1項定有明文。是以本院對
本件涉外民事事件具有管轄權,並適用涉外民事法律適用法
以定本件涉外民事事件之準據法。
二、準據法之選定:
按關於由侵權行為而生之債,依侵權行為地法;以智慧財產
為標的之權利,依該權利應受保護地之法律,涉外民事法律
適用法第25條第1項及第42條第1項分別定有明文。依上開規
定,本件自應適用我國法為準據法。
三、當事人能力:
按公司法於民國107年8月1日修正、同年11月1日公布施行之
第4 條規定:「本法所稱外國公司,謂以營利為目的,依照
外國法律組織登記之公司。外國公司,於法令限制內,與中
華民國公司有同一之權利能力。」,即廢除外國公司認許制
度,尊重依外國法設立之外國公司於其本國取得法人人格之
既存事實,而認與我國公司具有相同權利能力。又按有權利
能力者,有當事人能力,民事訴訟法第40條第1項定有明文
。本件原告為依外國法律設立之外國法人,與我國公司有同
一之權利能力,有當事人能力,自得為本件原告。
貳、實體部分
一、原告主張略以:
㈠原告為系爭專利1、2之專利權人,專利權間至120年2月24日
。被告兆捷科技國際股份有限公司(下稱被告公司,與被告
高啟全合稱為被告)為公開發行公司,登錄為興櫃股票,主
要經營業務為產銷電子化學特殊氣體,其於公開說明書表示
,原告與其均通過台灣積體電路製造股份有限公司供應認證
,為電子植入氣體可量產之生產廠家等情,可證兩造為競爭
同業。
㈡被告公司產銷之離子植入氣體產品「11B Enriched Boron Tr
ifluoride (11BF3/H2) - SAG II (同位素濃化之三氟化硼
及氫氣之氣體混合物SAGII機械式負壓鋼瓶)」(下稱系爭
產品1),經原告發現至少直接侵害系爭專利1之更正後請求
項15、18及19,直接或間接侵害系爭專利1之更正後請求項1
、7、9、13、15至18。
㈢被告公司另產銷之「Enriched 72Germanium Tetrafluoride
2 (72GeF4/H2) - SAGII(同位素濃化之四氟化鍺及氫氣之氣
體混合物SAGII機械式負壓鋼瓶)」(下稱系爭產品2),經
原告發現直接侵害系爭專利1之更正後請求項15至19,間接
侵害系爭專利1之請求項1、6、11及13。又原告發現系爭產
品2侵害系爭專利2之更正後請求項1、2、4、5、10、12、13
。
㈣被告高啟全為被告兆捷公司之負責人,而原告因上開侵害行
為受有損害,依專利法第96條第1 項至第3 項、民法第184
條第1項前段、第185條、第179條及公司法第23條第2項規定
,請求排除及防止被告等繼續侵害系爭專利,並請被告二人
連帶賠償損害。
㈤並聲明:
⒈被告公司不得直接或間接、自行或委請他人製造、為販賣
之要約、販賣、使用、或為上述目的而進口系爭產品1、2
及其他侵害原告系爭專利1、2發明專利權之產品。
⒉被告兆捷公司應回收並銷毁前項聲明之侵權產品。
⒊被告等應連帶給付原告新臺幣(下同)2,000萬元整暨自起
訴狀繕送達翌日起至清償日止,按年息5%計算之利息 。
⒋第1項及第3項之聲明,原告願以現金或同額之兆豐國際商
業銀行安和分行之無記名可轉讓定期存單供擔保,請准宣
告假執行。
二、被告答辯略以:
㈠系爭專利1 申請時係以「專利審查高速公路」方式,以全部
請求項皆與美國對應案第US8237134號完全相同,該對應案
業已核准為由申請專利,由經濟部智慧財產局(下稱智慧局
)審查後,於101年12月20日核准專利。除專利權人業於申
請案中自認全部請求項皆與美國對應案完全相同外,本件原
告所主張之系爭專利1 請求項1 、6、7、9、11、13、15至1
9 ,與美國對應案第US8237134號完全相同,而該美國對應
案經美國專利商標局(USPTO) 專利複審委員會於西元2018
年(107年)3月29日,就系爭專利1美國對應案US8237134之有
效性,作出第IPR2016-01845 號最終書面決定(參乙證4)
,認定全部請求項皆有一種以上無效證據組合,足以證明其
具有應撤銷之原因;並於西元2020年(109年)1月29日公告
該美國對應案全部請求項撤銷之公告。原告為乙證4 最終書
面決定之當事人,對於乙證4認定系爭專利1請求項1、6、7
、9 、11、13、15至19(本件原告所主張系爭專利1請求項)
具有應撤銷原因之事實,自屬明知。原告在本件中所主張之
系爭專利2 所有請求項之所有技術特徵,完全涵蓋在系爭專
利1 請求項15及請求項11。因此,系爭專利1請求項15及請
求項11之應撤銷原因(「Rendon,ATMI VAC,and Gupta」之組
合,以及「Rendon,Trace,and Gupta」之組合即為系爭專利
2 請求項1、2、4、5、9、10、12、13、24、26之應撤銷原
因。原告明知系爭專利有應撤銷之原因,竟提起本件訴訟,
顯非為維護其權利,而係干擾被告公司合法商業活動,具惡
意之商業競爭,其起訴不合法,法院應依民事訴訟法第249
條第1項第8款、第2項規定駁回原告之訴訟。
㈡被告提出乙證7及其他證據組合,主張系爭專利1及系爭專利2
皆有應撤銷之原因,對原告不得行使權利,即:
⒈乙證7足證更正後系爭專利1請求項1不具新穎性或不具進步
性;乙證7與自認習知技術之組合,或乙證7與乙證6之組
合,或乙證7與乙證8及自認習知技術之組合,或乙證7與
乙證9及自認習知技術之組合,或乙證7與乙證8及乙證6
之組合,或乙證7與乙證9 及乙證6 之組合,分別皆足證
更正後系爭專利1請求項1不具進步性。
⒉乙證7足證更正後系爭專利1請求項6、7、9、11、13不具新
穎性或不具進步性;乙證7與自認習知技術之組合,或 乙
證7與乙證6之組合,或乙證7與乙證8及自認習知技術 之
組合,或乙證7與乙證9及自認習知技術之組合,或乙 證7
與乙證8及乙證6之組合,或乙證7與乙證9及乙證6之 組合
,分別皆足證更正後系爭專利1請求項6、7、9、11、13不
具進步性。
⒊乙證7足證更正後系爭專利1請求項15不具新穎性或不具進
步性;乙證7與乙證8之組合,或乙證7與乙證9之組合,分
別皆足證更正後系爭專利1請求項15不具進步性。
⒋乙證7足證更正後系爭專利1請求項16、17、18、19不具新
穎性或不具進步性;乙證7與乙證8之組合,或乙證7與乙
證9之組合,分別皆足證更正後系爭專利1請求項16、17、
18、19不具進步性。
⒌乙證7足證更正後系爭專利2請求項1、2、9、10、24、25、
26不具新穎性或不具進步性。
⒍乙證7與乙證8之組合,或乙證7與乙證9之組合,分別皆足
證更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、9、10、12、13、
24、25、26不具進步性。
㈢並聲明:
原告之訴及假執行之聲請均駁回;如受不利判決,請准供擔
保免為假執行。
三、兩造不爭執事項(見本院卷六第36至37頁):
㈠原告為系爭專利之專利權人。系爭專利1之專利權期間為102
年2月21日至120年2月24日,原告於104年11月1日因受讓而
取得專利權。系爭專利2 之專利權期間為103年12月21日至1
20年2月24日,原告於104年11月1日因受讓而取得專利權。
㈡被告製造及販賣系爭產品1,以氣體混合物形式自鋼瓶供給至
離子佈植機,供離子植入製程使用。
㈢被告為販賣之要約系爭產品2,以氣體混合物形式自鋼瓶供給
至離子佈植機,供離子植入製程使用。
㈣原告於113年2月2日申請系爭專利第一次更正,智慧局於113
年5月20日准予更正(見甲證24、25,本院卷二第347至350
頁)。
㈤原告於113年8月21日申請系爭專利第二次更正,並經智慧局
於113年11月8日准予更正(見甲證45、46,本院卷五第567
至570頁)。
四、兩造所爭執之處,經協議簡化如下(見本院卷六第36至38頁
):
㈠系爭專利1之第二次更正是否違反專利法第67條第2、4項規定
,而有應撤銷之事由?
㈡系爭專利2之第二次更正是否違反專利法第67條第2、4項規定
,而有應撤銷之事由?
㈢系爭專利1是否有應撤銷之事由?
⒈乙證7是否足以證明系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18
不具新穎性或進步性?
⒉乙證7及系爭專利1說明書先前技術之組合;或乙證7、6之
組合;或乙證7、8及系爭專利1說明書先前技術之組合;
或乙證7、9及系爭專利1說明書先前技術之組合;或乙證7
、8及6之組合;或乙證7、9及6之組合;或乙證10、8及13
之組合;或乙證10、9及13之組合;或乙證10、8、11及13
之組合;或乙證10、9、11及13之組合;或乙證10、8及7
之組合;或乙證10、9及7之組合;或乙證14、13、11及8
之組合;或乙證14、13、11及9之組合;或乙證15、13、1
1及8之組合;或乙證15、13、11及9之組合;或乙證16、1
3、11及8之組合;或乙證16、13、11及9 之組合;或乙證
17、13、11及8之組合;或乙證17、13、11及9之組合,是
否足以證明系爭專利1更正後請求項1、7、9、13、15至18
不具進步性?
⒊乙證7、8及13之組合;或乙證7、9及13之組合,是否足以
證明系爭專利1 更正後請求項15至18不具進步性?
㈣系爭專利2 是否有應撤銷之事由?
⒈乙證7是否足以證明系爭專利2更正後請求項1、2、10不具
新穎性或進步性?
⒉乙證7及系爭專利2說明書先前技術之組合;或乙證7及6之
組合,是否足以證明系爭專利2更正後請求項1、2、10不
具進步性?
⒊乙證7、8及系爭專利2 說明書先前技術之組合;或乙證7、
9及系爭專利2說明書先前技術之組合;或乙證7、8及6之
組合;或乙證7、9及6之組合;或乙證10、8及13之組合;
或乙證10、9及13之組合;或乙證10、8、11及13之組合;
或乙證10、9 、11及13之組合;或乙證10、8、7之組合;
或乙證10、9、7之組合;或乙證7、8及13之組合;或乙證
7、9及13之組合;或乙證14、13、11及8之組合;或乙證1
4、13、11及9之組合;或乙證15、13、11及8 之組合;或
乙證15、13、11及9之組合;或乙證16、13、11及8之組合
;或乙證16、13、11及9之組合;或乙證17、13、11及8之
組合;或乙證17、13、11及9之組合,是否足以證明系爭
專利2更正後請求項1、2 、4、5、10、12、13不具進步性
?
㈤專利侵權部分
⒈系爭產品1是否直接侵害系爭專利1之第二次更正後請求項1
5及18,間接侵害系爭專利1之請求項1及13?
⒉系爭產品2是否直接侵害系爭專利1之第二次更正後請求項1
5至18,間接侵害請求項1、7、9及13?
⒊系爭產品2是否侵害系爭專利2之第二次更正後請求項1、2
、4、5、10 12及13?
㈥原告依專利法第96條第1 項,請求排除或防止侵害,是否有
理由?
㈦原告依專利法第96條第3 項,請求回收並銷毁系爭產品,是
否有理由?
㈧原告依專利法第96條第2項、第97條第1項第2及3款、同條第2
項、民法第184條第1項前段、第185條及第179 條、公司法
第23條第2項,請求被告等連帶給付2,000萬元暨自起訴狀繕
本送達翌日起至清償日止,按年息百分之5計算之利息,是
否有理由?
五、得心證之理由
㈠系爭專利技術分析
⒈系爭專利所欲解決之問題
製造半導體時的離子植入步驟,係將摻質氣體(如包含摻
質物種之鹵化物或氫化物)由離子源產生並萃取出離子束
,再將離子束加速後以使化學物種之高能離子撞擊基板,
以將這些物種植入晶圓。離子源失效可歸咎許多原因,包
括沉積物積聚在陰極表面,及因電弧室中產生游離氟,引
發摻質氣體進行有害蝕刻反應而產生四氟化鍺,導致陰極
材料剝離或濺射,使陰極失去物理完整性而縮減離子源性
能和壽命(參系爭專利1、2說明書【先前技術】,見本院
卷一第68、115頁)。
⒉系爭專利技術內容
為解決前述問題,系爭專利1採取的技術手段係使用「同
位素濃化」摻質組成物,其中摻質組成物選自以下所組成
之群組:(i)鍺化合物,經同位素濃化成高於原子量70、7
2、73、74或76之至少一鍺同位素的天然含量,其中至少
一鍺同位素的同位素濃化量為:就鍺70同位素而言高於21
.2%、就鍺72同位素而言高於27.3%、就鍺73同位素而言高
於7.9%、就鍺74同位素而言高於37.1%、及就鍺76同位素
而言高於7.4%,且當摻質組成物係由同位素濃化鍺72同位
素的四氟化鍺組成時,鍺72同位素的同位素濃化量高於51
.6%;以及(ii)摻質氣體配方,包含摻質氣體和補充氣體
,其中補充氣體包括稀釋氣體和共種氣體的至少其一,其
中摻質氣體和共種氣體(若有)的至少其一係經同位素濃
化(參系爭專利1、2說明書【發明內容】,見本院卷一第
69、116頁)。
⒊系爭專利1、2圖式,以系爭專利2代表,如附圖1所示。
⒋系爭專利1申請專利範圍
系爭專利1原公告申請專利範圍共20項,其中請求項1、15
為獨立項。原告先後主張二次更正再抗辯,第一次更正內
容(見甲證18,本院卷二第105至122頁)經智慧局於113
年5月20日准予更正(見甲證24,本院卷二第347至348頁
)。第二次更正內容(見甲證31,本院卷五第31至40頁)
經智慧局於同年11月8日准予更正(見甲證45,本院卷五
第567至568頁)。原告主張第二次更正後系爭專利1請求
項1、7、9、13、15至18受侵害(見原告民事準備五狀,
本院卷五第7至23頁),其內容如下:
⑴請求項1:一種離子植入製程,包含以下步驟:
提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應
容器;使該摻質組成物流入一離子源;從該
離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物
種;以及將該等離子摻質物種植入一基板中
,其中該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋
氣體所組成,其中該摻質氣體包含摻質之鹵
化物且經同位素濃化,該稀釋氣體包含氫;
條件為,當摻質氣體由以鍺72同位素進行同
位素濃化的四氟化鍺所組成時,該鍺72同位
素的該同位素濃化量高於51.6%。
⑵請求項7:如申請專利範圍第1項之製程,其中該摻質組
成物包含一或多個鍺化合物,該鍺化合物經
同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或7
6之至少一個鍺同位素之天然含量。
⑶請求項9:如申請專利範圍第7項之製程,其中該摻質組
成物包含經同位素濃化的四氟化鍺。
⑷請求項13:如申請專利範圍第1項之製程,其中該摻質
氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼、和四氟化
矽所組成之群組。
⑸請求項15:一種摻質組成物,其由一摻質氣體及一稀釋
氣體所組成,其中該摻質氣體包含摻質物種
之鹵化物且經同位素濃化,該稀釋氣體包含
氫;條件為,當該摻質組成物的經同位素濃
化的該摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素
濃化的四氟化鍺所組成時,該鍺72同位素的
該同位素濃化量高於51.6%,其中該摻質組
成物係儲存於一單一氣體供應容器中。
⑹請求項16:如申請專利範圍第15項之組成物,包含一或
多個鍺化合物,該鍺化合物經同位素濃化成
高於原子量70、72、73、74或76之至少一個
鍺同位素之天然含量。
⑺請求項17:如申請專利範圍第16項之組成物,包含經同
位素濃化之四氟化鍺。
⑻請求項18:如申請專利範圍第15項之組成物,其中該摻
質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼與四氟化
矽所組成之群組。
⒌系爭專利2申請專利範圍
系爭專利2原公告申請專利範圍共29項,其中請求項1、28
、29為獨立項。原告先後主張二次更正再抗辯,第一次更
正(見甲證19,本院卷二第123至141頁)經智慧局於113
年5月20日准予更正(見甲證25,本院卷二第349至350頁
)。第二次更正(見甲證32,本院卷五第43至49頁)經智
慧局於同年11月8日准予更正(見甲證46,本院卷五第569
至570頁)。原告主張第二次更正後系爭專利1請求項1、2
、4、5、10、12及13受侵害(見原告民事準備五狀,本院
卷五第23至28頁),其內容如下:
⑴請求項1:一種摻質氣體組成物,其由一摻質氣體及一
稀釋氣體所組成,其中該摻質氣體包含摻質
物種之鹵化物,該稀釋氣體包含氫,且其中
該摻質氣體經同位素濃化(isotopically enr
iched)至超過至少一種鍺同位素的天然含量(
natural abundance level),其中該摻質氣
體組成物係儲存於一單一氣體供應容器中。
⑵請求項2:如請求項1所述之組成物,其中該摻質氣體是
選自由多種鍺化合物所構成的群組,該等鍺
化合物經同位素濃化成高於原子量70、72、7
3、74或76之至少一種鍺同位素的天然含量。
⑶請求項4:如請求項2所述之組成物,其中該摻質氣體包
含一鍺化合物,該鍺化合物經同位素濃化至
其鍺72同位素含量為高於27.3%。
⑷請求項5:如請求項2所述之組成物,其中該摻質氣體包
含一鍺化合物,該鍺化合物經同位素濃化至
其鍺72同位素含量為高於51.6%。
⑸請求項10:如請求項1所述之組成物,其中該摻質組成
物包含四氟化鍺。
⑹請求項12:如請求項10所述之組成物,其中在該四氟化
鍺中的鍺具有高於27.3%的鍺72同位素的同
位素濃化量。
⑺請求項13:如請求項10所述之組成物,其中在該四氟化
鍺中的鍺具有高於51.6%的鍺72同位素的同
位素濃化量。
㈡系爭產品技術分析
系爭產品1、2係被告所產銷之離子植入氣體產品(儲存有離
子植入氣體之SAG II機械式負壓鋼瓶):
⒈系爭產品1:同位素濃化之三氟化硼及氫氣之氣體混合物
(11B Enriched BoronTrifluoride (11BF3)/Hydrogen
Gas Mixture)SAG II機械式負壓鋼瓶。
⒉系爭產品1主要圖示如附圖2所示。
⒊系爭產品2:同位素濃化之四氟化鍺及氫氣之氣體混合物(
Enriched 72Germanium Tetrafluoride (72GeF4) /Hydro
gen Gas Mixture)SAG II機械式負壓鋼瓶。
⒋系爭產品2主要圖示如附圖3所示。
㈢系爭專利申請專利範圍應以第二次核准更正內容為據
⒈被告抗辯:原告就系爭專利向智慧局申請兩次更正,其更
正內容違反專利法第67條第2項超出申請專利所揭露範圍
及同條第4項實質擴大申請專利範圍規定,違反上開規定
係專利法第71條第1項第1款提起舉發事項規定,其第二次
更正不合法,依智慧財產案件審理法第41條第1項規定請
法院自為判斷該更正申請之合法性等語。
⒉按發明專利權有違反第67條第2至4項申請更正規定者,任
何人得向專利專責機關提起舉發,專利法第71條第1項第1
款定有明文。次按當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷
之原因者,法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷,不
適用民事訴訟法停止訴訟規定,智慧財產案件審理法第41
條第1項設有規定。立法理由略以:有關智慧財產之民事
訴訟中,被告主張智慧財產權不存在,而提起行政爭訟時
,或有第三人對智慧財產權之有效性提出評定、舉發及行
政爭訟時,民事訴訟如依首揭規定停止審判,其權利之有
效性與權利之侵害事實無法於同一訴訟程序一次解決;當
事人每以此拖延民事訴訟程序,致智慧財產權人無法獲得
即時的保障;是審理智慧財產民事訟訟之民事法院,於訴
訟中就專利權有無應撤銷或廢止原因之爭點為實質判斷,
並排除各訴訟法關於停止訴訟規定等語。依此,本條係針
對專利權有效性爭點由民事法院自為判斷,而專利權人申
請更正,目的是為修正專利權範圍之瑕疵或錯誤,避免專
利權無效,以之調整專利權保護範圍,其申請更正範圍須
明確,使公眾知悉其界限,應由專利專責機關專責行使審
查權限,是以專利權更正申請合法與否應非本條所定專利
權有效性爭點判斷事項。
⒊再按第41條第1項規定主張或抗辯專利權有應撤銷之原因,
專利權人已向專利專責機關申請更正專利權範圍者,應向
法院陳明依更正後之專利權範圍為請求或主張;第1項情
形,法院得就更正專利權範圍之合法性自為判斷,並於裁
判前表明其法律上見解及適度開示心證,智慧財產案件審
理法第41條第1項、第43條第1項及第4項分別設有規定。
上開第43條規定之立法理由略以:法院於民事訴訟程序就
專利權之權利有效性,有判斷權限。伴隨著專利權有效性
判斷,必須認定之更正合法性爭點;且基於舉重以明輕之
法理,及迅速解決紛爭之精神,參酌日本實務見解,應肯
定法院具有更正合法性之判斷權限;關於更正專利權範圍
之合法性,既採行司法審理與行政審查之雙軌制架構,法
院於專利專責機關作成更正案之審定前,於無礙訴訟之終
結者,法院亦得暫不自為判斷專利權人依更正主張之合法
性。依此,專利權人為更正再抗辯之主張,如專利專責機
關作成更正案審定,法院亦得不自為判斷專利權人更正主
張之合法性,而以該機關更正審定之申請專利範圍為據。
因之,如依上開第43條之專利權人之更正再抗辯,法院得
等待專利專責機關之更正審定結果,則就上述同法第41條
專利權有效性判斷,法院亦得依專利專責機關已作成之更
正審定處分為據,毋庸自為判斷。
⒋復按行政處分未經撤銷、廢止,或未因其他事由而失效者
,其效力繼續存在。無效之行政處分自始不生效力,行政
程序法第110條第3項定有明文;有效之先前行政處分成為
後行政處分之構成要件事實之一部分時,則該先前之行政
處分因其存續力而產生構成要件效力(最高行政法院108
年度判字第445號判決意旨參照)。又按「前後二程序互
有關聯,先前程序所作成之行政處分(尤其是授益處分)
未被撤銷前,於事實及法律狀態不變下,對同一處分機關
於後續程序作成後續處分具有拘束力,避免兩相矛盾之行
政處分同時出現,暨防範原處分機關藉新作處分之便,以
達規避撤銷與廢止授益處分之要件規定目的,而為更不利
於相對人的決定,此即「行政處分之跨程序拘束力」(最
高行政法院108年度判字第376號判決參照)。準此,行政
處分具有構成要件效力,其「規制內容」(即行政處分之
主旨或主文部分)對處分機關以外其他國家機關有拘束力
。本件原告兩次申請系爭專利之更正,其第二次更正已獲
得智慧局作成專利更正核准審定書(見甲證45、46),該
准予更正審定書為行政處分,具構成要件效力,拘束本院
,本件以第二次更正處分作為系爭專利申請專利範圍判斷
。
㈣乙證7等證據組合不足以證明系爭專利1更正後請求項不具新
穎性或進步性:
⒈乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、
15至18不具新穎性或不具進步性
⑴乙證7為我國第I290731號「用於氣體儲存及輸送的離子
性液體基礎混合物」發明專利,其公告日為96年12月1
日,早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103
年12月21日之公告日,為系爭專利1、2之先前技術。
⑵乙證7技術內容
①乙證7揭露一種用於儲存和輸送氣體的混合物和方法。
一方面,提供了一種混合物,其包含:含有陰離子和
陽離子的離子性液體;分佈於離子性液體中並可與離
子性液體發生可逆化學反應的至少部分氣體;以及任
選的未反應氣體。另一方面,提供了一種從含有離子
性液體和一種或多種氣體的混合物中輸送氣體的方法
,其包括:使至少部分氣體與離子性液體反應以提供
含有化學反應氣體和離子性液體的混合物,並從混合
物中分離出化學反應氣體,其中經分離步驟後的化學
反應氣體與反應步驟之前的化學反應氣體具有基本相
同的化學成分(參乙證7摘要,本院卷一第618頁)。
②乙證7圖2係各種混合物的三氟化硼(BF3)容量圖,如附
圖4所示。
⒉乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13
、15至18不具新穎性:
⑴更正後系爭專利1請求項1之技術特徵如下:
1A:一種離子植入製程,包含以下步驟:
1B:提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應容器;
1C:使該摻質組成物流入一離子源;從該離子源的該
摻質組成物產生多個離子摻質物種;以及將該等
離子摻質物種植入一基板中,
1D:該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成
,其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物且經同
位素濃化,該稀釋氣體包含氫;
1E:條件為,當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素
濃化的四氟化鍺所組成時,該鍺72同位素的該同
位素濃化量高於51.6%。
⑵經查乙證7說明書第5頁(見本院卷一第579頁)記載「
…半導體生產工業例如要使用許多危險的專用氣體,
如磷化氫(PH3)、砷化氫(AsH3)和三氟化硼(BF3),用
以進行摻雜…」,對應揭露(第二次更正,下同)系
爭專利1請求項1之1A「一種離子植入製程…」;乙證7
說明書第28頁(見本院卷一第602頁)記載「…用於儲
存和分配來自混合物的一種或多種化學反應氣體、任
選的未反應氣體,或者上述兩者的體系包括『儲存和
分配容器』…」,對應揭露系爭專利1請求項1之1B:「
提供儲存有一摻質組成物之單一氣體供應容器」技術
特徵;另乙證7請求項21(見本院卷一第622頁)記載
用於儲存和輸送氣體的混合物,其包含有可與離子性
液體發生可逆的化學反應以提供化學反應氣體,以及
未反應氣體,而該化學反應氣體具有路易士酸性並選
自「…三氟化硼、…、四氟化鍺、…、同位素富集的同
型物及其混合物」,前述乙證7之化學反應氣體、未
反應氣體即分別對應於系爭專利1請求項1之1D中的:
摻質氣體、稀釋氣體,且乙證7揭露之三氟化硼、四
氟化鍺等均為包含摻質物種(硼或鍺)之鹵化物(氟
化物),並可經同位素濃化(即同位素富集之同型物
);又乙證7請求項24記載「該未反應氣體包含惰性
氣體,其選自…、氫、…及其混合物」(見本院卷一第
622頁),對應於系爭專利1請求項1之1D「該摻質組
成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成,其中該摻質
氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化,該稀釋氣體
包含氫」技術特徵。
⑶惟乙證7並未明確揭露系爭專利1請求項1之1C「使一摻
質組成物流入一離子源」、「從該離子源的該摻質組
成物產生多個離子摻質物種」及「將該等離子摻質物
種植入一基板中」技術特徵;又乙證7雖揭露四氟化
鍺及其同位素富集之同型物作為化學反應氣體,但並
未揭露系爭專利1請求項1之「當摻質氣體由以鍺72同
位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時,該鍺72同
位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵。再者
,更正後系爭專利1請求項1,係界定單一氣體供應容
器中之摻質組成物係由摻質氣體及稀釋氣體所組成,
表示摻質組成物並未包含前述兩種氣體以外之物質,
而乙證7所揭露儲存於容器中之混合物,則包含離子
性液體、與該離子性液體發生化學反應之氣體,以及
未反應氣體(參乙證7請求項21、24,本院卷一第622
頁)。是以乙證7揭露之技術內容與更正後系爭專利1
請求項1間存有前述差異,故乙證7不足以證明更正後
系爭專利1請求項1不具新穎性。更正後系爭專利1請
求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項,包含
請求項1之全部技術特徵,乙證7既不足以證明更正後
系爭專利1請求項1不具新穎性,則乙證7亦不足以證
明更正後系爭專利1請求項7、9、13不具新穎性。
⑷更正後系爭專利1請求項15之標的名稱係「摻質組成物
」,其全部技術特徵見於請求項1記載之內容。則如
同前述乙證7與更正後系爭專利1請求項1之比對,乙
證7之化學反應氣體、未反應氣體分別對應於更正後
系爭專利1請求項15之摻質氣體、稀釋氣體,即乙證7
揭露更正後系爭專利1請求項15之「一種摻質組成物
,其由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成,其中該摻質
氣體包含摻質物種之鹵化物且經同位素濃化,該稀釋
氣體包含氫」技術特徵。另乙證7已揭露摻質氣體為
「非」四氟化鍺者,如三氟化硼,即無需考量更正後
系爭專利1請求項15以四氟化鍺之摻質氣體為前提條
件之「條件為,當該摻質組成物的經同位素濃化的該
摻質氣體或該共種氣體由以鍺72同位素進行同位素濃
化的四氟化鍺所組成時,該鍺72同位素的該同位素濃
化量高於51.6%」技術特徵。
⑸由更正後系爭專利1請求項1、15界定摻質氣體係「包
含摻質物種之鹵化物」,以及稀釋氣體係「包含氫」
等技術特徵;乙證7則揭露化學反應氣體(對應系爭
專利1之摻質氣體)係「選自乙硼烷、三氟化硼、三
氟化硼、三氟化磷、四氟化磷、四氟化矽、鍺烷、四
氟化鍺、氰化氫、同位素富集的同型物及其混合物」
(乙證7請求項21),未反應氣體(對應系爭專利1之
稀釋氣體)係「選自氮、氦、氖、氫、氬、氪、氙、
氡及其混合物」(乙證7請求項24,本院卷一第622頁
),亦即更正後系爭專利1請求項1、15所界定之發明
,相較於乙證7之技術內容,係由乙證7揭露的二個群
組個別選出多個或一個成分所組成的選擇發明,並非
乙證7已特定揭露者(參見專利審查基準第2篇第3章
第2.5.4節「選擇發明」[1]),故乙證7尚不足以證
明更正後系爭專利1請求項1、15不具新穎性。更正後
系爭專利1請求項16至18係請求項15直接或間接之附
屬項,包含請求項15之全部技術特徵,乙證7既不足
以證明更正後系爭專利1請求項15不具新穎性,則乙
證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項16至18不具
新穎性。
⑹被告辯稱:所屬技術領域中具通常知識者,可直接且
無歧異得知乙證7所揭混合物所使用之離子植入製程
,參原告起訴狀第10頁於系爭產品1與系爭專利1請求
項1之侵權比對自承「使用者在使用此離子植入氣體
時,必然實施此等步驟」即明;既屬「必然」,豈有
不能「直接且無歧異得知」,因此,應認乙證7亦已
隱含要件1C技術特徵(見民事答辯七狀第10頁第10至1
5行,本院卷五第336頁);另系爭專利1請求項1要件1
E為條件式,僅在「應同位素濃化的摻質氣體由以鍺7
2同位素進行同位素濃化的四氟化鍺為組成時」條件
成就時方有適用。乙證7已揭露更正後系爭專利1請求
項1E條件未滿足之情況,亦即乙證7揭示有關以「四
氟化鍺」為摻質氣體下所需符合條件以外的全部技術
特徵,足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具新
穎性(見民事答辯七狀第14頁第11至17行,本院卷五
第340頁)云云。
⑺惟查原告於系爭產品1與系爭專利1請求項1之侵權比對
自承「使用者在使用此離子植入氣體時,必然實施此
等步驟(即1C技術特徵)」(參原告起訴狀第10頁,本
院卷一第22頁及民事準備五狀,本院卷五第15至16頁
),並提出甲證14及甲證15佐證該製程步驟為業界已
知之技術,由甲證14第1頁圖1(本院卷一第291頁)及
甲證15說明書第[004]段(見本院卷一第299至300頁)
確實可證明更正後系爭專利1請求項1之步驟1C為離子
植入製程所必然使用之已知步驟技術,故由乙證7所
揭示之內容,即便所屬技術領域中具有通常知識者,
可知使用離子植入氣體進行離子植入時必然會使用1C
之步驟,該技術特徵為乙證7實質隱含揭露者,但乙
證7與更正後系爭專利1請求項1存在如前述理由所述
之差異,故乙證7尚難證明更正後系爭專利請求項1不
具新穎性。
⒊乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13
、15至18不具進步性:
⑴如前述更正後與更正後系爭專利1請求項1之比對,乙
證7未明確揭露更正後系爭專利1請求項1之1C「使一
摻質組成物流入一離子源;從該離子源的該摻質組成
物產生多個離子摻質物種;將該等離子摻質物種植入
一基板中」技術特徵,退而言之,即便該步驟為離子
植入所必然之步驟而為乙證7實質隱含揭露者,惟乙
證7請求項21揭露「化學反應氣體」可選自三氟化硼
、四氟化鍺等多種氣體中,並可經同位素濃化(即同
位素富集之同型物),且乙證7請求項24揭露「未反
應氣體」可選自包含氫氣之多種惰性氣體中;然通常
知識者並無動機由前述兩個群組中選擇特定的「包含
摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體,以及「
包含氫」之稀釋氣體,共同組成為氣體組成物,相較
於乙證7,系爭專利1可達成增進離子源壽命與性能之
功效(參系爭專利1說明書第8、9頁,本院卷一第72
至73頁),此由乙證7之技術內容尚無法預期,是以
乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步
性。
⑵更正後系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或
間接附屬項,均包含請求項1之全部技術特徵,是既
乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步
性,則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項7
、9、13不具進步性。
⑶更正後系爭專利1請求項15與乙證7技術內容之比對,
詳如前述,乙證7請求項21、24之化學反應氣體、未
反應氣體固然可對應於更正後系爭專利1請求項15之
摻質氣體、稀釋氣體,但通常知識者並無動機由乙證
7前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且
經同位素濃化」的摻質氣體,以及「包含氫」之稀釋
氣體作為摻質組成物,相較於乙證7,系爭專利1可達
成增進離子源壽命與性能之功效(參系爭專利1說明
書第8、9頁,本院卷一第72至73頁),由乙證7之技
術內容尚無法預期,是以乙證7不足以證明更正後系
爭專利1請求項15不具進步性。
⑷更正後系爭專利1請求項16至18係請求項15之直接或間
接附屬項,均包含請求項15之全部技術特徵,是既乙
證7不足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性
,則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項16至
18不具進步性。
⒋乙證7及系爭專利1說明書先前技術之組合,或乙證7及6之
組合,不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、
15至18不具進步性
⑴乙證6為我國第I267910號「離子植入的方法及其裝置」
發明專利,其公告日為95年12月1日,早於系爭專利1之
102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日,
為系爭專利1、2之先前技術。
⑵乙證6技術內容
乙證6揭露習知離子植入裝置(100)之結構大致上包括用
以產生離子束(102)的離子源(104),用以分離主要摻質
的質量分析器(106),用來加速離子束(102)的加速器(1
08),以及用以讓離子束(102)可以掃描晶圓(112)的掃
描裝置(110)等(參乙證6【先前技術】,本院卷一第55
6至558頁)。
⑶乙證6圖1係習知離子植入裝置的剖面示意圖,如附圖5所
示。
⑷乙證7技術內容與更正後系爭專利1請求項1間之比對,詳
如前述。查系爭專利1說明書【先前技術】記載「用於
半導體製造的離子植入涉及藉由使化學物種之高能離子
撞擊基板,以將這些物種沉積進入基板(例如微電子裝
置晶圓)。為產生離子植入物種,摻質氣體(如包含摻質
物種之鹵化物或氫化物)遭離子化。離子化係使用離子
源來產生離子束而施行」(見本院卷一第68頁)。另查
乙證6說明書【先前技術】記載「離子植入法則是藉由
將摻質先解離成離子,經過加速與選擇後,將特定的離
子直接打入主材質(host material)中來達到摻雜的目
的」(見本院卷一第556頁)。前述系爭專利1說明書【
先前技術】或乙證6說明書【先前技術】所載,均揭露
更正後系爭專利1請求項1之1C「使一摻質組成物流入一
離子源」、「從該離子源的該摻質組成物產生多個離子
摻質物種;將該等離子摻質物種植入一基板中」技術特
徵。
⑸惟不論系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【
先前技術】,均未提及如何選擇特定的摻質氣體組成物
;是以縱使將系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說
明書【先前技術】,各與乙證7內容予以組合,所屬技
術領域中具有通常知識者仍無動機由乙證7揭露的兩個
氣體群組中,選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位
素濃化」的摻質氣體,以及「包含氫」之稀釋氣體作為
摻質組成物,相較上開先前技術證據,系爭專利1藉此
具有達成增進離子源壽命與性能之功效(參系爭專利1
說明書第8、9頁,本院卷一第72至73頁)。是以乙證7
及系爭專利1說明書【先前技術】之組合,或乙證7及6
之組合,均不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進
步性。
⑹更正後系爭專利1請求項15之摻質組成物,其全部技術特
徵見於請求項1。則如前述乙證7與更正後系爭專利1請
求項1之比對,乙證7之化學反應氣體、未反應氣體固然
可對應於更正後系爭專利1請求項15之摻質氣體、稀釋
氣體,但通常知識者並無動機由乙證7前述兩個群組中
選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻
質氣體,以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物;
且不論系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【
先前技術】,均未提及如何選擇特定的摻質氣體組成物
,亦未提及可藉此達成增進離子源壽命與性能之功效。
是以縱將系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書
【先前技術】,各與乙證7內容予以組合,所屬技術領
域中具有通常知識者仍無動機由乙證7揭露的兩個氣體
群組中,選擇系爭專利1請求項1所界定之特定摻質組成
物,遑論達成相同功效,故乙證7及系爭專利1說明書【
先前技術】之組合,或乙證7及6之組合,均不足以證明
更正後系爭專利1請求項15不具進步性。
⑺系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬
項,請求項16至18則為請求項15之直接或間接附屬項。
既乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合,或乙
證7及6之組合,均不足以證明更正後系爭專利1請求項1
、15不具進步性。則乙證7及系爭專利1說明書【先前技
術】之組合,或乙證7及6之組合,自不足以證明更正後
系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。
⒌乙證7、8及系爭專利1說明書【先前技術】之組合,或乙證
7、9及系爭專利1說明書【先前技術】之組合,或乙證7、
8及6之組合,或乙證7、9及6之組合,不足以證明更正後
系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性
⑴乙證8為ATMI公司「DS-336b VAC GeF4 Isotopically En
riched」產品說明書,被告敘明乙證8係存檔於「網站
時光回溯器Wayback Machine」(見民事答辯二狀第8頁
第3至4行,本院卷一第502頁),可認乙證8已於2006年2
月26日公開,早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專
利2之103年12月21日之公告日,為系爭專利1、2之先前
技術。
①乙證8技術內容
乙證8揭露分子(GeF4)之主要應用是預非晶化離子植
入 (PAI),以實現超淺接面硼植入。72Ge的濃化同位
素(50%)可顯著增強束電流和靈活性(2X)。植入72Ge
以代天然的74Ge,有助於隔離砷、氟化鐵和其他污染
物之潛在污染;亦已證實可顯著延長離子源之壽命。
(參乙證8-1,本院卷一第633至634頁)。
②乙證8之產品外觀及其內含氣體純度分析,如附圖6所
示。
⑵乙證9為Trace Sciences公司「GermaniumIsotopes」(鍺
同位素)網頁,被告敘明乙證9於2008年8月28日公開於
網路上(民事答辯二狀第8頁第19至20行,本院卷一第50
2頁),經確認乙證9存檔於「網站時光回溯器Wayback M
achine」之日期為2008年8月28日,早於系爭專利1、2之
申請日。
①乙證9技術內容
乙證9記載天然GeF4用於半導體預非晶化植入製程。
使用GeF4型態的鍺72可改善製程,同時減少污染。(
參乙證9-1,本院卷一第637頁)。
②乙證9之濃化穩定Ge同位素表,如附圖7所示。
⑶乙證7、系爭專利1說明書【先前技術】及乙證6,與更正
後系爭專利1請求項1、15之比對,俱如前述。由前述各
證據內容,所屬技術領域中具有通常知識者並無動機由
乙證7揭露的兩個氣體群組中選擇特定「包含摻質之鹵
化物且經同位素濃化」的摻質氣體,以及「包含氫」之
稀釋氣體作為摻質組成物。再者,乙證7之混合物包含
有離子性液體,不同於更正後系爭專利1請求項1、15界
定摻質組成物係由摻質氣體及稀釋氣體所組成,且儲存
於單一氣體供應容器之技術特徵。
⑷經查乙證8第一頁左上部揭露一種用於離子植入之摻質氣
體運送容器,且該容器所含之摻質組成物,包含「同位
素濃化的四氟化鍺(GeF4)」為摻質氣體,且乙證8第1頁
左上部第4段教示「鍺72的濃化同位素(50%)可顯著增強
束電流/靈活性(2X)。植入鍺72以代天然的鍺74,有助
於隔離砷、氟化鐵和其他污染物之潛在污染。亦已證實
可顯著延長離子源之壽命」;乙證8另就「純度分析」
欄位,記載同位素濃化量為「Ge-72 50-52%」(本院卷
一第631、632頁,中譯內容參乙證8-1即本院卷一 第6
33、634頁)。是以乙證8已對應揭露更正後系爭專利1
請求項1之1D中之「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同
位素濃化」及1E之「條件為,當摻質氣體由以鍺72同位
素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時,該鍺72同位素
的該同位素濃化量高於51.6%」等技術特徵。
⑸另查乙證9揭示「天然GeF4用於半導體預晶化植入製程。
使用GeF4型態的Ge-72可改善製程,同時減少污染」以
及鍺72同位素濃化量為82-98%等(參本院卷一第635頁
,中譯內容參乙證9-1即本院卷一第637頁),亦揭露更
正後系爭專利1請求項1之1D中的「摻質氣體包含摻質之
鹵化物且經同位素濃化」及1E之「條件為,當摻質氣體
由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時,
該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵
。
⑹乙證8或乙證9雖均揭示更正後系爭專利1請求項1之1D中
的「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」,且
乙證8揭露將該等氣體儲存於單一儲存容器(VAC)中,惟
乙證8或乙證9並未揭露更正後系爭專利1請求項1、15有
關同位素濃化之摻質氣體與含氫氣之稀釋氣體混合為摻
質組成物,且一併儲存於單一容器中之技術特徵。而前
述乙證7、系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6之技
術內容,亦無任何教示或建議由乙證7揭露的兩個氣體
群組中選擇特定「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」
的摻質氣體,以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成
物。是以即便將乙證8或乙證9,與乙證7、系爭專利1說
明書【先前技術】及乙證6予以組合,仍無法輕易完成
更正後系爭專利1請求項1、15之發明。故乙證7、8及系
爭專利1說明書【先前技術】之組合,或乙證7、9及系
爭專利1說明書【先前技術】之組合,或乙證7、8及6之
組合,或乙證7、9及6之組合,均不足以證明更正後系
爭專利1請求項1、15不具進步性。
⑺更正後系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間
接附屬項,包含請求項1之全部技術特徵。請求項16至1
8係請求項15之直接或間接附屬項,包含請求項15之全
部技術特徵。因前述各證據組合均不足以證明更正後系
爭專利1請求項1、15不具進步性,自亦不足以證明更正
後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。
㈤其餘證據組合可證明更正後系爭專利1請求項具應撤銷事由
⒈乙證10、8及13之組合,或乙證10、9及13之組合,足以證
明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步
性
⑴乙證10為我國第200849309號「具氣體混合之離子源的效
能改良與生命期延長的技術」專利公開案,其公告日為
97年12月16日,早於系爭專利1之102年2月21日及系爭
專利2之103年12月21日之公告日,為系爭專利1、2之先
前技術。
①乙證10技術內容
乙證10揭露具氣體混合之離子源的效能改良與生命期
延長的技術。在一特定例示性實施例中,所述技術可
實現為離子植入機中之離子源的效能改良與生命期延
長的方法。所述方法可包含將預定量之摻雜氣體導入
離子源腔室內。所述摻雜氣體可包含摻雜物質。所述
方法亦可包含將預定量之稀釋氣體導入離子源腔室內
。所述稀釋氣體可稀釋摻雜氣體以改良離子源之效能
並延長離子源之生命期。所述稀釋氣體可進一步包含
與摻雜物質相同的協同物質(參乙證10摘要,本院卷
二第63頁)。
②乙證10之圖1習知離子植入機系統及圖3A離子源組態示
意圖,如附圖8所示。
⑵乙證13為我國第201005806號「在半導體處理系統中離子
源之清洗」專利公開案,其公告日為99年2月1日,早於
系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21
日之公告日,為系爭專利1、2之先前技術。
①乙證13技術內容
乙證13揭露一種改進離子植入系統性能並且延長其壽
命之方法,該方法包括將該陰極與由至少一種清洗氣
以及至少一種沉積氣的組成的一氣體混合物進行接觸
,其中所述氣體混合物平衡了材料在該陰極上的沉積
和該材料或其他材料從該陰極上的剝離。氣體混合物
的清洗氣去除了沉積在該陰極上的摻雜劑以及陰極的
材料,而氣體混合物的沉積氣直接或間接地引起摻雜
劑沉積在該陰極上。此氣體混合物保持了在該陰極上
摻雜材料的累積以及它或其他材料的剝離之間的一平
衡,並且因此延長了離子源的壽命。該氣體混合物在
離子源植入機中的存儲和分配可以利用SDS、VAC等系
統(參乙證13說明書第37頁末段至第38頁第1段,本
院卷五第445至446頁)。
②乙證13圖1顯示引入原位清洗處理後對離子源壽命延長
,如附圖9所示。
⑶查乙證10說明書第6頁第2段(見本院卷二第66頁)記載
「離子植入為藉由用賦能離子直接轟擊基材而使化學物
質沈積至基材內的方法…」,第11頁末段至第12頁第1段
(見本院卷二第71、72頁)記載「本發明揭露具氣體混
合之離子源的效能改良與生命期延長的技術…所述方法
可包含將預定量之摻雜氣體釋放至離子源腔室內。所述
摻雜氣體可包含摻雜物質。所述方法亦可包含將預定量
之稀釋氣體釋放至離子源腔室內。所述稀釋氣體可稀釋
摻雜氣體以改良離子源之效能並延長離子源之生命期」
,前述乙證10之技術內容業已揭露更正後系爭專利1請
求項1之1A、1C及部分1D「一種離子植入製程,包含以
下步驟(1A):…使該摻質組成物流入一離子源;從該離
子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種;以及將該
等離子摻質物種植入一基板中(1C),其中該摻質組成物
由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成(部分1D)」技術特徵
,且乙證10之摻雜氣體、稀釋氣體即分別對應於系爭專
利1之摻質氣體、稀釋氣體;又乙證10說明書第15頁表
一(見本院卷二第75頁)揭露多種鹵化形式之摻雜物質
,例如BF3、GeF4(或見第14頁末段記載「在一實施例
中,摻雜氣體可以含鹵素氣體之形式自摻雜氣體源260
中釋放」,本院卷二第74頁),對應揭露更正後系爭專
利1請求項1之「該摻質氣體包含摻質之鹵化物」技術特
徵;乙證10說明書第16頁第2段(見本院卷二第76頁)
記載「稀釋氣體可包括氫氣(H2)或含氫氣體」,對應揭
露更正後系爭專利1請求項1之1D中之「該稀釋氣體包含
氫」技術特徵,再者,乙證10說明書第17頁第7至10行
(見本院卷二第77頁)記載「藉由將預定量之一或多種
氣體,諸如含氫稀釋氣體(或惰性氣體) ,以及預定量
之摻雜氣體釋放至電弧室206內,可減少金屬成長速率
或鎢堆積速率」,上開段落已揭示鹵化形式之摻雜物質
,例如BF3、GeF4加入氫氣可改良離子源之效能並延長
離子源之生命期,其中氫氣的作用可以減少金屬成長速
率或鎢堆積速度。綜上,乙證10前揭技術內容與更正後
系爭專利1請求項1之差異在於,乙證10未揭露更正後系
爭專利1請求項1之1B之「提供儲存有一摻質組成物之一
單一氣體供應容器」及1D中之摻質氣體「經同位素濃化
」技術特徵。
⑷另查乙證13說明書第4頁第6至14行(見本院卷五第412頁)
記載「離子植入被用於積體電路的製造以便精確地向半
導體晶圓中引入受控制量的摻雜雜質並且是微電子/半
導體生產中之重要方法。在此類植入系統中,一離子源
使一所希望的摻雜元素氣體電離成離子並且該等離子以
具有所希望能量的一離子束的形式從源中引出。引出係
籍由施用一高的電壓跨過合適成型的引出電極而實現,
該等電極將多個孔合併成了引出束的通道。離子束然後
在工作件的表面,例如一半導體晶圓上進行定向,以便
向該工作件植入摻雜元素」,乙證13說明書第37頁末段
至第38頁第1段見(見本院卷五第445至446頁)記載「…
本發明涉及改進具有一陰極的一離子植入系統的性能並
且延長其壽命之方法,該方法包括將該陰極與由至少一
種清洗氣以及至少一種沉積氣的組成的一氣體混合物進
行接觸…延長了離子源的壽命。該氣體混合物在離子源
植入機中的存儲和分配可以籍由使用以下各項來完成:
一吸附-解吸設備(被稱為SDS-安全遞送源),它描述於
美國專利號5,518,528中,並且其內容籍由引用結合在
此;一流體存儲和分配系統(被稱為VAC真空致動氣瓶)
,該系統包括用於保持一流體在所希望的一壓力下的一
容器,描述於美國專利號6,101,816中並且其內容籍由
引用結合在此;或一SDS與VAC的混合流體存儲和分配系
統(被稱為VAC-Sorb),它描述於美國專利號6,089,027
中並且其內容籍由引用結合在此。該等流體存儲和分配
系統提供了氣體在低於大氣壓下的遞送,並且由此比高
壓流體存儲和分配系統更安全並且更有效。此外,該氣
體混合物中的一些氣體可以一起在SDS、VAC或VAC-Sorb
系統中存儲和分配…」。由前述乙證13之技術內容即對
應揭露更正後系爭專利1請求項1之「一種離子植入製程
,包含以下步驟:提供儲存有一摻質組成物之一單一氣
體供應容器;使該摻質組成物流入一離子源;從該離子
源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種;以及將該等
離子摻質物種植入一基板中,其中該摻質組成物由一摻
質氣體及一稀釋氣體所組成」技術特徵。進而言之,乙
證13之沉積氣、清洗氣,即分別對應系爭專利1請求項1
之摻質氣體、稀釋氣體。且乙證13揭露沉積氣與清洗氣
之氣體混合物可存儲於SDS或VAC單一容器中,另乙證13
說明書第39頁第2至4行(見本院卷五第447頁)揭露氣
體混合物(清洗氣與沉積氣)為「H2/GeF4」、「H2/BF
3」,對應揭露更正後系爭專利1請求項1之「該摻質氣
體包含摻質之鹵化物…,該稀釋氣體包含氫」技術特徵
,亦即乙證13揭示更正後系爭專利1請求項1之1A至1C及
部分1D。綜上,乙證13與更正後系爭專利1請求項1之差
異僅在於乙證13並未揭露1D中之摻質氣體「經同位素濃
化」技術特徵。(註:因乙證13揭露之摻雜氣體並非以
鍺72同位素進行濃化的四氟化鍺所組成,故無需考慮更
正後系爭專利1請求項1之「條件為,當摻質氣體由以鍺
72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時,該鍺72
同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵)。
⑸如前述,乙證8或乙證9均已揭露更正後系爭專利1請求項
1之1D中之「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃
化」及1E「條件為,當摻質氣體由以鍺72同位素進行同
位素濃化的四氟化鍺所組成時,該鍺72同位素的該同位
素濃化量高於51.6%」技術特徵。換言之,不論乙證8或
乙證9,均揭露乙證13與更正後系爭專利1請求項1間之
差異技術特徵。
⑹因乙證8、9、13之技術內容均關於半導體離子植入系統
或其使用之摻雜氣體,屬於相同技術領域;又乙證8、9
、13之目的或所欲解決之問題,均為改善離子源效能或
延長其生命期(參乙證8第1頁、乙證9第1頁、乙證13說
明書第37頁,本院卷一第631、635頁、本院卷五第445
頁);且乙證8或乙證9教示採用經同位素濃化之四氟化
鍺作為摻質氣體,可延長離子源壽命或改善製程等,亦
與乙證13所欲解決的問題相同;則所屬技術領域中具有
通常知識者基於乙證13揭示摻質氣體包含四氟化鍺與稀
釋氣體包含氫氣等技術內容,為進一步延長離子源壽命
,當有合理動機依乙證8或乙證9之建議或教示,採用經
同位素濃化之四氟化鍺為摻質氣體,進而輕易完成更正
後系爭專利1請求項1之發明,即乙證8及13之組合,或
乙證9及13之組合即足以證明更正後系爭專利1請求項1
不具進步性,故乙證10、8及13之組合,或乙證10、9及
13之組合自足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步
性。
⑺更正後系爭專利1請求項7依附於請求項1,並界定「該摻
質組成物包含一或多個鍺化合物,該鍺化合物經同位素
濃化成高於原子量70、72、73、74或76之至少一個鍺同
位素之天然含量」附屬技術特徵。更正後系爭專利1請
求項9依附於請求項7,並界定「該摻質組成物包含經同
位素濃化的四氟化鍺」附屬技術特徵;更正後系爭專利
1請求項13依附於請求項1,並界定「該摻質氣體選自由
四氟化鍺、三氟化硼、和四氟化矽所組成之群組」附屬
技術特徵。如前所述,乙證8或乙證9揭示經同位素濃化
的四氟化鍺,且以鍺72同位素濃化至50%高於天然含量
,即揭露前述請求項7、9、13之附屬技術特徵。又乙證
10、8及13之組合,或乙證10、9及13之組合足以證明更
正後系爭專利1請求項1不具進步性,俱如前述,故乙證
10、8及13之組合,或乙證10、9及13之組合足以證明更
正後系爭專利1請求項7、9、13不具進步性。
⑻更正後系爭專利1請求項15之全部技術特徵見於請求項1
,是既乙證8及13之組合,或乙證9及13之組合即足以證
明更正後系爭專利1請求項1不具進步性,俱如前述,自
亦足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性,則
乙證10、8及13之組合,或乙證10、9及13之組合亦足以
證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性。
⑼更正後系爭專利1請求項16依附於請求項15,並界定「包
含一或多個鍺化合物,該鍺化合物經同位素濃化成高於
原子量70、72、73、74或76之至少一個鍺同位素之天然
含量」附屬技術特徵。更正後系爭專利1請求項17依附
於請求項16,並界定「包含經同位素濃化的四氟化鍺」
附屬技術特徵。更正後系爭專利1請求項18依附於請求
項15,並界定「該摻質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼
、和四氟化矽所組成之群組」之附屬技術特徵。如前所
述,乙證8或乙證9揭示經同位素濃化的四氟化鍺為摻質
氣體,且以鍺72同位素濃化至高於天然含量,即已揭露
前述請求項16至18之附屬技術特徵。又乙證10、8及13
之組合,或乙證10、9及13之組合足以證明更正後系爭
專利1請求項15不具進步性,俱如前述,則前述證據組
合自當足以證明更正後系爭專利1請求項16至18不具進
步性。
⒉乙證10、8、11及13之組合,或乙證10、9、11及13之組合
,足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18
不具進步性
⑴乙證11為「使用濃化同位素SDS 72GeF4來減少砷對鍺的
交叉污染」論文,其公開日為95年2月26日,早於系爭
專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之
公告日,為系爭專利1、2之先前技術。乙證11揭露隨著
接面深度減低,預非晶化(PA)植入在 CMOS 加工製程
中愈來愈普遍。鍺作為矽的等電子體已展現出在矽中進
行預非晶化植入的能力。液態GeF4的氣態蒸氣是鍺離子
束的常見來源,通常會選用原子量74的同位素進行植入
,因為其具有較高的天然濃度。然而,可能出現與類似
質量的摻雜劑(例如砷)交叉污染的問題。使用同位素
濃化量50%以上的Ge72可改善可用的束電流,同時減少
潛在的交叉污染。透過Eaton GSD200E高電流植入機評
估同位素濃化的Ge72安全輸送系統(SDS)源之下,已實
證此高電流植入機中的質量解離度。乙證11以SIMS(二
次離子質譜分析儀(Secondary Ion Mass Spectrometer
))比對使用天然濃度之GeF4與使用SDS濃化GeF4作為植
入源的表面及能量交叉污染程度,並介紹了以物種間潔
淨法(between species purge)減少高能砷污染物之
有效性(參乙證11摘要,本院卷二第93頁)。
⑵乙證8及13之組合,或乙證9及13之組合即足以證明更正
後系爭專利1請求項1、15不具進步性,詳如前述,故乙
證10、8、11及13之組合,或乙證10、9、11及13之組合
,自當足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步
性。
⑶更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18係請求項1、1
5之直接或間接附屬項,前述各請求項之附屬技術特徵
均為乙證8或乙證9所揭露,已如前述,故乙證10、8、1
1及13之組合,或乙證10、9、11及13之組合,足以證明
更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性
。
⒊乙證10、8及7之組合,或乙證10、9及7之組合,足以證明
更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性
⑴乙證10與更正後系爭專利1請求項1、15之比對,詳如前
述。乙證10業已揭露更正後系爭專利1請求項1之「一種
離子植入製程,包含以下步驟:…使該摻質組成物流入
一離子源;從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻
質物種;以及將該等離子摻質物種植入一基板中,其中
該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成,其中
該摻質氣體包含摻質之鹵化物…該稀釋氣體包含氫;…」
技術特徵,以及更正後系爭專利1請求項15「一種摻質
組成物,其由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成,其中該
摻質氣體包含摻質物種之鹵化物…,該稀釋氣體包含氫…
」技術特徵。惟乙證10並未揭露更正後系爭專利1請求
項1、15有關「摻質組成物儲存於單一氣體供應容器」
,以及「摻質氣體『經同位素濃化』」之技術特徵。
⑵乙證7與更正後系爭專利1請求項1、15之比對,亦如前述
,乙證7雖揭露「化學反應氣體」可選自三氟化硼、四
氟化鍺等多種氣體中,並可經同位素濃化(即同位素富
集之同型物),並另揭露「未反應氣體」可選自包含氫
氣之多種惰性氣體中;然通常知識者並無動機由前述兩
個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃
化」的摻質氣體,以及「包含氫」之稀釋氣體,共同組
成為氣體組成物。
⑶乙證8或乙證9雖均揭露摻質氣體為經同位素濃化之四氟
化鍺,且乙證8揭露將其儲存於單一儲存容器(VAC)中。
惟乙證8或乙證9仍未揭露更正後系爭專利1請求項1、15
有關同位素濃化之摻質氣體與含氫氣之稀釋氣體混合為
摻質組成物,且一併儲存於單一容器中之技術特徵。
⑷綜上,乙證10及乙證8(或乙證9)之技術內容均為離子
植入製程所使用之氣體,屬相同技術領域;二者之目的
均在提高離子源效能,就所欲解決之問題具有共通性;
並均藉由摻雜氣體提供離子植入所需之摻質,就功能與
作用,亦具共通性;乙證10揭示鹵化形式之摻雜物質,
例如BF3、GeF4加入氫氣可改良離子源之效能並延長離
子源之生命期,其中氫氣的作用可以減少金屬成長速率
或鎢堆積速度,乙證8(或乙證9)教示經同位素濃化之
四氟化鍺,可減少污染或增加離子源壽命,則所屬技術
領域中具有通常知識者基於乙證10揭露之摻雜氣體及稀
釋氣體,為改良離子源之效能並延長離子源之生命期,
自有動機選擇經同位濃化之四氟化鍺作為摻雜氣體,並
與氫氣等稀釋氣體相互混合為摻質組成物。乙證10及乙
證8(或乙證9)雖未揭露將經同位素濃化之四氟化鍺與
氫氣所組成之氣體混合物儲存於單一容器中;然乙證10
已教示將稀釋氣體與摻雜氣體相混合,具有改善離子源
效能及生命期之功效,且乙證10實施例業揭露混合氣體
不僅可在電弧室中混合,亦可在進入電弧室前混合(對
於改善離子源效能及生命期並未產生實質效果),則所
屬技術領域中具有通常知識者當能輕易思及將摻雜氣體
與稀釋氣體先行混合並封裝於單一容器中,亦即其僅為
乙證10將摻雜氣體與稀釋氣體個別封裝於不同容器之簡
單變更。另查系爭專利1圖1及說明書第28頁最後一段至
第29頁(見本院卷一第92至93頁)記載之內容可知,離
子植入處理系統中關於氣體提供至離子植入前,摻雜氣
體(裝置於容器304)與稀釋氣體(裝置於容器362,見
本院卷一第93頁第10行)分別裝置於不同之容器(氣瓶
),之後經管線(366,370)將氣體輸送至混合室360
,以將氣體混合物通往植入機的離子源,系爭專利1說
明書第31頁第2至8行(見本院卷一第95頁)記載「摻雜
氣體可含一或多種補充氣體(即稀釋氣體及/或共種氣
體)的混合,…例如,在第1圖系統中,容器302可構成
含有摻植氣體與補充氣體混合物的單一氣體供應容器(
無補充容器362、634)」。由上開系爭專利1說明書內
容可證,反應氣體不論以單一容器提供混合氣體,或以
兩個容器分別提供摻雜氣體與稀釋氣體再予混合,均能
達成改良離子源效能或生命期之功效,另查系爭專利1
說明書通篇亦未記載以「單一」氣體供應容器,對於發
明所欲改善離子源效能及生命期之功效具有何無法預期
之功效,是對所屬技術領域中具通常知識者而言,更正
後系爭專利1請求項1、15之發明,係將乙證10與乙證8
(或乙證9)組合後予以簡單變更所能輕易完成者,故
乙證10、8及7之組合,或乙證10、9及7之組合,足以證
明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性。
⑸更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18,係請求項1
、15之直接或間接附屬項,且其附屬技術特徵已為乙證
8或乙證9所揭露,詳如前述;故乙證10、8及7之組合,
或乙證10、9及7之組合,足以證明更正後系爭專利1請
求項7、9、13、16至18不具進步性。
⒋乙證14、13、11及8之組合,或乙證14、13、11及9之組合
,或乙證15、13、11及8之組合,或乙證15、13、11及9之
組合,或乙證16、13、11及8之組合,或乙證16、13、11
及9之組合,或乙證17、13、11及8之組合,或乙證17、13
、11及9之組合,均足以證明更正後系爭專利1請求項1、7
、9、13、15至18不具進步性
⑴乙證14為我國第200836229號「具氣體稀釋之離子源的改
善效能與延長生命期的技術」專利公開案,其公告日為
97年9月1日,早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專
利2之103年12月21日之公告日,為系爭專利1、2之先前
技術。
①乙證14技術內容
乙證14揭露一種具氣體稀釋之離子源改善效能並延長
生命期之技術。在一特定例示性實施例中,該技術可
被實現為一種具氣體稀釋之離子植入機中之離子源改
善效能並延長生命期的方法,該方法包含:將預定量
之摻雜氣體釋放至離子源腔室中,及將預定量之稀釋
氣體釋放至離子源腔室中。稀釋氣體可包含用於稀釋
摻雜氣體以改善離子源之效能並延長其生命期的含氙
氣體與含氫氣體之混合物(參乙證14摘要,本院卷五
第475頁)。
②乙證14圖3A為離子源組態示意圖,如附圖10所示。
⑵乙證15為美國第7592212號「用於確定植入半導體基板中
雜質劑量的方法」專利公開案,其公告日為2009(98)年
9月1日,早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之
103年12月21日之公告日,為系爭專利1、2之先前技術
。
①乙證15技術內容
乙證15揭露一種用於確定電漿摻雜過程中雜質總劑量
的方法及其裝置,其係直接測量植入半導體基板中的
總離子劑量,例如使用法拉第杯,並以離子質譜直接
測量電漿摻雜過程所產生電漿中雜質離子種與非雜質
離子種的比例,以及每種雜質離子種與電漿中總雜質
離子種的比例,最後以總離子劑量和比例來確定雜質
總劑量(參乙證15摘要,本院卷五第599頁)。
②乙證15圖1為確定植入半導體基板雜質總劑量之方法示
意圖,如附圖11所示。
⑶乙證16為美國第7534628號「半導體裝置的形成方法及光
電裝置的形成方法」專利公開案,其公告日為2009(98)
年5月19日,早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利
2之103年12月21日之公告日,為系爭專利1、2之先前技
術。
①乙證16技術內容
乙證16揭露一種形成半導體裝置的方法,該半導體裝
置包括一個含有由電漿增強化學氣相沉積法(CVD)
形成的晶體之矽基沉積半導體層,該方法包括以下步
驟:在形成該半導體層時,於高頻電極與基板之間施
加偏壓,且使高頻電極為負極;檢測在高頻電極或基
板上產生的火花;並根據檢測結果控制至少一個條件
,該條件從高頻功率、偏壓電壓、偏壓電流、壓力、
氣體流量和電極間距離所構成的組合中選擇,以使持
續時間100毫秒或以上的火花數量保持在每分鐘不超
過1次(參乙證16摘要,本院卷五第521頁)。
②乙證16圖11為形成半導體裝置之流程步驟示意圖,如
附圖12所示。
⑷乙證17為我國第58963號「使用微波能量製造不定形半導
體合金及裝置之方法」專利案,其公告日為73年6月1日
,早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年1
2月21日之公告日,為系爭專利1、2之先前技術。
乙證17技術內容:乙證17揭露一種用以將不定形半導體
合金膜澱積於基底上之方法,包括:供給微波能源;使
該微波能配合入裝有該基底之實質上封閉之反應器內;
及將包括至少一種含半導體化合物之氣體導入該反應器
內以於該器中形成輝光放電漿質及使得自該等反應氣體
之不定形半導體膜澱積於該基底上者(參乙證17請求項
1,本院卷五第553頁)。
⑸乙證8及13之組合,或乙證9及13之組合即足以證明更正
後系爭專利1請求項1、15不具進步性,詳如前述,故乙
證14、13、11及8之組合,或乙證14、13、11及9之組合
,或乙證15、13、11及8之組合,或乙證15、13、11及9
之組合,或乙證16、13、11及8之組合,或乙證16、13
、11及9之組合,或乙證17、13、11及8之組合,或乙證
17、13、11及9之組合,自當足以證明更正後系爭專利1
請求項1、15不具進步性。
⑹更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18之附屬技術特
徵均為乙證8或乙證9所揭露,已如前述,故前述各證據
組合亦足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16
至18不具進步性。
⒌乙證7、8及13之組合,或乙證7、9及13之組合,均足以證
明更正後系爭專利1請求項15至18不具進步性
⑴乙證7之技術內容雖可對應於系爭專利1請求項15之技術
特徵。但所屬技術領域中具有通常知識者單憑乙證7尚
無動機由反應氣體及未反應氣體二個群組中,選擇特定
的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體,
以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物,以達成系
爭專利1增進離子源壽命與性能之功效,俱如前述。
⑵惟乙證8及13之組合,或乙證9及13之組合,業已揭露更
正後系爭專利1請求項15之全部技術特徵,足以證明更
正後系爭專利1請求項15不具進步性,以及請求項16至1
8之附屬技術特徵為乙證8或乙證9所揭露,均詳如前述
。是以乙證7、8及13之組合,或乙證7、9及13之組合足
以證明更正後系爭專利1請求項15至18不具進步性。
㈥乙證7等證組合不足以證明系爭專利2更正後請求項
⒈乙證7不足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、10不具新
穎性或不具進步性
⑴更正後系爭專利2請求項1之全部技術特徵,實質上已見
於更正後系爭專利1請求項15之內容;且更正後系爭專
利2請求項2、10之附屬技術特徵,同更正後系爭專利1
請求項16、17。被告乃主張乙證7既足以證明更正後系
爭專利1請求項15至17不具新穎性及不具進步性,此即
足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、10不具新穎性
及不具進步性云云(見被告民事答辯七狀第71至74頁,
本院卷五第397至404頁)。
⑵惟如前述,乙證7並不足以證明更正後系爭專利1請求項1
5至17不具新穎性或不具進步性,被告之主張即非可採
。詳言之,乙證7雖揭露「化學反應氣體」可選自三氟
化硼、四氟化鍺等多種氣體之群組,並可經同位素濃化
(即同位素富集之同型物),並揭露「未反應氣體」可
選自包含氫氣等多種惰性氣體之群組;然更正後系爭專
利2請求項1所界定之發明,係由乙證7揭露的二個群組
個別選出多個或一個成分所組成的選擇發明,並非乙證
7已特定揭露者,故乙證7不足以證明更正後系爭專利2
請求項1不具新穎性。再者,通常知識者由乙證7所揭露
之技術內容,並無動機由前述兩個群組中選擇特定的「
包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體,以及
「包含氫」之稀釋氣體,以共同組成為摻質氣體組成物
,相較於乙證7,系爭專利2具有可達成增進離子源壽命
與性能之功效(參系爭專利2說明書第【0026】段,本
院卷一第119頁),由乙證7之技術內容尚無法預期,故
乙證7不足以證明更正後系爭專利2請求項1不具進步性
。又更正後系爭專利2請求項2、10係依附於請求項1,
包含請求項1之全部技術特徵,則乙證7既不足以證明更
正後系爭專利2請求項1不具新穎性及進步性,自不足以
證明更正後系爭專利2請求項2、10不具新穎性及進步性
。
⒉乙證7及系爭專利2說明書【先前技術】之組合,或乙證7及
6之組合,不足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、10不
具進步性
⑴更正後系爭專利2請求項1之全部技術特徵,實質上已見
於更正後系爭專利1請求項15之內容,故乙證7技術內容
與更正後系爭專利2請求項1間之比對,略同於前述乙證
7與更正後系爭專利1請求項15間之比對,不另贅述。
⑵被告並未具體指出系爭專利2說明書【先前技術】或乙證
6記載之技術內容,何處對應於更正後系爭專利2請求項
1、2、10之技術特徵。被告係以更正後系爭專利2請求
項1、2、10之內容,實質上同於更正後系爭專利1請求
項15至17,乃援引其主張更正後系爭專利1請求項15至1
7不具進步性之證據組合,而包含有系爭專利2說明書【
先前技術】(註:相同於系爭專利1說明書【先前技術
】)及乙證6。惟參照被告抗辯更正後系爭專利1無效之
理由(見被告民事答辯七狀第19、20頁,本院卷五第34
5至346頁),可知系爭專利2說明書【先前技術】與乙
證6,係被告用來主張對應更正後系爭專利1請求項1有
關離子植入之相關步驟。然更正後系爭專利2請求項1並
無記載任何離子植入步驟,顯見系爭專利2說明書【先
前技術】或乙證6並未揭露系爭專利2請求項1之技術特
徵。
⑶既系爭專利2說明書【先前技術】或乙證6,均未提及如
何選擇特定的摻質氣體組成物,是以縱使將系爭專利2
說明書【先前技術】或乙證6,各與乙證7內容予以組合
,所屬技術領域中具有通常知識者仍無動機由乙證7揭
露的兩個氣體群組中,選擇特定的「包含摻質之鹵化物
且經同位素濃化」的摻質氣體,以及「包含氫」之稀釋
氣體作為摻質組成物,且系爭專利2藉此達成增進離子
源壽命與性能之功效,由乙證7、系爭專利2說明書【先
前技術】、乙證6均無法預期。故乙證7及系爭專利2說
明書【先前技術】之組合,或乙證7及6之組合,均不足
以證明更正後系爭專利2請求項1不具進步性。
⑷系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬
項,請求項16至18則為請求項15之直接或間接附屬項。
既乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合,或乙
證7及6之組合,均不足以證明系爭專利1請求項1、15不
具進步性,則乙證7及系爭專利2說明書【先前技術】之
組合,或乙證7及6之組合,自不足以證明更正後系爭專
利2請求項7、9、13、16至18不具進步性。
⒊乙證7、8及系爭專利2說明書【先前技術】之組合,或乙
證7、9及系爭專利2說明書【先前技術】之組合,或乙證7
、8及6之組合,或乙證7、9及6之組合,均不足以證明更
正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12、13不具進步
性
⑴被告抗辯:更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12
、13之實質內容,同於更正後系爭專利1請求項15至17
,是既前述各證據組合足以證明更正後系爭專利1請求
項15至17不具進步性,即足以證明更正後系爭專利2請
求項1、2、4、5、10、12、13不具進步性云云。
⑵惟如前述,乙證7、8及系爭專利2說明書【先前技術】之
組合,或乙證7、9及系爭專利2說明書【先前技術】之
組合,或乙證7、8及6之組合,或乙證7、9及6之組合,
均不足以證明更正後系爭專利1請求項15至17不具進步
性,故被告之主張並非可採。
㈦其餘證據組合可證明更正後系爭專利2請求項具應撤銷事由
乙證10、8及13之組合,或乙證10、9及13之組合,或乙證10
、8、11及13之組合,或乙證10、9、11及13之組合,或乙證
10、8及7之組合,或乙證10、9及7之組合,或乙證7、8及13
之組合,或乙證7、9及13之組合,或乙證14、13、11及8之
組合,或乙證14、13、11及9之組合,或乙證15、13、11及8
之組合,或乙證15、13、11及9之組合,或乙證16、13、11
及8之組合,或乙證16、13、11及9之組合,或乙證17、13、
11及8之組合,或乙證17、13、11及9之組合,均足以證明更
正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12、13不具進步性
⒈更正後系爭專利2請求項1之全部技術特徵,實質上已見於
更正後系爭專利1請求項15。是既前述各證據組合足以證
明更正後系爭專利1請求項15不具進步性,自亦足以證明
更正後系爭專利2請求項1不具進步性。
⒉更正後系爭專利2請求項2係依附於請求項1,並界定「該摻
質氣體是選自由多種鍺化合物所構成的群組,該等鍺化合
物經同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或76之至少
一種鍺同位素的天然含量」之附屬技術特徵。系爭專利2
請求項4、5均依附於請求項2,並分別界定「該摻質氣體
包含一鍺化合物,該鍺化合物經同位素濃化至其鍺72同位
素含量為高於27.3%」、「該摻質氣體包含一鍺化合物,
該鍺化合物經同位素濃化至其鍺72同位素含量為高於51.6
%」之附屬技術特徵。如前所述,乙證8揭示經同位素濃化
的四氟化鍺,且以鍺72同位素濃化至50-52%高於天然含量
;另乙證9記載經同位素濃化的四氟化鍺,以及鍺70、72
、73、74或76之同位素濃化量分別為84-99%、82-98%、72
-99%、94-98%、85-99%等內容,是以乙證8或乙證9之技術
內容,均已揭露前述更正後系爭專利2請求項2、4、5之附
屬技術特徵。又前述各證據組合足以證明更正後系爭專利
2請求項1不具進步性,俱如前述,是以前述各證據組合亦
足以證明更正後系爭專利2請求項2、4、5不具進步性。
⒊更正後系爭專利2請求項10係依附於請求項1,並界定「該
摻質組成物包含四氟化鍺」之附屬技術特徵。更正後系爭
專利2請求項12、13均依附於請求項10,並分別界定「該
四氟化鍺中的鍺具有高於27.3%的鍺72同位素的同位素濃
化量」、「該四氟化鍺中的鍺具有高於51.6%的鍺72同位
素的同位素濃化量」之附屬技術特徵。如前所述,乙證8
揭示經同位素濃化的四氟化鍺,且以鍺72同位素濃化至50
-52%高於天然含量;另乙證9揭示經同位素濃化的四氟化
鍺,以及鍺72之同位素濃化量為82-98%;是以乙證8或乙
證9之技術內容,均已揭露前述請求項10、12、13之附屬
技術特徵。又前述各證據組合足以證明更正後系爭專利2
請求項1不具進步性,俱如前述,故前述各證據組合亦足
以證明更正後系爭專利2請求項10、12、13不具進步性。
㈧對原告陳述意見之回應
⒈原告於言詞辯論時主張:更正後之系爭專利摻質組成物之
重要特徵,特徵1:摻質組成物係儲存於一單一氣體供應
容器中;特徵2:氣體供應容器所儲存之摻質組成物僅含
「摻質氣體」及「稀釋氣體」,而不含其他成分;特徵3:
稀釋氣體經同位素濃化(見114年2月17日庭期簡報第9頁
,本院卷六第225頁),並陳述:
⑴系爭專利之功效(1)系爭專利之摻質組成物可增進離子源
壽命和性能具有功效(依據系爭專利2說明書之[0022]、
[0026]、[0029]之段落),並提出相關研究甲證38、39
之論文佐證eBF3與H2、eGeF4與H2可增進離子源壽命且
可維持甚至增進「離子束電流」之離子源性能⑵系爭專
利之摻質組成物可儲放於單一供應容器且具安全性(見
簡報第10至13頁,本院卷六第225至227頁),並於民事
準備六狀第41頁(見本院卷五第91頁)第7至10行主張
「系爭專利1/2出乎意外地發現:相較於不含稀釋氣體
者,將同位素濃化的摻質氣體與稀釋氣體(氫)組合,所
得離子源壽命和性能較佳(系爭專利1第9頁第4至7行,
本院卷一第73頁),且該氣體組合不會實質影響離子束
電流,甚至額外地增進離子束電流(甲證38及甲證39參
照」(見本院卷五第173至185頁)。
⑵乙證10揭示使用摻雜氣體源會使電弧室外殼202材料沉積
於陰極208而呈現對離子源102效能及生命期造成不利影
響,使用「稀釋氣體」(含氫氣體)延長離子源之生命
期,亦即採用GeF4(摻雜氣體)+AsH3(稀釋氣體)或G
eH4(摻雜氣體)+H2(稀釋氣體)可延長離子源之生命
期,但可能衍生「離子束電流減小」之問題,必須選擇
特定的「稀釋氣體」(共種氣體),以避免此問題,且乙
證10使用時的「預先混合」不等於安全穩定的儲存,乙
證7、8、9、11及13未教示或建議: eBF3/H2、eGeF4/H2
可安全、穩定地儲存於單一容器,故以乙證10為主要證
據之相關證據組合,不足以證明系爭專利欠缺進步性(
見簡報第17至20頁,本院卷六第229至230頁)。
⑶原告另稱:被告稱乙證13可證明「三氟化硼(或四氟化
鍺)與氫氣儲存在單一容器」乃習知技術,進而將乙證
13引用於本件前案證據組合中,此係被告自行拼湊乙證
13技術內容所得之錯誤認知(見本院卷六第12頁)。
⑷系爭專利具肯定進步性因素(見114年2月17日庭期簡報
第44至56頁):①系爭專利1/2之摻雜組合物顯著提升離
子源壽命且不會實質影響片電阻及離子束電流、甚至反
而可增加離子束電流(離子源性能之一)(見簡報第45
頁);②系爭專利1/2將三氟化硼( BF3)或四氟化鍺(GeF
4)與氫氣儲存在單一容器」克服習知將BF3、GeF4及H2
屬於危害物質應隔離分開儲存之技術偏見(見原告簡報
第46至48頁,本院卷六第243至244頁);③系爭專利1/2
產品在短短數年內取得40%以上銷售比例,展現出強勁
成長趨勢,故獲得商業成功云云(見簡報第51頁,本院
卷六第246頁)。
⒉惟由系爭專利2(甲證7)與系爭專利1(甲證6)之內容與
系爭專利2大致相同,故以系爭專利2為例說明。其說明書
第[0002]段記載「本發明係關於使用摻質和摻質氣體混合
物進行離子植入,以增進離子植入系統中的離子源壽命及
性能」,說明書第[0006]段記載「離子源失效可歸咎許多
原因,包括沉積物積聚在陰極表面,其對離子的熱離子發
射有負面影響,以致減低電弧電流、降低性能及縮短離子
源壽命,及因電弧室中產生游離氟,引發摻質氣體進行有
害蝕刻反應而產生四氟化鍺,並因陰極材料剝離或濺射,
造成陰極失去物理完整性而縮減離子源性能和壽命」;說
明書第[0026]段記載「相較於未使用同位素濃化摻質及/
或補充材料的離子植入系統和製程,本發明使用同位素濃
化摻質及/或補充材料的離子植入系統和製程可增進離子
源壽命與性能」;另系爭專利2說明書第[0067]~[0073]段
記載內容,可知採用具同位素之鍺、硼摻質之摻質氣體時
,其中鍺包含同位素(70、72、73、74、76),因74Ge於
離子植入過程中會與砷殘餘物產生及電弧室之不鏽鋼產生
交叉汙染,若不採用鍺為摻質且氣體輸送管與電弧室介面
採用石墨、鎢或其他材料的植入系統沒有交叉汙染問題,
則可採用含74Ge之摻質氣體,故在同一植入機亦用於植入
砷的情況下,使用天然含量之鍺摻質氣體,為解決施行砷
摻雜之離子植入系統植入鍺時的砷汙染問題,採用天然含
量較少的鍺72同位素係有利的,然如四氟化鍺中鍺72同位
素的天然含量為24.3%,鍺74同位素則為37.1%(見系爭專
利2說明書第14至15頁及表I,本院卷一第127至128頁)。
是以使用天然含量之鍺勢必降低可用射束電流,可能減少
產量及增加植入成本。系爭專利使用同位素濃化鍺72同位
素之四氟化鍺或者鍺烷能有效提高可用射束電流,進而增
加離子植入系統產量。使用同位素濃化之摻質組成物,例
如同位素濃化70Ge之四氟化鍺或鍺烷,也可達成類似提高
射束電流、產量和整體性能的好處,相較於未依天然含量
濃度同位素調整之摻質及/或共種氣體的對應系統,有益
的同位素濃度係相對其在摻質及/或共種氣體中之天然含
量增加成能增進離子植入系統中離子源性能與壽命的程度
。上開內容揭示系爭專利提出以經同位素濃化之摻質鹵化
物作為摻質氣體可提高射束電流、增加增進離子植入系統
中離子源性能與壽命的技術及其原理。
⒊再系爭專利2說明書第[0029]段記載「稀釋氣體為不含摻質
物種且與摻質氣體有效混合的氣體,相較於處理不含稀釋
氣體之摻質氣體的相對應離子源壽命和性能,處理具摻質
氣體之含稀釋氣體混合物的離子源壽命和性能較佳。稀釋
氣體實例包括氫氣、氬氣、氟氣和氙氣。」,另查第[001
12]段記載「本發明係關於使用氨氣做為共流氣體和四氟
化鍺,以增進離子植入系統的源壽命,其中四氟化鍺做為
摻質氣體,且四氟化鍺可選擇性同位素濃化至少一Ge同位
素。當使用氨氣做為補充氣體並與四氟化鍺混合來植入鍺
時,氨氣(NH3)的氮與氫分子將有效清除四氟化鍺中的氟
。清除氟的結果,將使GeF4/NH3混合物至少部分抑制鹵素
在離子源內循環,鹵素循環會因鎢鬚晶生長在弧形槽縫及
/或鎢沉積在陰極及/或對陰極上而造成源壽命不佳」,由
上開說明書內容可知,系爭專利係提出以氨氣作為補充氣
體,因氨氣(NH3)的氮與氫分子將有效清除四氟化鍺中的
氟,抑制鹵素在離子源內循環,抑制鎢鬚晶生長在弧形槽
縫及/或鎢沉積在陰極及/或對陰極上而造成離子源壽命不
佳,由系爭專利之發明說明雖揭示摻雜氣體含稀釋氣體混
合物較不含稀釋氣體之摻質氣體的離子源壽命和性能佳,
並舉出稀釋氣體實例包括氫氣、氬氣、氟氣和氙氣。但於
第[00112]段記載之具體實施態樣僅係以四氟化鍺做為摻
質氣體,以氨氣作為補充氣體,並說明氨氣在解決離子源
壽命不佳問題上之作用,系爭專利說明書雖揭示加入稀釋
氣體可解決離子源壽命不佳問題,惟說明書通篇並未揭示
明確以e-GeF4/H2或e-BF3/H2混合氣體的具體實施態樣,
亦未於說明書中提出相關實驗數據以資佐證該二氣體混合
物可增進「離子束電流」之離子源性能。經查原證38為原
告公司於2018年發表之期刊論文、原證39係於2014年發表
之期刊論文,其中一位作者Joseph Sweeney為系爭專利之
第二發明人。經查上開二論文係於系爭專利1公告日(201
3年2月21日)之後相當時日始發表,距離系爭專利1、2申
請日(優先權日)2010年更長達4、8年之久,原告以此欲
證明系爭專利於申請當時以e-GeF4/H2或e-BF3/H2之氣體
組合中之氫氣具有增進「離子束電流」之功效,究屬系爭
專利申請當時即已知悉(發現)?抑或為系爭專利申請之
後甚至公告之後,始由申請人(或發明人)經由實驗試驗
始得知者,自非無疑。
⒋乙證10說明書第11頁末段至第12頁第1段(見本院卷二第71
、72頁)記載「本發明揭露具氣體混合之離子源的效能改
良與生命期延長的技術…所述方法可包含將預定量之摻雜
氣體釋放至離子源腔室內。所述摻雜氣體可包含摻雜物質
。所述方法亦可包含將預定量之稀釋氣體釋放至離子源腔
室內。所述稀釋氣體可稀釋摻雜氣體以改良離子源之效能
並延長離子源之生命期」;又乙證10說明書第15頁表一(
見本院卷二第75頁)揭露多種鹵化物形式之摻雜物質,例
如BF3、GeF4;乙證10說明書第16頁第2段(本院卷二第76
頁)記載「稀釋氣體可包括氫氣(H2)或含氫氣體」,另乙
證10說明書第17頁第7至10行(見本院卷二第77頁)記載
「藉由將預定量之一或多種氣體,諸如含氫稀釋氣體(或
惰性氣體),以及預定量之摻雜氣體釋放至電弧室206內
,可減少金屬成長速率或鎢堆積速率」,上開段落已揭示
鹵化形式之摻雜物質,例如BF3、GeF4加入氫氣可改良離
子源之效能並延長離子源之生命期,其中氫氣的作用可以
減少金屬成長速率或鎢堆積速度,此與前述系爭專利2說
明書第[00112]段記載氨氣(含氫分子)對於改良離子源之
效能並延長離子源之生命期所扮演的功能及作用相同。亦
即乙證10已揭示離子植入製程採用鹵化形式之摻雜物質氣
體中加入氫氣可以減少鎢堆積速度。另查乙證10說明書第
18頁第2段(見本院卷二第78頁)進一步揭示當AsH3(協
同氣體)與GeF4(摻雜氣體)混合時,自由氫與自由氟分
子組合雖可延長離子源生命期,然而,所需摻雜物質(Ge
)因電漿中之協同物質(As)缺乏摻雜劑(Ge)而減小,乙證
10第18頁第3段進一步揭示在離子植入期間使用摻雜氣體-
稀釋氣體之互補性組合,以防止Ge離子束電流減少…如GeH
4(稀釋氣體)+GeF4(摻雜氣體)之混合氣體,不僅自由氫與
自由氟組合以改良離子源之生命期,而且來自摻雜氣體與
稀釋氣體(補充反應之Ge來源)之Ge物質存在可防止任何離
子束電流損失,相較系爭專利係採用經同位素濃化之鹵化
物(e-GeF4)以增加有益摻質(72Ge同位素)濃度(來源)以維
持或增加離子束電流。再乙證10說明書第19頁第14至16行
(見本院卷二第79頁)記載「氫氣(H2)可做為額外稀釋氣
體與任何摻雜劑-稀釋劑混合物一起(此時Ge摻質充足)釋
放以便延長離子束電流」。相較於乙證10所揭示以「GeH4
(稀釋氣體)+GeF4(摻雜氣體)之混合氣體」(其中GeH4係為
補充並維持Ge摻雜劑量)而系爭專利係以(e-GeF4)或(e-BF
3)之同位素濃化(增加有益的摻雜劑之濃度)來防止任何離
子束電流損失(乙證8或乙證9揭示該技術特徵即可達成之
功效)前提下,氫氣的作用均可減少鎢堆積進而維持離子
束電流,故乙證10已揭示加入氫氣混合後具有延長離子束
電流達成功效及原理。乙證8(或乙證9)及乙證10已分別揭
示系爭專利1請求項1於離子植入製程中以經同位素濃化之
摻質之鹵化物,或摻質之鹵化物加入氫氣作為摻質組成物
可防止(Ge)離子束電流損失,以增進離子源壽命和性能之
技術手段。至於摻質組成物之摻質氣體及稀釋氣體兩者係
分開儲存不同容器或是一起混合儲存在單一容器,對於系
爭專利所欲解決增進離子源壽命和性能之問題及功效並未
產生實質的影響。
⒌至於原告主張乙證10使用時的「預先混合」不等於安全、
穩定的儲存,系爭專利係在「混合後儲存」於容器中且「
涉及長期(例如1至3年或更久)之安全性/穩定性」(114
年2月17日簡報第20頁,本院卷六第230頁),惟該功效於
系爭專利申請時之說明書並未記載,亦未提出將該兩特定
氣體混合之實施態樣,故該功效尚難作為系爭專利具進步
性之論斷依據(退而言之,該技術亦見於乙證13),故系
爭專利請求項中之摻質組成物僅為乙證10及乙證8(或乙
證9)之結合,非原告所稱係於系爭專利申請時之意外發
現。
⒍另查甲證38係顯示以單獨使用11BF3、與使用11BF3/H2混合
物可增進離子源壽命至兩倍以上(見甲證38第241頁左欄
第16至20行與右欄第20至22行、圖5,本院卷五第175頁)
,再甲證39顯示使用eGeF4可以得到增進離子束電流,增
進離子源壽命,使用eGeF4+H2可獲得額外的離子束電流增
進(見甲證39第5頁右欄結論第1至5行,本院卷五第183頁
),原告主張以該二證據為證明加入氫氣(H2)對於系爭專
利具有顯著之功效,惟是否達成該功效應與兩者氣體混合
物之特定比例有關,此部分於系爭專利說明書中均未揭示
,且上開二文獻並未針對eGeF4/H2(或11BF3/H2)與習知
以未經濃化之GeF4/H2(或BF3/H2)做比對。由於乙證8(
或乙證9)及乙證10分別揭示e GeF4及H2具有增進離子源
壽命之功能及作用,故原告欲以甲證38或甲證39證明系爭
專利具有無法預期之功效,實屬牽強,故原告主張並非可
採。
⒎另查系爭專利2說明書第[00108]段記載之內容可知,系爭
專利之摻質氣體與補充氣體係分開儲存在不同容器(304,3
62,364),透過管線(312,366,368)輸送至植入室後混合,
另於說明書第[00109]至[00110]段可將摻雜氣體與補充氣
體裝於單一供應容器(co-package共裝混合物)中,並將該
混合氣體傳送至植入室,該方式可用於提供鍺烷(GeH4)混
合含氫氣、鈍氣或其他稀釋氣體之混合物中,相較於高壓
之100%鍺烷,此係較安全的包裝方式,第[00114]段記載
「或者可提供含氨氣與四氟化鍺混合物且呈任何適當相對
比例之單一供應容器」,系爭專利說明書對於摻質氣體及
稀釋氣體混合於單一供應容器的發明,並未揭露eGeF4+H2
及eBF3+H2之實施態樣,更未提出兩者係以該適當比例混
合始達成安全、穩定包裝之效果?故將上開二氣體混合於
單一容器之方式可達「長期(例如1至3年或更久)之安全性
穩定性」究屬系爭專利申請當時即已知悉(發現)?抑或申
請人(發明人)於系爭專利申請之後始經由實驗試驗始得知
者,自非無疑。
⒏另查乙證13第37至38頁(見本院卷五第445至446頁)揭示
一種氣體混合物,其包含清洗氣及沉積氣,該氣體混合物
保持了在離子植入系統之陰極上摻雜材料的累積以及它或
其他材料的剝離之間的平衡,並且因此延長離子源的壽命
(見乙證13第37頁第14至20行,本院卷五第445頁)。該
氣體混合物在離子源植入機中的存儲分配可以藉由一吸附
-解吸設備(被稱為SDS-安全遞送源);一流體存儲和分配
系統(被稱為VAC真空致動氣瓶);或一SDS與VAC的混合流
體存儲和分配系統(被稱為VAC-Sorb)。該等流體存儲和分
配系統提供了氣體在低於大氣壓(負壓)下的遞送,並且由
此比高壓流體存儲和分配系統更安全並且更有效。乙證13
第38頁第8至10行並載明:「該氣體混合物中的一些氣體可
以一起在SDS、VAC或VAC-Sorb系統中存儲和分配,該等氣
體在高壓流體存儲和分配系統中的共存係不相容的(參乙
證13第37頁第20行至38頁第10行,本院卷五第446頁),
該段原申請時之外文說明書為「Moreover, some of the
gases of the gas mixture, which are not compatible
to co-exist under high pressure fluid storage andd
ispensing system, can be stored and dispensed toge
ther under the SDS, VAC or VAC-Sorb systems.」(見
本院卷六第309至311頁);又乙證13除了揭示「在以上方
法的另一實施方式中,氣體混合物的多種氣體順序地流動
以便接觸該陰極」(見乙證13第38頁第13至14行,本院卷
五第446頁)外,乙證13說明書第38頁第11至12行亦揭示
「在以上方法的一實施方式中,氣體混合物的多種氣體同
時地流動以便接觸該陰極」,該段內容意謂氣體混合物係
一起在SDS、VAC或VAC-Sorb系統中儲存和分配始可同時地
流動。再者,乙證13亦揭示氣體混合物之實例(但不限於)
:…H2/GeF4…H2/BF3(見乙證13第39頁第2至6行,本院卷五
第447頁),由上開內容,所屬技術領域中具通常知識者
應可理解,乙證13揭示氣體混合物(見乙證13第39頁第2至
6行所例示,本院卷五第447頁)可藉由VAC、SDS或VAC-Sor
b系統於低於大氣壓下(負壓)的遞送,這樣的傳送方式比
以高壓流體存儲和分配系統更安全並且更有效,而且在這
些氣體混合物中,一些原本以高壓流體存儲和分配系統中
不相容共存的混合氣體,可以SDS、VAC或VAC-Sorb系統(
以低於大氣壓下 (負壓))一起被存儲和分配,故乙證13並
未僅限定可一起儲存和分配的氣體係指「在高壓流體存儲
和分配系統中的共存不相容」的某些氣體,且未排除原本
以高壓流體或低壓流體(負壓)儲存和分配系統中的共存相
容的混合氣體(此由乙證13之請求項44及45項所記載之內
容並未限定氣體混合物為某些特定氣體可證)。故所屬技
術領域中具通常知識者在閱讀乙證13後可得知,乙證13該
例示之氣體混合物可透過VAC、SDS或VAC-Sorb等系統以低
於大氣壓(負壓)下的遞送將該混合氣體一起儲存、運送之
技術教示,故乙證13確實已揭示更正後系爭專利將「四氟
化鍺及氫氣」或「三氟化硼及氫氣」混合而安全、穩定地
儲放於單一容器中之技術特徵,未有原告所稱「被告自行
拼湊乙證13技術內容所得之錯誤認知」,亦無所謂系爭專
利克服了習知 「四氟化鍺」或「三氟化硼」及「氫氣」
分別為具腐蝕性物質或屬易燃氣體應有效隔離分開儲存之
技術偏見,故原告主張尚不足採。
⒐至於原告主張依據甲證38可證明將eGeF4+H2及eBF3+H2儲放
於單一容器且具儲存穩定性及安全性係因兩者化學穩定性
,熱力學計算顯示在室溫或高溫下,11BF3+H2之間並未產
生反應(見甲證38第242頁左欄第37至41行,本院卷五第17
6頁),該摻質組成物能穩定且安全地存於同一容器中,並
能達到至少三年的穩定儲存壽命(甲證38第242頁右欄第1至
2行);甲證39顯示eGeF4+H2混合物可穩定地儲存於單一容
器在高溫的加速安全性測試中,長達25天沒有變化發生(參
114年2月17日簡報第12至13頁,本院卷六第226至227頁)
云云。由於乙證13已明確揭示可將GeF4+H2或BF3+H2之混合
氣體一起儲存並運送即可達成安全性之問題,其非系爭專
利申請時始為之創見,該結果及功效亦為所屬技術領域中
具通常知識者所能預期,原告以上開證據主張系爭專利具
有之功效,並不可採。
⒑原告另主張系爭專利之產品在短短數年內,取得40%以上的
銷售比例,展現出強勁的成長趨勢,故系爭專利已獲商業
上成功(見113年9月5日民事準備六狀第25至27頁,本院卷
五第75至77頁)云云。所謂發明是否具商業上成功係指申
請專利之發明於商業上獲得成功,且其係由該發明之技術
特徵所直接導致,而非因其他因素如銷售技巧或廣告宣傳
所造成者,則可判斷具有肯定進步性之因素(參照智慧局
發明專利審查基準第3.4.2.3.4節)。經查原告僅概略性提
出該公司販售純三氟化硼,以及系爭專利產品所占總銷售
額相對比例,尚無從得知該類產品或競爭公司相類似產品
於整體市場,特別是我國之銷售情形與市占比例,況且系
爭專利產品歷經近10年之銷售,其總銷售額雖有成長,但
總銷售額仍未達純三氟化硼產品一半,自難認已獲商業上
成功,再者,系爭專利產品進入消費市場上的銷售業績及
比例,更可能會因為廠商的品牌形象、銷售策略等因素所
致,非係由系爭專利發明之技術特徵所直接導致,故原告
以此銷售比例據此主張系爭專利獲得商業上的成功,並非
正確。
⒒依上述,由於證據8、9、10、13已分別揭露更正後系爭專利
之所有技術特徵,且證據間具有結合之動機,系爭專利具
有否定進步性因素之理由,原告雖主張系爭專利具有有利
功效、克服習知技術偏見及具商業成功之肯定進步性之輔
助性判斷因素,惟經審酌後認為上開主張並無理由,綜合
考量「否定進步性之因素」及「肯定進步性之因素」後,
認為更正後系爭專利之發明為所屬技術領域中具有通常知
識者參酌該相關先前技術所揭露之內容及申請時之通常知
識所能輕易完成,故不具進步性。
六、綜上所述,被告提出之乙證7與其餘證據組合,雖不足以證
明系爭專利更正後請求項不具新穎性及進步性,但乙證10、
8及13之組合、或乙證10、9及13之組合,乙證10、8、11及1
3之組合、或乙證10、9、11及13之組合,乙證10、8及7之組
合、或乙證10、9及7之組合,乙證14、13、11及8之組合、
或乙證14、13、11及9之組合、或乙證15、13、11及8之組合
、或乙證15、13、11及9之組合、或乙證16、13、11及8之組
合、或乙證16、13、11及9之組合、或乙證17、13、11及8之
組合、或乙證17、13、11及9之組合,均足以證明更正後系
爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性;乙證7、8
及13之組合、或乙證7、9及13之組合,足以證明更正後系爭
專利1請求項15至18不具進步性;乙證10、8及13之組合、或
乙證10、9及13之組合、或乙證10、8、11及13之組合、或乙
證10、9、11及13之組合、或乙證10、8及7之組合、或乙證1
0、9及7之組合、或乙證7、8及13之組合、或乙證7、9及13
之組合、或乙證14、13、11及8之組合、或乙證14、13、11
及9之組合、或乙證15、13、11及8之組合、或乙證15、13、
11及9之組合、或乙證16、13、11及8之組合、或乙證16、13
、11及9之組合、或乙證17、13、11及8之組合、或乙證17、
13、11及9之組合,均足以證明更正後系爭專利2請求項1、2
、4、5、10、12、13不具進步性。系爭專利有應撤銷之事由
,依智慧財產案件審理法第41條第2項規定,原告不得對被
告主張專利權。從而,原告依專利法第96條第1 項至第3 項
、民法第184條第1項前段、第185條、第179條及公司法第23
條第2項規定請求排除及防止被告等繼續侵害系爭專利,並
請求被告二人連帶賠償損害,為無理由,應予駁回。原告之
訴即經駁回,其假執行之聲請失其依據,併予駁回。
七、本件其餘爭點(系爭產品有無落入系爭專利之專利權範圍、
被告應否銷毀系爭產品及負損害賠償責任、損害賠償金額應
如何計算及排除、防止侵害系爭專利有無理由部分),經本
院審酌後認與判決結果不生影響,爰不一一論列。本件無為
中間判決之必要,爰為終局判決,併此敘明。
八、據上論結,本件原告之訴無理由,依智慧財產案件審理法第
2條、民事訴訟法第78條,判決如主文。
中 華 民 國 114 年 3 月 28 日
智慧財產第二庭
法 官 李維心
以上正本係照原本作成。
如不服本判決,應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀,上
訴時應提出委任律師或具有智慧財產案件審理法第10條第1項但
書、第5項所定資格之人之委任狀;委任有前開資格者,應另附
具各該資格證書及釋明委任人與受任人有上開規定(詳附註)所
定關係之釋明文書影本。如委任律師提起上訴者,應一併繳納上
訴審裁判費。
中 華 民 國 114 年 3 月 28 日
書記官 林佳蘋
附註:
智慧財產案件審理法第10條第1項、第5項
智慧財產民事事件,有下列各款情形之一者,當事人應委任律師
為訴訟代理人。但當事人或其法定代理人具有法官、檢察官、律
師資格者,不在此限:
一、第一審民事訴訟事件,其訴訟標的金額或價額,逾民事訴訟
法第四百六十六條所定得上訴第三審之數額。
二、因專利權、電腦程式著作權、營業秘密涉訟之第一審民事訴
訟事件。
三、第二審民事訴訟事件。
四、起訴前聲請證據保全、保全程序及前三款訴訟事件所生其他
事件之聲請或抗告。
五、前四款之再審事件。
六、第三審法院之事件。
七、其他司法院所定應委任律師為訴訟代理人之事件。
當事人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親,或當事人為法人、中央或地方機關時,其所屬專任人員具有律師資格,並經法院認為適當者,亦得為第一項訴訟代理人。
IPCV-112-民專訴-66-20250328-3