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搜尋結果：智慧財產及商業法院

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變更提存物

智慧財產及商業法院民事裁定 114年度商聲字第2號聲請人華南永昌綜合證券股份有限公司法定代理人黃進明住同上送達代收人孫逸文相對人陳錦峰住臺北市南京東路5段167號17樓之 1 張志營住新北市汐止區莊敬街29巷11號10 樓陳沛住新北市中和區景平路431巷56號1 6樓上列聲請人與相對人間假扣押事件，聲請變更提存物，本院裁定如下：主文臺灣臺北地方法院112年度存字第1194號提存事件，聲請人所提供之永豐商業銀行無記名可轉讓定期存單，面額新臺幣1,000萬元壹張（存單號碼：5003206）、面額新臺幣500萬元壹張（存單號碼：4000321）、面額新臺幣100萬元2張（存單號碼：3000390 、3000391）及現金新臺幣68,000元，准以面額新臺幣1,730萬元之中央政府建設公債一一三年度甲類第十期債票代之。理由一、聲請意旨略以：伊與相對人陳錦峰、張志營、陳沛（下合稱相對人）間假扣押事件，前經本院以110年度商全字第2號裁定准以新臺幣（下同）1,667萬元或同額之銀行可轉讓定期存單提供擔保後為假扣押，伊遵本院112年度商聲字第2號裁定於民國112年5月22日以永豐商業銀行無記名可轉讓定期存單1,700萬元及現金68,000元向臺灣臺北地方法院（下稱臺北地院）辦理擔保提存，因上開提存物於113年1月12日到期，該提存物所生孳息為22萬1,000元，爰依民事訴訟法第105 條第1項規定，聲請准以面額1,730萬元之113年度甲類第10 期中央政府建設公債代替之。二、按法院得依供擔保人之聲請，以裁定准許其變換提存物。上開規定於其他依法令供訴訟上之擔保者準用之，民事訴訟法第105條第1項、第106條定有明文。三、經查，聲請人前依本院110年度商全字第2號裁定，以1,667 萬元遠東國際商業銀行無記名可轉讓定期存單向臺北地院辦理擔保提存，後依本院112年度商聲字第2號裁定變更提存物為面額1,000萬元壹張（存單號碼：5003206）、面額500萬元壹張（存單號碼：4000321）、面額100萬元2張（存單號碼：3000390、3000391）及現金68,000元等情，業經本院依職權調取上開擔保提存事件案卷查對無訛，且聲請人所聲請變換之提存物核與原提存物之價值相當，本件聲請於法有據，應予准許。　　四、爰裁定如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　17　　日商業庭審判長法官彭洪英法官　張嘉芳法官　林勇如以上正本係照原本作成。如不服本裁定，應於送達後10日內向本院提出抗告狀，並繳納抗告費新臺幣1,500元。　　　　　　　　　　　　　　　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　17　　日書記官吳佩倩

2025-02-17

IPCV-114-商聲-2-20250217-1

司民聲

智慧財產及商業法院

聲請返還擔保金

智慧財產及商業法院民事裁定 113年度司民聲字第20號聲請人沈玉潔住新北市新店區明德路35號1樓送達代收人曾儀庭相對人惠生生醫科技股份有限公司法定代理人李曉玲住同上上列聲請人聲請返還擔保金事件，本院裁定如下︰　　主文臺灣臺北地方法院一一○年度存字第九○一號擔保提存事件，聲請人所提存之擔保金新臺幣壹佰萬元，准予返還。　　理由一、按訴訟終結後，供擔保人證明已定20日以上之期間，催告受擔保利益人行使權利而不行使者，法院應依供擔保人之聲請，以裁定命返還其提存物，民事訴訟法第104條第1項第3款前段定有明文。前開規定，於其他依法令供訴訟上之擔保者準用之，並為同法第106條前段所規定。二、聲請意旨略以：聲請人與相對人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，聲請人前遵本院108年度民專上字第34號民事判決，為擔保免於假執行，提供新臺幣100萬元擔保金，並以臺灣臺北地方法院(下稱臺北地院)110年度存字第901號擔保提存事件提存在案。玆因訴訟業已終結，並經聲請人定20日以上期間催告受擔保利益人即相對人行使權利而未行使，爰依法聲請返還本件提存物等語。三、經查聲請人所述，業據其提出提存書影本、民事判決書影本、郵局存證信函、掛號郵件收件回執等件為證，經本院依職權調閱臺北地院110年度存字第901號、110年度司執字第215 35號、臺灣士林地方法院(下稱士林地院)110年度司智執助字第3號、臺灣臺中地方法院110年度司執助字第1012號、本院107年度民專訴字第32號卷宗，核閱屬實，且經向本院分案室、臺北地院、士林地院、臺灣新北地方法院(下稱新北地院)、臺灣屏東地方法院(下稱屏東地院)查詢，並無相對人對聲請人行使權利之資料，亦有本院民事紀錄科查詢表、臺北地院函、士林地院函、新北地院函、屏東地院函附卷可稽。從而，聲請人聲請返還本件提存物，經核於法尚無不合，應予准許。四、如不服本裁定，應於裁定送達後10日內，以書狀向本院司法事務官提出異議，並繳納裁判費新臺幣1,000元。中　　華　　民　　國　　114 　年　　 2　　月　　17 　日智慧財產第二庭司法事務官　許秀如

2025-02-17

IPCV-113-司民聲-20-20250217-1

民營上

智慧財產及商業法院

營業秘密排除侵害等（勞動）

智慧財產及商業法院民事裁定 113年度民營上字第7號上訴人即被上訴人羅翌科技股份有限公司法定代理人曾源盛住同上訴訟代理人林三元律師林伯榮律師鄭煜賢律師被上訴人即上訴人倡翌科技股份有限公司兼法定代理人黃國雄住同上共同訴訟代理人蔣文正律師蔣瑞安律師本件新增技術審查官陳盈竹依民國110年12月8日修正公布之智慧財產案件審理法第4條規定，執行下列職務：一、為使訴訟關係明確，就事實上及法律上之事項，基於專業知識對當事人為說明或發問; 二、對證人或鑑定人為直接發問; 三、就本案向法官為意見之陳述; 四、於證據保全時協助調查證據; 五、於保全程序或強制執行程序提供協助。中華民國 114 年 2 月 17 日智慧財產第一庭審判長法官汪漢卿法官陳端宜法官蔡惠如以上正本係照原本作成。本件不得抗告。中華民國 114 年 2 月 18 日書記官邱于婷

2025-02-17

IPCV-113-民營上-7-20250217-2

撤緩

臺灣新北地方法院

聲請撤銷緩刑

臺灣新北地方法院刑事裁定 114年度撤緩字第58號聲請人臺灣新北地方檢察署檢察官受刑人陳勇志上列聲請人因受刑人詐欺案件，聲請撤銷緩刑之宣告（114年度執聲字第329號），本院裁定如下：　　主　文甲○○之緩刑宣告撤銷。　　理　由一、本件聲請意旨略以：受刑人甲○○因犯詐欺案件，經智慧財產及商業法院以111年度刑智上訴字第22號（臺灣新北地方檢察署107年度偵字第595號、第16594號、第32196號）判處有期徒刑10月，緩刑2年，於民國113年2月1日確定在案。竟於緩刑期內即113年3月19日，另犯共同犯圖利媒介性交罪，經臺灣士林地方法院於113年7月31日以113年度審簡字第732號判處得易科罰金之有期徒刑5月，於113年10月1日確定。受刑人因有上揭之犯罪事由，足認其不知悔悟自新，原宣告之緩刑難收其預期效果，而有執行刑罰之必要，合於刑法第75 條之1第1項第2款所定得撤銷緩刑宣告之原因，爰依刑事訴訟法第476條規定聲請撤銷其緩刑之宣告等語。二、按受緩刑之宣告，而於緩刑期內因故意犯他罪，在緩刑期內受6月以下有期徒刑、拘役或罰金之宣告確定，足認原宣告之緩刑難收其預期效果，而有執行刑罰之必要者，得撤銷其緩刑宣告，刑法第75條之1第1項第2款定有明文。三、經查，受刑人前因詐欺案件，經智慧財產及商業法院以111 年度刑智上訴字第22號判處有期徒刑6月（46罪），應執行有期徒刑10月，緩刑2年，甫於113年2月1日確定（下稱前案），竟於緩刑期內之113年3月19日故意再犯共同犯圖利媒介性交罪，經臺灣士林地方法院於113年7月31日以113年度審簡字第732號判處有期徒刑5月，如易科罰金，以新臺幣1千元折算1日，並於113年10月1日確定（下稱後案）等情，有法院前案紀錄表及上開判決書各1份在卷可參，是受刑人係在緩刑期內因故意犯他罪，而在緩刑期內受6月以下有期徒刑宣告確定，堪以認定。受刑人前因三人以上共同以網際網路對公眾散布而犯詐欺取財罪（46罪）受緩刑之宣告，於緩刑期內故意另犯共同犯圖利媒介性交罪，所犯前、後案之犯罪行為態樣雖有不同，但受刑人於前案表明有向公庫支付一定金額之意願，因而獲邀緩刑之寬典後，竟不知記取教訓，反而自前案緩刑宣告後，未滿2月之期間，即再犯妨害風化案件，不僅未因前案刑之宣告而心生警惕，更於後案以擔任「馬伕」之方式賺取金錢，足見前案宣告緩刑所附之條件，無異使其更有經濟上之誘因從事非法犯罪牟利。參以其於後案與應召業者共同藉媒介女子與他人為性交以牟利，破壞並影響社會秩序及善良風氣，可見其法治觀念淡薄，難認有悔悟之心，其行為所顯現之主觀惡性及反社會性並非輕微。從而，本院審酌上開各情，足認受刑人未深刻體認警惕、珍惜改過自新之機會，原為促使惡性輕微之被告或偶發犯、初犯改過自新而宣告之緩刑宣告，已難收其預期之效果，而有執行刑罰之必要。從而，本件聲請合於刑法第75條之1第1項第 2款之規定，應予准許。四、依刑事訴訟法第476條，刑法第75條之1第1項第2款，裁定如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　14　　日　　　　　　　　　刑事第一庭　法　官　陳志峯以上正本證明與原本無異。如不服本裁定，應於裁定送達後10日內敘明抗告理由，向本院提出抗告狀。　　　　　　　　　　　　　　　書記官　鄔琬誼中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　14　　日

2025-02-14

PCDM-114-撤緩-58-20250214-1

民商訴

智慧財產及商業法院

排除侵害商標權行為等

智慧財產及商業法院民事判決 113年度民商訴字第1號原告鄭卉羚訴訟代理人賴宇宸律師複代理人紀伊婷律師被告李尚呈訴訟代理人陳郁婷律師複代理人韓昌軒律師上列當事人間請求排除侵害商標權行為等事件，本院於民國114 年1月8日言詞辯論終結，判決如下：主文原告之訴及假執行之聲請均駁回。訴訟費用由原告負擔。　　事實及理由壹、程序部分一、依現行智慧財產案件審理法（民國112年1月12日修正、同年 8月30日施行）第75條第1項前段規定：本法112年1月12日修正之條文施行前，已繫屬於法院之智慧財產民事事件，適用本法修正施行前之規定。本件係智慧財產案件審理法修正施行前之112年8月22日繫屬於本院，此有原告智慧財產民事起訴狀（侵害商標權）上收文章戳1枚在卷可佐（本院卷一第1 1頁），揆諸前開說明，本件即應適用修正前之規定，合先敘明。二、按不變更訴訟標的，而補充或更正事實上或法律上之陳述者，非為訴之變更或追加，民事訴訟法第256條定有明文。查本件原告起訴時，訴之聲明第1項原為：被告不得於附圖商標（即附表一所示商標，以下均同）所示之同一或類似商品，使用相同或近似於附圖商標圖樣相同之商標，如已製造、販賣、使用於相同或類似商品者，該商品應予回收銷毁，並應即除去其使用與附圖商標相同，如民事起訴狀第3頁、第4 頁所示廣告招牌上之商標圖案等語（本院卷一第11頁）；嗣於本院審理中，原告當庭變更上開聲明為：被告不得於附圖商標所示之同一或類似商品，使用相同或近似於附圖商標圖樣相同之商標，並應將現使用含有相同或近似於附圖所示商標字樣之招牌、名片、網頁、廣告及其他行銷物件、商品包裝均拆除、銷毁及删除等語（本院卷一第271頁），經核原告上開聲明之變更，乃調整請求排除侵害之方法，而係更正法律上或事實上之陳述，於法核無不合，應予准許。貳、實體部分一、原告主張：㈠原告自103年起即於宜蘭縣羅東鎮、冬山鄉地區經營「嘉豐檳榔」並陸續開設如附表二所示5間分店（以下合稱系爭分店）。其後原告於111年12月1日註冊如附表一所示第02266594 號、第02266052號及第02265756號（民事起訴狀誤載為第02 266054號）「嘉豐JIA FONG傳統檳榔及圖」商標（以下合稱系爭商標），並分別使用於第35類之菸酒零售批發、檳榔零售批發等服務，第31類之檳榔、荖花、紅灰等商品及第29類之加工過的檳榔，是原告為系爭商標之商標權人，現仍在商標專用權期間内。㈡嗣原告確診罹癌，為專心治療，遂於111年5月10日將附表二所示5間分店交予被告代為經營管理，然原告仍不堪忍受被告之家庭暴力行為，遂對被告訴請離婚，且原告前後於112 年7月、9月取回附表二編號2、4、5所示分店之經營管理權。然被告自系爭商標註冊之日起迄今，使用與系爭商標相同之圖文經營附表二編號1、3、4所示分店，已侵害原告之商標權，致原告受有損害，原告自得依商標法第68條第1項第1 款、第3款、同條第2項、第69條第1項、第3項及第71條第2 款或第3款規定，向被告請求侵害商標權之損害賠償、請求排除與防止被告侵害系爭商標及銷毀侵權物件。　㈢爰聲明：⒈被告不得於附圖商標所示之同一或類似商品，使用相同或近似於附圖商標圖樣相同之商標，並應將現使用含有相同或近似於附圖所示商標字樣之招牌、名片、網頁、廣告及其他行銷物件、商品包裝均拆除、銷毁及删除。⒉被告應給付原告新臺幣（下同）189萬8,560元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按週年利率百分之五計算之利息。⒊ 就訴之聲明第二項，原告願供擔保，請准宣告假執行。⒋訴訟費用由被告負擔。　二、被告則以：　㈠系爭商標有商標法第30條第1項第12款規定之撤銷原因：　　兩造於102年間結婚，婚後被告於103年起經營「嘉豐檳榔攤」，並陸續開設系爭分店，原告係因與被告之婚後合作關係而知悉系爭商標，嗣兩造於107年間離婚，原告竟意圖仿襲而搶先申請註冊系爭商標，故原告註冊系爭商標，有商標法第30條第1項第12款規定之撤銷原因。　㈡被告係善意先使用系爭商標：　　被告於103年起已開始使用系爭商標圖文經營「嘉豐檳榔攤」，係於原告申請註冊系爭商標之日前善意使用系爭商標圖文於同種類檳榔產品，依商標法第36條第1項第3款規定，被告自得於原告取得系爭商標之商標權後，繼續使用系爭商標圖文於原使用之商品，況被告自112年8月收受原告律師函後，已停止使用系爭商標圖文，故原告稱被告侵害原告之商標權云云，顯無理由。　㈢況兩造於107年10月3日簽訂之離婚協議書（下稱系爭離婚協議）約定：「男女雙方同意共用嘉豐檳榔攤之名稱，如有任一方日後註冊商標，亦不影響另一方經營之權利，註冊方不得以此為由向另一方為任何主張或請求。」亦即兩造有商標授權之合意，且商標之授權係採登記對抗主義，故縱被告未經登記，仍無損被告得向原告主張使用系爭商標之正當權利等語，資為抗辯，並聲明：⒈原告之訴及假執行聲請均駁回。⒉訴訟費用由原告負擔。⒊如受不利判決，被告願供擔保請准免予假執行。　三、本件不爭執事項（本院卷一第237頁）：㈠原告與被告於102年7月31日結婚，於107年10月3日離婚，系爭離婚協議約定：附表二編號2所示分店之經營及財產權歸原告所有；附表二編號1所示分店之經營及財產權則歸被告所有；男女雙方同意共用嘉豐檳榔攤之名稱，如有任一方日後註冊商標，亦不影響另一方經營之權利，註冊方不得以此為由向另一方為任何主張或請求。　㈡原告為系爭商標之商標權人，現仍在商標專用權期限内。㈢附表二編號1、3及4之檳榔攤於111年12月1日原告取得商標權時為被告所經營，且均有使用相同或近似於系爭商標之文字。四、得心證之理由：　　本件原告主張被告於系爭商標註冊後，仍使用與系爭商標相同之圖文經營附表二編號1、3、4所示分店，侵害原告之商標權，而向被告請求損害賠償及排除侵害云云，被告固不否認有於附表二編號1、3、4所示分店使用與系爭商標相同之圖文等情，然以前開情詞置辯，是本件所應審酌者為：⒈系爭商標是否有商標法第30條第1項第12款之不得註冊事由？⒉ 若否，則被告有無善意先使用系爭商標圖文，而依商標法第 36條第1項第3款規定，不受原告商標權效力所拘束之情形？ ⒊若有，則被告使用系爭商標圖文，有無商標法第68條所定侵害原告商標權之情形？⒋原告請求被告負損害賠償責任，有無理由？若有，其損害賠償金額應如何計算？以若干為適當？⒌原告依商標法第69條第1項及第2項之規定，請求排除及防止侵害，有無理由？茲分別敘述如下：　㈠被告於附表二編號1、3、4所示分店招牌及商品外包裝使用系爭商標圖文，為商標使用：　按商標之使用，指為行銷之目的，而將商標用於商品或其包裝容器，並足以使相關消費者認識其為商標，即足當之（商標法第5條第1項第1款參照）。查：附表二編號1、3及4所示分店，於111年12月1日前，係由被告對外經營販售檳榔，且被告於前開分店之招牌、商品包裝均使用相同於系爭商標之「嘉豐」、「JIAFONG」文字及檳榔圖案所組合而成之圖文等情，為被告所不爭執（本院卷一第235頁），並有被告所經營之嘉豐檳榔攤販售檳榔照片（本院卷一第41頁至第51頁）在卷可佐，而「嘉豐」、「JIAFONG」等字樣均與檳榔商品本身之描述並無關聯，其結合後具有指示或辨識商品來源之功能，再參酌被告使用系爭商標圖文之位置係在附表二編號1、3及4所示分店店外招牌及商品外包裝，有前開照片可佐，自足以讓相關消費者認識其為商標使用，故被告使用系爭商標圖文作為商標使用，應堪認定。　㈡系爭商標之註冊，並無商標法第30條第1項第12款之不得註冊事由：　⒈按當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因者，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不適用民事訴訟法、行政訴訟法、商標法、專利法、植物品種及種苗法或其他法律有關停止訴訟程序之規定。前項情形，法院認為有撤銷、廢止之原因時，智慧財產權人於該民事訴訟中不得對於他造主張權利，修正前智慧財產案件審理法第16條定有明文。查：被告於113年4月24日民事答辯狀中辯稱系爭商標之註冊，有商標法第30條第1項第12款不得註冊之事由云云（本院卷一第203頁至第204頁），本院即應就系爭商標之註冊有無該應撤銷之原因自為判斷；又系爭商標核准註冊日均為11 1年12月1日，有經濟部智財局商標檢索系統查詢資料（本院卷一第35頁至第40頁）在卷可參，則系爭商標之註冊有無違法事由而應撤銷，應依註冊時商標法之規定為斷，即應依10 5年11月30日修正公布、105年12月15日施行之商標法（下稱修正前商標法）規定為斷，合先敘明。　　⒉按相同或近似於他人先使用於同一或類似商品或服務之商標，而申請人因與該他人間具有契約、地緣、業務往來或其他關係，知悉他人商標存在，意圖仿襲而申請註冊，不得註冊，為修正前商標法第30條第1項第12款本文所規定。本款規範意旨，係將因與他人有特定關係，而知悉他人先使用之商標，非出於自創加以仿襲註冊，顯有違市場公平競爭秩序情形，列為不得註冊之事由。從而，適用本款之要件，除包括：①相同或近似於他人先使用之商標。②使用於同一或類似商品或服務。③申請人因與他人間具有契約、地緣、業務往來或其他關係，知悉他人商標存在。④未經他人同意申請註冊等要件外，尚須申請人具有仿襲之意圖。另本款係以意圖仿襲來作為判別標準。此一判別標準又包含有以下三要素：第一，必須先註冊之商標申請人知悉先使用之商標存在，如果先註冊之商標申請人根本不知悉先使用之商標存在，而僅因巧合或特殊機緣選用同一或近似商標，即應對先註冊者優先保護；第二，先註冊之商標申請人知悉先使用之商標存在，必須是法律明定之特定關係，如：契約、地緣、業務往來或其他關係。如無此特定關係，即使知悉先使用之商標而加以先註冊，仍應優先保護先註冊者。第三，先註冊之商標申請人基於法定特定關係知悉先使用之商標後，還必須是「意圖仿襲」而註冊，如果先註冊者並非意圖仿襲，而有註冊系爭商標之正當理由，即使因法定特定關係知悉先使用之商標，亦應優先保護先註冊者。必所設三要素（因特定關係、知悉、意圖仿襲）均齊備之情況下，始優先保護先使用者，否則即應保護先註冊者，而應否定先使用者之異議。查：　⑴系爭商標核准註冊日均為111年12月1日，業如前述；被告於1 11年12月1日前即已於附表二編號1、3、4所示分店使用系爭商標圖文對外經營販售檳榔等情，業如前述，足認被告於系爭商標申請註冊前，已經使用與系爭商標圖文，以表彰其所銷售之檳榔等商品，該等商品並與系爭商標指定使用之第31 類商品構成同一，合先敘明。　⑵就原告是否具有仿襲之意圖部分：　　本件原告主張其與被告為夫妻關係，其自103年間起使用系爭商標圖文經營「嘉豐檳榔」第1間店（即附表二編號1所示分店），該時被告另有工作，其後被告方協助部分店內事務等情，則原告自當知悉系爭商標圖文之存在，然原告申請系爭商標是否基於仿襲之意圖，尚須斟酌契約、地緣、業務往來或其他等客觀存在之事實及證據，依據論理法則及經驗法則加以判斷，查：　①證人戴書青於本院審理中證稱：我從兩造交往時就認識他們，原告找地點及籌劃開設嘉豐檳榔攤第一間分店，也就是本院卷一第57頁所示的順安店（即附表二編號1所示分店，以下皆同）時，有跟我討論，裝潢的過程還有費用都是原告處理，所以我認為順安店是由原告出資，當時我在附近上班，所以會過去看一下裝潢的狀況，後來大概在順安店開設後半年至1年左右，我就過去當店長，我總共待了2年，我離開的時候應該是已經開設3間分店。在嘉豐檳榔攤任職期間，3間分店的事情我都要參與，包括顧店、理貨或有人請假時代班，當時廠商請款、付款都是找原告，員工的薪水也是原告付款的，被告還有自己的工作，但我們忙不過來時會過來幫忙等語（本院卷一第273頁至第276頁）；證人游志偉亦於本院審理中證稱：原告在開「嘉豐檳榔」前本來是在其他檳榔攤工作，我因為作送飲料的生意認識原告。104年間原告有提及想要開檳榔攤，並表示希望我能提供冰箱，因為原告的要求，所以我才買了一台雙門冰箱提供給原告放在他的檳榔攤也就是順安店使用，後來順安店開店後原告也有跟我接洽訂購飲料、水、啤酒、香菸事宜，就是由原告訂貨，我再向原告請款，後來附表二所示5間分店我都有去送貨過，早期款項都是原告給我現金，後來則是被告跟我結帳。我知道被告一開始應該是在開大卡車，兩造結婚後，就一起在做檳榔攤，我看到被告也在順安店裡，當時兩造是住在順安店樓上等語（本院卷一第276頁至第278頁），上開證人所述內容，就附表二編號1所示分店之開設經過等節，互核大致相符，足認附表二編號1所示分店於開店伊始，係由原告負責選址、裝潢、購入商品、結帳等相關事宜，則原告主張係由其先經營「嘉豐檳榔」並開設附表二編號1所示分店，而使用系爭商標等情，應屬可採。則縱因兩造間為夫妻關係，故其後被告亦有參與「嘉豐檳榔」之事務，且兩造離婚後亦約定附表二編號1所示分店為被告所有，然原告基於其為開設附表二編號1所示分店並首先使用系爭商標之人，進而註冊系爭商標，已難認原告主觀上基於仿襲之意圖；況系爭離婚協議第 條約定有：㈠嘉豐檳榔攤羅東店（址設宜蘭縣羅東鎮中山路 3段175號，即附表二編號2所示分店）之經營及財產權歸女方（即原告）單獨所有，嘉豐檳榔攤順安店（址設宜蘭縣冬山鄉永興路1段387號，即附表二編號1所示分店）之經營及財產權則歸男方（即被告）單獨所有；㈢男女雙方同意共用嘉豐檳榔攤之名稱，如有任一方日後註冊商標，亦不影響另一方經營之權利等內容，此有系爭離婚協議（本院卷一第22 7頁至第228頁）在卷可佐，則依前開約定，兩造於107年離婚後，即各自擁有附表二編號1、2所示分店之所有權，而均有使用系爭商標之情事，且兩造並未約定其中一造不得單獨申請註冊商標，益見原告申請註冊系爭商標，並非基於仿襲之意圖。　②至就附表二編號1所示分店之開設時間，證人戴書青業已證稱：順安店開設的時候，原告有第1個小孩，年紀大概1歲左右等語（本院卷一第275頁至第276頁），且經比對原告之現戶全戶戶籍謄本（本院卷一第225頁至第226頁），兩造之長子為000年0月生，是依證人戴書青之證述，堪認其所證稱原告開設附表二編號1所示分店之時間，應係在104年間，而核與原告之主張大致相符，至證人戴書青雖另證稱：我在原告所開設的「嘉豐檳榔」任職時，應該是108年至110年間等語（本院卷一第274頁），而與原告所稱開設附表二編號1所示分店之時間有所不符，然證人戴書青前開證述，或係時間久遠而記憶不清所致，尚無礙於本院前開認定，併此敘明。　⑶綜上，本件依卷存事證，尚難認原告係基於仿襲之意圖而註冊系爭商標，自難認系爭商標有商標法第30條第1項第12款不得註冊之事由。　㈢被告得否主張善意先使用系爭商標圖文，而依商標法第36條第1項第3款規定，不受原告商標權效力之拘束？　　按在他人商標註冊申請日前，善意使用相同或近似之商標於同一或類似之商品或服務，不受他人商標權之效力拘束，但以原使用之範圍為限，商標權人並得要求其附加適當之區別標示，為112年5月24日修正商標法第36條第1項第4款定有明文（原為同條項第3款）。主張善意先使用抗辯者，須證明如後要件：①其使用時間在商標權人商標註冊申請日前。②先使用之主觀心態須為善意，不知他人商標權存在，且無不正競爭目的。③使用相同或近似之商標於同一或類似之商品或服務。準此，本款規範之目的，在於平衡當事人利益與註冊主義之缺點，並參酌使用主義之精神，故主張善意先使用之人，必須於他人商標註冊申請前已經使用在先，並非以不正當之競爭目的，使用相同或近似之商標於同一或類似之商品或服務，始不受嗣後註冊之商標效力所拘束。商標權人得視實際交易需求，有權要求善意使用人附加適當之標示，以區別商標權人之商標；而所謂善意者，並非以其不知他人商標之存在為判斷基準，而係以其使用相同或近似之商標於同一或類似之商品或服務時，並無造成相關消費者混淆誤認之不正競爭意圖為判斷基準。而善意使用之認定時點，係以商標註冊申請日為判斷基準。申言之，商標法之善意先使用之規範，在於保護先使用行為所創造之事實狀態或社會關係，使善意使用人能在原有社會關係中，享有應受保護之利益。商標善意先使用者，不以行為人自行創設商標為限，亦包含行為人於他人商標註冊申請日前，並非以不正當競爭為目的而使用商標，均符合商標善意先使用之要件（本院104年度民商上字第18號民事判決意旨參照，最高法院107年度臺上字第1139號民事裁定駁回上訴確定）。查：　⒈系爭商標係於111年6月16日申請註冊，有經濟部智財局商標檢索系統查詢資料在卷可佐；而附表二編號1、3、4所示分店自開店伊始即使用「嘉豐檳榔」之名稱對外銷售檳榔商品等情，亦為原告所自承在卷，已堪認附表二編號1所示分店係自104年間起、而附表二編號3、4所示分店則自108年間起均有使用系爭商標圖文對外銷售檳榔商品之事實；另依系爭離婚協議，兩造離婚後附表二編號1所示分店之所有權即歸被告單獨所有，如前所述，且附表二編號1、3、4所示分店，均於110年間登記為被告所有，有前開3間分店之登記資料在卷可佐（本院卷一第53頁至第57頁），原告亦自承111年5 月間起前開分店即為被告所經營等情（本院卷一第249頁），是堪認被告於系爭商標申請註冊前即持續使用系爭商標圖文於前開分店銷售檳榔商品，且使用方式大致相同，則其並非以不正當競爭為目的而持續使用系爭商標圖文於檳榔商品，亦未逾越原使用之商品範圍，自符合商標善意先使用之要件，而不受商標權之拘束。是以，原告此部分主張，亦非可採。　⒉至原告雖主張：附表二所示5間分店實際上均係由原告獨資經營，兩造離婚後，為顧及未成年子女之生活，僅係名義上將附表二編號1所示分店分配予被告，然實際上仍由原告經營，被告自108年後方有協助店內事務，然被告僅係員工身分，故被告無從主張善意先使用系爭商標云云（本院卷一第24 2頁、第248頁）。然縱認原告就附表二編號1所示分店係由其開始經營此一主張係屬可採，惟：　⑴原告業已自承111年5月10日起由被告負責經營附表二所示5間分店等情，如前所述，則原告於111年6月系爭商標申請註冊前，附表二所示5間分店客觀上係由被告所經營，自堪認定；再參諸附表二編號1、3、4所示3間分店均於110年間登記為被告所有，亦如前述，被告既為前開分店之登記所有權人，亦負責管理前開分店之事務，自難認被告僅係員工之角色，則被告於原告尚未申請註冊前確實有使用系爭商標圖文，應無疑義。至原告雖主張被告僅係員工身分，係好意協助經營附表二所示5間分店，且原告有支付備用金，且係被告於原告不知情之情形下辦理商業登記云云，並提出轉帳資料為證（本院卷二第29頁），已為被告所否認，且由該轉帳資料，僅堪認原告確實有轉帳予被告，然兩造該時為夫妻關係，僅由前開轉帳資料，尚無從得知原告轉帳之原因，原告此部分主張，自難憑採。　⑵再者，依系爭離婚協議第條㈠約定，兩造於107年間離婚後附表二編號1所示分店歸被告單獨所有，另同條㈢亦約定，男女雙方同意共用嘉豐檳榔攤之名稱，如有任一方日後註冊商標，亦不影響另一方經營之權利等情，業如前述，則被告於兩造離婚後，基於其為附表二編號1所示分店之所有權人身分，及基於前開共用「嘉豐檳榔」名稱之約定，經營附表二編號1、3、4所示分店，並繼續使用系爭商標圖文，亦難認其使用並非基於善意。至原告雖又以兩造於111年12月21日又再度結婚，是系爭離婚協議之約定已向後失效云云（本院卷一第242頁），惟兩造再度結婚之日期乃在系爭商標申請註冊日之後，是縱原告主張可採，系爭離婚協議之約定業已因兩造再婚而失效，亦與被告是否於系爭商標申請註冊「前」即善意先使用之認定無涉，況原告並未舉證兩造於第二度結婚時，就夫妻財產制度曾另為約定，則適用法定夫妻財產制之結果，兩造縱再度結婚，亦不影響被告對婚前財產之所有權，是原告前開主張，顯屬誤會，併此敘明。　⒊綜上所述，被告於系爭商標111年6月16日申請註冊日前，即已開始於附表二編號1、3、4所示分店之招牌及商品外包裝袋上使用系爭商標圖文而為商標使用，迄今未中斷，亦無證據證明其主觀心態惡意或不正競爭之行為，而符合善意先使用之情明確，則被告在原有銷售檳榔商品而善意使用系爭商標圖文之情形下，其交易關係於法律上所應受保護之權益，自不受系爭商標之商標權效力所及，是被告自系爭商標公告之日起使用系爭商標圖文之行為，核屬商標法第36條第1項第3款規定之善意先使用，不受原告商標權效力之拘束，即不構成侵害原告系爭商標之商標權行為。準此，原告據此請求被告排除及防止侵害、銷毀侵權物件，並請求被告負損害賠償責任，均屬無據。㈢又被告既得主張善意先使用系爭商標圖文，而有商標法第36 條第1項第3款前段規定之適用，則本件其他爭點即無審究之必要，附此敘明。五、從而，原告依商標法第69條第1項規定，請求被告排除、防止侵害及銷毀侵權物件；及依商標法第69條第3項之規定，請求被告給付189萬8,560元損害賠償本息，均無理由，應予駁回。又原告之訴既經駁回，其假執行之請求即失所依附，應併予駁回。六、本件事證已臻明確，兩造其餘主張及攻擊防禦方法，經本院審酌後認對判決結果不生影響，爰不逐一論列。七、結論：本件原告之訴為無理由，依修正前智慧財產案件審理法第1條，民事訴訟法第78條規定，判決如主文。　中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　14　　日智慧財產第四庭法官　李郁屏以上正本係照原本作成。如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　17　　日書記官張珮琦　　　　　　　　　【附表一】系爭商標1（註冊第02266594號）申請日期：111年06月16日註冊日期：111年12月01日註冊公告日期：111年12月01日專用期限：121年11月30日商標名稱：嘉豐JIA FONG傳統檳榔及圖商標權人：鄭卉羚商品類別：第035類商品或服務名稱：企業管理顧問、工商管理協助、飲料零售批發、菸零售批發、酒零售批發、檳榔零售批發。 (墨色) (平面) 系爭商標2（註冊第02266052號）申請日期：111年06月16日註冊日期：111年12月01日註冊公告日期：111年12月01日專用期限：121年11月30日商標名稱：嘉豐JIA FONG傳統檳榔及圖商標權人：鄭卉羚商品類別：第031類商品或服務名稱：檳榔、荖花、紅灰、白灰、荖藤、荖葉 (墨色) (平面) 系爭商標3（註冊第02265756號）申請日期：111年06月16日註冊日期：111年12月01日註冊公告日期：111年12月01日專用期限：121年11月30日商標名稱：嘉豐JIA FONG傳統檳榔及圖商標權人：鄭卉羚商品類別：第029類商品或服務名稱：加工過的檳榔。 (墨色) (平面) 【附表二】原告主張由其出資設立經營之5間檳榔店編號設立時間店名地址備註 1 104年間嘉豐檳榔永興店(即順安店，商業登記名稱為「嘉豐檳榔」) 宜蘭縣冬山鄉永興路1段387號1樓 1.110年間登記為被告所有，登記資料見本院卷一第57頁。 2 106年底至107年初嘉豐檳榔中山店(非本件侵權標的) 原地址為宜蘭縣羅東鎮中山路3段175號，現址為宜蘭縣羅東鎮中山路2段143號 3 108年間嘉豐檳榔興東南店(商業登記名稱為「嘉呈檳榔」) 宜蘭縣羅東鎮興東南路246號1樓 1.110年間登記為被告所有，登記資料見本院卷一第53頁。 4 同上嘉豐檳榔復興店 (即竹林店，商業登記名稱為「嘉洋檳榔」，後改名為「嘉蓁檳榔」) 宜蘭縣羅東鎮竹林里復興路2段317號1樓 1.110年間登記為被告所有，登記資料見本院卷一第55頁。 2.112年9月14日改登記為原告所有，登記資料見本院卷二第11頁。 5 同上嘉豐檳榔冬山店 (非本件侵權標的) 宜蘭縣羅東鎮冬山路一段783號

2025-02-14

IPCV-113-民商訴-1-20250214-2

自

臺灣臺北地方法院

偽造文書

臺灣臺北地方法院刑事判決 112年度自字第77號自訴人泰國商創利電子股份有限公司（SINO-THAI CREATION INTERNATIONAL CO.,LTD.）代表人程萬遠自訴代理人張伯時律師被告呂淑娥年籍詳卷吳釗燮年籍詳卷蕭美琴年籍詳卷上列被告因偽造文書案件，經自訴人提起自訴，本院判決如下：　　主　文本件自訴不受理。　　理　由一、自訴意旨如附件「刑事自訴狀」所載。二、按犯罪之被害人得提起自訴。但無行為能力或限制行為能力或死亡者，得由其法定代理人、直系血親或配偶為之，刑事訴訟法第319條第1項定有明文；又其所稱「犯罪之被害人」，係指犯罪之直接被害人而言，但在侵害國家法益或社會法益兼有侵害個人法益之犯罪，何種情形下，個人為直接被害人，法律並未明確界定其範圍，自得由審判法院依具體個別犯罪事實認定之（司法院釋字第297號解釋意旨參照）。是該條項所稱犯罪之被害人，以因犯罪「當時」而「直接」被害之人為限。且此所謂直接被害之人，係指其法益因犯罪行為而直接受到損害而言，亦即其法益被侵害必須與行為人之犯罪行為具有直接因果關係，始足當之；若其法益是否被侵害，尚須視其他人之行為而定，或自訴人所指被告之犯罪行為，對於其被侵害之法益僅具有間接影響，而無直接因果關係者，均非此所謂直接被害人，自不得對被告提起自訴（最高法院110年台上字第3614號判決意旨參照）。三、經查：（一）觀諸自訴意旨所指述之內容，係自訴人對陳束學提起偽造文書等自訴之刑事訴訟程序中，因被告呂淑娥、吳釗燮、蕭美琴(下合稱被告3人)明知美國政府聯邦通訊傳播委員會(FCC)公文書英文原本暨經公證人公證之譯文非經美國國務院認證屬實，竟反於事實於被告呂淑娥所掌之「中華民國文件證明專用」公文書內虛偽登載「茲證明本文件確經美國國務院簽章屬實」，致使智慧財產法院（現改制為智慧財產及商業法院）108年度刑智上更（二）字第1號判決認定上揭文書非美國公部門出具之文書，致自訴人及公眾受有損害，自訴人自為被告3人所涉刑法第213條公務員登載不實公文書罪之被害人，而得提起自訴云云。（二）然縱刑法第213條之公務員登載不實罪，兼具保護國家及個人法益之作用，受損害之個人，依法得提起自訴，惟仍應依具體個別犯罪事實認定受損害之個人是否為「直接被害人」，不可一概而論。依自訴事實所載，被告3人登載不實公文書之內容，僅係另案刑事案件審理過程中，由智慧財產法院承審法官審認該案被告張束學是否構成行使業務上不實文書罪犯行之部分參考資料，亦即，張束學是否涉犯行使業務上不實文書罪嫌，仍需由承審法官綜合其他各項事證，依其認事用法之結果，本於職權加以判斷，至於前揭美國聯邦通訊委員會覆函暨譯文是否足以憑信，法院依法仍允與以檢驗、覈實，屬證明力之範疇。亦即自訴人受害與否，尚須視法院採信其文書內容與否而定，堪認自訴人並未因前揭「中華民國文件證明專用」而直接、同時受有損害，尚非刑法第213條公務員登載不實罪之直接受害人，揆諸前開說明，即非屬刑事訴訟法第319條第1項前段所指之被害人，依法非適格之自訴人，自不得提起本件自訴。四、綜上所述，法院對於案件之審查順序，係先程序、後實體。對於自訴案件，倘發現有不得提起自訴而提起者，依刑事訴訟法第334條規定，即應諭知不受理判決，自毋庸進行實體審查被告所被訴之事實，是否確實符合犯罪之構成要件。從　　而，本件自訴人以被告3人涉犯前揭罪嫌為由，對被告3人提起本件自訴，屬不得提起自訴而提起，是依前揭說明，本件爰不經言詞辯論，逕為諭知不受理之判決。　　據上論斷，應依刑事訴訟法第334條、第343條、第303條第1款、第307條，判決如主文。　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　14　　日　　　　　　　　　刑事第十一庭審判長法　官　鄧鈞豪　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　趙德韻　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　林承歆上正本證明與原本無異。如不服本判決應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，並應敘述具體理由；其未敘述上訴理由者，應於上訴期間屆滿後20日內向本院補提理由書（均須按他造當事人之人數附繕本）「切勿逕送上級法院」。　　　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　陳靜君中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　17　　日

2025-02-14

TPDM-112-自-77-20250214-1

板簡

板橋簡易庭

侵權行為損害賠償

臺灣新北地方法院板橋簡易庭民事裁定 114年度板簡字第241號原告李進明訴訟代理人盧思佳被告滕昕雲華藝數位股份有限公司法定代理人常效宇訴訟代理人陳祐群上列當事人間請求侵權行為損害賠償事件，本院裁定如下：　　主　文本件移送智慧財產及商業法院。　　理　由一、按訴訟之全部或一部，法院認為無管轄權者，依原告聲請或依職權以裁定移送於其管轄法院，民事訴訟法第28條第1項定有明文。又智慧財產及商業法院組織法第3條第1款所定之第一審民事事件，專屬智慧財產法院管轄，且不因訴之追加或其他變更而受影響。但有民事訴訟法第24條、第25條所定情形時，該法院亦有管轄權，智慧財產案件審理法第9條第1 項亦有明定。而依專利法、商標法、著作權法、光碟管理條例、營業秘密法、積體電路電路布局保護法、植物品種及種苗法或公平交易法所保護之智慧財產權益所生之第一審及第二審民事事件，及依商業事件審理法規定之商業事件，為智慧財產及商業法院管轄案件，智慧財產及商業法院組織法第 3條第1款可資參照。準此，除有民事訴訟法第24條、第25條所定情形外，智慧財產民事事件，專屬於智慧財產及商業法院管轄，普通法院就該等事件，應裁定移送智慧財產及商業法院甚明。二、本件原告主張其為「反恐特勤隊－反劫機訓練手冊」一書之著作權人，詎被告擅自出版該書之電子書，並使公眾得以預覽該書部分章節，故認被告侵害原告著作權，爰訴請被告賠償等語，核屬智慧財產及商業法院組織法第3條第1款、智慧財產案件審理法第9條第1項規定之智慧財產民事事件，且本件復無民事訴訟法第24條、第25條所定合意管轄或應訴管轄之情形，依首開規定及說明，自應專屬由智慧財產及商業法院管轄，茲聲請人向無管轄權之本院起訴，顯係違誤，爰依職權將本件移送該管轄法院。三、依民事訴訟法第28條第1項，裁定如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　14　　日　　　　　　　　　臺灣新北地方法院板橋簡易庭　　　　　　　　　　　　　　法　官陳彥吉以上正本係照原本作成。如不服本裁定，應於送達後10日內，向本院提出抗告狀並表明抗告理由，如於本裁定宣示後送達前提起抗告者，應於裁定送達後 10日內補提抗告理由書（須附繕本）。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　17　　日　　　　　　　　　　　　　　書記官　張雅涵

2025-02-14

PCEV-114-板簡-241-20250214-1

民專上

智慧財產及商業法院

侵害專利權有關財產權爭議等

智慧財產及商業法院民事判決 113年度民專上字第16號上訴人廖珮君訴訟代理人林承鋒律師被上訴人承富股份有限公司兼法定代理人鄭淑萍上二人共同訴訟代理人陳明欽律師（兼送達代收人）邱清揚律師上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，上訴人對於中華民國113年5月29日本院112年度民專訴字第46號第一審判決提起上訴，本院於114年1月16日言詞辯論終結，判決如下：主文上訴駁回。第二審訴訟費用由上訴人負擔。事實及理由壹、程序事項：依現行智慧財產案件審理法（民國112年1月12日修正、同年 8月30日施行）第75條第1項前段規定：本法中華民國112年1 月12日修正之條文施行前，已繫屬於法院之智慧財產民事事件，適用本法修正施行前之規定。本件係智慧財產案件審理法修正施行前繫屬於本院，應適用修正前之規定，合先敘明。貳、實體事項：　　一、上訴人主張：㈠上訴人為110年5月21日中華民國第M612284號「車身穩定器」新型專利（下稱系爭專利）之專利權人，同年12月13日獲得新型專利技術報告，比對結果代碼6，即無法發現足以否定其新穎性等要件之先前技術文獻。上訴人前後於110年9月13 日及112年4月間，在被上訴人承富股份有限公司（下稱承富公司）網站，知悉被上訴人承富公司對外販售編號「Q0851 」之「REAR SUBFRAME ANTI-VIBRATION INSERT」產品，甚至透過第三人對外販售編號「Q0832」及編號「Q1014」之「 REAR SUBFRAME ANTI-VIBRATION INSERT」產品（以下分別稱系爭產品1、2、3)，經上訴人委託訴外人冠輿智權事務所分析，認系爭產品1、2、3落入系爭專利申請專利範圍，構成文義侵權。上訴人於111年6月13日委請律師發函被上訴人承富公司，被上訴人承富公司於同年月21日以律師函回覆否認侵權，上訴人復於同年7月21日委請律師再致函被上訴人承富公司，被上訴人承富公司未再回應。被上訴人承富公司現至少已對外銷售156組系爭產品予第三人而獲有利益，上訴人以每組銷售收入新臺幣（下同）1千元計算，共計156,0 00元。被上訴人鄭淑萍為被上訴人承富公司負責人，銷售系爭產品為其職務之執行。爰依專利法第120條準用第96條第3 項、第97條第1項第2款及公司法第23條第2項規定提起本件訴訟。㈡被上訴人7325號產品配件之接合不涉及汽車襯套、其技術特徵與系爭專利「同時抵迫」特徵、概念不相同。是系爭專利「同時抵迫」特徵於系爭專利申請日前未被公開揭露，系爭專利具備新穎性，被上訴人主張先使用抗辯無理由。又系爭專利係該領域首創「同時抵迫」汽車襯套之技術特徵，非所屬技術領域中具通常知識者能輕易思及，具有進步性，否則被上訴人何以於7325號產品出現後數年間仍無法開發具有「同時抵迫」技術特徵之產品，益徵系爭專利具備進步性。二、被上訴人抗辯則以：上訴人所稱之「同時抵迫」或是「接觸抵迫關係」，均係在說明系爭專利藉由底座體之接觸面、延伸凸體之接觸面同時抵迫住汽車襯套，降低汽車行進時汽車襯套之位移、型變程度，實際上與乙證1網頁上之「填滿後大樑的空隙」概念並無不同，僅係文字上敘述之不同，系爭專利與乙證3產品目錄上除記載產品編號為「7325」產品配件之結構、裝設之位置、用途以及設計邏輯上，兩者間並無差異，所欲達成填補原廠襯套空隙、限制襯套橡皮扭動位移以及穩定大樑及車身之效果亦無不同。質言之，系爭專利請求項1之技術特徵於其申請日110年1月20日前，已經乙證1、乙證2所揭露之7325 號產品配件所公開實施，系爭專利請求項1已不具新穎性。又7325號產品之技術領域、所欲解決之問題、技術手段、達成功效與系爭專利均相同情況下，兩者之間之差異，僅係尺寸的改變，屬所屬技術領域中具有通常知識者基於乙證1、乙證2之內容，簡單修飾改變即可輕易完成，系爭專利並沒有產生無法預期之功效，甚至7325號產品之設計更為進步，因此，整體觀之，系爭專利請求項1應不具進步性。至就被上訴人承富公司早於系爭專利申請日前即已販售與系爭專利請求項1技術特徵相同之7325號產品，此有乙證3、9、12-1~ 12-9等資料可稽，足認被上訴人承富公司於系爭專利申請日前已在國內實施系爭專利請求項1之技術特徵，而系爭產品等既與7325號產品具有相同之技術特徵，被上訴人承富公司自得主張「先使用權抗辯」。三、原審判決上訴人之訴及其假執行之聲請均駁回。上訴人不服，提起上訴，並聲明：㈠原判決廢棄。㈡前項廢棄部分，被上訴人承富公司及鄭淑萍應連帶給付上訴人156,000元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止按年息5%計算之利息。㈢第一項廢棄部分，被上訴人承富公司不得直接或間接、自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口侵害系爭專利之物品及其他侵害該專利之行為，如已製造、販賣、使用、進口者，應即回收銷燬之。㈣訴訟費用由被上訴人負擔。㈤第二項部分上訴人願供擔保，請准供擔保後得為假執行之宣告。被上訴人則答辯聲明：㈠上訴駁回。㈡第二審訴訟費用由上訴人負擔。㈢如受不利判決，被上訴人願供擔保請准免予假執行。四、本件法官依民事訴訟法第463 條準用同法第270條之1第1項第3款、第3項規定，整理兩造不爭執事項並協議簡化爭點如下(修正不爭執事項並增列爭點)：　㈠不爭執事項： ⒈上訴人於110年1月20日申請第M612284號「車身穩定器」新　　型專利（即系爭專利），於同年5月21日公告核准。 ⒉被上訴人承富公司販賣系爭產品1、2、3。 ⒊上訴人於111年6月13日委請律師發函被上訴人承富公司，被　　上訴人承富公司於同年月21日以律師函回覆否認侵權，上訴　　人復於同年7月21日委請律師再致函被上訴人承富公司，被　　上訴人公司未再回應。 ⒋系爭產品1、2、3落入系爭專利請求項1之文義範圍。㈡本件爭點: ⒈系爭專利請求項1有無因不具新穎性及不具進步性，具有得　　撤銷之事由？ ⒉被上訴人主張先使用抗辯權是否有理由？ ⒊如構成文義侵權，上訴人請求損害額為多少？ ⒋上訴人請求排除侵害及銷燬系爭產品是否有理由？五、得心證之理由：　㈠系爭專利技術分析: 　⒈系爭專利技術內容: ⑴系爭專利所欲解決問題: 如系爭專利第1圖與第2圖(原審卷第28、29頁)所示，為目前汽車底盤之結構，其主要會在工字樑11之二端上各裝設有一襯套12，再透過固定架13將其與車體底部1形成一連接之狀態，而由於車輛行駛中在過彎或路面不平時會產生晃動之情況，因此，襯套12之主要作用乃是透過其內之彈性體121來吸收車輛晃動之能量，藉此來降低車輛晃動之程度，然襯套12雖吸收了車輛所產生絕大部分之晃動能量，但由於其內之彈性體121本身具有彈性，因此雖吸收了車輛晃動之能量，但卻因本身之彈性而產生了延續性之晃動，乃是經常造成乘坐者不舒適感之原因，再者，由於襯套12本身有以及在與工字樑11、固定架13結合後存在有空隙，因此除了增加了延續性之晃動程度外，更因此大幅降低了襯套12之使用壽命，故，如何將上述缺失問題加以改進，乃為系爭專利所欲解決之技術困難點之所在（參系爭專利說明書第【0002】段）。 ⑵系爭專利解決問題之技術手段: 　系爭專利之主要目的在於：其主要由一底座體、一延伸凸　體與一穿孔所組成，其中延伸凸體乃由底座體一側延伸而　出，而穿孔則同時穿設過底座體與延伸凸體，其主要是套　設於汽車襯套一側，以藉由底座體之接觸面與延伸凸體之　接觸面同時抵迫住汽車襯套，使汽車行進時降低汽車襯套　之形變以及位移之程度，藉此即可達到穩定汽車車身並降　低車身晃動之目的（參系爭專利說明書第【0003】段）。　 ⑶系爭專利對照先前技術之功效: 綜上，相較於習用汽車底盤結構所存在種種之缺失與無法解決之問題，本創作之車身穩定器2乃是將其設置於襯套 3，並位於襯套3與固定架5之間，以透過伸凸體22之接觸面221在持續抵迫與壓縮襯套3內彈性體31之狀態下，使襯套3在吸收了車輛所產生之晃動能量後，僅會產生極小且短時間之延續性晃動，藉此已大幅提高車輛內乘坐人員之舒適感，再者，透過車身穩定器2之設置，更可增加襯套3 之使用壽命（參系爭專利說明書第3頁最後1行至第4頁第5 行）。　 ⒉系爭專利主要圖式如本判決附圖一所示。　⒊系爭專利之申請專利範圍分析: 系爭專利公告之申請專利範圍共4項，其中第1項為獨立項，其餘為附屬項。上訴人主張受侵害權利範圍為系爭專利請求項1，其內容如下：請求項1：一種車身穩定器，其包括：一底座體，其具有一接觸面；一延伸凸體，由底座體一側延伸而出，該延伸凸體並具有一接觸面；一穿孔，同時穿設過底座體與延伸凸體；其主要是套設於汽車襯套一側，以藉由底座體之　　　　　　接觸面與延伸凸體之接觸面同時抵迫住汽車襯套　　　　　　，使汽車行進時降低汽車襯套之形變以及位移之程度，藉此即可達到穩定汽車車身並降低車身晃動之目的。　　　　㈡系爭產品技術內容：原審之民事起訴狀第2、3頁以原證3、原證8指稱被上訴人販售之「REAR SUBFRAME ANTI-VIBRATION INSERT」(編號Q085 1、編號Q0832、編號Q1014)侵害系爭專利請求項1文義範圍。系爭產品1至3對應系爭專利請求項1描述之技術內容為：一種車身穩定器，其包括：一底座體，其具有一接觸面；一延伸凸體，由底座體一側延伸而出，該延伸凸體並具有一接觸面；一穿孔，同時穿設過底座體與延伸凸體；其主要是套設於汽車襯套一側，以藉由底座體之接觸面與延伸凸體之接觸面同時抵迫住汽車襯套，使汽車行進時降低汽車襯套之形變以及位移之程度，藉此即可達到穩定汽車車身並降低車身晃動之目的，系爭產品1至3之照片如本判決附圖二所示。　㈢專利有效性抗辯、專利權效力不及於系爭產品之證據技術分析: 　　被上訴人提出之乙證3至12用以佐證乙證1、2(分別見本院原審113年2月26日言詞辯論筆錄及113年5月7日言詞辯論筆錄，原審卷第437、本院卷第313至314頁)，內容如下: 　⒈乙證1為被上訴人7325號產品(大樑墊片車身穩定器)之網頁，網址為https://www.hardrace.com/product_detail.asp?id =313，網頁內容包含7325號產品之安裝說明書及產品安裝照片。乙證1為一種大樑墊片車身穩定器，後大樑墊片是減少大樑晃動的最佳選擇，能使操駕性帶來顯著的提升，他們能填滿後大樑的空隙，更直接的強化後樑支撐性，絕佳的操控性提升，減少在急加速時輪胎的跳動，提供更好的穩定性（參乙證1網頁描述），其產品照片如本判決附圖三所示。　⒉乙證2為被上訴人7325號產品(大樑墊片車身穩定器)之網頁公開之產品編號7325號安裝說明書，該編號7325號安裝說明書內容包含內含配件(前上後上墊片、前下墊片、後下墊片)、安裝提示及大樑安裝示意圖，如本判決附圖四所示。　⒊乙證3為104(2015)年公開之產品型錄封面及內頁節錄(產品編號7325)，其公開日早於系爭專利申請日（110年01月20日），可為系爭專利之先前技術。乙證3為被上訴人產品型錄封面及內頁節錄，該內頁節錄街道版底盤強化懸吊套件中倒數第三列可見品名：墊片、安裝位置：大樑、產品編號：7325 （參乙證3內頁內容，見原審卷第291至292頁），如本判決附圖五所示。　⒋乙證4為109年12月15日被上訴人7325號產品露天拍賣販售之網頁截圖，其公開日早於系爭專利申請日（110年01月20日），該截圖如本判決附圖六所示，截圖內容包含7325號產品安裝示意圖及產品外觀圖（參乙證4內容）。　 ⒌乙證5為104年5月15日被上訴人6275號產品露天拍賣販售之網頁截圖、104年5月18日被上訴人7382號產品露天拍賣販售之網頁截圖、104年5月18日、108年3月13日被上訴人7444號產品露天拍賣販售之網頁截圖，其公開日早於系爭專利申請日（110年01月20日），乙證5為被上訴人6275號產品露天拍賣販售之網頁截圖、104年5月18日被上訴人7382號產品露天拍賣販售之網頁截圖，截圖內容包含6275、7382、7444號產品外觀圖（參乙證5內容)，該網頁圖如本判決附圖七所示。 ⒍乙證6為乙證1以網頁時光機驗證其刊登日期早於系爭專利申請日之操作驗證流程，由乙證6可佐證乙證1之網頁建立(修改)日期2017(106)年9月6日早於系爭專利申請日(110年1月2 0日)，其網頁下載資料及文件屬性如本判決附圖八所示。 ⒎乙證7為被上訴人所提有效性分析檢表，如本判決附表所示。 ⒏乙證8為被上訴人於112年11月28日就系爭專利向智慧局提出舉發申請書及舉理由書，乙證8之舉發聲明為撤銷全部請求項(請求項1~4)，該案舉發證據與本件乙證1、2不同。　⒐乙證9為江南膠輪汽車用品公司於2017(106)年4月26日刊登於臉書之產品資訊，其公開日早於系爭專利申請日（110年01 月20日），可為系爭專利之先前技術，乙證9之產品型號「7 325$1100」，品名「後大樑墊片」，如本判決附圖九所示。　　⒑乙證10為104(2015)年公開之產品型錄封面及內頁第121、123 頁節錄(產品編號7325)，其公開日早於系爭專利申請日（11 0年01月20日），可為系爭專利之先前技術。乙證10為被上訴人產品型錄封面及內頁節錄，該內頁節錄街道版底盤強化懸吊套件中第121頁倒數第三列及第123頁倒數第一列可見品名：墊片、安裝位置：大樑、產品編號：7325，其圖式如本判決附圖十所示。　⒒乙證11為7325號產品安裝影像檔，影像檔顯示7325號產品安裝於汽車後大樑之相對位置及安裝前後改善後大樑間隙晃動之實際效果(詳參閱乙證11影像檔，見原審卷第449至458 頁)。 ⒓乙證12為被上訴人於103年至109年間所生產、販售7325號產品之出口報單(原審卷第459至560頁)，足證被上訴人於103 年間即開始生產、銷售7325號產品。　　㈣乙證1、2、3相互勾稽足以證明系爭專利請求項1不具新穎性。　⒈乙證1、2、3可相互勾稽，作為系爭專利之先前技術：　　乙證1為7325號產品(大樑墊片車身穩定器)之網頁，網頁上　　有7325號產品照片，並提供7325號產品安裝說明書(即乙證　　2)。乙證3為被上訴人104年產品型錄封面及內頁節錄，其中　　第121頁記載LEXUS IS200/300產品使用到編號7325的產品，　　7325產品的品名為墊片，墊片安裝的位置為大樑，上開目錄　　可證編號7325號產品在104年就已經公開販售，由於乙證1、　　2、3均有標示產品編號7325，且品名與安裝位置亦相同，據　　此乙證3足證乙證1網頁圖式中產品、乙證2安裝說明書內容　　，兩者公開日期早於系爭專利申請日(110年1月20日)，又乙證1網頁上照片、可供點擊之7325號產品安裝說明書，與乙證2之7325號產品安裝說明書照片、文字內容相同，因此，乙證1、2、3為同一事實之關聯證據，可相互勾稽，作為系爭專利之先前技術之適格證據。 ⒉系爭專利請求項1與乙證1、2進行比對：　乙證1為7325號產品網頁，網頁提供7325號產品安裝說明書　 (即乙證2)，乙證2產品安裝說明書上方「Contents內含配　件」第2圖，前下墊片揭露一底座體，具有一環狀接觸面；　一延伸凸體，由底座體一側延伸而出，該延伸凸體並具有一　環狀接觸面；一穿孔，同時穿設過底座體與延伸凸體。乙證　 2底座體、接觸面、延伸凸體、接觸面、穿孔，相當於系爭　專利請求項1底座體、接觸面、延伸凸體、接觸面、穿孔，　故乙證2已揭露系爭專利請求項1「一底座體，其具有一接觸　面；一延伸凸體，由底座體一側延伸而出，該延伸凸體並具　有一接觸面；一穿孔，同時穿設過底座體與延伸凸體」之技　術特徵；另系爭專利請求項1「其主要是套設於汽車襯套一　側，以藉由底座體之接觸面與延伸凸體之接觸面同時抵迫住　汽車襯套，使汽車行進時降低汽車襯套之形變以及位移之程　度，藉此即可達到穩定汽車車身並降低車身晃動之目的」之　技術特徵，僅係描述發明之目的或所欲達到之用途，該記載　文字並未對系爭專利請求項1具有限定作用，故不列入系爭　專利請求項1之比對範圍，因此，乙證2已揭露系爭專利請求　項1全部技術特徵。縱使將上開未對系爭專利請求項1具有限定作用之記載列入比對範圍，乙證2「Installation Tips安裝提示」前下墊片安裝處2、大樑前端安裝示意圖亦揭露下墊片套設於汽車襯套一側，藉由底座體之接觸面與延伸凸體之接觸面同時抵迫住汽車襯套，復參乙證1之7325後車身制震墊片描述：「後大樑墊片是減少大樑晃動的最佳選擇，能使操駕性帶來顯著的提升，能填滿後大樑的空隙，更直接的強化後樑支撐性，絕佳的操控性提升，減少在急加速時輪胎的跳動，提供更好的穩定性」，可認乙證2亦已揭露系爭專利請求項1「其主要是套設於汽車襯套一側，以藉由底座體之接觸面與延伸凸體之接觸面同時抵迫住汽車襯套，使汽車行進時降低汽車襯套之形變以及位移之程度，藉此即可達到穩定汽車車身並降低車身晃動之目的」之技術特徵。 ⒊承上所述，乙證1、2、3相互勾稽已完全揭露系爭專利請求　項1之全部技術特徵，故乙證1、2、3相互勾稽足以證明系爭　專利請求項1不具新穎性。 ⒋上訴人民事上訴理由狀第2頁主張：乙證3產品型錄上僅記載「產品編號7325」文字，無產品照片或圖片，甚至未刊載乙證1網頁所示文字敘述、乙證2安裝說明書圖示，乙證3形式上無法與乙證1、2相互勾稽為同一產品云云(本院卷第39頁) 。惟查，乙證3為被上訴人104年產品型錄封面及內頁節錄，其中第121頁記載LEXUS IS200/300產品使用到編號7325的產品，7325產品的品名為墊片，墊片安裝的位置為大樑，乙證 1至3均有標示產品編號7325，且品名與安裝位置亦相同，故乙證3可以證明乙證1網頁圖式中產品、乙證2安裝說明書內容，足以與乙證1、2相互勾稽，因此上述人上開主張並不可採。 ⒌上訴人民事上訴理由狀第4頁主張：乙證2所示7325產品配件　第2圖，係一平面圖示，而非立體圖示，無法得知該項配件　的整體結構，並參安裝說明書下方大樑後端安裝示意圖僅單　一角度照片，並未充分揭露配件結構技術特徵云云(本院卷第43頁)。然查，由7325號產品安裝說明書(乙證2)安裝提示之圖式可知，前下墊片2可單獨使用於大樑前端，由圖式所揭露之構造，前下墊片2之構造與系爭專利請求項1所載「一種車身穩定器，其包括：一底座體，其具有一接觸面；一延伸凸體，由底座體一側延伸而出，該延伸凸體並具有一接觸面；一穿孔，同時穿設過底座體與延伸凸體」完全相同，故上訴人主張7325號產品與系爭專利所揭露技術特徵不同，為無理由。 ⒍上訴人民事上訴理由狀第4、5頁主張：乙證2未表明其產品套設於「汽車襯套」，更沒有提及「抵迫汽車襯套」、「降低汽車襯套形變程度」、「穩定汽車車身並降低車身晃動」等描述云云(本院卷第43頁)。但查，乙證1之7325後車身制震墊片描述：「後大樑墊片是減少大樑晃動的最佳選擇，能使操駕性帶來顯著的提升，能填滿後大樑的空隙，更直接的強化後樑支撐性，絕佳的操控性提升，減少在急加速時輪胎的跳動，提供更好的穩定性」，另參酌乙證2前下墊片2可單獨使用於大樑前端，即能降低因空隙導致汽車行進時汽車襯套形變程度，以達到穩定車身、減少車身晃動之效果，故上訴人上開主張不可採。 ⒎上訴人民事上訴理由狀第5頁主張：7325號產品本身係由外觀不同的三項配件搭配使用，顯可知7325號產品與系爭專利所揭露技術特徵不同云云(本院卷2第45頁)。惟查，由7325號產品安裝說明書(乙證2)安裝提示之圖式可知，前下墊片2可單獨使用於大樑前端，由圖式所揭露之構造，前下墊片2之構造與系爭專利請求項1所載「一種車身穩定器，其包括：一底座體，其具有一接觸面；一延伸凸體，由底座體一側延伸而出，該延伸凸體並具有一接觸面；一穿孔，同時穿設過底座體與延伸凸體」完全相同，因此，上訴人主張7325號產品與系爭專利所揭露技術特徵不同，其理由並不可採。 ⒏上訴人民事爭點整理暨上訴理由(二)狀第3、4頁主張：7325 　號產品無法證明系爭專利請求項1「藉由底座體之接觸面與　延伸凸體之接觸面同時抵迫住汽車襯套」中「同時抵迫」之　概念已於系爭專利申請日前公開揭露云云(本院卷第75、77 　頁)。然查，同時抵迫係藉由系爭專利底座體之接觸面、延　伸凸體之接觸面同時抵迫住汽車襯套，降低汽車行進時汽車　襯套之位移、形變程度，其與乙證1之7325後車身制震墊片　描述：「能填滿後大樑的空隙」之概念相同，乙證2之前下　墊片2可單獨使用於大樑前端，係為填滿後大樑之空隙，即　具限制襯套橡皮扭動位移與穩定車身之效果，上訴人此部分　之主張無理由。 ⒐上訴人民事上訴理由(三)狀第3至5頁主張：系爭專利之發明　獲得商業上的成功，應予考量，並肯定系爭專利具有進步性　云云(本院卷第245、247、249頁)。但查: 　 ⑴按「惟因商業上之成功可能源自廠商之商業手段策略，例　如：銷售技巧或廣告宣傳所造成，倘欲以商業上之成功克　服不具進步性之判斷，申請人除應證明其實施專利商品之　銷售量高於同質性之商品或在市場具有獨占或取代競爭者　產品之情事外，尚應就實施專利商品之商業上成功係基於　該專利之技術特徵所致之事實負舉證責任」(最高行政法　院107年判字第707號判決意旨參照)。 ⑵上訴人雖提出系爭專利非專屬授權合約書(上證4)欲佐證　系爭專利已獲商業上成功，惟上訴人並未提出任何銷售數　據可證明該實物裝置之銷售量高於同質性之商品或在市場　具有獨占或取代競爭者產品之情事，且並無證據顯示實施專利商品之商業上成功主要係基於該專利之技術特徵所致，而排除主要係因銷售技巧或廣告宣傳所造成之事實，依據前開最高行政法院判決意旨，難謂系爭專利之發明獲得商業上的成功。 ⑶又按「專利之進步性判斷著重於技術層面之價值，至於商　業上的成功僅為進步性之輔助判斷，不論系爭專利於商業　上之成功與否、或上訴人所提供如某發明具有無法預期之　功效、解決長期存在的問題之進步性輔助性證明資料為何　，仍應先為系爭專利與引證間之技術比較，倘已明顯而可　認系爭專利不具進步性時，即無以進步性輔助判斷之必要　」(最高行政法院102年判字第205號判決意旨參照)，由於　乙證1、2、3相互勾稽已足證明系爭專利不具新穎性，有　如前述，且足以證明系爭專利不具進步性，有如後述，因此所謂「商業上的成功」之進步性輔助判斷因素即無參考之必要，上訴人上開主張顯非可採。 ⒑上訴人民事上訴理由(四)狀第2至3頁主張：乙證2檔案之「　文件屬性」所記載的建立日期已被更改云云(本院卷第291、　 293頁)。惟查上訴人此部分之主張不可採，理由如下： ⑴依乙證1所揭之網址和網頁，即可下載取得乙證2產品編號　 7325號安裝說明書，經證實依乙證6所載方式可取得乙證2 　資料無誤，乙證6之實際取得乙證2內容屬可相互勾稽而可　採信。 ⑵雖上訴人提出上證5、6說明乙證2檔案之「文件屬性」所　記載的建立日期可被更改，惟上訴人所提上證5中乙證2的　檔案名稱，與乙證6中乙證2的檔案名稱並不相同，是以兩　者為不同時間所建立之檔案，故無法證明乙證6中乙證2的　建立日期已被更改。　　㈤乙證1、2、3相互勾稽足以證明系爭專利請求項1不具進步性：　　乙證1、2、3相互勾稽已揭露系爭專利請求項1之整體技術特　　徵已如前述，乙證1、2、3相互勾稽自當具有系爭專利說明　　書中所載之功效，系爭專利請求項1為所屬技術領域中具有　　通常知識者依乙證1、2、3相互勾稽之技術內容所能輕易完　　成，故乙證1、2、3相互勾稽足以證明系爭專利請求項1不具　　進步性。　　　㈥被上訴人主張先使用抗辯權有理由: 　⒈按「發明專利權之效力，不及於下列各款情事：…三、申請前已在國內實施，或已完成必須之準備者。」專利法第59條第 1項第3款定有明文。次按「物之發明之實施，指製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口該物之行為。」專利法第58條第2項亦有明文，而所謂製造，就發明專利及新型專利而言，係指作出具有請求項所載的全部技術特徵之物。　⒉系爭產品1至3及乙證1、2之7325號產品具有系爭專利請求項　　1所載全部技術特徵：　　乙證12為7325號產品於103至109年間出口報單，可證明於系　　爭專利申請日前有製造、販賣7325號產品，且系爭產品1至3 　　落入系爭專利請求項1文義範圍，為兩造所不爭執，另乙證　　1、2揭露7325號產品之技術特徵與系爭專利請求項1全部技　　術特徵相同亦如前述。因此，系爭產品1至3及乙證1、2之73 　　25號產品之技術特徵即與系爭專利請求項1所載的全部技術　　特徵相同。　⒊系爭產品1至3及乙證1、2之7325號產品具有系爭專利請求項　　1之全部技術特徵，且已於系爭專利申請日前已製造(實施) 　：　　　系爭產品1至3及乙證1、2之7325號產品均為被上訴人之產品　　，乙證1、2之7325號產品在系爭專利申請日前既已對外製造　　、販售(參乙證6、7、乙證3、9)，另被上訴人於原審所提民　　事答辯(四)狀第4頁理由三及乙證12被上訴人103年至109年　　間之出口報單，足證被上訴人於103年間即開始生產7325號　　產品，故乙證1、2之7325號產品即為系爭專利權效力所不及　　及，而系爭產品1至3既與乙證1、2之7325號產品具有相同之　　技術特徵，則系爭產品1至3與系爭專利請求項1所載的全部　　技術特徵相同之技術特徵，同樣在系爭專利申請前已在國內　　實施，故系爭產品1至3亦為系爭專利權效力所不及，被上訴　　人主張先使用抗辯權為有理由。　㈦上訴人聲請檢附乙證1、2、11、上訴人訴訟代理人於113年1 　　2月2日準備程序提出簡報檔內附動態示意圖以及上訴人自行　　製作於上開期日提交之7325號產品樣本，囑託財團法人中華　　工商研究院進行鑑定。鑑定事項如下：1.乙證11影片顯示之　　產品是否即為被上訴人提出之7325號產品?2.上訴人自行製　　作並於113年12月2日庭期提交之7325號樣本是否與被上訴人　　提出之7325號產品完全相同?3.上訴人於113年12月2日準備　　程序所提簡報檔內附動態示意圖，是否分別符合系爭專利說　　明書聲請專利範圍，及被上訴人乙證11影片內容?4.乙證11 　　影片可否使通常領域中具有相同知識之人輕易知悉系爭專利　　所揭露「同時抵迫」汽車襯套之技術特徵?（113年12月16日　　民事調查證據聲請狀）。惟查，原審113年5月7日言詞辯論　　筆錄中已當庭播放乙證11光碟片，且乙證11僅作為乙證1、2 　　之輔助證明，非作為系爭專利有效性判定的主要證據，故無　　鑑定之必要。又上訴人於113年12月2日備程序提出之所謂73 　　25號號樣本（存放在本院證物盒內），係上訴人所自行製作　　，與7325號產品是否相同，為被上訴人所否認，且無相關證　　據可證與7325號產品相同。再者，上訴人於113年12月2日準備程序庭提之簡報檔內附動態示意圖，非為系爭專利說明書、申請專利範圍或圖式所記載之內容，自無法作為解釋系爭專利申請專利範圍之依據，又簡報檔內附動態示意圖是否相同於乙證11，與判斷本件專利有效性並無關。系爭專利請求項1申請的標的為車身穩定器，雖系爭專利摘要記載「其主要是套設於汽車襯套一側，以藉由底座體之接觸面與延伸凸體之接觸面同時抵迫住汽車襯套，使汽車行進時降低汽車襯套之形變以及位移之程度，藉此即可達到穩定汽車車身並降低車身晃動之目的」之技術特徵，惟該記載文字僅描述發明之目的或所欲達到之用途，並未對系爭專利請求項1的結構產生限定作用，且乙證11僅為乙證1、2之輔助證明，非作為系爭專利有效性判定的主要證據。綜上，本院認為上訴人請求鑑定並無必要，不予准許。六、綜上所述，系爭產品1、2、3雖落入系爭專利請求項1之文義範圍，惟乙證1、2、3相互勾稽足以證明系爭專利請求項1不具新穎性及不具進步性，具有撤銷事由，依修正前智慧財產案件審理法第16條第2項規定，上訴人不得對被上訴人主張系爭專利之權利，且乙證1、2可以證明系爭產品1至3為系爭專利權效力所不及，被上訴人主張先使用抗辯權有理由。從而，上訴人依專利法第120條準用第96條第1項、第2項、公司法第23條第2項規定，請求被上訴人2人連帶給付其156,00 0元損害賠償及遲延利息，及排除與防止侵害系爭專利，為無理由，應予駁回。其假執行之聲請亦失所附麗，應併予駁回。原審為上訴人敗訴之判決，及駁回其假執行之聲請，並無不合。上訴意旨指摘原判決不當，求予廢棄改判，為無理由，應予駁回。七、兩造其餘主張及攻擊防禦方法，經本院審酌後，認為均於判　　決之結果不生影響，爰不逐一論列，附此敘明。八、據上論結，本件上訴為無理由，依修正前智慧財產案件審理法第1條，民事訴訟法第449條第1項、第78條，判決如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日智慧財產第一庭審判長法官　汪漢卿法官　吳俊龍法官　曾啓謀以上正本係照原本作成。如不服本判決，應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，其未表明上訴理由者，應於提出上訴後20日內向本院補提理由書狀 (均須按他造當事人之人數附繕本)，上訴時應提出委任律師或具有律師資格之人之委任狀；委任有律師資格者，應另附具律師資格證書及釋明委任人與受任人有民事訴訟法第466 條之1 第1 項但書或第2 項( 詳附註) 所定關係之釋明文書影本。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　20　　日　　　　　　　　　　　　　書記官　丘若瑤附註：民事訴訟法第466條之1(第1項、第2項) 對於第二審判決上訴，上訴人應委任律師為訴訟代理人。但上訴人或其法定代理人具有律師資格者，不在此限。上訴人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親，或上訴人為法人、中央或地方機關時，其所屬專任人員具有律師資格並經法院認為適當者，亦得為第三審訴訟代理人。

2025-02-13

IPCV-113-民專上-16-20250213-2

民專上

智慧財產及商業法院

專利權移轉登記等

智慧財產及商業法院民事判決 112年度民專上字第31號上　訴　人　欣興電子股份有限公司　　　　　　　　　　　　　法定代理人　曾子章訴訟代理人　陳軍宇律師　黃郁孟律師輔佐人　李昇叡被上訴人　林璟棠　羅彥君即翊宇科技企業社　　　　　　　　　　　　　共同訴訟代理人　蔣昕佑律師陳冠宏律師　楊雯欣律師上列當事人間專利權移轉登記等事件，上訴人對於中華民國112 年10月3日本院111年度民專訴字第52號第一審判決提起上訴，並為訴之追加、變更，本院於114年1月2日言詞辯論終結，判決如下：主文一、上訴、追加及變更之訴及其假執行聲請均駁回。二、第二審（含追加及變更之訴）訴訟費用由上訴人負擔。　　　　事實及理由壹、程序事項：一、本件係智慧財產案件審理法修正施行（民國112年1月12日修正、同年8月30日施行）前繫屬於本院（原審卷㈠第11頁）　　，依同法第75條第1項前段，應適用修正前智慧財產案件審理法之規定。二、上訴人所為訴之追加、變更，程序上應予准許： (一)上訴人於原審主張被上訴人羅彥君即翊宇科技企業社（下稱羅彥君或翊宇企業社）、被上訴人林璟棠（下稱林璟棠）違反契約保密約定，將所知悉包含上訴人營業秘密之機密資訊所衍生相關技術，以林璟棠名義向經濟部智慧財產局（下稱智慧局）申請註冊取得中華民國公告第M588880號「具有防呆裝置之晶圓載片清洗治具」新型專利（下稱系爭專利1）　　、第M606835號「晶圓載片清洗治具」新型專利（下稱系爭專利2，並與系爭專利1合稱為系爭專利），侵害上訴人之專利權及營業秘密，而依保密合約第9條、民法第179條前段、第184條第1項前段、第188條、第213條、第227條、第767條第2項、營業秘密法第10條第1項第4款、第12條第1項、第13 條等規定起訴請求：㈠林璟棠應將系爭專利移轉登記為上訴人所有；㈡被上訴人應連帶給付上訴人新臺幣（下同）400萬元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止按年息5％計算之利息；㈢前項聲明，上訴人願以一定數額之現金或銀行可轉讓定期存單為被上訴人等供擔保，請准宣告假執行。 (二)原審為上訴人敗訴判決後，上訴人除就其敗訴部分提起上訴而為先位聲明（本院二審卷第45頁）之外，另以其就系爭專利創作研發具有實質貢獻為由，追加備位聲明：㈠原判決廢棄。㈡確認系爭專利之專利申請權為上訴人與林璟棠共有。㈢林璟棠應將系爭專利之專利權變更登記為上訴人與林璟棠共有。㈣被上訴人應連帶給付上訴人400萬元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止按年息5％計算之利息。㈤前項聲明，上訴人願以一定數額之現金或銀行可轉讓定期存單為被上訴人供擔保，請准宣告假執行（同上卷第162至163頁）　　；嗣於先位、備位聲明中請求被上訴人連帶給付400萬元本息之訴部分，均變更為羅彥君應給付上訴人300萬元之本息（即先位聲明之㈢、備位聲明之㈣）、被上訴人應連帶給付上訴人100萬元之本息（即先位聲明之㈣、備位聲明之㈤）　　。 (三)被上訴人同意上訴人所為前揭訴之變更部分（本院二審卷第 207頁）；其雖不同意上訴人追加備位聲明，然經核追加備位聲明之專利申請權共有基礎事實與原請求基礎事實同一，均源自於侵害上訴人營業秘密、專利申請權等所生之請求，而就原起訴所主張之事實及證據資料，於追加之訴中亦得加以利用，並無礙於被上訴人程序權之保障，且原審判決理由既認上訴人就系爭專利1、2之部分技術特徵有貢獻，然卻未就系爭專利1、2是否為上訴人與林璟棠之共同創作予以闡明　　，令上訴人就此有補充或追加之機會，如不准上訴人於二審追加備位聲明之主張，實有失公允，故上訴人所為訴之追加及變更，核與民事訴訟法第446條第1項、第255條第1項第1 、2款規定尚屬相符，並無不合，應予准許。又上訴人所為備位聲明㈡具有確認利益，合先敘明。貳、實體事項：一、上訴人主張略以：　　 (一)上訴人委請林璟棠所任職之翊宇企業社製作特定規格之Tray 盤產品，並與翊宇企業社於107年9月20日簽署如原證5、18 所示之保密合約（下稱系爭保密合約)及供應商承諾書（原證32），約定上訴人所揭露予翊宇企業社之機密資訊暨其衍生相關技術之專利權等相關智慧財產權歸屬上訴人所有，且翊宇企業社之員工林璟棠亦應受系爭保密合約拘束，而於　　Tray盤產品製作過程中，均係由林璟棠代表翊宇企業社與上訴人進行溝通協調。詎被上訴人未經伊同意，將渠等因上開合作所知悉包含上訴人營業秘密之機密資訊所衍生相關技術　　，自行以林璟棠為創作人，向智慧局申請取得系爭專利，再由林璟棠將系爭專利專屬授權予翊宇企業社。 (二)由於翊宇企業社僅專精於「塑膠模具」代工製造，並不具備印刷電路板製程相關專業知識，亦無法知悉上訴人廠房機台使用或相關技術特徵，即被上訴人不具晶圓載片設計能力，無從為系爭專利相關技術研發。然依據上訴人所揭露予被上訴人之原證9、10、12至14、16電子郵件內容以及原證22、2 3等資料內容（原證9、10雖未直接揭露但仍有以間接方式揭露，見本院限閱卷㈠第42至48頁），足以證明上訴人對於系爭專利1請求項1至7、10至13以及系爭專利2請求項1至7之新穎性技術特徵，具有實質貢獻（其餘請求項為附屬項），依系爭保密合約第3條約定及專利法第7條第1項規定，系爭專利之專利權及專利申請權應歸屬於上訴人所有，而屬上訴人之發明。另由上訴人所提原證9、10、12至14、16電子郵件內容，涉及Tray盤構造、尺寸、部件細部規格、就Tray盤改良技術之斟酌，均非一般涉及該類資訊之人所知悉，具有秘密性，且上開資訊與電路板產製方式、技術有重大關聯，為可使用於生產之資訊，相關技術領域技術人員可據以製作　　Tray盤產品，節省嘗試摸索之時間成本及降低產品不良率，而具有實際或潛在之經濟價值，上訴人亦已採取合理之保密措施，是以上開資料內容亦屬上訴人所有之營業秘密。被上訴人未經上訴人同意，違反系爭保密合約之約定，擅以林璟棠為創作人名義向智慧局申請取得系爭專利，不僅侵害上訴人之專利權及成立不當得利，另構成對於上訴人營業秘密之侵害，故上訴人自得依民法第179條前段、第184條第1項前段、第188條、第213條、第227條、第767條第2項、營業秘密法第10條第1項第4款、第11條第1項、第12條第1項、第13 條等規定，請求林璟棠將系爭專利移轉登記為上訴人所有，併請求被上訴人連帶賠償因而產生之律師委任費用、鑑定報告費用等損害100萬元，且羅彥君即翊宇企業社另應依系爭保密合約第9條約定，賠償上訴人300萬元之懲罰性違約金。 (三)退言之，倘認系爭專利非屬上訴人之創作，惟被上訴人係因製作上訴人所訂製特定規格之Tray盤產品方構思完成系爭專利，研發期間均係由上訴人員工林雨毅與林璟棠溝通協調相關技術內容，並提供修改及調整之方向，上訴人就系爭專利之創作亦具有實質貢獻，依專利法第5條第2項、第12條第1 項規定，系爭專利之申請權應為上訴人與林璟棠所共有，則林璟棠逕以自己為創作人申請取得系爭專利，已侵害上訴人之專利申請權且受有不當得利，上訴人亦得依前揭規定請求確認上訴人為系爭專利之共有人，林璟棠自應將專利權移轉登記予上訴人與林璟棠共有，併請求被上訴人應連帶賠償其所受損失，以及羅彥君即翊宇企業社另應給付上訴人300萬元之懲罰性違約金。二、被上訴人答辯略以： (一)翊宇企業社主要經營業務為塑膠射出，生產、銷售清洗晶圓時所需使用之放置架即晶圓載片清洗治具等商品，上訴人長年向被上訴人購買晶圓載片清洗治具，均係由上訴人提出尺寸規格需求，再由被上訴人製造販賣予上訴人。而系爭專利為林璟棠自行創作，系爭專利之技術特徵完全未揭露上訴人所稱機台技術特徵，亦與機台技術完全無關，且兩造間從未簽署過任何保密合約，上訴人雖曾多次以電子郵件要求翊宇企業社簽署包括保密合約在內之五份文件，但因雙方就部分條款有歧異，故被上訴人否認有與上訴人簽署系爭保密合約　　。 (二)依上訴人所提原證9、10、12至14、16電子郵件內容，其上所載資訊、圖示均為林璟棠提供予上訴人，或係林璟棠於會議中提出之構思、創作，甚或係依據上訴人需求提出之解決方案、創作，此有被上訴人提出被證3至7之電子郵件及圖面可以佐證，均屬林璟棠之創作，或僅為其具體實施例或簡單置換，故上訴人對系爭專利之技術創作並無實質貢獻，相關資料亦非屬上訴人之創作或其所有機密資訊，自無侵害上訴人之專利申請權或專利權。又觀之原證9、10、12至14、16 電子郵件內容不具秘密性及經濟性，且上訴人亦無採合理保密措施，並非上訴人所有之營業秘密，縱認該等內容係屬上訴人之營業秘密，惟依被上訴人所提被證3至7已足證明被上訴人於上訴人揭露前開資訊前即已獨立完成系爭專利之創作　　，上訴人既不能證明被上訴人係因接觸原證9、10、12至14 　　、16之營業秘密資訊，始為系爭專利之創作，則其主張被上訴人申請系爭專利之行為侵害其營業秘密，即屬無據。 (三)上訴人未能舉證證明系爭專利之技術特徵為其員工林雨毅之創作或與林璟棠之共同創作，且系爭專利迄今仍登記為林璟棠所有，上訴人固就系爭專利另為舉發亦經智慧局認定舉發不成立在案，依最高法院109年度台上字第2155號判決意旨及司法院101年度智慧財產法律座談會意見，上訴人無論依侵權行為、不當得利之法律關係或民法第767條規定，請求移轉登記系爭專利或變更登記為上訴人與林璟棠共有，均於法無據。又上訴人固主張其系爭專利申請權受侵害，因此受有律師費及鑑定費用損失云云，惟其並未能舉證上開費用與本案間有何因果關係存在，是其請求損害賠償並無理由。另關於上訴人請求違約金部分，縱認有理由，惟該300萬元數額過高，且被上訴人申請系爭專利之行為顯未對上訴人行使權利致生阻礙或任何損失，被上訴人自得依民法第252條規定請求酌減違約金數額。至於林璟棠申請系爭專利行為係其身為創作人之權利，並非執行翊宇企業社之職務範圍，並無民法第188條規定之適用。再者，上訴人早已於108年9月25 日知悉林璟棠向智慧局申請系爭專利1，並於同年10月8日取得林璟棠提供之系爭專利1專利範圍及圖式而知悉其專利範圍，然上訴人遲至111年6月1日始提起本件訴訟，是其依侵權行為法律關係及營業秘密法相關規定所為之請求，已罹於 2年消滅時效等語，資為抗辯。三、原審判決上訴人敗訴，上訴人提起上訴並為訴之追加、變更　　，先位聲明：㈠原判決廢棄。㈡林璟棠應將系爭專利1、2移轉登記為上訴人所有。㈢羅彥君即翊宇企業社應給付上訴人300 萬元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止按年息5%計算之利息。㈣被上訴人應連帶給付上訴人100萬元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止按年息5%計算之利息。㈤前二項聲明，上訴人願以一定數額之現金或銀行可轉讓定期存單為被上訴人等供擔保，請准宣告假執行。備位聲明：㈠原判決廢棄。㈡確認系爭專利1、2之專利申請權為上訴人與林璟棠共有。㈢林璟棠應將系爭專利1、2專利權變更登記為上訴人與其共有。㈣羅彥君即翊宇企業社應給付上訴人300萬元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止按年息5%計算之利息。㈤被上訴人應連帶給付上訴人100萬元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止按年息5%計算之利息。㈥前二項聲明，上訴人願以一定數額之現金或銀行可轉讓定期存單為被上訴人等供擔保，請准宣告假執行。又被上訴人之答辯聲明：㈠上訴及追加之訴及假執行之聲請均駁回。㈡如受不利判決，願供擔保，請准宣告免為假執行。四、兩造不爭執事項（參本院二審卷第165、190、209頁）： (一)翊宇企業社於102年7月30日由羅彥君以獨資之方式設立。 (二)系爭專利1申請日為108年7月10日，公告日為109年1月1日，目前於智慧局登記之申請人及創作人均為林璟棠。又系爭專利2申請日為109年9月18日，公告日為110年1月21日，目前於智慧局登記之申請人及創作人均為林璟棠。 (三)系爭專利1具有新穎性的技術特徵是在1E、1F，系爭專利2具有新穎性的技術特徵是在1E’、1F’。五、本院判斷： (一)系爭專利之申請專利範圍及技術特徵（含主要圖式）均詳如附件所示。 (二)上訴人就系爭專利具有新穎性技術特徵（即系爭專利1之1E 　　、1F、系爭專利2之1E’、1F’）均無法證明具有實質貢獻　　，難認其為系爭專利之新型創作人或共同創作人：　⒈上訴人主張系爭專利1、2為其所創作或具有實質貢獻，而為系爭專利1、2之真正申請權人或共同創作人，雖提出如附表所示原證9、10、22、23之資料為證，惟為被上訴人所否認　　。經查：　　⑴觀諸附表所示原證9、10、22、23之資料完成日雖皆早於系爭專利之申請日（系爭專利1申請日為108年7月10日即西元2019年7月10日；系爭專利2申請日為109年9月18日西元 2020年9月18日）。惟原證9之「清洗Tray盤設計作業規範」、原證10之「H3 Coin Tray開立及檢驗製程作業規範　　　」為上訴人公司之內部作業規範文件，上訴人既不爭執從未曾將原證9、10之作業規範寄給被上訴人知悉（原審卷二第86至87頁、本院二審卷第165頁），被上訴人即無從由上訴人處獲知原證9、10之技術內容，更遑論使用該相關技術內容向智慧局申請取得系爭專利1、2，故上訴人自無法以原證9、10作為主張系爭專利1、2為其所創作或具有實質貢獻之證據。　　⑵至上訴人雖稱係因兩造交易往來過程中，上訴人有將原證9 、10之部分具體內容以原證13、14之電子郵件提供給被上訴人參考，而使被上訴人間接知悉並接觸原證9、10文件內容云云（原審卷三第290至294頁）。然查，原證13（　　　西元2018年5月28）、原證14（西元2019年1月10日）之電子郵件日期，均晚於被上訴人所提被證5（西元2014年12 月9日)、被證6（西元2018年3月30日)之電子郵件日期，且被證5、6已揭露系爭專利之新穎性技術特徵（詳後述之第⒊點），縱使被上訴人於原證13、14之電子郵件往來過程中，因上訴人引用原證9、10之具體內容而有間接知悉或接觸之可能，仍不足以證明系爭專利之新穎性技術特徵係來自上訴人或為其所創作。　　⑶上訴人所提原證22為聯合電子裝置工程委員會（JEDEC）制定並公開之標準規範，係為一公開之規格文件，並非上訴人所發明之技術手段，無從以此作為證明系爭專利1、2為其所創作或具有實質貢獻之證據。又原證23為上訴人與台灣松下電器股份有限公司（下稱松下公司）合作開發之「 OOOOO Tray盤設計圖」影本，因年代久遠，上訴人無法分辨松下公司與上訴人發明創作之技術特徵分別位於何處　　　，因此於原審具狀撤回聲請核發秘密保持令（原審卷二第 398頁、原審卷三第531至532頁），且上訴人亦自陳雙方於合作過程中並未曾將原證23寄給被上訴人，僅起訴後書狀交換過程中方有提出（原審卷三第250頁），足認被上訴人在申請系爭專利1、2前並不知曉原證23之技術內容，無論系爭專利1、2申請專利範圍有無原證23揭示之技術特徵，均難以原證23進行比對，故原證23不足以證明系爭專利1、2為上訴人之創作或具有實質貢獻。　　⑷據上，上訴人所提如附表所示原證9、10、22、23之資料　　　，均無法作為證明系爭專利1、2為其創作或具有實質貢獻之證據。　　　　⒉上訴人主張系爭專利1、2為其創作或具有實質貢獻，而為系爭專利1、2之真正申請權人或共同創作人，另提出如附表所示原證12至14、16之電子郵件內容為證，惟為被上訴人所否認，並以被證6抗辯其早於原證12完成日（西元2018年4月2 日）前即已完成原證12所揭露之技術內容；以被證5、6抗辯其早於原證13完成日（西元2018年5月28日）前即已完成原證13所揭露之技術內容；以被證5抗辯其早於原證14完成日（西元2019年1月10日）前即已完成原證14所揭露之技術內容；以被證7抗辯其早於原證16完成日（西元2020年2月26日　　）前即已完成原證16所揭露之技術內容，系爭專利1、2技術內容均為林璟棠所創作。經查，由附表所示原證12至14及被證5至7所載署名「tom」或電子郵件地址「[email protected] m.tw」等，可確認上開電子郵件應為上訴人與林璟棠彼此溝通交換訊息之電子郵件，且兩造對於原證12、13、14、16及被證5、6、7之真正均不爭執，並表示有收受相關電子郵件（原審卷一第387、401、411頁、原審卷二第86、395頁、本院二審卷第165頁），是關於系爭專利1、2創作人之認定即以上開資料內容進行比對判斷，合先敘明。　⒊上訴人無法證明其就系爭專利1之創作有實質貢獻，並非系爭專利1之真正申請權人或共同創作人：　　　　⑴兩造不爭執系爭專利1請求項1具有新穎性技術特徵，為系爭專利1請求項1揭露「以及該複數個防呆部包含複數個卡合凸塊，其凸設在該外環壁，（1E）」、「該複數個卡合凸塊能與輸送該放置架的一傳動裝置相卡合。（1F）」之技術特徵，而請求項1之其餘技術特徵則為先前技術所揭露，是審酌兩造對系爭專利1請求項1之是否具有實質貢獻僅需考量請求項1之1E、1F技術特徵。　　⑵系爭專利1請求項1E：　　　①原證12係林璟棠至上訴人公司參加「Body size OOOOO C oin tray修改會議」後，上訴人寄給林璟棠的會議內容，包含「Body size OOOOO Coin tray」圖面及修改處列表(原審卷一第157頁)，依討論內容項次1記載「　　　　OOOO○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○（○○○○○○○○）」之「OOOO ○○○○○」，惟其左側示意圖並未明確揭露複數個卡合凸塊，雖原證13揭露之清洗治具放置架照片（原審卷一第 164、165頁）、原證14揭露的晶圓載片清洗治具設計圖面（原審卷一第169、170頁），可看出複數個防呆部( 紅框Detail A)包含複數個卡合凸塊，其凸設在該外環壁。然由被上訴人所提被證5第5、9頁（原審卷一第391 、397頁）、被證6第2頁（原審卷一第403頁）之清洗治具設計圖，亦可明確看出複數個防呆部（藍框處）包含複數個卡合凸塊，其凸設在該外環壁，因此可知原證13 、14、被證5、6皆有揭露系爭專利1請求項1之1E技術特徵。　　　②由於上訴人係委請翊宇企業社製作特定規格之Tray盤產品，並自承翊宇企業社係專精於塑膠模具代工製造廠商　　　　，而被證5、6寄件日期（西元2014年12月9日、2018年3 月30日)均早於原證13、14寄件日期（西元2018年5月28 日、2019年1月10日)，觀諸原證12之待辦事項記載「OO OOO tray盤圖面」之「Owner」為林璟棠，參酌原證13 之Tray盤實拍照片上印有「YY」（原審卷一第165頁）　　　　，被上訴人表示該「YY」為「YiYu」（翊宇）之簡寫，且上訴人亦自承該Tray盤供應商為翊宇企業社（原審卷二第397頁），依此可知該「YY」應係代表翊宇企業社　　　　；再佐以上訴人寄給林璟棠之原證13電子郵件內容（原審卷一第162頁），僅提及○○○○○○OOOO○○○○○○OOO○○○○○○ ○○○○○○○○○○○○○○（OOOOO）等語，堪認原證13之照片、原證14之圖面上清洗治具外環壁有複數個卡合凸塊之技術特徵（1E）應係來自林璟棠已完成之創作設計（即被證5、6），亦即被上訴人並非由上訴人處得知系爭專利 1請求項1之1E技術特徵，上訴人對系爭專利1請求項1之 1E技術特徵並無實質貢獻，應可認定。　　⑶系爭專利1請求項1F：　　　①原證12之討論內容項次1記載「OOOO○○○○○○○○○○○○○○○○○○ ○○○○（○○○○○○○○）　　　　」等語（原審卷一第157頁），其中「○○」應為傳動裝置中「○○」之誤植，「○○」即為清洗治具（Tray盤）四角設計的突起處，可對應系爭專利1請求項1之卡合凸塊。因此當傳送裝置輸送清洗治具時，清洗治具的○○○○○○ ○○○○而使傳送裝置帶動清洗治具移動　　　　，如下圖所示：　　　　　　　　　是原證12「OOOO○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○（○○○○○○○○）」之記載內容，雖可對應系爭專利1請求項1「該複數個卡合凸塊能與輸送該放置架的一傳動裝置相卡合(1F)」之技術特徵。　　　②惟依被證6之清洗治具放置架設計圖，其中有描繪在外環壁角落處凸設之卡合凸塊（原審卷一第403、405頁）　　　　。雖被證6無繪示傳動裝置，但經比較系爭專利1圖2與被證6圖2卡合凸塊之位置與形狀（如下圖16），可知系爭專利1圖2以藍綠黃紅不同顏色標記之卡合凸塊可分別對應被證6以阿拉伯數字1234標記之卡合凸塊，除左下角卡合凸塊數量、編號2凸塊與綠色凸塊形狀略有差異之外，兩者卡合凸塊設置位置與形狀大小基本相同，且該些差異不至於影響卡合凸塊能與傳動裝置相卡合。而系爭專利1請求項1定義複數個防呆部包含複數個卡合凸塊，並未具體限定一防呆部內包含卡合凸塊的數量是3 或4個，故被證6之卡合凸塊技術內容已揭示系爭專利1 請求項1卡合凸塊位置與形狀之技術特徵。因此，被證6 之卡合凸塊技術內容符合與傳動裝置相卡合之技術特徵（條件1）。　　　　　　　　　　　　③另從被證6第2頁長邊側視圖（如下圖17）可知，兩側（　　　　例如藍框內）之卡合凸塊高度（12.60-10.00=2.60）也高於內部（例如棕色區塊內）之限位件高度（1.00），即被證6卡合凸塊技術內容符合與傳動裝置相卡合之技術特徵（條件2）。　　　　　　　　④再從系爭專利1說明書第[0027]段與圖3、4記載「該四組卡合凸塊141、141A、142、142A的形狀設計請參閱圖3 及圖4，其能對應一傳動裝置70的齒盤或鍊條等傳動元件71使用（條件1），並參看圖8，各組卡合凸塊142的位置是高於各限位件13的上端，而能讓該兩放置架10在以該傳動裝置70輸送時，各傳動元件71僅會與該四組卡合凸塊141、141A、142、142A相卡合而不會與該複數個限位件13相接觸，避免該複數個限位件13損壞（條件2 　　　　）」之內容。從前述說明可知被證6繪示Tray盤四角之複數個卡合凸塊等，顯同時滿足系爭專利1說明書之條件1（具有特殊的排列位置與設計形狀）與條件2（卡合凸塊高度高於限位件高度），因此被證6可與傳動裝置相卡合，即被證6具有系爭專利1說明書第[0041]段記載「本創作的卡合凸塊141、141A、142、142A能和該傳動裝置70的傳動元件（如：齒盤、鍊條等）相卡合，讓該放置架10能更穩定地被該傳動裝置70輸送，避免該複數個晶圓載片80震動或彈跳而產生瑕疵的情形，提升該兩放置架10的輸送穩定度」之功效；又因被證6之卡合凸塊具有特殊形狀與排列位置，且卡合凸塊高於限位件，除符合系爭專利1卡合凸塊之技術特徵外，亦具有提升運輸穩定度之功效。是以，被證6已揭露系爭專利1請求項1之1F技術特徵無誤。　　　⑤基上，由於上訴人係委請翊宇企業社製作特定規格之　　　　Tray盤產品，而被證6日期（西元2018年3月30日）早於原證12（西元2018年4月2日），參以上訴人自承翊宇企業社專精於「塑膠模具」代工製造，觀諸原證12所載「　　　　Tray四角突起處修改為尖角設計：使網袋覆蓋高度降低（讓尖點可穿過網袋）」之項目，係林璟棠親至上訴人公司參加「Body size OOOOO Coin tray」修改會議之討論後事項，且待辦事項亦有記載「OOOOO tray盤圖面　　　　」之「Owner」為林璟棠，再參酌原證12所載Tray四角突起處修改為尖角設計，使尖點可穿過網袋之卡合技術　　　　，僅為前述被證6繪示Tray盤四角之複數個卡合凸塊之技術內容下位概念而為其所涵蓋，足徵原證12所揭示之「OOOO○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○（○○○○○○○○）」會議內容，應係由林璟棠向上訴人提出之建議技術手段，並非由上訴人或其員工所提出。至上訴人雖主張該建議技術手段為其員工所提出　　　　，惟遭被上訴人否認，上訴人既自承該次修改會議並無任何會議記錄或其他書面資料（本院二審卷第189頁）可參，尚無從僅以原證12之會議內容係由上訴人寄給林璟棠，即逕行認定上訴人對於系爭專利1請求項1之技術特徵具有實質貢獻。　　⑷綜上，依上訴人提出原證12至14均無法證明其就系爭專利1 請求項1之技術特徵具有實質貢獻。又系爭專利1請求項2 至14，分別為請求項1之直接或間接附屬項，均包含請求項1之全部技術特徵，上訴人既無法證明其就系爭專利1請求項1之技術特徵具有實質貢獻，即無法證明其就請求項2 至14亦具有實質貢獻，故上訴人主張其為系爭專利1之真正申請權人或共同創作人，即屬無據。　　⑸上訴人雖主張系爭專利1主要技術特徵均為上訴人員工林雨毅之創作，被上訴人專精於塑膠模具代工製造廠商，不具備印刷電路板製程相關專業知識，無從知悉上訴人公司內部機台技術，遑論製程中的細節性清洗程序，根本無從知悉上訴人所面臨問題，更無從對症下藥提出解決問題之手段云云。然查，系爭專利1之技術領域並非印刷電路板製程，而係關於塑膠模具（如Tray盤）之設計改良，以提供晶圓載片使用，依被上訴人提供之被證3至7為西元2006年至2019年寄出之設計圖面，可知被上訴人從事Tray盤設計已有相當長時間，且從原證16之電子郵件記載「是否可提供貴司於Clean Tray基本的Design Rule說明，因目前廠內有相關規範需求」內容（原審卷一第195頁），可知被上訴人應當具有豐富的Tray盤產品開發經驗，方可提供上訴人公司關於Tray盤的設計規則諮詢，縱上訴人為因應本身製程或機台技術而有提供被上訴人所應解決問題及需求之必要，然既未提供應如何實現改善之具體技術手段，即難認具有實質貢獻。又如前所述，由系爭專利1說明書　　　、請求項1與圖式內容可知，該些卡合凸塊之技術特徵與被證5、6之技術內容基本相同，參酌上訴人寄給林璟棠原證13之電子郵件內容（原審卷一第162頁），曾提及○○○○○ ○○○○OOOO○○○○○○OOO○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○（OOOOO）等語，可知原證12應係○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○，更足以證明林璟棠在與上訴人討論原證12之修改會議內容之前，無須參照上訴人所述相關製程與機台專業知識即可完成系爭專利1之創作。況參諸原證12揭露之資訊有限，且記載項次1 之討論內容為○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○，並非卡合凸塊原始設計內容，而上訴人主張其員工林雨毅為創作人或共同創作人，亦未提出任何相關研發紀錄簿或其他書面記錄為證，自難認上訴人之主張為可採。　⒋上訴人無法證明其就系爭專利2之創作有實質貢獻，並非系爭專利2之真正申請權人或共同創作人：　　　　⑴兩造不爭執系爭專利2請求項1具有新穎性技術特徵，即系爭專利2請求項1之「各該承載件具有一抵頂面，該抵頂面為一斜面，且自位於該內框的上方位置朝向該容置空間的方向向下傾斜，（1E'）」、「其中，向下傾斜角度為以該抵頂面的最高點與最低點之間連接之假想線與經過該抵頂面最高點的假想水平線之間的夾角角度，該複數上限位件環繞間隔凸設於該內框的頂側面。（1F'）」技術特徵　　　，請求項1之其餘技術特徵則為先前技術所揭露，是審酌兩造對系爭專利2請求項1之是否具有實質貢獻，僅需考量請求項1之1E'、1F'技術特徵。　　⑵依被上訴人所提被證7第3頁之Tray盤設計圖（原審卷一第4 13頁），可看出承載件下方位置具有一夾角為20度之斜面（如附表所示），承載件上方位置為一平面、雖無斜面結構。惟依照系爭專利2說明書第[0003]段可知所欲解決之問題，係晶圓載片於輸送過程中因震動、彈跳產生上下方相敲擊摩擦之問題；及依說明書第[0021]段可知相較於現有技術的面接觸，本新型以線接觸碰撞可以有效降低晶圓載片表面之刮痕，可見被上訴人林璟棠主張有關20度角之斜面設計為其所構思，係其考量乘載件之功能、晶圓載片震動與彈跳之空間幅度，所發想之最佳角度設計，蓋因斜角角度如過大，將導致晶圓載片於輸送過程中上下跳動空間幅度增加，因而造成較多之磨損等語（本院限閱卷一第 518頁），即屬有據。佐以被證7已揭示底面向上傾斜角度為20度以及tray盤清洗時之模擬圖，則為解決或降低輸送過程中上下跳動空間幅度增加造成產品較多磨損，亦可認抵頂面與底面之傾斜角度同為20度之設計，而與上方乘載件以線接觸減少接觸面積，應為該技術領域通常知識者可輕易思及之簡單變更，從而被證7所揭露者與系爭專利2請求項1之技術特徵1E'、1F'內容契合。　　⑶上訴人雖以原證16之電子郵件記載「需求：○○○○○○○○○○○OO OO OOO○○○○」等文字（原審卷一第195頁），配合原證13 所繪示支撐肋示意圖（同上卷第163、　　　164頁），可知該清洗治具放置架的支撐肋（承載件）正面（上方位置）及反面皆具有一傾斜角度（夾角）為20度之斜面，其中複數上限位件環繞間隔凸設於內框的頂側面　　　，已揭露系爭專利2請求項1之技術特徵1E'、1F'，而主張對於該技術內容具有實質貢獻等等。惟查，被證7乃上訴人針對clean tray請林璟棠提供報價及設計圖，被證7之寄件日期（西元2019年3月22日）早於原證16之寄件日期（2020年2月26日)，又依上訴人寄給林璟棠之原證16電子郵件，首先記載「Hi 林老闆（即林璟棠）如電所談」文字，顯示該電子郵件內容係林璟棠與上訴人公司員工於電話中討論後的摘要或結論，參以上訴人於該電子郵件係同時請求林璟棠協助提供相關設計變更圖面及模擬圖，可見上訴人本身並無tray盤支撐肋之設計能力，其如何能夠決定支撐肋之傾斜角度上下均為20度之設計，並非合理，則該段「○○○○○○○○○○○OOOO OOO○○○○」文字記載，究係上訴人參考林璟棠電話中之建議後所為決定或係其自行提出之設計，尚無從判斷，亦即無法確定除　　　tray盤承載件下方之位置外，上方位置亦要有傾斜20度之斜面技術內容即係由上訴人提出之設計。況參酌該「○○○○ ○○○○○○○OOO○○」，核與請求項1之1E'、1F' 　　　技術特徵亦有所不同，更無法涵蓋該全部技術特徵，自難僅憑原證16即認為上訴人就系爭專利2請求項1之技術特徵 1E'、1F'具有實質貢獻。　　⑷上訴人雖稱支撐肋修改為正反面皆為Tilt 20°角度設計，目的係透過將抵頂面設計為斜面，使物料置於其上時得到穩定效果，此一構想係由上訴人提出，並吻合系爭專利2 請求項1之1E’、1F’技術特徵，而參考被證7固能思及該技術，但該抵頂面向下傾斜角度為20度乃係經上訴人通盤考量並經計算後，始將承載件正面設定為20度角之設計，故上訴人對於系爭專利2請求項1技術特徵應具有實質貢獻云云。惟查，如前所述，依原證16尚無從認定該抵頂面具有 20°角設計為上訴人提出，而依被證7之Tray盤設計圖既已揭示底面向上傾斜角度為20度，則抵頂面與底面之傾斜角度同為20度之設計，既屬該技術領域具通常知識者可輕易思及之簡單變更，非無可能係上訴人參考林璟棠之設計或建議後所為需求決定，無從認定上訴人已提供如何改善之具體技術手段，尚難認上訴人就此具有實質貢獻。況上訴人主張「乘載件正面設定為20度向下傾斜」等內容為其員工之貢獻，對此卻無法提出相對應之會議紀錄或研發紀錄支持，且參以上訴人書狀所持理由（本院限閱卷一第317 至319頁），關於如何考量乘載件正面設計角度與晶圓載片設計後，計算出相關角度方能避免何處損毀等，亦未見其提出具體詳細說明，故上訴人主張系爭專利2請求項1之 1E’、1F’技術特徵為其提出發想，並無相關證據支持，即不可採。　　⑸準此，依上訴人提出原證16無法證明其就系爭專利2請求項 1之技術特徵具有實質貢獻。又系爭專利2請求項2至7，分別為請求項1之直接或間接附屬項，均包含請求項1之全部技術特徵，上訴人既無法證明其就系爭專利2請求項1之技術特徵具有實質貢獻，即無法證明其就請求項2至7亦具有實質貢獻，故上訴人主張其為系爭專利2之真正申請權人或共同創作人，要屬無據。　⒌綜上，上訴人對於系爭專利1、2均無實質貢獻，其先位請求林璟棠應將系爭專利1、2移轉登記為其所有，備位請求確認系爭專利1、2之專利申請權為上訴人與林璟棠共有，以及請求林璟棠應將系爭專利1、2專利權變更登記為上訴人與其共有，均無理由。 (三)被上訴人並無侵害上訴人之營業秘密，上訴人請求連帶賠償及懲罰性違約金，均無理由：　⒈上訴人主張被上訴人違反與上訴人之間系爭保密合約（原證5 、18）及供應商承諾書（原證32），將開發改良過程中所接觸上訴人之營業秘密（即附表原證9、10、12至14、16所揭露技術）用以申請系爭專利1、2並公開於大眾，致喪失其秘密性，而侵害其營業秘密云云。惟查：　　⑴承前所述，上訴人主張原證12至14、16所示前揭技術內容　　　，早已為被上訴人所提之被證5、6、7所揭露，均非屬上訴人之營業秘密，則被上訴人以林璟棠為申請人及創作人申請系爭專利1、2，並無違反上訴人主張之系爭保密合約第3條約定，亦無侵害上訴人營業秘密之行為。　　⑵又原證9為「清洗Tray盤設計作業規範」，原證10為「H3 C oin Tray開立及檢驗製程作業規範」，皆為上訴人之公司內部作業規範，外界無從知曉作業規範之內容，且上訴人亦自承其並無將原證9、10寄予被上訴人知悉，亦無證據證明被上訴人接觸過原證9、10。上訴人另以關於Tray盤規格、構造、尺寸等細部技術特徵均為其單獨擁有之營業秘密，且有將原證9、10之部分具體內容以原證13、14電子郵件提供給被上訴人，使其間接知悉並接觸原證9、10 文件內容。然而，被上訴人所知悉及申請系爭專利1、2之相關技術內容，均非由上訴人所提供，業如前述，且觀諸系爭專利1、2之申請專利範圍，並無涉及或揭露原證9、1 0所示之Tray盤規格、構造、尺寸等細部技術特徵，上訴人亦未證明被上訴人有以不正方法持有、使用或公開原證 9、10記載技術內容，自無從論以侵害上訴人營業秘密或違反雙方系爭保密合約，是上訴人上開主張並不可採　　　。　⒉被上訴人以林璟棠為申請人及創作人申請系爭專利1、2，並無侵害上訴人營業秘密或違反系爭保密合約。從而，上訴人主張被上訴人違反系爭保密合約及侵害其營業秘密，請求被上訴人連帶賠償因而產生之律師委任費用、鑑定報告費用等損害100萬元，且羅彥君即翊宇企業社另應依系爭保密合約第9條約定，賠償上訴人300萬元之懲罰性違約金，均屬無據　　。六、綜上所述，本件依上訴人所舉證據無法證明對於系爭專利1 、2具有實質貢獻，是被上訴人並無侵害上訴人之專利權或專利申請權，亦無侵害其營業秘密或無違反系爭保密合約，故上訴人依前揭規定，提起上訴及於二審為追加、變更之訴：㈠先位聲明請求：林璟棠應將系爭專利1、2移轉登記為上訴人所有，備位聲明請求：確認系爭專利1、2之專利申請權為上訴人與林璟棠共有，林璟棠應將系爭專利1、2專利權變更登記為上訴人與其共有。㈡先備位聲明請求：羅彥君即翊宇企業社應給付上訴人300萬元之本息，及被上訴人應連帶給付上訴人100萬元之本息，洵屬無據。從而，原審就上訴人所為先位聲明請求（不含變更之訴）為其敗訴之判決，所持理由雖與本院不同，惟結論相同，上訴意旨指摘原判決不當，求予廢棄改判，為無理由，應駁回上訴；又上訴人所為追加之訴（備位聲明）及變更之訴（先備位聲明請求給付30 0萬元、100萬元之部分），亦無理由，及該部分假執行之聲請，亦失所依附，均應併予駁回。七、本件判決基礎已臻明確，兩造其餘主張及攻擊防禦方法，經本院斟酌後認對於判決結果不生影響，爰不逐一論述。八、結論：本件上訴及追加、變更之訴，均無理由，依修正前智慧財產案件審理法第1條，民事訴訟法第449條第1、2項、第 78條，判決如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日智慧財產第一庭審判長法官　汪漢卿　法官　曾啓謀法官　吳俊龍以上正本係照原本作成。如不服本判決，應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，其未表明上訴理由者，應於提出上訴後20日內向本院補提理由書狀 (均須按他造當事人之人數附繕本) ，上訴時應提出委任律師或具有律師資格之人之委任狀；委任有律師資格者，應另附具律師資格證書及釋明委任人與受任人有民事訴訟法第466條之1第1項但書或第2項（詳附註) 所定關係之釋明文書影本。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　21　　日　　　　　　　　　　　　　書記官　蔣淑君附註：民事訴訟法第466條之1(第1項、第2項) 對於第二審判決上訴，上訴人應委任律師為訴訟代理人。但上訴人或其法定代理人具有律師資格者，不在此限。上訴人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親，或上訴人為法人、中央或地方機關時，其所屬專任人員具有律師資格並經法院認為適當者，亦得為第三審訴訟代理人。　　　　　　　　　　　　　　　附表：證據內　　　　　　容完成日(西元) 卷證出處上訴人提出原證9 ○○OOOO○○○○○○○ OOOO○O○O○ 原審卷㈠第129至137頁原證10 OOO OOOO OOOO○○○○○○○○○○○ OOOO○O○OO○ 原審卷㈠第139至153頁原證12 ○○○○○○○○○○○○○○○○○ OOOO○O○O○ 原審卷㈠第157至158頁原證12係○○○○○○○○○○○○○○○○○○OOOO OOOO OOOOO OOOO OOOO○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○OOOO OOOO OOOOO OOOO OOOO○○○○○○○○○○○(原審卷㈠第157頁)，如圖6所示。圖6：原證12截圖上訴人主張○○○O○○○○○OOOO○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○O○○○O○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○ 原證13 ○○○○○○○○○○○○○○○○○ OOOO○O○OO○ 原審卷㈠第159至165頁原證13包含○○○OOOOO○○○○○○OOOOOOOO OOOO OOOO○○○○○O○○○○○OOO○O○○OOOOO OOOOO OOOO○○○○○O○○○○○OOOOOOO○O○OOOO○○○○○O○○○○○OOO○OOO○O，如圖7~9所示。圖7：原證13之Tray盤設計圖圖8：原證13之Tray盤局部設計圖圖9：原證13之Tray盤實拍照片原證14 ○○○○○○○○○○○○○○○○○ OOOO○O○OO○ 原審卷㈠第167至171頁原證14係○○○○○○○○○○OOOOO○○○OOOO○○○○○○○○○○O○○○○○OOO○OOO○O，如圖 10、11所示。圖10：原證14之Tray盤設計圖圖11：原證14之Tray盤局部設計圖原證16 上訴人寄給被上訴人林璟棠之電子郵件 2020年2月26日原審卷㈠第195至196頁原證16係欣興公司寄給林璟棠的Email，其中文字記載「○○○○○○○○○○○OOOOOOO○○○○」上訴人主張可對應至系爭專利2請求項1之「各該承載件具有一抵頂面，該抵頂面為一斜面，且自位於該內框的上方位置朝向該容置空間的方向向下傾斜，其中，向下傾斜角度為以該抵頂面的最高點與最低點之間連接之假想線與經過該抵頂面最高點的假想水平線之間的夾角角度，該複數上限位件環繞間隔凸設於該內框的頂側面」技術特徵。原證22 JEDEC標準規範 2002年10月原審眷㈡第223至235頁原證23 上訴人與松下公司合作開發「OOOOO Tray盤」設計圖影本 2003年11月28日原審眷㈢第487至491頁被上訴人提出 (回應部分見原審卷㈠第267至269頁) 被證3 被上訴人林璟棠設計、繪製圖面 (回應原證9) 2008年8月1日原審卷㈠第371至375頁被證4 被上訴人寄給上訴人之電子郵件及圖面 (回應原證9) 2006年3月21日原審卷㈠第377至385頁被證5 被上訴人寄給上訴人之電子郵件及圖面 (回應原證10、13、14) 2014年12月9日原審卷㈠第387至399頁被證5係上訴人確認被上訴人「16.4x16.4 Coin tray」圖面後回覆被上訴人之Email，其中附件「16.4x16.4-all.pdf」即為被證5之設計圖面(原審卷㈠第391~399頁)。被上訴人主張原證13、被證5中Tray盤設計圖面中出現之「YY」字樣即為被上訴人翊宇企業社英文「YiYu」簡寫(原審卷㈠第268、269頁)，如圖12所示。圖12：被證5之Tray盤設計圖被證6 被上訴人寄給上訴人之電子郵件及圖面 (回應原證12、13) 2018年3月30日原審卷㈠第401至409頁被證6係被上訴人寄給上訴人之11x11 Tray盤設計圖面，包含 Tray盤正面、側面、背面尺寸及圖式，可看出Tray盤外周邊四個角上有卡合凸塊(原審卷㈠第403頁)，如圖13所示。圖13：被證6之Tray盤設計圖被證7 被上訴人寄給上訴人之電子郵件及圖面 (回應原證16) 2019年3月22日原審卷㈠第411至413頁被證7係被上訴人寄給上訴人之70x78 Tray盤設計圖面，可看出Tray盤支撐肋底面有傾斜20度的斜面(原審卷㈠第413頁)，如圖14所示。圖14：被證7之Tray盤設計圖

2025-02-13

IPCV-112-民專上-31-20250213-2

行專訴

智慧財產及商業法院

發明專利申請

智慧財產及商業法院行政判決 113年度行專訴字第30號民國114年1月2日辯論終結原告日商TDK股份有限公司代表人齋藤昇訴訟代理人翁林瑋律師何婉菁律師王大緯專利師被告經濟部智慧財產局代表人廖承威訴訟代理人陳俊宏上列當事人間因發明專利申請事件，原告不服經濟部中華民國11 3年4月1日經法字第11317300770號訴願決定，提起行政訴訟，本院判決如下：　　主文一、原處分及訴願決定均撤銷。二、被告應就第109141322號「磁化旋轉元件、磁阻效應元件、半導體元件、磁記錄陣列及磁阻效應元件的製造方法」發明專利申請案做成准予專利之審定。三、訴訟費用由被告負擔。　　事實及理由一、爭訟概要：　　原告前於民國109年11月25日以「磁化旋轉元件、磁阻效應元件、半導體元件、磁記錄陣列及磁阻效應元件的製造方法　　」向被告申請發明專利，並聲明以西元2019年11月26日申請之日本第2019-212835號及西元2020年10月14日申請之日本第2020-173445號專利案主張優先權，經被告編為第1091413 22號審查（下稱系爭申請案），不予專利；民國111年5月17 日原告申請再審查並修正申請專利範圍，復於被告112年4月 18日發給審查意見通知函後之同年7月18日提出申請專利範圍修正本。嗣被告依專利法第43條第4項規定，以112年8月4 日(112)智專三㈡04457字第11220757890號審查意見最後通知函，通知原告112年7月18日修正本之部分請求項未克服前揭審查意見通知函之不准專利事由，且有違專利法第22條第2 項規定；原告乃於112年11月2日提出申請專利範圍修正本及申復理由。案經被告審查，核認系爭申請案修正後仍有違前揭專利法規定，而以112年11月8日(112)智專議㈡04457字第1 1221127320號專利再審查核駁審定書為「不予專利」之處分（下稱原處分）。原告提起訴願後，經經濟部以113年4月1 日經法字第11317300770號為訴願駁回之決定（下稱訴願決定），原告仍未甘服，遂依法提起本件行政訴訟。二、原告主張及聲明： (一)原告於110年3月19日、111年1月28日、111年5月17日、112 年7月18日、112年11月2日提出系爭案申請專利範圍修正本　　，上開修正內容未超出申請時原說明書或圖式所揭露之範圍　　，修正後請求項共16項，其中第1、9、10、11、13、14、15 　　、16項為獨立項，其餘為附屬項。又請求項2至8是直接或間接依附至請求項1之附屬項，請求項10、11、13是以附屬形式包括請求項9全部特徵在內之獨立項，請求項12是直接依附至請求項11之附屬項，而請求項15、16並未發現不予專利之理由。是以系爭申請案專利範圍係指112年11月2日修正後之內容，先予敘明。 (二)系爭申請案相對附表之引證1（甲證3）、引證2（甲證4）之組合，或引證1、引證2、引證3（甲證5）之組合，具有進步性要件：　⒈引證1、2均未揭露請求項1之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」技術特徵，且該技術特徵相對於插入層只有1層之情況及超過6層之情況，可明確降低系爭申請案磁阻效應元件的寫入功率，此由圖17、18關於實施例1 的磁阻效應元件的寫入電流圖、寫入電壓圖及對應實驗數據可得知，而為該發明所屬技術領域中具有通常知識者依系爭專利申請案說明書及圖式的記載可直接且無歧異得知，且相對於插入層只有1層及7層的邊界值，所產生功效的顯著提升（量的變化），並非為插入層數量之簡單變更，而是產生無法預期之功效。況所屬領域具通常知識者並無動機結合引證 1、2，無法藉由引證2補足引證1所未揭露請求項1之「沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大」以及「上述插入層的厚度，為構成上述插入層的材料之自旋擴散長度以下」之技術特徵，故無否定進步性之因素。又引證1、2對於系爭申請案之專利發明具有反向教示（teach away），將引證2揭露的技術應用於引證1，而將引證2使電流有效集中或有效率流動的第二非磁性層14應用於引證1的金屬插入層2C，反而會使電流高度集中，無法達成引證1所欲避免電流集中於金屬插入層2C，目的完全相反且將會被勸阻而不會將引證2之技術應用於引證1 　　，故有肯定進步性之因素。因此，綜合考量後並無法建立不具進步性之論理，得判斷系爭申請案請求項1所載之發明具有進步性。準此，引證1、2並不足以揭露或教示系爭申請案請求項1所載發明的所有限制條件，符合專利法第22條第2項之進步性規定。　⒉系爭申請案請求項2至6、8係直接或間接依附於請求項1之附屬項，故請求項2至6、8具備請求項1的全部限制條件，因此　　，根據前述請求項1的相同理由，引證1、2之組合並不足以揭露或教示請求項2至6、8各自所有限制條件，故請求項2至 6、8的確符合專利法第22條第2項之規定。又系爭申請案請求項7係直接依附於請求項1之附屬項，故請求項7具備請求項1的限制條件，根據前述請求項1的相同理由，引證1、2之組合並不足以揭露或教示請求項7之限制條件。另引證3並未揭露系爭申請案請求項7之技術特徵，且非簡單變更，而是產生無法預期之功效，所屬技術領域具通常知識者亦無動機結合引證1、2及引證3，是引證1至3之組合並不足以揭露或教示請求項7之技術特徵。　⒊系爭申請案請求項9之「上述第2層有複數層，上述第2層的層數，在6層以下」，並未揭露於引證1、2，且非為第2層數量之簡單變更，而是產生無法預期之功效，所屬技術領域具通常知識者無動機結合引證1與引證2，無法藉由引證2補足引證1未揭露請求項9之「沿著上述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大，上述第2層的厚度，為構成上述第2層的材料之自旋擴散長度以下」之技術特徵　　，故無否定進步性之因素。又請求項9之「上述第2層有複數層，上述第2層的層數，在6層以下」具有無法預期之功效，且引證1及2對於系爭申請案之專利發明具有反向教示，故有肯定進步性之因素。因此，系爭申請案請求項9所載之發明具有進步性。　⒋系爭申請案請求項10、11、13係包括請求項9的全部技術特徵在內之獨立項，請求項12為請求項11的附屬項，故請求項10 至13具備請求項9之全部限制條件，根據前述請求項9之相同理由，引證1、2並不足以揭露或教示請求項10至13各自所有限制條件，故請求項10至13符合專利法第22條第2項之進步性規定。　⒌請求項14之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6 層以下」未揭露於引證1或2，且非為插入層數量之簡單變更，而是產生無法預期之功效，所屬技術領域具通常知識者無動機結合引證1與引證2，而無法藉由引證1補足引證2未揭露請求項14之「且上述第1自旋產生層的厚度，比上述自旋產生層更厚…上述插入層，包含從Mg(鎂)、Al(鋁)、Si(矽　　)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu(銅)、Ga(鎵)、　　Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素」、「依序積層第2強磁性層、非磁性層、第1強磁性層以及第1自旋產生層的積層體…複數個插入層與複數個自旋產生層」之技術特徵　　，故無否定進步性之因素。又請求項14之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」具有無法預期之功效，且引證1及引證2對於系爭申請案之專利發明具有反向教示，故有肯定進步性之因素。因此，系爭申請案請求項14所載之發明具有進步性。此外，請求項15、16具進步性，此為原處分所是認。　⒍綜上，引證1、2之組合不足以證明系爭申請案請求項1至6、8 至14不具進步性；引證1至3之組合不足以證明系爭申請案請求項7不具進步性，系爭申請案符合專利法第22條第2項之進步性要件，原處分與訴願決定駁回本件專利申請，顯然違法且有錯誤，爰請求撤銷原處分及訴願決定，並命被告應作成准予專利之審定等語。 (三)並聲明：　⒈訴願決定及原處分均撤銷。　⒉被告應就系爭申請案做成准予專利之審定。三、被告答辯及聲明： (一)系爭申請案請求項並未限定「間隔開」的複數插入層20B，比對引證1（甲證3）圖2所對應第[0051]段内容揭示「根據金屬插入層2C的位置，可能存在原子堆疊為兩層或三層的部分」，已揭示請求項1上開技術特徵。又系爭申請案藉由插入層20B插入自旋產生層20A中，以達成利用界面Rashba效應　　，降低反轉電流密度，依引證1第[0005]段揭示「SOT是由自旋軌道相互作用或異質材料界面處的Rashba效應產生的純自旋電流引起的，在磁阻元件中感應出SOT的電流沿與磁阻元件的層疊方向交叉的方向上流動，換句話說，不需要在磁阻元件的堆疊方向上流動電流，這有望延長磁阻元件的壽命」　　，已揭示上開技術特徵及降低反轉電流密度相同之功效。退步言，引證1圖2、3揭示藉由自旋軌道轉矩配線2插入金屬插入層2C中，據以產生與系爭申請案相同之功效，故請求項1 之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下　　」技術特徵僅係插入層數量之簡單變更，原告主張並不足採　　。 (二)系爭申請案明確指出在自旋軌道轉矩配線中設置插入層之效果，亦即比較插入層層數為0與層數為1至6之效果，而非比較插入層層數為1與層數為2至6之效果，且說明書及圖17、1 8並未記載當插入層為7層後之寫入電流、電壓，亦非所屬技術領域中具有通常知識者能直接且無歧異得知（例如圖17中寫入電流在插入層為3層時最低，但無法預測7層後為最高、最低或持平；圖18中寫入電壓在插入層為4層後持平，但無法預測7層後會開始變高、變低或持續持平）。原告以不存在内容推定插入層層數超過7層時之寫入功率高於僅有1層之寫入功率乃主觀臆測，並不可採。又關於原告所提寫入功率 -寫入層數量關係圖（本院卷第22頁），未曾揭示於系爭申請案之說明書、申請專利範圍或圖式中，無法由系爭申請案圖17、18得到相同之結果，以銀(Ag)為例，原告主張依關係圖顯示功率（P）約為0.39mW，惟圖17、18中，Ag電流約　　570μA、電壓約0.62V，P=I*V=0.3534mW，兩者顯有落差，並不可採。 (三)原告主張將引證2之第一非磁性層12應用於引證1之自旋軌道轉矩配線2將不產生自旋流，係原告主觀臆測，引證2之　　first nonmagnetic layer12、third nonmagnetic layer16 a對應本案自旋產生層20A，引證2之second nonmagnetic 　　layer14對應本案插入層20B，且依引證2第〔0025~0029〕段揭示内容清楚說明圖1之first nonmagnetic layer12實施方式有其背景與目的，且引證1未教示不可使用相反扭矩之材料，以組成本案之自旋產生層20A與插入層20B，並未構成反向教示。又引證1、2同屬「STT-MRAM」相同技術領域，均同樣藉由「插入層的電阻率（導電率的倒數）比自旋產生層的電阻率更低」，進而改善自旋軌道轉矩配線之電流流動，兩者在「磁阻效應元件」作用或功能、解決「自旋執道轉矩配線之導電率」之問題皆具共通性，該發明所屬技術領域中具有通常知識者有動機結合引證1、2之技術内容，原告上開主張並不足採。 (四)原告所提寫入功率-寫入層數量關係圖並非系爭申請案圖17 　　、18所能直接無歧異得知，原告稱插入層的數量為1時，其實驗數據電壓Cu=0.915、Ag=0.658，惟圖18中並無任何數據，由圖18僅能得知Cu的電壓介於0.8~1之間，Ag的電壓介於0 .6~0.8之間，且原告所稱數值精確到小數點第3位似有臨訟製作之嫌。又系爭申請案說明書第[0120]段揭示設置插入層之效果（亦即比較插入層層數為0與層數為1至6之效果）　　，僅於寫入電流、寫入電壓在定性方面之功效，說明書從未揭示在寫入功率上產生「量」的功效（定量方面之功效）。另原告在審查階段既不爭執引證1揭示請求項1之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」、請求項9之「上述第2層有複數層，上述第2層的層數，在6層以下」、請求項14之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在 6層以下」技術特徵，於訴訟階段卻又以從未揭露之實驗數據主張具有有利功效，其臨訟製作之數據應不可採。再者，有利功效必須是對照先前技術之差異技術特徵所直接產生的技術效果，因前開爭執技術特徵在2層插入層均為Cu或2層插入層均為Ag之情形已揭露於引證1第[0051]段，可知該爭執技術特徵非是對照先前技術之差異特徵，而是先前技術已揭露。縱考量原告補充之實驗數據，該數據顯示之功效亦非是對照先前技術之功效，而是先前技術已揭露的功效，是以，原告對該爭執技術特徵所補充說明有利功效之理由，並不足採。 (五)系爭申請案界定「插入層有複數層，上述插入層的層數，在 6層以下」不是厚度，也不是「不同材料界面」的數量，因插入層係界定「包含從Mg(鎂）…構成的群中選擇之『任何元素』」，不排除各插入層均選擇為相同元素之情形，例如2層插入層均為Cu或2層插入層均為Ag之情形，亦不限制厚度　　。而引證1第[0051]段内容揭示「金屬插入層2C有些部分是原子積層2~3層份量的部分」，已揭露2至3層插入層均為Ag 　　、Cu、Co、Fe、A1、Cr之文義内容。縱認是界定「間隔開的插入層」，引證2亦揭示上開技術特徵，亦即引證2具有間隔開的第二非磁性層14（相當於「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」）。又依引證2第0027、0031段內容、圖2揭示，可知其藉由第一非磁性層12（相當於系爭申請案自旋產生層）、第二非磁性層14（相當於系爭申請案插入層）之堆疊，改善較低的寫入電流，與系爭申請案第[0 120]段所述藉由自旋產生層、插入層之堆疊，改善較低的寫入電流，具有利用相同之方法，改善相同之功效。　　 (六)並聲明：原告之訴駁回。　　四、本件爭點： (一)引證1、2（甲證3、4）之組合，是否足以證明系爭申請案請求項1至6、8至14不具進步性？ (二)引證1至3（甲證3至5）之組合，是否足以證明系爭申請案請求項7不具進步性？　五、本院判斷： (一)應適用之法令：　⒈按系爭申請案申請日為109年11月25日，主張優先權日為西元 2019年11月26日、2020年10月14日，再審查核駁審定日為11 2年11月8日，本件於114年1月2日言詞辯論終結，故系爭專利申請案是否符合專利要件，應以111年5月4日修正公布　　、同年7月1日施行之專利法（下逕稱專利法）為斷。又原處分及訴願決定均係依系爭申請案112年11月2日申請專利範圍修正本進行審查，且於訴訟中原告亦未再申請更正，是本件系爭申請案專利申請範圍即依該次修正內容進行審理。 ⒉按「申請專利之發明經審查認無不予專利之情事者，應予專利，並應將申請專利範圍及圖式公告之。」專利法第47條第 1項定有明文。 (二)系爭申請案之申請專利範圍（主要圖式如附圖）：　　系爭申請案請求項共16項，其中第1、9、10、11、13、14、 15、16項為獨立項，其餘為附屬項。而兩造並未爭執請求項 15、16具有進步性，故僅列請求項1至14如下：　　請求項1：一種磁化旋轉元件，包括：自旋軌道轉矩配線；以及第1強磁性層，相對於上述自旋軌道轉矩配線在第1方向，從上述自旋軌道轉矩配線注入自旋；（1A）　　　　　　其中，上述自旋軌道轉矩配線，在上述第1方向上具有複數自旋產生層、以及在上述複數自旋產生層之間的插入層；上述插入層的電阻率比上述自旋產生層的電阻率更低；上述插入層的厚度，比上述自旋產生層的分別厚度薄；（1B）　　　　　　沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1 強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大；（1C）　　　　　　上述插入層，包含從Mg(鎂)、Al(鋁)、Si(矽)、　　　　　　 Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu(銅)、Ga( 鎵)、Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素；（1D）　　　　　　上述自旋產生層，包含從Mo(鉬)、Ru(釕)、Rh(銠 )、Pd(鈀)、Ta(鉭)、W(鎢)、Ir(銥)、Pt(鉑)、A u(金)、Bi(鉍)構成的群中選擇之任何元素；（1E ）　　　　　　上述插入層的厚度，為構成上述插入層的材料之自旋擴散長度以下；上述插入層有複數層；上述插入層的層數，在6層以下。（1F）　　請求項2：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述自旋軌道轉矩配線，從上述第1方向的平面視中，具有與上述第1強磁性層重疊的重疊區域以及不重疊的非重疊區域；上述插入層，夾住上述重疊區域並涵蓋延伸至上述非重疊區域。　　請求項3：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述插入層的厚度，為構成上述插入層的元素之鍵半徑的5 倍以下。　　請求項4：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述插入層的厚度，為10Å以下。　　請求項5：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述自旋產生層的厚度，分別在8Å以上20Å以下。　　請求項6：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述插入層，包含構成上述自旋產生層的元素。　　請求項7：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述自旋軌道轉矩配線的厚度，在20nm(毫微米)以下。　　請求項8：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述複數自旋產生層中離上述第1強磁性層最近的第1自旋產生層之膜厚，比其它自旋產生層之膜厚更厚。　　請求項9：一種磁化旋轉元件，包括：配線；以及第1強磁性層，相對於上述配線在第1方向；其中，上述配線　　　　　　，包括：第1層，包含從Mo(鉬)、Ru(釘)、Rh(銠) 、Pd(鈀)、Ta(鉭)、W(鎢)、Ir(銥)、Pt(鉑)、Au (金)、Bi(鉍)構成的群中選擇之任何元素；以及第2層，包含從Mg(鎂)、Al(鋁)、Si(矽)、Ti(鈦) 、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu(銅)、Ga(鎵)、G e(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素；上述第1層，在上述第1方向上夾住上述第2層；上述第 2層的厚度，比上述第1層的分別厚度薄；沿著上述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大；上述第2層的厚度，為構成上述第2層的材料之自旋擴散長度以下；上述第2層有複數層；上述第2層的層數，在6層以下。　　請求項10：一種磁阻效應元件，包括：如請求項1~9中任一項所述之磁化旋轉元件；第2強磁性層，相對於上述磁化旋轉元件的上述第1強磁性層，在上述第1方向；以及非磁性層，夾在上述第1強磁性層與上述第2強磁性層之間。　　請求項11：一種半導體元件，包括：如請求項10所述之磁阻效應元件；以及開關元件，與上述磁阻效應元件電氣連接。　　請求項12：如請求項11所述之半導體元件，其中，上述開關元件是場效型電晶體；上述場效型電晶體的源極與汲極之間的距離在30nm以下。　　請求項13：一種磁記錄陣列，具有：複數如請求項10所述之磁阻效應元件。　　請求項14：一種磁阻效應元件的製造方法，包括：成膜步驟　　　　　　　，形成依序積層第2強磁性層、非磁性層、第1強磁性層以及第1自旋產生層的積層體；加工步驟　　　　　　　，蝕刻上述積層體形成柱狀體；配線形成步驟，在上述柱狀體的第1面上依序成膜複數個插入層與複數個自旋產生層，形成自旋軌道轉矩配線；其中，上述插入層的電阻率比上述第1自旋產生層以及上述自旋產生層的電阻率更低，且上述第 1自旋產生層的厚度，比上述自旋產生層更厚，沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大；上述插入層，包含從Mg(鎂)、Al( 鋁)、Si(矽)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷 )、Cu(銅)、Ga(鎵)、Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素；上述自旋產生層，包含從Mo (鉬)、Ru(釘)、Rh(銠)、Pd(鈀)、Ta(鉭)、W(鎢 )、Ir(銥)、Pt(鉑)、Au(金)、Bi(鉍)構成的群中選擇之任何元素；上述插入層的厚度，為構成上述插入層的材料之自旋擴散長度以下；上述插入層有複數層；上述插入層的層數，在6層以下。 (三)被告核駁系爭申請案之引證：　　附表所示引證1至3（即甲證3至5）之公開或公告日，皆早於系爭申請案主張最早優先權日（西元2019年11月26日），故皆可作為認定系爭申請案是否不具進步性之適格證據。 (四)引證1、2之組合，不足以證明系爭申請案請求項1不具進步性：　⒈引證1說明書第[0048]段及圖2揭露「…在自旋軌道轉矩配線2 內亦可設有金屬插入層2C。就算是金屬氧化物具有導電性　　，但導電性劣於金屬。金屬插入層2C能夠調整自旋軌道轉矩配線2的電阻值並抑制自旋軌道轉矩磁化旋轉元件11的耗電的增加、焦耳熱的增加」。第[0049]段揭露「金屬插入層2C 　　，在自旋軌道轉矩配線2的厚度方向的任意位置皆可。圖3是本實施形態相關之自旋軌道轉矩磁化旋轉元件的其他例的剖面示意圖。示於圖3的自旋軌道轉矩磁化旋轉元件12，是以在比自旋軌道轉矩配線2的基準線C離第1強磁性層1還遠的位置具有金屬插入層2C為佳。金屬插入層2C有時會成為阻礙自旋往z方向的移動的散亂起因。在金屬插入層2C在遠離第1強磁性層1的位置之下，使第1強磁性層1近處產生的自旋的移動順暢，能夠提高往第1強磁性層1的自旋的注入效率」。說明書第[0031]段揭露「一旦在自旋軌道轉矩配線2的x方向的兩端賦予電位差則電流I沿著x方向流動。一旦電流I流動，則配向於y方向的第1自旋S1與配向於-y方向的第2自旋S2分別往與電流直交的方向彎曲」。其中「自旋軌道轉矩磁化旋轉元件11」可對應系爭申請案請求項1要件編號1A「一種磁化旋轉元件」，其中「自旋軌道轉矩配線2」可對應系爭申請案請求項1要件編號1A「自旋軌道轉矩配線」，其中「第1 強磁性層1」可對應系爭申請案請求項1要件編號1A「第1強磁性層」，其中圖2之電流垂直的方向（即Z軸方向）可對應系爭申請案請求項1要件編號1A「相對於上述自旋軌道轉矩配線在第1方向」，其中「電流I沿著X方向流動」可對應系爭申請案請求項1要件編號1A「從上述自旋軌道轉矩配線注入自旋」。綜上，引證1已揭露系爭申請案請求項1要件編號 1A「一種磁化旋轉元件，包括:自旋軌道轉矩配線;以及第1 強磁性層，相對於上述自旋軌道轉矩配線在第1方向，從上述自旋軌道轉矩配線注入自旋；」之技術特徵。　⒉引證1說明書第[0048]段及圖2揭露「…在自旋軌道轉矩配線2 內亦可設有金屬插入層2C。說明書第[0052]段揭露：金屬插入層2C的電阻值，如上述低於自旋軌道轉矩配線2的電阻值… 」。說明書第[0051]段揭露「…金屬插入層2C的厚度，是以不到構成金屬插入層的金屬原子的離子半徑的2倍為佳　　。金屬插入層2C的厚度為平均厚度。金屬原子的離子半徑的 2倍，是指原子一層份量的厚度」。其中圖2揭露之「金屬插入層2C」插入後造成自旋軌道轉矩配線2在Z方向上分為間隔之兩層，可對應系爭申請案請求項1要件編號1B「其中，上述自旋軌道轉矩配線，在上述第1方向上具有複數自旋產生層」、「以及在上述複數自旋產生層之間的插入層」；其中「金屬插入層2C的電阻值，如上述低於自旋軌道轉矩配線2 的電阻值」，可對應系爭申請案請求項1要件編號1B「上述插入層的電阻率比上述自旋產生層的電阻率更低」；其中「　　金屬插入層2C的厚度，是以不到構成金屬插入層的金屬原子的離子半徑的2倍為佳」，對所屬技術領域具通常知識者而言，金屬插入層的金屬原子的離子半徑的兩倍（即直徑）相當於金屬插入層的原子單層的厚度，該厚度極薄(為0.1nm尺度)，而自旋產生層需要足夠的厚度才能產生足夠的霍爾自旋電子，故可輕易得知前開段落已實質隱含系爭申請案請求項1要件編號1B「上述插入層的厚度，比上述自旋產生層的分別厚度薄」之技術特徵。綜上，引證1已揭露系爭申請案請求項1要件編號1B「其中，上述自旋軌道轉矩配線，在上述第1方向上具有複數自旋產生層、以及在上述複數自旋產生層之間的插入層;上述插入層的電阻率比上述自旋產生層的電阻率更低，上述插入層的厚度，比上述自旋產生層的分別厚度薄」之技術特徵。　⒊引證1說明書第[0051]段揭露「…金屬插入層2C的厚度，是以不到構成金屬插入層的金屬原子的離子半徑的2倍為佳。金屬插入層2C的厚度為平均厚度。金屬原子的離子半徑的2倍，是指原子一層份量的厚度」。說明書第[0069]段揭露「　　設置於自旋軌道轉矩配線2與第1強磁性層1之間的層，是以不將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋散逸為佳。例如，銀　　、銅、鎂及鋁等，自旋擴散長度達100nm以上，已知自旋不容易散逸。又，此層的厚度，是以構成層的物質的自旋擴散長以下為佳。層的厚度若為自旋擴散長以下，則可以將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋充分傳遞至第1強磁性層1」，對所屬技術領域具通常知識者而言，其中「金屬插入層2C的厚度，是以不到構成金屬插入層的金屬原子的離子半徑的2 倍為佳」，相當於構成金屬插入層2C之原子單層的厚度（銀大約為0.28nm），實質隱含較自旋擴散長度（銀大約為10nm 　　）為短，此為銀金屬之固有特性，且說明書第[0069]段亦已揭露「如果該層的厚度小於自旋擴散長度，則可以將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋充分地傳遞至第1強磁性層1」，是以，前開揭露內容可對應系爭申請案請求項1要件編號1F 「上述插入層的厚度，為構成上述插入層的材料之自旋擴散長度以下，」之部分技術特徵。　⒋引證1說明書第[0050]段揭露「構成金屬插入層2C的金屬，是以使用與構成自旋軌道轉矩配線2的金屬氧化物的金屬元素不同的元素為佳。根據氧的擴散係數依插入不同元素的金屬而不同，可以較能賦予濃度梯度，可以高效率使自旋流產生。構成金屬插入層2C的金屬，例如為選自由金、銀、銅、鎳、鈷、鐵、釕、鋁、鎢、鉻、鉭所組成之族群的金屬或其合金」。其中「金、銀、銅、鎳、鈷、鐵、釕、鋁、鎢、鉻　　、鉭所組成之族群的金屬或其合金」，可對應系爭申請案請求項1要件編號1D「上述插入層，包含從Mg(鎂)、Al(鋁)、　　Si(矽)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu(銅)、Ga( 鎵)、Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素」之技術特徵。　⒌依此，引證1與系爭申請案請求項1之差異在於其並未揭露以下技術特徵：(1)要件1C「且沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大，」；( 2)要件1E「上述自旋產生層，包含從Mo(鉬)、Ru(釕)、Rh( 銠)、Pd(鈀)、Ta(鉭)、W(鎢)、Ir(銥)、Pt(鉑)、Au(金)、 Bi(鉍)構成的群中選擇之任何元素，」；以及(3)要件1F之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」之部分技術特徵。　⒍引證2說明書第[0053]至[0057]、[0099]至[0102]段及圖式4 　　、11揭露「一種磁化旋轉元件1A、1G包含磁阻元件20，該磁阻元件20係由第一磁層22、第二磁層26包夾一間隔層24形成　　，用以儲存磁化資訊。磁化旋轉元件1A及1G又包含一非磁層 10A(圖式4)或10F(圖式11)係由第一非磁層12、第三非磁層1 6(圖式4)或16a(圖式11)包夾一第二非磁層14所形成，用以寫入或抹除儲存於磁阻元件20之磁資訊」。說明書第[0028] 段揭露「第一非磁層12的作用是防止第二非磁層14斷裂和抑制第二非磁層14中的電遷移。通過確保σ1<σ2，電流主要流入第二非磁層14，而不是第一非磁層12，因此可以使用低電流有效地將自旋扭矩施加到磁阻元件20的第一磁層22」，第 [0053]段揭露「非磁性層10A是透過在圖1所示的非磁性層10 的第二非磁性層14上設置第三非磁性層16而獲得，第三非磁性層的導電率低於第二非磁性層14的導電率」，且第[0054] 段揭露第三非磁性層16或16a之功效為「第三非磁層16的作用是保護第二非磁層14，當磁阻元件20被蝕刻時，可以防止自旋霍爾角因第二非磁層14的損壞而劣化。還可以抑制電遷移的發生」，第[0028]段揭露「第二非磁層14具有高自旋霍爾角，以有效地將自旋扭矩施加到磁阻元件20的第一磁層22 」。其中說明書第[0028]段揭露「第二非磁性層14」之功效在於「具有高自旋霍爾角，以有效地將自旋扭矩施加到磁阻元件20的第一磁層22」，對照系爭申請案說明書揭露「插入層20B的自旋霍爾角，比自旋產生層20A的自旋霍爾角更小　　，相較於自旋產生層20A，難以產生自旋軌道交互作用」(參系爭申請案說明書第14頁第[0073]段，原處分卷第46頁)，可知引證2揭露之「第二非磁性層14」與系爭申請案說明書所載「自旋產生層20A」之功效相符，而與「插入層20B」之功效不符，故原處分將引證2之「第二非磁性層14」對應為系爭申請案所載「插入層20B」即有違誤。　⒎又引證2說明書第[0028]段揭露「第一非磁層12的作用是防止第二非磁層14斷裂和抑制第二非磁層14中的電遷移。通過確保σ1<σ2，電流主要流入第二非磁層14，而不是第一非磁層1 2」，表示其揭露「第一非磁性層12」之電阻率必然高於「第二非磁性層14」（註：導電率與電阻率互為倒數，導電率越高則電阻率越低），對照系爭申請案說明書第[0071]段記載「插入層20B的電阻率比自旋產生層20A更低」，可得知引證2所示「第一非磁性層12」與「第二非磁性層14」電阻率之關係，與系爭申請案所載「插入層20B」與「自旋產生層2 0A」之關係顯不相同，故原處分將引證2揭露之「第一非磁性層12」對應為系爭申請案所載「自旋產生層20A」亦有違誤。再者，引證2說明書第[0053]段揭露「第三非磁性層16 的導電率低於第二非磁性層14的導電率」，表示「第三非磁性層16」之電阻率大於「第二非磁性層14」，是以承其電阻率關係，亦難將其揭露之「第三非磁性層16」對應為系爭申請案所載「插入層20B」(參下列對照表)。準此，引證2所揭露「第二非磁性層14」、「第一非磁性層12」、「第三非磁性16或16a」之功效及其電阻率之關係，均與系爭申請案所載「插入層20B」不符，故未實質揭露系爭申請案請求項1要件1C及1F之「插入層」。　　引證2（甲證4）　第一非磁層12 第二非磁層14 第三非磁層16 自旋霍爾角低高(用以寫入) - 電阻率高低高系爭申請案　插入層20B 自旋產生層20A 　自旋霍爾角低高(用以寫入) 　電阻率低高　　⒏綜上，引證1、2均未揭露系爭申請案請求項1要件1C「且沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大，」，以及1F之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」部分技術特徵，且該特徵為系爭申請案請求項1為達成「藉由以位於離第1強磁性層 1遠的自旋產生層20A產生很多自旋，至第1強磁性層1的自旋量增加，可以降低使第1強磁性層1的磁化反轉所需的反轉電流密度」（參說明書第[0070]段）以及「降低資料寫入電壓」（參說明書第[0120]、[0121]段）、「降低使第1強磁性層1的磁化Ml反轉所需的反轉電流密度」（參說明書第[0098 ]段）之發明目的所不可或缺的必要技術特徵。是以，引證1 、2之組合並未揭露系爭申請案請求項1之全部技術特徵　　，不足以證明請求項1不具進步性。　⒐被告之抗辯並不足採：　　⑴按系爭申請案說明書是否已充分揭露使該發明所屬技術領域中具有通常知識者可據以實現核屬專利法第26條第1項所規定之範疇，不應與專利法第22條第2項所規定進步性之概念混淆並一概而論，即被告於審查過程中若認為系爭申請案說明書僅揭露「定性」特性，未揭露「定量」特性致說明書揭露不充分而無法據以實現，應依發明專利審查基準相關規定提供明確且充足的理由，具體指出說明書中缺陷，或以公開文獻支持其理由通知申請人申復或修正。經查，原告於最後一次申復理由中已主張「…上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」之技術特徵　　　，並未揭示或建議於引證文件，也非先前技術之簡單變更或單純拼湊…此外，根據本案說明書【0033】段，本發明的磁阻效應元件可以進一步降低資料的寫入電壓」（參原告112年11月2日申復理由書第4至5頁），並非如被告所述原告在審查階段未爭執插入層在6層以下具有利功效，或不爭執引證1（甲證3）已揭露爭執技術特徵。　　⑵又被告雖以系爭申請案之圖17、18僅於寫入電流、寫入電壓在定性方面之功效，無法判斷寫入功率產生「量」之功效（本院卷第264頁），即圖17、18僅揭露「定性」特性　　　，並未揭露「定量」特性，而認此有利功效揭露不充分，相對於先前技術已揭露而不可採云云；惟觀諸系爭申請案申請歷程，被告均未曾引用專利法第26條第1項敘明系爭申請案說明書有揭露不充分之理由，即逕以系爭申請案違反專利法第22條第2項不具進步性為由作成核駁處分，亦未在原處分作成前通知原告申復、修正。是原處分已違背發明專利審查基準審理原則，即未提供明確且充足的理由　　　，具體指出說明書中缺陷或以公開文獻支持其理由，通知申請人申復或修正之缺失。況系爭申請案圖式17、18係用以說明插入層的數量對寫入電流、電壓有實質影響，且有一使電流或電壓達到最小值的最佳值，對所屬技術領域具通常知識者，記憶體之寫入與讀取通常均以直流電源驅動　　　，在直流電場下，其耗用功率係電流與電壓之乘積屬習知之通常知識，故圖式17、18本身已可表達系爭申請案請求項1「插入層的層數，在6層以下」之技術特徵具有「降低資料之寫入電壓、電流或功率」之有利功效。再者，原告於本院審理中亦提出西元2019年11月25日針對系爭申請案之日本先申請案相關電子郵件所含實驗數據等資料（參甲證6，本院卷第396頁），以說明圖式17、18係基於真實的實驗數值製成，經核該實驗數據與系爭申請案圖式17、18 所載點狀圖均能合理對應，益徵原告之主張為真。而無論專利法、專利法施行細則及發明專利審查基準通篇均未規定發明專利申請案之說明書需以揭露相關技術之實驗數值為必要，實驗數據僅作為參考性質，原告亦無將該實驗數值補充入說明書內之義務。是以，被告逕以系爭申請案有前揭未充分揭露有利功效而不應准予專利之情形，難謂可採。　　⑶觀諸系爭申請案請求項1之要件1B記載內容「…在上述第1方向上具有複數自旋產生層、以及在上述複數自旋產生層之間的插入層…」，可得知在第一方向有複數自旋產生層，而插入層位於該複數自旋產生層之間，故將插入層與自旋產生層之排列關係，解釋為「插入層為複數層且在第一方向上被包夾於該複數自旋產生層之間」係為最合理之解釋；併考量系爭申請案圖式5（如下圖所示）　　　其中20A為自旋產生層，20B為插入層，兩者在Z方向上呈2 0A/20B/20A/20B之順序交互堆疊，益徵前開解釋為最合理之解釋，是被告主張系爭申請案之爭執技術特徵界定「插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」，不是厚度，也不是不同材料界面的數量（即不是「不同材料間隔開的插入層」）」，即不可採。又依引證1說明書揭露「例如，金屬插入層2C有些部分是原子積層2~3層份量的部分」（參甲證3中譯本第[0051]段，本院卷第290頁），所指「金屬插入層2C有些部分是原子積層2~3層份量的部分」係指單一插入層2C之厚度為2至3層原子厚度，參照上開說明書內容，實難謂引證1已揭露複數自旋產生層與複數插入層2C相互交疊之技術特徵，且依引證1說明書所揭露之實施例亦均無自旋產生層與複數插入層2C相互交疊之樣態，故被告辯稱引證1第〔0051〕段內容已揭露上開爭執技術特徵云云，顯然有誤。再者，引證2並未實質揭露系爭申請案請求項1要件1C、1F之「插入層」之理由，已如前述，故被告稱引證2與系爭申請案第〔0120〕段所述藉由自旋產生層、插入層之堆疊，改善較低的寫入電流，具有利用相同之方法，改善相同之功效云云，核屬無據，並不可採。 (五)系爭申請案請求項2至6、8為請求項1之附屬項，包含請求項 1之全部技術特徵，由於引證1、2之組合並不足以證明系爭申請案請求項1不具進步性之理由，已如前述，故其組合自當不足以證明系爭申請案請求項2至6、8不具進步性。 (六)引證1、2之組合，不足以證明系爭申請案請求項9不具進步性：　⒈引證1說明書第[0048]段及圖2揭露「…在自旋軌道轉矩配線2 內亦可設有金屬插入層2C。就算是金屬氧化物具有導電性，但導電性劣於金屬。金屬插入層2C能夠調整自旋軌道轉矩配線2的電阻值並抑制自旋軌道轉矩磁化旋轉元件11的耗電的增加、焦耳熱的增加」。說明書第[0049]段揭露「金屬插入層2C，在自旋軌道轉矩配線2的厚度方向的任意位置皆可。圖3是本實施形態相關之自旋軌道轉矩磁化旋轉元件的其他例的剖面示意圖。示於圖3的自旋軌道轉矩磁化旋轉元件12 ，是以在比自旋軌道轉矩配線2的基準線C離第1強磁性層1還遠的位置具有金屬插入層2C為佳。金屬插入層2C有時會成為阻礙自旋往z方向的移動的散亂起因。在金屬插入層2C在遠離第1強磁性層1的位置之下，使第1強磁性層1近處產生的自旋的移動順暢，能夠提高往第1強磁性層1的自旋的注入效率」。其中「自旋軌道轉矩磁化旋轉元件11」可對應系爭申請案請求項9「一種磁化旋轉元件」；其中「自旋軌道轉矩配線2」整體可對應系爭申請案請求項9之「配線」；其中「第 1強磁性層1」可對應系爭申請案請求項9之「第1強磁性層」；其中圖2之電流垂直的方向（即Z軸方向）可對應系爭申請案請求項9之「相對於上述配線在第1方向」；其中圖3所顯示被夾在「第1強磁性層1」與「插入層2C」之間的「　　自旋軌道轉矩配線2」之一部，可對應為系爭申請案請求項9 之「第1層」；其中「插入層2C」可對應為系爭申請案請求項9之「第2層」；其中「插入層2C」厚度較被夾在「第1強磁性層1」與「插入層2C」之間的「自旋軌道轉矩配線2」之一部還薄，可對應為系爭申請案請求項9「上述第2層的厚度　　，比上述第1層的分別厚度薄」。準此，引證1已揭露系爭申請案請求項9「一種磁化旋轉元件，包括：配線；以及第1強磁性層，相對於上述配線在第1方向；」、「第1層」、「第 2層」及「上述第1層，在上述第1方向上夾住上述第2層；上述第2層的厚度，比上述第1層的分別厚度薄」之技術特徵。　⒉引證1說明書第[0069]段揭露「設置於自旋軌道轉矩配線2與第1強磁性層1之間的層，是以不將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋散逸為佳。例如，銀、銅、鎂及鋁等，自旋擴散長度達100nm以上，已知自旋不容易散逸。又，此層的厚度，是以構成層的物質的自旋擴散長以下為佳。層的厚度若為自旋擴散長以下，則可以將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋充分傳遞至第1強磁性層1」，對所屬技術領域具通常知識者而言，其中「金屬插入層2C的厚度，是以不到構成金屬插入層的金屬原子的離子半徑的2倍為佳」相當於構成金屬插入層之原子單層的厚度（銀大約為0.28nm），實質隱含較自旋擴散長度（銀大約為10nm）為短，此為銀金屬之固有特性，且說明書第[0069]段亦揭露「如果該層的厚度小於自旋擴散長度，則可以將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋充分地傳遞至第1強磁性層1」，是以前開揭露內容可對應系爭申請案請求項9「上述第2層的厚度，為構成上述第2層的材料之自旋擴散長度以下」之技術特徵。　⒊引證1與系爭申請案請求項9之差異，在於其並未揭露以下技術特徵：(1)第1層，包含從Mo(鉬)、Ru(釘)、Rh(銠)、Pd( 鈀)、Ta(鉭)、W(鎢)、Ir(銥)、Pt(鉑)、Au(金)、Bi(鉍)構成的群中選擇之任何元素；以及第2層，包含從Mg(鎂)、　　Al(鋁)、Si(矽)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu( 銅)、Ga(鎵)、Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素　　；(2)沿著上述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大；及(3)上述第2層有複數層；上述第2層的層數，在6層以下。　⒋又引證2未實質揭露系爭申請案之「插入層(即第2層)」之理由，已如前述，故引證2並未揭露系爭申請案請求項9之(2) 「沿著上述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面中　　，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大」以及(3)「上述第2層有複數層；上述第2層的層數，在6層以下」之差異技術特徵。　⒌綜上，引證1、2均未揭露系爭申請案請求項9之(2)「沿著上述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大」及(3)「上述第2層有複數層；上述第2層的層數，在6 層以下」之差異技術特徵，且該特徵為系爭申請案請求項9 為達成「藉由以位於離第1強磁性層1遠的自旋產生層20A產生很多自旋，至第1強磁性層1的自旋量增加，可以降低使第 1強磁性層1的磁化反轉所需的反轉電流密度」(參說明書第[ 0070]段）以及「降低資料寫入電壓」(參說明書第[0120] 　　、[0121]段)、「降低使第1強磁性層1的磁化Ml反轉所需的反轉電流密度」(參說明書第[0098]段及本院卷第21頁）之發明目的所不可或缺的必要技術特徵。是以，引證1、2之組合並未揭露系爭申請案請求項9之全部技術特徵，不足以證明系爭申請案請求項9不具進步性。 (七)系爭申請案請求項10至13係直接或間接引用請求項1、9之內容，包含請求項1、9之全部技術特徵，由於引證1、2之組合不足以證明系爭申請案請求項1、9不具進步性，已如前述，故其組合自當不足以證明系爭申請案請求項10至13不具進步性。 (八)引證1、2組合，不足以證明系爭申請案請求項14不具進步性　　：　　系爭申請案請求項14與請求項1所請之磁阻效應元件均具相同自旋產生層及插入層之堆疊結構，由於引證1、2之組合均未揭露系爭申請案請求項1要件1C「且沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大，」，以及1F「上述插入層有複數層，上述插入層的層數　　，在6層以下」之部分技術特徵，已如前述，故引證1、2之組合亦未揭露系爭申請案請求項14之前開技術特徵。又該特徵為系爭申請案請求項14為達成「藉由以位於離第1強磁性層1遠的自旋產生層20A產生很多自旋，至第1強磁性層1的自旋量增加，可以降低使第1強磁性層1的磁化反轉所需的反轉電流密度」（參說明書第[0070]段）以及「降低資料寫入電壓」（參說明書第[0120]、[0121]段）、「降低使第1強磁性層1的磁化Ml反轉所需的反轉電流密度」（參說明書第[00 98]段及本院卷第21頁）之發明目的所不可或缺的必要技術特徵。是以，引證1、2之組合並未揭露系爭申請案請求項14 之全部技術特徵，不足以證明系爭申請案請求項14不具進步性。 (九)引證1至3之組合，不足以證明系爭申請案請求項7不具進步性：　⒈系爭申請案請求項7依附於請求項1，包含請求項1全部技術特徵，而引證1、2之組合無法證明系爭申請案請求項1不具進步性之理由，已如前述。　⒉引證3說明書第[0077]段揭露「優選以作為這些層的疊層體的自旋軌道轉矩配線2的厚度成為20nm以下的方式設定」，其中「自旋軌道轉矩配線2的厚度成為20nm以下」雖可對應系爭申請案請求項7「其中，上述自旋軌道轉矩配線的厚度　　，在20nm（毫微米）以下」，惟對於請求項7中有關組成自旋軌道轉矩配線之自旋產生層及插入層堆疊結構之處（即請求項1所請範圍），因引證1、2之組合既無法證明系爭申請案請求項1不具進步性，故引證1至3之組合，並不足以證明系爭申請案請求項7不具進步性。六、綜上所述，本件引證1、2之組合不足以證明系爭申請案請求項1至6、8至14不具進步性；引證1至3之組合不足以證明系爭申請案請求項7不具進步性，是以系爭申請案請求項1至14 並未違反核駁時專利法第22條第2項之規定，且無其他不准核予專利之事由，此經被告陳明在卷（本院卷第362頁），兩造復不爭執請求項15、16具有進步性（同上卷第234頁）　　，故本案事證明確，依同法第47條第1項規定即應核予專利　　。從而，被告以系爭申請案違反同法第22條第2項之規定，為不予專利審定之原處分，於法未合，訴願決定予以維持，亦有違誤，原告訴請如主文所示，為有理由，應予准許。七、本件判決基礎已經明確，兩造其餘主張或答辯及訴訟資料經本院斟酌後，核與判決結果不生影響，並無一一論述的必要　　。八、結論：本件原告之訴為有理由，爰依智慧財產案件審理法第 2條、行政訴訟法第98條第1項前段、第200條第3款，判決如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日智慧財產第一庭審判長法官汪漢卿法官曾啓謀法官吳俊龍以上正本係照原本作成。一、如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示或公告後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。二、上訴未表明上訴理由且未於前述20日內補提上訴理由書者，逕以裁定駁回。三、上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第49條之1第1項第3款）。但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第3項、第4項）。得不委任律師為訴訟代理人之情形所需要件㈠符合右列情形之一者，得不委任律師為訴訟代理人 1.上訴人或其代表人、管理人、法定代理人具備法官、檢察官、律師資格或為教育部審定合格之大學或獨立學院公法學教授、副教授者。 2.稅務行政事件，上訴人或其代表人、管理人、法定代理人具備會計師資格者。 3.專利行政事件，上訴人或其代表人、管理人、法定代理人具備專利師資格或依法得為專利代理人者。㈡非律師具有右列情形之一，經最高行政法院認為適當者，亦得為上訴審訴訟代理人 1.上訴人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親具備律師資格者。 2.稅務行政事件，具備會計師資格者。 3.專利行政事件，具備專利師資格或依法得為專利代理人者。 4.上訴人為公法人、中央或地方機關、公法上之非法人團體時，其所屬專任人員辦理法制、法務、訴願業務或與訴訟事件相關業務者。是否符合㈠、㈡之情形，而得為強制律師代理之例外，上訴人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出㈡所示關係之釋明文書影本及委任書。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　21　　日書記官蔣淑君附表證據系爭專利與引證所在頁碼備註引證1 (甲證3) 2019年9月6日世界智慧財產組織公開案第WO 2019/167575A1號專利說明書乙證2第250至264頁/本院卷第277至303頁（中譯本） (1) 技術摘要：甲證3揭露一種自旋軌道轉矩型磁化反轉元件，具備朝向第一方向延伸的自旋軌道轉矩配線，以及層疊於上述自旋軌道轉矩配線上的第一鐵磁層，上述自旋軌道轉矩配線包含電導特性對溫度呈現金屬性行為的金屬氧化物，以上述自旋軌道轉矩配線的厚度方向中央為基準，第一鐵磁層側的氧濃度與和第一鐵磁層相反側的氧濃度呈現不對稱(參甲證3之摘要，本院卷第82頁)。 (2) 先前技術：強磁性層與非磁性層的多層膜構成的巨大磁阻 (GMR) 元件以及非磁性層中使用的絕緣層（隧道阻障層、阻障層）的隧道磁阻 (TMR) 元件，眾所周知為磁阻效應元件。磁阻效應元件，可以應用至磁感應器、高頻元件、磁頭及非揮發性隨機存取記憶體 (MRAM)。MRAM，係集積磁阻效應元件的記憶元件。MRAM，當磁阻效應元件中夾住非磁性層之兩個強磁性層互相磁化的方向改變時，利用磁阻效應元件的電阻改變的特性，讀寫資料。強磁性層的磁化方向，例如，利用並控制電流產生的磁場。還有例如，強磁性層的磁化方向，利用並控制往磁阻效應元件的積層方向流入電流產生的自旋轉移轉矩 (Spin Transfer Torque(STT))。近年來，集中注目於寫入時不往磁阻效應元件的積層方向流入電流也可以的方法。其中之一的方法，係利用自旋軌道轉矩 (SOT) 的寫入方法。SOT，由根據自旋軌道交互作用產生的自旋流或異種材料的界面的Rashba效應所誘發。磁阻效應元件內用以誘發SOT的電流，流往與磁阻效應元件的積層方向垂直的方向(參甲證3說明書第[0002]至[0005]段，本院卷第83至84頁) (3) 實施方式：甲證3之發明為了解決上述問題，提供以下方案：第一種實施方案的旋轉磁化元件包含：沿著第一方向延展的旋轉磁化配線；以及一層沉積在旋轉磁化配線上的第一強磁性層。旋轉磁化配線的電氣傳導特性對於溫度變化具有金屬般的行為，並且包含金屬氧化物。旋轉磁化配線的厚度方向中央作為基準，第一強磁性層側的氧氣濃度與第一強磁性層對側的氧氣濃度呈現非對稱。上述實施方案的旋轉磁化元件中，旋轉磁化配線的厚度方向可以有氧氣濃度單調上升或單調下降的區域。上述實施方案的旋轉磁化元件中，旋轉磁化配線可以包含選自以下元素氧化物的至少一種：Cr、Fe、Ir、W、Mo 、Re、Ti、V、Nb、Pd、Ru、及Sn。上述實施方案的旋轉磁化元件中，旋轉磁化配線可以包含選自以下元素氧化物的至少一種：Ir、W、Pd、Mo、Nb、及Re。上述實施方案的旋轉磁化元件中，旋轉磁化配線可以具有金屬插入層，且金屬插入層可以位於旋轉磁化配線厚度方向的任何位置。上述實施方案的旋轉磁化元件中，金屬插入層可以位於旋轉磁化配線厚度方向中央與第一強磁性層之間的更遠側位置。上述實施方案的旋轉磁化元件中，金屬插入層的構成元素可以與旋轉磁化配線中金屬氧化物的構成元素不同。上述實施方案的旋轉磁化元件中，金屬插入層的厚度可以小於構成金屬插入層的元素的離子半徑的兩倍。上述實施方案的旋轉磁化元件中，從厚度方向觀察，旋轉磁化配線與第一強磁性層重疊的區域的氧氣濃度可以比旋轉磁化配線與第一強磁性層不重疊的區域的氧氣濃度更低。第三種實施方案的磁性記憶體包含上述實施方案的旋轉磁化元件(參甲證3說明書第[0010]至[0021]頁，本院卷第85至86頁)。 (4) 主要圖式： a.甲證3圖式2係第一實施例中的旋轉磁化配線型磁化旋轉元件另一例的截面示意圖 (甲證3圖式2) b.甲證3圖式5係第二實施例中的旋轉磁化配線型磁阻效應元件的截面示意圖。 (甲證3圖式5) 引證2 (甲證4) 2017年3月16日美國公開案第US 2017/0076769A1號專利說明書乙證2第249至241頁/本院卷第305至343頁（中譯本） (1) 技術摘要：甲證4揭露一種磁性記憶體包含：第一至第三端子；一個磁阻元件，包括第一磁性層、第二磁性層以及第一非磁性層；第二非磁性層，包括第一至第三部分，第一部分位於第二部分和第三部分之間，第二部分和第三部分分別與第二端子和第三端子連接，第一磁性層設置於第一部分和第一非磁性層之間；以及第三非磁性層，包括第四至第六部分，第四部分位於第五部分和第六部分之間，第四部分位於第一部分和第一磁性層之間，第五部分包括從磁阻元件延伸至第二端子的第一區域，第六部分包括從磁阻元件延伸至第三端子的第二區域，且第三非磁性層的電導率比第二非磁性層的電導率高(參甲證4摘要，本院卷第111頁)。 (2) 先前技術：對於磁性隨機存取記憶體（MRAM），人們非常感興趣於其優勢，例如快速讀取速度、快速寫入速度、優異的耐用性、非揮發性以及低功耗。磁性隨機存取記憶體（MRAM）是一種非揮發性記憶體，其包括作為記憶元件的巨磁阻抗（GMR）元件或隧道磁阻抗（TMR）元件，將資訊儲存在記憶元件中。自旋傳輸扭矩磁性隨機存取記憶體（STT-MRAM）是一種MRAM，其中透過使電流流入磁性材料來切換磁性材料的磁化。當使用自旋傳輸扭矩方法時，奈米尺寸的磁性材料的磁化很容易在局部磁場中進行控制。由於磁性材料縮減，用於切換磁化的電流預期也會很低。在STT-MRAM中，透過使用大的寫入電流和小的讀取電流來控制由讀取電流引起的磁化切換，並且使用相同的端子。磁性材料的熱穩定性由指數A(=KV/kBT)給出，其中K₁₁代表磁性材料的磁各向異性，V代表磁性材料的體積，k代表波茲曼常數，T代表絕對溫度。為了在縮小磁性材料的同時維持指數A，必須增加磁各向異性K₁₁。磁各向異性K₁₁的增加需要更大的寫入電流。因此，維持磁各向異性K₁₁是縮小尺寸（高密度）與降低寫入電流之間的權衡。此外，磁性材料的寫入錯誤率會因讀取電流引起的磁性材料的磁化切換而增加。因此，提出了一種使用自旋霍爾效應或自旋軌道交互作用的方法，其中寫入電流端子和讀取電流端子彼此分離，以降低寫入錯誤率。該方法改進了寫入錯誤率。然而，眾所周知，自旋霍爾角 OSH會隨具有自旋軌道交互作用（以下也稱為SOL（自旋軌道層））的層的膜厚而變化。自旋霍爾角代表自旋傳輸與電傳導率的比率。當SOL中的電流密度恆定時，電流值會隨著SOL的厚度而增加。因此，抑制SOL的厚度很重要。然而，當SOL很薄時，在製造磁阻元件的過程中會發生損壞，由於過度蝕刻而導致線路斷裂，並且在施加電流時會發生電遷移。當抑制損壞或過度蝕刻時，磁阻元件部分的蝕刻不足，並且磁阻元件的側壁呈現錐形。結果，元件尺寸增加或尺寸變異增加。因此，在低寫入電流（由於較薄的SOL）與SOL的低特性之間存在權衡。(參甲證4說明書第[0003]至[0007]段，本院卷第118頁)。 (3) 實施方式：甲證4揭露一種磁性記憶體包括：第一至第三端子；第一磁阻元件，包括第一磁層、第二磁層以及電氣連接至第一端子的第二磁層，以及位於第一磁層和第二磁層之間的第一非磁層；第二非磁層，包括第一至第三部分，第一部分位於第二部分和第三部分之間，第二部分電氣連接至第二端子，第三部分電氣連接至第三端子，第一磁層位於第一部分和第一非磁層之間；以及第三非磁層，包括第四至第六部分，第四部分位於第五部分和第六部分之間，第四部分位於第一部分和第一磁層之間，第五部分包括從第一磁阻元件延伸至第二端子的第一區域，第六部分包括從第一磁阻元件延伸至第三端子的第二區域，並且第三非磁層具有比第二非磁層更高的電導率(參甲證4說明書第[0021]段，本院卷第118到119頁)。 (4) 甲證4之主要圖式：甲證4圖式11一個橫截面圖，顯示了根據第七實施例的第二修改的磁性記憶體的記憶元件 (甲證4圖式11) 引證3 (甲證5) 2018年11月23日中國公開案第CN 108886061A號專利說明書乙證2第240至230頁 (1) 技術摘要：甲證5揭露一種自旋流磁化旋轉元件，其具有第一鐵磁性金屬層和自旋軌道轉矩配線，該自旋軌道轉矩配線為自旋傳導層和界面自旋生成層交替疊層的結構，該界面自旋生成層的層數為兩層以上，該自旋軌道轉矩配線中，該界面自旋生成層中的一層最接近於該第一鐵磁性金屬層(參甲證5摘要，本院卷第129頁)。 (2) 先前技術：已知有由鐵磁性層和非磁性層的多層膜構成的巨磁阻 (GMR) 元件，以及將絕緣層（隧道勢壘層、勢壘層）用作非磁性層的隧道磁阻 (TMR) 元件。一般而言，與 GMR 元件相比，TMR 元件的元件電阻較高，但磁阻 (MR) 比比 GMR 元件的 MR 比大。因此，作為磁感測器、高頻元件、磁頭以及非易失性隨機存取記憶體 (MRAM) 用的元件，TMR 元件備受關注。在 MRAM 中，當夾持絕緣層的兩個鐵磁性層彼此的磁化方向變化時，利用 TMR 元件的元件電阻變化的特性，讀寫數據。作為 MRAM 的寫入方式，已知有利用電流製作的磁場進行寫入（磁化反轉）的方式，以及利用沿磁阻效應元件的層疊方向流通電流而產生的自旋傳移轉矩（STT）進行寫入（磁化反轉）的方式。從能量效率的角度考慮時，使用 STT 的 TMR 元件的磁化反轉是有效率的，但用於進行磁化反轉的反轉電流密度較高。這點對於GMR 元件也一樣。因此，近年來，作為通過與 STT 不同的機制降低反轉電流的手段，利用通過自旋霍爾效應生成的純自旋流的磁化反轉方式備受關注（例如，非專利文獻 1）。通過自旋霍爾效應產生的純自旋流感應自旋軌道轉矩（SOT），通過 SOT 引發磁化反轉。純自旋流通過向上自旋的電子和向下自旋電子以相同數目相互逆向地流通而產生，電荷的流通相抵。因此，流通於磁阻效應元件的電流為零，期待反轉電流密度較小的磁阻效應元件的實現。根據非專利文獻 2，報告了通過 SOT 方式的反轉電流密度與通過 STT 方式的反轉電流密度為相同程度。但是，目前以 SOT 方式報告的反轉電流密度為了實現高集成化以及低能耗化是不充分的，存在改善的餘地。另外，作為SOT 方式的磁阻效應元件的自旋軌道轉矩配線（感應 SOT 產生純自旋流的配線）所使用的材料，可舉出如非專利文獻 2 中所使用的以 Ta 為代表的重金屬材料。這樣的重金屬材料的電阻率較高，因此，在做成薄膜或細線的情況下，耗電量高也成為問題。 (3) 實施方式：甲證5揭露一種自旋流磁化旋轉元件，其具備：第一鐵磁性金屬層，其磁化方向變化；自旋軌道轉矩配線，其沿著相對於作為該第一鐵磁性金屬層的法線方向的第一方向交叉的第二方向延伸，且該第一鐵磁性金屬層位於其一個面上，該自旋軌道轉矩配線為自旋傳導層和界面自旋生成層沿該第一方向交替疊層的結構，該界面自旋生成層的層數為兩層以上，該自旋軌道轉矩配線中，該界面自旋生成層中的一層最接近於該第一鐵磁性金屬層。本發明的一個方式還可以提供一種自旋流磁化旋轉元件，其具備：第一鐵磁性金屬層，其磁化方向變化；自旋軌道轉矩配線，其沿著相對於第一鐵磁性金屬層的法線方向的第一方向交叉的第二方向延伸，且與第一鐵磁性金屬層接合，自旋軌道轉矩配線為自旋傳導層和界面自旋生成層沿第一方向交替疊層的結構，界面自旋生成層的層數為兩層以上，界面自旋生成層中的一層與第一鐵磁性金屬層接合(參甲證5第2頁創作說明)。 (4) 甲證5之主要圖式： a.圖式4B一種實施方式的自旋流磁化旋轉元件的示意圖，是圖4A 的自旋流磁化旋轉元件的截面圖。 (甲證5圖式4B) b.圖式5係示意性地表示一個實施方式所涉及的磁阻效應元件的立體圖。 (甲證5圖式5)

2025-02-13

IPCA-113-行專訴-30-20250213-2