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搜尋結果：排除侵害

共找到 250 筆結果（第 11-20 筆）

桃簡
桃園簡易庭

排除侵害

臺灣桃園地方法院民事裁定　 113年度桃簡字第985號 原 告 王富堂 被 告 鄭秀碧 兼 訴訟代理人 林慶達 上列當事人間請求排除侵害事件，本院裁定如下： 　　主　文 原告之訴駁回。 訴訟費用由原告負擔。 　　理　由 一、按起訴，應提出表明應受判決事項聲明之訴狀，民事訴訟法 第244條第1項第3款定有明文。又原告之訴其起訴不合程式 或不備其他要件，法院應以裁定駁回之。但其情形可以補正 者，審判長應定期間先命補正，同法第249條第1項第6款亦 有規定。上揭規定於簡易訴訟程序均準用之，同法第436條 第2項規定參照。 二、經查，原告提起本件訴訟，惟其訴之聲明未臻具體明確，前 經本院於民國114年2月10日裁定命原告應於裁定送達後5日 內補正，該裁定已於同年月18日寄存送達原告(同年月00日 生送達效力)，原告逾期迄未補正，有送達證書及本院收文 、收狀資料查詢清單附卷可參，揆諸前揭說明，其起訴自難 認為合法，應予駁回。 三、爰裁定如主文。 中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日 　　　　　　　　　桃園簡易庭　法　官 張永輝 以上正本係照原本作成　　　　　　　　　　　 如不服本裁定，應於送達後10日內向本院提出抗告狀並表明抗告 理由（須附繕本，並應繳納抗告費新臺幣1,500元）。 中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日 　　　　　　　　　　　　　　　 書記官　黃文琪

2025-03-28

TYEV-113-桃簡-985-20250328-2

補
臺灣高雄地方法院

排除侵害

臺灣高雄地方法院民事裁定 113年度補字第806號 原 告 陳奕穎 被 告 林亦倫 李金桃 上列當事人間請求排除侵害等事件，原告起訴未據繳納裁判費： 一、按訴訟標的之價額，由法院核定；核定訴訟標的之價額，以 起訴時之交易價額為準，無交易價額者，以原告就訴訟標的 所有之利益為準；訴訟標的之價額不能核定者，以第四百六 十六條所定不得上訴第三審之最高利益額數加十分之一定之 ，民事訴訟法第77條之1第1、2項、第77條之12分別定有明 文。 二、原告於民國113年6月14日起訴主張原告為坐落高雄市○○區○○ ○路000號建物及坐落之高雄市○○區○○段○○段0000地號土地（ 下稱1080地號）之所有權人，被告林亦倫為高雄市○○區○○段 ○○段0000○0000地號土地（下稱1052、1053地號）之所有權 人，被告李金桃為高雄市○○區○○段○○段0000地號土地（下稱 1051地號）之所有權人，因被告未經建築許可在所有土地上 擅自興建建物，未依規定退縮、占用屋後禁建之法定空地， 違反建築法第11條等規定，依民法第767條第1項規定，訴之 聲明第1項請求林亦倫將坐落1052、1053地號土地如起訴狀 附圖編號Ｂ、Ｃ，面積各5平方公尺之建物拆除，且不得於上 開土地範圍內再設置地上物；聲明第2項請求李金桃將坐落1 051地號土地如起訴狀附圖編號Ａ，面積5平方公尺之建物拆 除，且不得於上開土地範圍內再設置地上物。訴訟標的並非 對於親屬關係及身分上之權利有所主張，性質上屬因財產權 而起訴，惟因原告倘獲勝訴判決，其所得受之客觀上利益應 為防火隔間空巷，阻隔火勢蔓延、延燒，確保原告所有之房 屋、建物安全，依原告主張及提出之證據，無法核定價額， 依上開規定，應以同法第466條所定不得上訴第三審之最高 利益額數加10分之1定之。是本件訴訟標的價額定為新臺幣 （下同）1,650,000元，應徵第一審裁判費17,335元。茲依 民事訴訟法第249條第1項但書之規定，限原告於收受本裁定 送達7日內補繳，逾期不繳，即駁回其訴，特此裁定。 中 華 民 國 114 年 3 月 28 日 民事審查庭 法 官 楊佩蓉 正本係照原本作成。 如不服本裁定，應於送達後10日內向本院提出抗告狀，並繳納抗 告費新臺幣1,500元。 中 華 民 國 114 年 3 月 28 日 書記官 陳展榮

2025-03-28

KSDV-113-補-806-20250328-1

補
臺灣桃園地方法院

排除侵害

臺灣桃園地方法院民事裁定 114年度補字第204號 原告 王玉華 上列原告與被告葉步森間排除侵害事件，原告起訴未據繳納裁判 費。經查，原告請求被告拆除外牆上之冷氣室外機2台及鐵架2個 ，其訴訟標的價額應以預估之拆除費用為準，原告應於本裁定送 達後10日內陳明預估之拆除費用及所憑證據（如估價單），如逾 期未補正，即屬訴訟標的不能核定之情形，本院將依民事訴訟法 第77條之12規定辦理，特此裁定。 中 華 民 國 114 年 3 月 28 日 民事第一庭 法 官 魏于傑 正本係照原本作成。 本裁定不得抗告。 中 華 民 國 114 年 3 月 31 日 書記官 陳淑瓊

2025-03-28

TYDV-114-補-204-20250328-1

民專訴
智慧財產及商業法院

排除侵害專利權等

智慧財產及商業法院民事判決 112年度民專訴字第66號 原 告 ENTEGRIS, INC.（美國安堤格里斯公司） 法定代理人 Joseph Colella 訴訟代理人 張哲倫律師 羅秀培律師 複 代 理人 蔡昀廷律師 訴訟代理人 許文亭專利師 林蘭君專利師 複 代 理人 古乃任專利師 被 告 兆捷科技國際股份有限公司 兼法定代理人高啓全 上二人共同 訴訟代理人 賴安國律師 楊啓元律師 黃秀禎律師 蔡祁芳律師 上列當事人間排除侵害專利權等事件，本院於民國114年2月17日 言詞辯論終結，判決如下： 主 文 原告之訴及假執行之聲請均駁回。 訴訟費用由原告負擔。 　　事實及理由 壹、程序部分 一、按民事事件涉及外國人或外國地者，為涉外民事事件，內國 法院應先確定有國際管轄權，始得受理，次依內國法之規定 或概念，就爭執之法律關係予以定性後，決定應適用之法律 （即準據法），而涉外民事法律適用法並無明文規定國際管 轄權，應類推適用民事訴訟法之規定（最高法院98年度台上 字第2259號判決意旨參照）。本件原告美商ENTEGRIS, INC. 為依外國法設立之外國法人，具有涉外因素，為涉外民事事 件。原告主張被告在我國境內，侵害其所有第I386983號（ 下稱系爭專利1）、第I466179號（下稱系爭專利2，與系爭 專利1合稱系爭專利）「用以增進離子植入系統中之離子源 的壽命及性能之方法與設備」專利權，乃依專利法、民法及 公司法規定，起訴請求排除防止被告侵害系爭專利及賠償損 害，是應定性為專利侵權事件，應類推民事訴訟法第1條前 段及第15條第1項因侵權行為涉訟之特別審判籍規定，以行 為地之我國法院有國際管轄權。再者，依專利法所保護之智 慧財產權益所生之第一、二審民事訴訟事件，智慧財產及商 業法院有專屬管轄權，智慧財產及商業法院組織法第3條第1 款、智慧財產案件審理法第9條第1項定有明文。是以本院對 本件涉外民事事件具有管轄權，並適用涉外民事法律適用法 以定本件涉外民事事件之準據法。 二、準據法之選定： 　　按關於由侵權行為而生之債，依侵權行為地法；以智慧財產 為標的之權利，依該權利應受保護地之法律，涉外民事法律 適用法第25條第1項及第42條第1項分別定有明文。依上開規 定，本件自應適用我國法為準據法。 三、當事人能力： 　　按公司法於民國107年8月1日修正、同年11月1日公布施行之 第4 條規定：「本法所稱外國公司，謂以營利為目的，依照 外國法律組織登記之公司。外國公司，於法令限制內，與中 華民國公司有同一之權利能力。」，即廢除外國公司認許制 度，尊重依外國法設立之外國公司於其本國取得法人人格之 既存事實，而認與我國公司具有相同權利能力。又按有權利 能力者，有當事人能力，民事訴訟法第40條第1項定有明文 。本件原告為依外國法律設立之外國法人，與我國公司有同 一之權利能力，有當事人能力，自得為本件原告。 貳、實體部分 一、原告主張略以： 　㈠原告為系爭專利1、2之專利權人，專利權間至120年2月24日 。被告兆捷科技國際股份有限公司（下稱被告公司，與被告 高啟全合稱為被告）為公開發行公司，登錄為興櫃股票，主 要經營業務為產銷電子化學特殊氣體，其於公開說明書表示 ，原告與其均通過台灣積體電路製造股份有限公司供應認證 ，為電子植入氣體可量產之生產廠家等情，可證兩造為競爭 同業。 　㈡被告公司產銷之離子植入氣體產品「11B Enriched Boron Tr ifluoride (11BF3/H2) - SAG II (同位素濃化之三氟化硼 及氫氣之氣體混合物SAGII機械式負壓鋼瓶）」（下稱系爭 產品1），經原告發現至少直接侵害系爭專利1之更正後請求 項15、18及19，直接或間接侵害系爭專利1之更正後請求項1 、7、9、13、15至18。 　㈢被告公司另產銷之「Enriched 72Germanium Tetrafluoride 2 (72GeF4/H2) - SAGII(同位素濃化之四氟化鍺及氫氣之氣 體混合物SAGII機械式負壓鋼瓶）」（下稱系爭產品2），經 原告發現直接侵害系爭專利1之更正後請求項15至19，間接 侵害系爭專利1之請求項1、6、11及13。又原告發現系爭產 品2侵害系爭專利2之更正後請求項1、2、4、5、10、12、13 。 ㈣被告高啟全為被告兆捷公司之負責人，而原告因上開侵害行 為受有損害，依專利法第96條第1 項至第3 項、民法第184 條第1項前段、第185條、第179條及公司法第23條第2項規定 ，請求排除及防止被告等繼續侵害系爭專利，並請被告二人 連帶賠償損害。 　㈤並聲明： 　　⒈被告公司不得直接或間接、自行或委請他人製造、為販賣 之要約、販賣、使用、或為上述目的而進口系爭產品1、2 及其他侵害原告系爭專利1、2發明專利權之產品。 　　⒉被告兆捷公司應回收並銷毁前項聲明之侵權產品。 ⒊被告等應連帶給付原告新臺幣（下同）2,000萬元整暨自起 訴狀繕送達翌日起至清償日止，按年息5%計算之利息 。 　　⒋第1項及第3項之聲明，原告願以現金或同額之兆豐國際商 業銀行安和分行之無記名可轉讓定期存單供擔保，請准宣 告假執行。 二、被告答辯略以： 　㈠系爭專利1 申請時係以「專利審查高速公路」方式，以全部 請求項皆與美國對應案第US8237134號完全相同，該對應案 業已核准為由申請專利，由經濟部智慧財產局（下稱智慧局 ）審查後，於101年12月20日核准專利。除專利權人業於申 請案中自認全部請求項皆與美國對應案完全相同外，本件原 告所主張之系爭專利1 請求項1 、6、7、9、11、13、15至1 9 ，與美國對應案第US8237134號完全相同，而該美國對應 案經美國專利商標局（USPTO) 專利複審委員會於西元2018 年(107年)3月29日，就系爭專利1美國對應案US8237134之有 效性，作出第IPR2016-01845 號最終書面決定（參乙證4） ，認定全部請求項皆有一種以上無效證據組合，足以證明其 具有應撤銷之原因；並於西元2020年(109年）1月29日公告 該美國對應案全部請求項撤銷之公告。原告為乙證4 最終書 面決定之當事人，對於乙證4認定系爭專利1請求項1、6、7 、9 、11、13、15至19(本件原告所主張系爭專利1請求項） 具有應撤銷原因之事實，自屬明知。原告在本件中所主張之 系爭專利2 所有請求項之所有技術特徵，完全涵蓋在系爭專 利1 請求項15及請求項11。因此，系爭專利1請求項15及請 求項11之應撤銷原因(「Rendon,ATMI VAC,and Gupta」之組 合，以及「Rendon,Trace,and Gupta」之組合即為系爭專利 2 請求項1、2、4、5、9、10、12、13、24、26之應撤銷原 因。原告明知系爭專利有應撤銷之原因，竟提起本件訴訟， 顯非為維護其權利，而係干擾被告公司合法商業活動，具惡 意之商業競爭，其起訴不合法，法院應依民事訴訟法第249 條第1項第8款、第2項規定駁回原告之訴訟。 　㈡被告提出乙證7及其他證據組合，主張系爭專利1及系爭專利2 皆有應撤銷之原因，對原告不得行使權利，即： 　　⒈乙證7足證更正後系爭專利1請求項1不具新穎性或不具進步 性；乙證7與自認習知技術之組合，或乙證7與乙證6之組 合，或乙證7與乙證8及自認習知技術之組合，或乙證7與 乙證9及自認習知技術之組合，或乙證7與乙證8及乙證6 之組合，或乙證7與乙證9 及乙證6 之組合，分別皆足證 更正後系爭專利1請求項1不具進步性。 　　⒉乙證7足證更正後系爭專利1請求項6、7、9、11、13不具新 穎性或不具進步性；乙證7與自認習知技術之組合，或 乙 證7與乙證6之組合，或乙證7與乙證8及自認習知技術 之 組合，或乙證7與乙證9及自認習知技術之組合，或乙 證7 與乙證8及乙證6之組合，或乙證7與乙證9及乙證6之 組合 ，分別皆足證更正後系爭專利1請求項6、7、9、11、13不 具進步性。 　　⒊乙證7足證更正後系爭專利1請求項15不具新穎性或不具進 步性；乙證7與乙證8之組合，或乙證7與乙證9之組合，分 別皆足證更正後系爭專利1請求項15不具進步性。 　　⒋乙證7足證更正後系爭專利1請求項16、17、18、19不具新 穎性或不具進步性；乙證7與乙證8之組合，或乙證7與乙 證9之組合，分別皆足證更正後系爭專利1請求項16、17、 18、19不具進步性。 　　⒌乙證7足證更正後系爭專利2請求項1、2、9、10、24、25、 26不具新穎性或不具進步性。 　　⒍乙證7與乙證8之組合，或乙證7與乙證9之組合，分別皆足 證更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、9、10、12、13、 24、25、26不具進步性。 ㈢並聲明： 　　原告之訴及假執行之聲請均駁回；如受不利判決，請准供擔 保免為假執行。 三、兩造不爭執事項（見本院卷六第36至37頁）： 　㈠原告為系爭專利之專利權人。系爭專利1之專利權期間為102 年2月21日至120年2月24日，原告於104年11月1日因受讓而 取得專利權。系爭專利2 之專利權期間為103年12月21日至1 20年2月24日，原告於104年11月1日因受讓而取得專利權。 ㈡被告製造及販賣系爭產品1，以氣體混合物形式自鋼瓶供給至 離子佈植機，供離子植入製程使用。 ㈢被告為販賣之要約系爭產品2，以氣體混合物形式自鋼瓶供給 至離子佈植機，供離子植入製程使用。 ㈣原告於113年2月2日申請系爭專利第一次更正，智慧局於113 年5月20日准予更正（見甲證24、25，本院卷二第347至350 頁）。 ㈤原告於113年8月21日申請系爭專利第二次更正，並經智慧局 於113年11月8日准予更正（見甲證45、46，本院卷五第567 至570頁）。 四、兩造所爭執之處，經協議簡化如下（見本院卷六第36至38頁 ）： 　㈠系爭專利1之第二次更正是否違反專利法第67條第2、4項規定 ，而有應撤銷之事由？ ㈡系爭專利2之第二次更正是否違反專利法第67條第2、4項規定 ，而有應撤銷之事由？ ㈢系爭專利1是否有應撤銷之事由？ ⒈乙證7是否足以證明系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18 不具新穎性或進步性？ ⒉乙證7及系爭專利1說明書先前技術之組合；或乙證7、6之 組合；或乙證7、8及系爭專利1說明書先前技術之組合； 或乙證7、9及系爭專利1說明書先前技術之組合；或乙證7 、8及6之組合；或乙證7、9及6之組合；或乙證10、8及13 之組合；或乙證10、9及13之組合；或乙證10、8、11及13 之組合；或乙證10、9、11及13之組合；或乙證10、8及7 之組合；或乙證10、9及7之組合；或乙證14、13、11及8 之組合；或乙證14、13、11及9之組合；或乙證15、13、1 1及8之組合；或乙證15、13、11及9之組合；或乙證16、1 3、11及8之組合；或乙證16、13、11及9 之組合；或乙證 17、13、11及8之組合；或乙證17、13、11及9之組合，是 否足以證明系爭專利1更正後請求項1、7、9、13、15至18 不具進步性？ ⒊乙證7、8及13之組合；或乙證7、9及13之組合，是否足以 證明系爭專利1 更正後請求項15至18不具進步性？ ㈣系爭專利2 是否有應撤銷之事由？ ⒈乙證7是否足以證明系爭專利2更正後請求項1、2、10不具 新穎性或進步性？ ⒉乙證7及系爭專利2說明書先前技術之組合；或乙證7及6之 組合，是否足以證明系爭專利2更正後請求項1、2、10不 具進步性？ ⒊乙證7、8及系爭專利2 說明書先前技術之組合；或乙證7、 9及系爭專利2說明書先前技術之組合；或乙證7、8及6之 組合；或乙證7、9及6之組合；或乙證10、8及13之組合； 或乙證10、9及13之組合；或乙證10、8、11及13之組合； 或乙證10、9 、11及13之組合；或乙證10、8、7之組合； 或乙證10、9、7之組合；或乙證7、8及13之組合；或乙證 7、9及13之組合；或乙證14、13、11及8之組合；或乙證1 4、13、11及9之組合；或乙證15、13、11及8 之組合；或 乙證15、13、11及9之組合；或乙證16、13、11及8之組合 ；或乙證16、13、11及9之組合；或乙證17、13、11及8之 組合；或乙證17、13、11及9之組合，是否足以證明系爭 專利2更正後請求項1、2 、4、5、10、12、13不具進步性 ？ ㈤專利侵權部分 ⒈系爭產品1是否直接侵害系爭專利1之第二次更正後請求項1 5及18，間接侵害系爭專利1之請求項1及13？ ⒉系爭產品2是否直接侵害系爭專利1之第二次更正後請求項1 5至18，間接侵害請求項1、7、9及13？ ⒊系爭產品2是否侵害系爭專利2之第二次更正後請求項1、2 、4、5、10 12及13？ ㈥原告依專利法第96條第1 項，請求排除或防止侵害，是否有 理由？ ㈦原告依專利法第96條第3 項，請求回收並銷毁系爭產品，是 否有理由？ ㈧原告依專利法第96條第2項、第97條第1項第2及3款、同條第2 項、民法第184條第1項前段、第185條及第179 條、公司法 第23條第2項，請求被告等連帶給付2,000萬元暨自起訴狀繕 本送達翌日起至清償日止，按年息百分之5計算之利息，是 否有理由？ 五、得心證之理由 ㈠系爭專利技術分析 　　⒈系爭專利所欲解決之問題 製造半導體時的離子植入步驟，係將摻質氣體（如包含摻 質物種之鹵化物或氫化物）由離子源產生並萃取出離子束 ，再將離子束加速後以使化學物種之高能離子撞擊基板， 以將這些物種植入晶圓。離子源失效可歸咎許多原因，包 括沉積物積聚在陰極表面，及因電弧室中產生游離氟，引 發摻質氣體進行有害蝕刻反應而產生四氟化鍺，導致陰極 材料剝離或濺射，使陰極失去物理完整性而縮減離子源性 能和壽命（參系爭專利1、2說明書【先前技術】，見本院 卷一第68、115頁）。 　　⒉系爭專利技術內容 　　　為解決前述問題，系爭專利1採取的技術手段係使用「同 位素濃化」摻質組成物，其中摻質組成物選自以下所組成 之群組：(i)鍺化合物，經同位素濃化成高於原子量70、7 2、73、74或76之至少一鍺同位素的天然含量，其中至少 一鍺同位素的同位素濃化量為：就鍺70同位素而言高於21 .2%、就鍺72同位素而言高於27.3%、就鍺73同位素而言高 於7.9%、就鍺74同位素而言高於37.1%、及就鍺76同位素 而言高於7.4%，且當摻質組成物係由同位素濃化鍺72同位 素的四氟化鍺組成時，鍺72同位素的同位素濃化量高於51 .6%；以及(ii)摻質氣體配方，包含摻質氣體和補充氣體 ，其中補充氣體包括稀釋氣體和共種氣體的至少其一，其 中摻質氣體和共種氣體（若有）的至少其一係經同位素濃 化（參系爭專利1、2說明書【發明內容】，見本院卷一第 69、116頁）。 　　⒊系爭專利1、2圖式，以系爭專利2代表，如附圖1所示。 　　⒋系爭專利1申請專利範圍 　　　系爭專利1原公告申請專利範圍共20項，其中請求項1、15 為獨立項。原告先後主張二次更正再抗辯，第一次更正內 容（見甲證18，本院卷二第105至122頁）經智慧局於113 年5月20日准予更正（見甲證24，本院卷二第347至348頁 ）。第二次更正內容（見甲證31，本院卷五第31至40頁） 經智慧局於同年11月8日准予更正（見甲證45，本院卷五 第567至568頁）。原告主張第二次更正後系爭專利1請求 項1、7、9、13、15至18受侵害（見原告民事準備五狀， 本院卷五第7至23頁），其內容如下： ⑴請求項1：一種離子植入製程，包含以下步驟： 提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應 容器；使該摻質組成物流入一離子源；從該 離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物 種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中 ，其中該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋 氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質之鹵 化物且經同位素濃化，該稀釋氣體包含氫； 條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同 位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位 素的該同位素濃化量高於51.6%。 ⑵請求項7：如申請專利範圍第1項之製程，其中該摻質組 　　　　 成物包含一或多個鍺化合物，該鍺化合物經 　　　　 同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或7 　　　　 6之至少一個鍺同位素之天然含量。 ⑶請求項9：如申請專利範圍第7項之製程，其中該摻質組 　　　　 成物包含經同位素濃化的四氟化鍺。 ⑷請求項13：如申請專利範圍第1項之製程，其中該摻質 氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼、和四氟化 　　　　 矽所組成之群組。 ⑸請求項15：一種摻質組成物，其由一摻質氣體及一稀釋 　　　　 氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質物種 之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋氣體包含 氫；條件為，當該摻質組成物的經同位素濃 化的該摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素 濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的 該同位素濃化量高於51.6%，其中該摻質組 成物係儲存於一單一氣體供應容器中。 　　　⑹請求項16：如申請專利範圍第15項之組成物，包含一或 　　　　 多個鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化成 　　　　 高於原子量70、72、73、74或76之至少一個 　　　　 鍺同位素之天然含量。 ⑺請求項17：如申請專利範圍第16項之組成物，包含經同 　　　　 位素濃化之四氟化鍺。 ⑻請求項18：如申請專利範圍第15項之組成物，其中該摻 　　　　 質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼與四氟化 　　　　 矽所組成之群組。 ⒌系爭專利2申請專利範圍 系爭專利2原公告申請專利範圍共29項，其中請求項1、28 、29為獨立項。原告先後主張二次更正再抗辯，第一次更 正（見甲證19，本院卷二第123至141頁）經智慧局於113 年5月20日准予更正（見甲證25，本院卷二第349至350頁 ）。第二次更正（見甲證32，本院卷五第43至49頁）經智 慧局於同年11月8日准予更正（見甲證46，本院卷五第569 至570頁）。原告主張第二次更正後系爭專利1請求項1、2 、4、5、10、12及13受侵害（見原告民事準備五狀，本院 卷五第23至28頁），其內容如下： 　　　⑴請求項1：一種摻質氣體組成物，其由一摻質氣體及一 稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質 物種之鹵化物，該稀釋氣體包含氫，且其中 　　　　 該摻質氣體經同位素濃化(isotopically enr 　　　　 iched)至超過至少一種鍺同位素的天然含量( 　　　　 natural abundance level)，其中該摻質氣 　　　　 體組成物係儲存於一單一氣體供應容器中。 ⑵請求項2：如請求項1所述之組成物，其中該摻質氣體是 　　　　 選自由多種鍺化合物所構成的群組，該等鍺 　　　　 化合物經同位素濃化成高於原子量70、72、7 　　　　 3、74或76之至少一種鍺同位素的天然含量。 ⑶請求項4：如請求項2所述之組成物，其中該摻質氣體包 　　　　 含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至 　　　　 其鍺72同位素含量為高於27.3%。 ⑷請求項5：如請求項2所述之組成物，其中該摻質氣體包 　　　　 含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至 　　　　 其鍺72同位素含量為高於51.6%。 ⑸請求項10：如請求項1所述之組成物，其中該摻質組成 　　　　 物包含四氟化鍺。 ⑹請求項12：如請求項10所述之組成物，其中在該四氟化 　　　　 鍺中的鍺具有高於27.3%的鍺72同位素的同 　　　　 位素濃化量。 ⑺請求項13：如請求項10所述之組成物，其中在該四氟化 　　　　 鍺中的鍺具有高於51.6%的鍺72同位素的同 　　　　 位素濃化量。 ㈡系爭產品技術分析 系爭產品1、2係被告所產銷之離子植入氣體產品（儲存有離 子植入氣體之SAG II機械式負壓鋼瓶）： 　　⒈系爭產品1：同位素濃化之三氟化硼及氫氣之氣體混合物 　　 （11B Enriched BoronTrifluoride (11BF3)/Hydrogen 　　 Gas Mixture）SAG II機械式負壓鋼瓶。 　 ⒉系爭產品1主要圖示如附圖2所示。 　　⒊系爭產品2：同位素濃化之四氟化鍺及氫氣之氣體混合物（ Enriched 72Germanium Tetrafluoride (72GeF4) /Hydro gen Gas Mixture）SAG II機械式負壓鋼瓶。 　　⒋系爭產品2主要圖示如附圖3所示。 　㈢系爭專利申請專利範圍應以第二次核准更正內容為據 　　⒈被告抗辯：原告就系爭專利向智慧局申請兩次更正，其更 正內容違反專利法第67條第2項超出申請專利所揭露範圍 及同條第4項實質擴大申請專利範圍規定，違反上開規定 係專利法第71條第1項第1款提起舉發事項規定，其第二次 更正不合法，依智慧財產案件審理法第41條第1項規定請 法院自為判斷該更正申請之合法性等語。 　　⒉按發明專利權有違反第67條第2至4項申請更正規定者，任 何人得向專利專責機關提起舉發，專利法第71條第1項第1 款定有明文。次按當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷 之原因者，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不 適用民事訴訟法停止訴訟規定，智慧財產案件審理法第41 條第1項設有規定。立法理由略以：有關智慧財產之民事 訴訟中，被告主張智慧財產權不存在，而提起行政爭訟時 ，或有第三人對智慧財產權之有效性提出評定、舉發及行 政爭訟時，民事訴訟如依首揭規定停止審判，其權利之有 效性與權利之侵害事實無法於同一訴訟程序一次解決；當 事人每以此拖延民事訴訟程序，致智慧財產權人無法獲得 即時的保障；是審理智慧財產民事訟訟之民事法院，於訴 訟中就專利權有無應撤銷或廢止原因之爭點為實質判斷， 並排除各訴訟法關於停止訴訟規定等語。依此，本條係針 對專利權有效性爭點由民事法院自為判斷，而專利權人申 請更正，目的是為修正專利權範圍之瑕疵或錯誤，避免專 利權無效，以之調整專利權保護範圍，其申請更正範圍須 明確，使公眾知悉其界限，應由專利專責機關專責行使審 查權限，是以專利權更正申請合法與否應非本條所定專利 權有效性爭點判斷事項。 　　⒊再按第41條第1項規定主張或抗辯專利權有應撤銷之原因， 專利權人已向專利專責機關申請更正專利權範圍者，應向 法院陳明依更正後之專利權範圍為請求或主張；第1項情 形，法院得就更正專利權範圍之合法性自為判斷，並於裁 判前表明其法律上見解及適度開示心證，智慧財產案件審 理法第41條第1項、第43條第1項及第4項分別設有規定。 上開第43條規定之立法理由略以：法院於民事訴訟程序就 專利權之權利有效性，有判斷權限。伴隨著專利權有效性 判斷，必須認定之更正合法性爭點；且基於舉重以明輕之 法理，及迅速解決紛爭之精神，參酌日本實務見解，應肯 定法院具有更正合法性之判斷權限；關於更正專利權範圍 之合法性，既採行司法審理與行政審查之雙軌制架構，法 院於專利專責機關作成更正案之審定前，於無礙訴訟之終 結者，法院亦得暫不自為判斷專利權人依更正主張之合法 性。依此，專利權人為更正再抗辯之主張，如專利專責機 關作成更正案審定，法院亦得不自為判斷專利權人更正主 張之合法性，而以該機關更正審定之申請專利範圍為據。 因之，如依上開第43條之專利權人之更正再抗辯，法院得 等待專利專責機關之更正審定結果，則就上述同法第41條 專利權有效性判斷，法院亦得依專利專責機關已作成之更 正審定處分為據，毋庸自為判斷。 　　⒋復按行政處分未經撤銷、廢止，或未因其他事由而失效者 ，其效力繼續存在。無效之行政處分自始不生效力，行政 程序法第110條第3項定有明文；有效之先前行政處分成為 後行政處分之構成要件事實之一部分時，則該先前之行政 處分因其存續力而產生構成要件效力（最高行政法院108 年度判字第445號判決意旨參照）。又按「前後二程序互 有關聯，先前程序所作成之行政處分（尤其是授益處分） 未被撤銷前，於事實及法律狀態不變下，對同一處分機關 於後續程序作成後續處分具有拘束力，避免兩相矛盾之行 政處分同時出現，暨防範原處分機關藉新作處分之便，以 達規避撤銷與廢止授益處分之要件規定目的，而為更不利 於相對人的決定，此即「行政處分之跨程序拘束力」（最 高行政法院108年度判字第376號判決參照）。準此，行政 處分具有構成要件效力，其「規制內容」（即行政處分之 主旨或主文部分）對處分機關以外其他國家機關有拘束力 。本件原告兩次申請系爭專利之更正，其第二次更正已獲 得智慧局作成專利更正核准審定書（見甲證45、46），該 准予更正審定書為行政處分，具構成要件效力，拘束本院 ，本件以第二次更正處分作為系爭專利申請專利範圍判斷 。 　㈣乙證7等證據組合不足以證明系爭專利1更正後請求項不具新 穎性或進步性： 　　⒈乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、 　　　15至18不具新穎性或不具進步性 　　　⑴乙證7為我國第I290731號「用於氣體儲存及輸送的離子 性液體基礎混合物」發明專利，其公告日為96年12月1 日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103 年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 　　　⑵乙證7技術內容 　　　　①乙證7揭露一種用於儲存和輸送氣體的混合物和方法。 一方面，提供了一種混合物，其包含：含有陰離子和 陽離子的離子性液體；分佈於離子性液體中並可與離 子性液體發生可逆化學反應的至少部分氣體；以及任 選的未反應氣體。另一方面，提供了一種從含有離子 性液體和一種或多種氣體的混合物中輸送氣體的方法 ，其包括：使至少部分氣體與離子性液體反應以提供 含有化學反應氣體和離子性液體的混合物，並從混合 物中分離出化學反應氣體，其中經分離步驟後的化學 反應氣體與反應步驟之前的化學反應氣體具有基本相 同的化學成分（參乙證7摘要，本院卷一第618頁）。 　　　　②乙證7圖2係各種混合物的三氟化硼(BF3)容量圖，如附 圖4所示。 　　 ⒉乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13 　　　　、15至18不具新穎性： ⑴更正後系爭專利1請求項1之技術特徵如下: 1A:一種離子植入製程，包含以下步驟： 　 　 1B:提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應容器; 1C:使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該 摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等 離子摻質物種植入一基板中， 1D:該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成 　 ，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物且經同 　 位素濃化，該稀釋氣體包含氫； 1E:條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素 濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同 　　　　　　 位素濃化量高於51.6%。 ⑵經查乙證7說明書第5頁（見本院卷一第579頁）記載「 …半導體生產工業例如要使用許多危險的專用氣體， 如磷化氫(PH3)、砷化氫(AsH3)和三氟化硼(BF3)，用 以進行摻雜…」，對應揭露（第二次更正，下同）系 爭專利1請求項1之1A「一種離子植入製程…」；乙證7 說明書第28頁（見本院卷一第602頁）記載「…用於儲 存和分配來自混合物的一種或多種化學反應氣體、任 選的未反應氣體，或者上述兩者的體系包括『儲存和 分配容器』…」，對應揭露系爭專利1請求項1之1B:「 提供儲存有一摻質組成物之單一氣體供應容器」技術 特徵；另乙證7請求項21（見本院卷一第622頁）記載 用於儲存和輸送氣體的混合物，其包含有可與離子性 液體發生可逆的化學反應以提供化學反應氣體，以及 未反應氣體，而該化學反應氣體具有路易士酸性並選 自「…三氟化硼、…、四氟化鍺、…、同位素富集的同 型物及其混合物」，前述乙證7之化學反應氣體、未 反應氣體即分別對應於系爭專利1請求項1之1D中的: 摻質氣體、稀釋氣體，且乙證7揭露之三氟化硼、四 氟化鍺等均為包含摻質物種（硼或鍺）之鹵化物（氟 化物），並可經同位素濃化（即同位素富集之同型物 ）；又乙證7請求項24記載「該未反應氣體包含惰性 氣體，其選自…、氫、…及其混合物」（見本院卷一第 622頁），對應於系爭專利1請求項1之1D「該摻質組 成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質 氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋氣體 包含氫」技術特徵。 　　　　⑶惟乙證7並未明確揭露系爭專利1請求項1之1C「使一摻 質組成物流入一離子源」、「從該離子源的該摻質組 成物產生多個離子摻質物種」及「將該等離子摻質物 種植入一基板中」技術特徵；又乙證7雖揭露四氟化 鍺及其同位素富集之同型物作為化學反應氣體，但並 未揭露系爭專利1請求項1之「當摻質氣體由以鍺72同 位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同 位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵。再者 ，更正後系爭專利1請求項1，係界定單一氣體供應容 器中之摻質組成物係由摻質氣體及稀釋氣體所組成， 表示摻質組成物並未包含前述兩種氣體以外之物質， 而乙證7所揭露儲存於容器中之混合物，則包含離子 性液體、與該離子性液體發生化學反應之氣體，以及 未反應氣體（參乙證7請求項21、24，本院卷一第622 頁）。是以乙證7揭露之技術內容與更正後系爭專利1 請求項1間存有前述差異，故乙證7不足以證明更正後 系爭專利1請求項1不具新穎性。更正後系爭專利1請 求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，包含 請求項1之全部技術特徵，乙證7既不足以證明更正後 系爭專利1請求項1不具新穎性，則乙證7亦不足以證 明更正後系爭專利1請求項7、9、13不具新穎性。 ⑷更正後系爭專利1請求項15之標的名稱係「摻質組成物 」，其全部技術特徵見於請求項1記載之內容。則如 同前述乙證7與更正後系爭專利1請求項1之比對，乙 證7之化學反應氣體、未反應氣體分別對應於更正後 系爭專利1請求項15之摻質氣體、稀釋氣體，即乙證7 揭露更正後系爭專利1請求項15之「一種摻質組成物 ，其由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質 氣體包含摻質物種之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋 氣體包含氫」技術特徵。另乙證7已揭露摻質氣體為 「非」四氟化鍺者，如三氟化硼，即無需考量更正後 系爭專利1請求項15以四氟化鍺之摻質氣體為前提條 件之「條件為，當該摻質組成物的經同位素濃化的該 摻質氣體或該共種氣體由以鍺72同位素進行同位素濃 化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃 化量高於51.6%」技術特徵。 ⑸由更正後系爭專利1請求項1、15界定摻質氣體係「包 含摻質物種之鹵化物」，以及稀釋氣體係「包含氫」 等技術特徵；乙證7則揭露化學反應氣體（對應系爭 專利1之摻質氣體）係「選自乙硼烷、三氟化硼、三 氟化硼、三氟化磷、四氟化磷、四氟化矽、鍺烷、四 氟化鍺、氰化氫、同位素富集的同型物及其混合物」 （乙證7請求項21），未反應氣體（對應系爭專利1之 稀釋氣體）係「選自氮、氦、氖、氫、氬、氪、氙、 氡及其混合物」（乙證7請求項24，本院卷一第622頁 ），亦即更正後系爭專利1請求項1、15所界定之發明 ，相較於乙證7之技術內容，係由乙證7揭露的二個群 組個別選出多個或一個成分所組成的選擇發明，並非 乙證7已特定揭露者（參見專利審查基準第2篇第3章 第2.5.4節「選擇發明」[1]），故乙證7尚不足以證 明更正後系爭專利1請求項1、15不具新穎性。更正後 系爭專利1請求項16至18係請求項15直接或間接之附 屬項，包含請求項15之全部技術特徵，乙證7既不足 以證明更正後系爭專利1請求項15不具新穎性，則乙 證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項16至18不具 新穎性。 ⑹被告辯稱：所屬技術領域中具通常知識者，可直接且 無歧異得知乙證7所揭混合物所使用之離子植入製程 ，參原告起訴狀第10頁於系爭產品1與系爭專利1請求 項1之侵權比對自承「使用者在使用此離子植入氣體 時，必然實施此等步驟」即明；既屬「必然」，豈有 不能「直接且無歧異得知」，因此，應認乙證7亦已 隱含要件1C技術特徵(見民事答辯七狀第10頁第10至1 5行，本院卷五第336頁)；另系爭專利1請求項1要件1 E為條件式，僅在「應同位素濃化的摻質氣體由以鍺7 2同位素進行同位素濃化的四氟化鍺為組成時」條件 成就時方有適用。乙證7已揭露更正後系爭專利1請求 項1E條件未滿足之情況，亦即乙證7揭示有關以「四 氟化鍺」為摻質氣體下所需符合條件以外的全部技術 特徵，足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具新 穎性(見民事答辯七狀第14頁第11至17行，本院卷五 第340頁)云云。 ⑺惟查原告於系爭產品1與系爭專利1請求項1之侵權比對 自承「使用者在使用此離子植入氣體時，必然實施此 等步驟(即1C技術特徵)」(參原告起訴狀第10頁，本 院卷一第22頁及民事準備五狀，本院卷五第15至16頁 )，並提出甲證14及甲證15佐證該製程步驟為業界已 知之技術，由甲證14第1頁圖1(本院卷一第291頁)及 甲證15說明書第[004]段(見本院卷一第299至300頁) 確實可證明更正後系爭專利1請求項1之步驟1C為離子 植入製程所必然使用之已知步驟技術，故由乙證7所 揭示之內容，即便所屬技術領域中具有通常知識者， 可知使用離子植入氣體進行離子植入時必然會使用1C 之步驟，該技術特徵為乙證7實質隱含揭露者，但乙 證7與更正後系爭專利1請求項1存在如前述理由所述 之差異，故乙證7尚難證明更正後系爭專利請求項1不 具新穎性。 ⒊乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13 、15至18不具進步性： ⑴如前述更正後與更正後系爭專利1請求項1之比對，乙 證7未明確揭露更正後系爭專利1請求項1之1C「使一 摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成 物產生多個離子摻質物種；將該等離子摻質物種植入 一基板中」技術特徵，退而言之，即便該步驟為離子 植入所必然之步驟而為乙證7實質隱含揭露者，惟乙 證7請求項21揭露「化學反應氣體」可選自三氟化硼 、四氟化鍺等多種氣體中，並可經同位素濃化（即同 位素富集之同型物），且乙證7請求項24揭露「未反 應氣體」可選自包含氫氣之多種惰性氣體中；然通常 知識者並無動機由前述兩個群組中選擇特定的「包含 摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「 包含氫」之稀釋氣體，共同組成為氣體組成物，相較 於乙證7，系爭專利1可達成增進離子源壽命與性能之 功效（參系爭專利1說明書第8、9頁，本院卷一第72 至73頁），此由乙證7之技術內容尚無法預期，是以 乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步 性。 ⑵更正後系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或 間接附屬項，均包含請求項1之全部技術特徵，是既 乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步 性，則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項7 、9、13不具進步性。 ⑶更正後系爭專利1請求項15與乙證7技術內容之比對， 詳如前述，乙證7請求項21、24之化學反應氣體、未 反應氣體固然可對應於更正後系爭專利1請求項15之 摻質氣體、稀釋氣體，但通常知識者並無動機由乙證 7前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且 經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋 氣體作為摻質組成物，相較於乙證7，系爭專利1可達 成增進離子源壽命與性能之功效（參系爭專利1說明 書第8、9頁，本院卷一第72至73頁），由乙證7之技 術內容尚無法預期，是以乙證7不足以證明更正後系 爭專利1請求項15不具進步性。 ⑷更正後系爭專利1請求項16至18係請求項15之直接或間 接附屬項，均包含請求項15之全部技術特徵，是既乙 證7不足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性 ，則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項16至 18不具進步性。 ⒋乙證7及系爭專利1說明書先前技術之組合，或乙證7及6之 組合，不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、 15至18不具進步性 　　 ⑴乙證6為我國第I267910號「離子植入的方法及其裝置」 發明專利，其公告日為95年12月1日，早於系爭專利1之 102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日， 為系爭專利1、2之先前技術。 　　　⑵乙證6技術內容 乙證6揭露習知離子植入裝置(100)之結構大致上包括用 以產生離子束(102)的離子源(104)，用以分離主要摻質 的質量分析器(106)，用來加速離子束(102)的加速器(1 08)，以及用以讓離子束(102)可以掃描晶圓(112)的掃 描裝置(110)等（參乙證6【先前技術】，本院卷一第55 6至558頁）。 ⑶乙證6圖1係習知離子植入裝置的剖面示意圖，如附圖5所 示。 　　　⑷乙證7技術內容與更正後系爭專利1請求項1間之比對，詳 如前述。查系爭專利1說明書【先前技術】記載「用於 半導體製造的離子植入涉及藉由使化學物種之高能離子 撞擊基板，以將這些物種沉積進入基板(例如微電子裝 置晶圓)。為產生離子植入物種，摻質氣體(如包含摻質 物種之鹵化物或氫化物)遭離子化。離子化係使用離子 源來產生離子束而施行」（見本院卷一第68頁）。另查 乙證6說明書【先前技術】記載「離子植入法則是藉由 將摻質先解離成離子，經過加速與選擇後，將特定的離 子直接打入主材質(host material)中來達到摻雜的目 的」（見本院卷一第556頁）。前述系爭專利1說明書【 先前技術】或乙證6說明書【先前技術】所載，均揭露 更正後系爭專利1請求項1之1C「使一摻質組成物流入一 離子源」、「從該離子源的該摻質組成物產生多個離子 摻質物種；將該等離子摻質物種植入一基板中」技術特 徵。 ⑸惟不論系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【 先前技術】，均未提及如何選擇特定的摻質氣體組成物 ；是以縱使將系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說 明書【先前技術】，各與乙證7內容予以組合，所屬技 術領域中具有通常知識者仍無動機由乙證7揭露的兩個 氣體群組中，選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位 素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為 摻質組成物，相較上開先前技術證據，系爭專利1藉此 具有達成增進離子源壽命與性能之功效（參系爭專利1 說明書第8、9頁，本院卷一第72至73頁）。是以乙證7 及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6 之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進 步性。 ⑹更正後系爭專利1請求項15之摻質組成物，其全部技術特 徵見於請求項1。則如前述乙證7與更正後系爭專利1請 求項1之比對，乙證7之化學反應氣體、未反應氣體固然 可對應於更正後系爭專利1請求項15之摻質氣體、稀釋 氣體，但通常知識者並無動機由乙證7前述兩個群組中 選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻 質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物； 且不論系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【 先前技術】，均未提及如何選擇特定的摻質氣體組成物 ，亦未提及可藉此達成增進離子源壽命與性能之功效。 是以縱將系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書 【先前技術】，各與乙證7內容予以組合，所屬技術領 域中具有通常知識者仍無動機由乙證7揭露的兩個氣體 群組中，選擇系爭專利1請求項1所界定之特定摻質組成 物，遑論達成相同功效，故乙證7及系爭專利1說明書【 先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，均不足以證明 更正後系爭專利1請求項15不具進步性。 ⑺系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬 項，請求項16至18則為請求項15之直接或間接附屬項。 既乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙 證7及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項1 、15不具進步性。則乙證7及系爭專利1說明書【先前技 術】之組合，或乙證7及6之組合，自不足以證明更正後 系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。 　　⒌乙證7、8及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證 7、9及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7、 8及6之組合，或乙證7、9及6之組合，不足以證明更正後 系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性 ⑴乙證8為ATMI公司「DS-336b VAC GeF4 Isotopically En riched」產品說明書，被告敘明乙證8係存檔於「網站 時光回溯器Wayback Machine」(見民事答辯二狀第8頁 第3至4行，本院卷一第502頁)，可認乙證8已於2006年2 月26日公開，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專 利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前 技術。 　　　　①乙證8技術內容 　乙證8揭露分子(GeF4)之主要應用是預非晶化離子植 入 (PAI)，以實現超淺接面硼植入。72Ge的濃化同位 素(50%)可顯著增強束電流和靈活性(2X)。植入72Ge 以代天然的74Ge，有助於隔離砷、氟化鐵和其他污染 物之潛在污染；亦已證實可顯著延長離子源之壽命。 （參乙證8-1，本院卷一第633至634頁）。 　　　　②乙證8之產品外觀及其內含氣體純度分析，如附圖6所 示。 ⑵乙證9為Trace Sciences公司「GermaniumIsotopes」（鍺 同位素）網頁，被告敘明乙證9於2008年8月28日公開於 網路上（民事答辯二狀第8頁第19至20行，本院卷一第50 2頁），經確認乙證9存檔於「網站時光回溯器Wayback M achine」之日期為2008年8月28日，早於系爭專利1、2之 申請日。 　　　　①乙證9技術內容 乙證9記載天然GeF4用於半導體預非晶化植入製程。 使用GeF4型態的鍺72可改善製程，同時減少污染。（ 參乙證9-1，本院卷一第637頁）。 ②乙證9之濃化穩定Ge同位素表，如附圖7所示。 　　　⑶乙證7、系爭專利1說明書【先前技術】及乙證6，與更正 後系爭專利1請求項1、15之比對，俱如前述。由前述各 證據內容，所屬技術領域中具有通常知識者並無動機由 乙證7揭露的兩個氣體群組中選擇特定「包含摻質之鹵 化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之 稀釋氣體作為摻質組成物。再者，乙證7之混合物包含 有離子性液體，不同於更正後系爭專利1請求項1、15界 定摻質組成物係由摻質氣體及稀釋氣體所組成，且儲存 於單一氣體供應容器之技術特徵。 　　　⑷經查乙證8第一頁左上部揭露一種用於離子植入之摻質氣 體運送容器，且該容器所含之摻質組成物，包含「同位 素濃化的四氟化鍺(GeF4)」為摻質氣體，且乙證8第1頁 左上部第4段教示「鍺72的濃化同位素(50%)可顯著增強 束電流/靈活性(2X)。植入鍺72以代天然的鍺74，有助 於隔離砷、氟化鐵和其他污染物之潛在污染。亦已證實 可顯著延長離子源之壽命」；乙證8另就「純度分析」 欄位，記載同位素濃化量為「Ge-72 50-52%」（本院卷 一第631、632頁，中譯內容參乙證8-1即本院卷一 第6 33、634頁）。是以乙證8已對應揭露更正後系爭專利1 請求項1之1D中之「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同 位素濃化」及1E之「條件為，當摻質氣體由以鍺72同位 素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素 的該同位素濃化量高於51.6%」等技術特徵。 ⑸另查乙證9揭示「天然GeF4用於半導體預晶化植入製程。 使用GeF4型態的Ge-72可改善製程，同時減少污染」以 及鍺72同位素濃化量為82-98%等（參本院卷一第635頁 ，中譯內容參乙證9-1即本院卷一第637頁），亦揭露更 正後系爭專利1請求項1之1D中的「摻質氣體包含摻質之 鹵化物且經同位素濃化」及1E之「條件為，當摻質氣體 由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時， 該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵 。 ⑹乙證8或乙證9雖均揭示更正後系爭專利1請求項1之1D中 的「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」，且 乙證8揭露將該等氣體儲存於單一儲存容器(VAC)中，惟 乙證8或乙證9並未揭露更正後系爭專利1請求項1、15有 關同位素濃化之摻質氣體與含氫氣之稀釋氣體混合為摻 質組成物，且一併儲存於單一容器中之技術特徵。而前 述乙證7、系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6之技 術內容，亦無任何教示或建議由乙證7揭露的兩個氣體 群組中選擇特定「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」 的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成 物。是以即便將乙證8或乙證9，與乙證7、系爭專利1說 明書【先前技術】及乙證6予以組合，仍無法輕易完成 更正後系爭專利1請求項1、15之發明。故乙證7、8及系 爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7、9及系 爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7、8及6之 組合，或乙證7、9及6之組合，均不足以證明更正後系 爭專利1請求項1、15不具進步性。 　 ⑺更正後系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間 接附屬項，包含請求項1之全部技術特徵。請求項16至1 8係請求項15之直接或間接附屬項，包含請求項15之全 部技術特徵。因前述各證據組合均不足以證明更正後系 爭專利1請求項1、15不具進步性，自亦不足以證明更正 後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。 ㈤其餘證據組合可證明更正後系爭專利1請求項具應撤銷事由　 　　⒈乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合，足以證 明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步 性 ⑴乙證10為我國第200849309號「具氣體混合之離子源的效 能改良與生命期延長的技術」專利公開案，其公告日為 97年12月16日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭 專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先 前技術。 ①乙證10技術內容 乙證10揭露具氣體混合之離子源的效能改良與生命期 延長的技術。在一特定例示性實施例中，所述技術可 實現為離子植入機中之離子源的效能改良與生命期延 長的方法。所述方法可包含將預定量之摻雜氣體導入 離子源腔室內。所述摻雜氣體可包含摻雜物質。所述 方法亦可包含將預定量之稀釋氣體導入離子源腔室內 。所述稀釋氣體可稀釋摻雜氣體以改良離子源之效能 並延長離子源之生命期。所述稀釋氣體可進一步包含 與摻雜物質相同的協同物質（參乙證10摘要，本院卷 二第63頁）。 　　　　②乙證10之圖1習知離子植入機系統及圖3A離子源組態示 意圖，如附圖8所示。 　 ⑵乙證13為我國第201005806號「在半導體處理系統中離子 源之清洗」專利公開案，其公告日為99年2月1日，早於 系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21 日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 ①乙證13技術內容 乙證13揭露一種改進離子植入系統性能並且延長其壽 命之方法，該方法包括將該陰極與由至少一種清洗氣 以及至少一種沉積氣的組成的一氣體混合物進行接觸 ，其中所述氣體混合物平衡了材料在該陰極上的沉積 和該材料或其他材料從該陰極上的剝離。氣體混合物 的清洗氣去除了沉積在該陰極上的摻雜劑以及陰極的 材料，而氣體混合物的沉積氣直接或間接地引起摻雜 劑沉積在該陰極上。此氣體混合物保持了在該陰極上 摻雜材料的累積以及它或其他材料的剝離之間的一平 衡，並且因此延長了離子源的壽命。該氣體混合物在 離子源植入機中的存儲和分配可以利用SDS、VAC等系 統（參乙證13說明書第37頁末段至第38頁第1段，本 院卷五第445至446頁）。 　　　　②乙證13圖1顯示引入原位清洗處理後對離子源壽命延長 ，如附圖9所示。 　 ⑶查乙證10說明書第6頁第2段（見本院卷二第66頁）記載 「離子植入為藉由用賦能離子直接轟擊基材而使化學物 質沈積至基材內的方法…」，第11頁末段至第12頁第1段 （見本院卷二第71、72頁）記載「本發明揭露具氣體混 合之離子源的效能改良與生命期延長的技術…所述方法 可包含將預定量之摻雜氣體釋放至離子源腔室內。所述 摻雜氣體可包含摻雜物質。所述方法亦可包含將預定量 之稀釋氣體釋放至離子源腔室內。所述稀釋氣體可稀釋 摻雜氣體以改良離子源之效能並延長離子源之生命期」 ，前述乙證10之技術內容業已揭露更正後系爭專利1請 求項1之1A、1C及部分1D「一種離子植入製程，包含以 下步驟(1A)：…使該摻質組成物流入一離子源；從該離 子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該 等離子摻質物種植入一基板中(1C)，其中該摻質組成物 由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成(部分1D)」技術特徵 ，且乙證10之摻雜氣體、稀釋氣體即分別對應於系爭專 利1之摻質氣體、稀釋氣體；又乙證10說明書第15頁表 一（見本院卷二第75頁）揭露多種鹵化形式之摻雜物質 ，例如BF3、GeF4（或見第14頁末段記載「在一實施例 中，摻雜氣體可以含鹵素氣體之形式自摻雜氣體源260 中釋放」，本院卷二第74頁)，對應揭露更正後系爭專 利1請求項1之「該摻質氣體包含摻質之鹵化物」技術特 徵；乙證10說明書第16頁第2段（見本院卷二第76頁） 記載「稀釋氣體可包括氫氣(H2)或含氫氣體」，對應揭 露更正後系爭專利1請求項1之1D中之「該稀釋氣體包含 氫」技術特徵，再者，乙證10說明書第17頁第7至10行 （見本院卷二第77頁）記載「藉由將預定量之一或多種 氣體，諸如含氫稀釋氣體(或惰性氣體) ，以及預定量 之摻雜氣體釋放至電弧室206內，可減少金屬成長速率 或鎢堆積速率」，上開段落已揭示鹵化形式之摻雜物質 ，例如BF3、GeF4加入氫氣可改良離子源之效能並延長 離子源之生命期，其中氫氣的作用可以減少金屬成長速 率或鎢堆積速度。綜上，乙證10前揭技術內容與更正後 系爭專利1請求項1之差異在於，乙證10未揭露更正後系 爭專利1請求項1之1B之「提供儲存有一摻質組成物之一 單一氣體供應容器」及1D中之摻質氣體「經同位素濃化 」技術特徵。 ⑷另查乙證13說明書第4頁第6至14行(見本院卷五第412頁) 記載「離子植入被用於積體電路的製造以便精確地向半 導體晶圓中引入受控制量的摻雜雜質並且是微電子/半 導體生產中之重要方法。在此類植入系統中，一離子源 使一所希望的摻雜元素氣體電離成離子並且該等離子以 具有所希望能量的一離子束的形式從源中引出。引出係 籍由施用一高的電壓跨過合適成型的引出電極而實現， 該等電極將多個孔合併成了引出束的通道。離子束然後 在工作件的表面，例如一半導體晶圓上進行定向，以便 向該工作件植入摻雜元素」，乙證13說明書第37頁末段 至第38頁第1段見（見本院卷五第445至446頁）記載「… 本發明涉及改進具有一陰極的一離子植入系統的性能並 且延長其壽命之方法，該方法包括將該陰極與由至少一 種清洗氣以及至少一種沉積氣的組成的一氣體混合物進 行接觸…延長了離子源的壽命。該氣體混合物在離子源 植入機中的存儲和分配可以籍由使用以下各項來完成： 一吸附-解吸設備(被稱為SDS-安全遞送源)，它描述於 美國專利號5,518,528中，並且其內容籍由引用結合在 此；一流體存儲和分配系統(被稱為VAC真空致動氣瓶) ，該系統包括用於保持一流體在所希望的一壓力下的一 容器，描述於美國專利號6,101,816中並且其內容籍由 引用結合在此；或一SDS與VAC的混合流體存儲和分配系 統(被稱為VAC-Sorb)，它描述於美國專利號6,089,027 中並且其內容籍由引用結合在此。該等流體存儲和分配 系統提供了氣體在低於大氣壓下的遞送，並且由此比高 壓流體存儲和分配系統更安全並且更有效。此外，該氣 體混合物中的一些氣體可以一起在SDS、VAC或VAC-Sorb 系統中存儲和分配…」。由前述乙證13之技術內容即對 應揭露更正後系爭專利1請求項1之「一種離子植入製程 ，包含以下步驟：提供儲存有一摻質組成物之一單一氣 體供應容器；使該摻質組成物流入一離子源；從該離子 源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等 離子摻質物種植入一基板中，其中該摻質組成物由一摻 質氣體及一稀釋氣體所組成」技術特徵。進而言之，乙 證13之沉積氣、清洗氣，即分別對應系爭專利1請求項1 之摻質氣體、稀釋氣體。且乙證13揭露沉積氣與清洗氣 之氣體混合物可存儲於SDS或VAC單一容器中，另乙證13 說明書第39頁第2至4行（見本院卷五第447頁）揭露氣 體混合物（清洗氣與沉積氣）為「H2/GeF4」、「H2/BF 3」，對應揭露更正後系爭專利1請求項1之「該摻質氣 體包含摻質之鹵化物…，該稀釋氣體包含氫」技術特徵 ，亦即乙證13揭示更正後系爭專利1請求項1之1A至1C及 部分1D。綜上，乙證13與更正後系爭專利1請求項1之差 異僅在於乙證13並未揭露1D中之摻質氣體「經同位素濃 化」技術特徵。（註：因乙證13揭露之摻雜氣體並非以 鍺72同位素進行濃化的四氟化鍺所組成，故無需考慮更 正後系爭專利1請求項1之「條件為，當摻質氣體由以鍺 72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72 同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵）。 　 　 ⑸如前述，乙證8或乙證9均已揭露更正後系爭專利1請求項 1之1D中之「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃 化」及1E「條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同 位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位 素濃化量高於51.6%」技術特徵。換言之，不論乙證8或 乙證9，均揭露乙證13與更正後系爭專利1請求項1間之 差異技術特徵。 ⑹因乙證8、9、13之技術內容均關於半導體離子植入系統 或其使用之摻雜氣體，屬於相同技術領域；又乙證8、9 、13之目的或所欲解決之問題，均為改善離子源效能或 延長其生命期（參乙證8第1頁、乙證9第1頁、乙證13說 明書第37頁，本院卷一第631、635頁、本院卷五第445 頁）；且乙證8或乙證9教示採用經同位素濃化之四氟化 鍺作為摻質氣體，可延長離子源壽命或改善製程等，亦 與乙證13所欲解決的問題相同；則所屬技術領域中具有 通常知識者基於乙證13揭示摻質氣體包含四氟化鍺與稀 釋氣體包含氫氣等技術內容，為進一步延長離子源壽命 ，當有合理動機依乙證8或乙證9之建議或教示，採用經 同位素濃化之四氟化鍺為摻質氣體，進而輕易完成更正 後系爭專利1請求項1之發明，即乙證8及13之組合，或 乙證9及13之組合即足以證明更正後系爭專利1請求項1 不具進步性，故乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及 13之組合自足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步 性。 ⑺更正後系爭專利1請求項7依附於請求項1，並界定「該摻 質組成物包含一或多個鍺化合物，該鍺化合物經同位素 濃化成高於原子量70、72、73、74或76之至少一個鍺同 位素之天然含量」附屬技術特徵。更正後系爭專利1請 求項9依附於請求項7，並界定「該摻質組成物包含經同 位素濃化的四氟化鍺」附屬技術特徵；更正後系爭專利 1請求項13依附於請求項1，並界定「該摻質氣體選自由 四氟化鍺、三氟化硼、和四氟化矽所組成之群組」附屬 技術特徵。如前所述，乙證8或乙證9揭示經同位素濃化 的四氟化鍺，且以鍺72同位素濃化至50%高於天然含量 ，即揭露前述請求項7、9、13之附屬技術特徵。又乙證 10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合足以證明更 正後系爭專利1請求項1不具進步性，俱如前述，故乙證 10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合足以證明更 正後系爭專利1請求項7、9、13不具進步性。 ⑻更正後系爭專利1請求項15之全部技術特徵見於請求項1 ，是既乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證 明更正後系爭專利1請求項1不具進步性，俱如前述，自 亦足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，則 乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合亦足以 證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性。 ⑼更正後系爭專利1請求項16依附於請求項15，並界定「包 含一或多個鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化成高於 原子量70、72、73、74或76之至少一個鍺同位素之天然 含量」附屬技術特徵。更正後系爭專利1請求項17依附 於請求項16，並界定「包含經同位素濃化的四氟化鍺」 附屬技術特徵。更正後系爭專利1請求項18依附於請求 項15，並界定「該摻質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼 、和四氟化矽所組成之群組」之附屬技術特徵。如前所 述，乙證8或乙證9揭示經同位素濃化的四氟化鍺為摻質 氣體，且以鍺72同位素濃化至高於天然含量，即已揭露 前述請求項16至18之附屬技術特徵。又乙證10、8及13 之組合，或乙證10、9及13之組合足以證明更正後系爭 專利1請求項15不具進步性，俱如前述，則前述證據組 合自當足以證明更正後系爭專利1請求項16至18不具進 步性。 ⒉乙證10、8、11及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合 ，足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18 不具進步性 ⑴乙證11為「使用濃化同位素SDS 72GeF4來減少砷對鍺的 交叉污染」論文，其公開日為95年2月26日，早於系爭 專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之 公告日，為系爭專利1、2之先前技術。乙證11揭露隨著 接面深度減低，預非晶化（PA）植入在 CMOS 加工製程 中愈來愈普遍。鍺作為矽的等電子體已展現出在矽中進 行預非晶化植入的能力。液態GeF4的氣態蒸氣是鍺離子 束的常見來源，通常會選用原子量74的同位素進行植入 ，因為其具有較高的天然濃度。然而，可能出現與類似 質量的摻雜劑（例如砷）交叉污染的問題。使用同位素 濃化量50%以上的Ge72可改善可用的束電流，同時減少 潛在的交叉污染。透過Eaton GSD200E高電流植入機評 估同位素濃化的Ge72安全輸送系統(SDS)源之下，已實 證此高電流植入機中的質量解離度。乙證11以SIMS（二 次離子質譜分析儀(Secondary Ion Mass Spectrometer )）比對使用天然濃度之GeF4與使用SDS濃化GeF4作為植 入源的表面及能量交叉污染程度，並介紹了以物種間潔 淨法（between species purge）減少高能砷污染物之 有效性（參乙證11摘要，本院卷二第93頁）。 　 ⑵乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證明更正 後系爭專利1請求項1、15不具進步性，詳如前述，故乙 證10、8、11及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合 ，自當足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步 性。 ⑶更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18係請求項1、1 5之直接或間接附屬項，前述各請求項之附屬技術特徵 均為乙證8或乙證9所揭露，已如前述，故乙證10、8、1 1及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合，足以證明 更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性 。 　　⒊乙證10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，足以證明 更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性 　　　⑴乙證10與更正後系爭專利1請求項1、15之比對，詳如前 述。乙證10業已揭露更正後系爭專利1請求項1之「一種 離子植入製程，包含以下步驟：…使該摻質組成物流入 一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻 質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中，其中 該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中 該摻質氣體包含摻質之鹵化物…該稀釋氣體包含氫；…」 技術特徵，以及更正後系爭專利1請求項15「一種摻質 組成物，其由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該 摻質氣體包含摻質物種之鹵化物…，該稀釋氣體包含氫… 」技術特徵。惟乙證10並未揭露更正後系爭專利1請求 項1、15有關「摻質組成物儲存於單一氣體供應容器」 ，以及「摻質氣體『經同位素濃化』」之技術特徵。 ⑵乙證7與更正後系爭專利1請求項1、15之比對，亦如前述 ，乙證7雖揭露「化學反應氣體」可選自三氟化硼、四 氟化鍺等多種氣體中，並可經同位素濃化（即同位素富 集之同型物），並另揭露「未反應氣體」可選自包含氫 氣之多種惰性氣體中；然通常知識者並無動機由前述兩 個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃 化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體，共同組 成為氣體組成物。 ⑶乙證8或乙證9雖均揭露摻質氣體為經同位素濃化之四氟 化鍺，且乙證8揭露將其儲存於單一儲存容器(VAC)中。 惟乙證8或乙證9仍未揭露更正後系爭專利1請求項1、15 有關同位素濃化之摻質氣體與含氫氣之稀釋氣體混合為 摻質組成物，且一併儲存於單一容器中之技術特徵。 ⑷綜上，乙證10及乙證8（或乙證9）之技術內容均為離子 植入製程所使用之氣體，屬相同技術領域；二者之目的 均在提高離子源效能，就所欲解決之問題具有共通性； 並均藉由摻雜氣體提供離子植入所需之摻質，就功能與 作用，亦具共通性；乙證10揭示鹵化形式之摻雜物質， 例如BF3、GeF4加入氫氣可改良離子源之效能並延長離 子源之生命期，其中氫氣的作用可以減少金屬成長速率 或鎢堆積速度，乙證8（或乙證9）教示經同位素濃化之 四氟化鍺，可減少污染或增加離子源壽命，則所屬技術 領域中具有通常知識者基於乙證10揭露之摻雜氣體及稀 釋氣體，為改良離子源之效能並延長離子源之生命期， 自有動機選擇經同位濃化之四氟化鍺作為摻雜氣體，並 與氫氣等稀釋氣體相互混合為摻質組成物。乙證10及乙 證8（或乙證9）雖未揭露將經同位素濃化之四氟化鍺與 氫氣所組成之氣體混合物儲存於單一容器中；然乙證10 已教示將稀釋氣體與摻雜氣體相混合，具有改善離子源 效能及生命期之功效，且乙證10實施例業揭露混合氣體 不僅可在電弧室中混合，亦可在進入電弧室前混合（對 於改善離子源效能及生命期並未產生實質效果），則所 屬技術領域中具有通常知識者當能輕易思及將摻雜氣體 與稀釋氣體先行混合並封裝於單一容器中，亦即其僅為 乙證10將摻雜氣體與稀釋氣體個別封裝於不同容器之簡 單變更。另查系爭專利1圖1及說明書第28頁最後一段至 第29頁（見本院卷一第92至93頁）記載之內容可知，離 子植入處理系統中關於氣體提供至離子植入前，摻雜氣 體（裝置於容器304）與稀釋氣體（裝置於容器362，見 本院卷一第93頁第10行）分別裝置於不同之容器（氣瓶 ），之後經管線（366，370）將氣體輸送至混合室360 ，以將氣體混合物通往植入機的離子源，系爭專利1說 明書第31頁第2至8行（見本院卷一第95頁）記載「摻雜 氣體可含一或多種補充氣體（即稀釋氣體及/或共種氣 體）的混合，…例如，在第1圖系統中，容器302可構成 含有摻植氣體與補充氣體混合物的單一氣體供應容器（ 無補充容器362、634）」。由上開系爭專利1說明書內 容可證，反應氣體不論以單一容器提供混合氣體，或以 兩個容器分別提供摻雜氣體與稀釋氣體再予混合，均能 達成改良離子源效能或生命期之功效，另查系爭專利1 說明書通篇亦未記載以「單一」氣體供應容器，對於發 明所欲改善離子源效能及生命期之功效具有何無法預期 之功效，是對所屬技術領域中具通常知識者而言，更正 後系爭專利1請求項1、15之發明，係將乙證10與乙證8 （或乙證9）組合後予以簡單變更所能輕易完成者，故 乙證10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，足以證 明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性。 ⑸更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18，係請求項1 、15之直接或間接附屬項，且其附屬技術特徵已為乙證 8或乙證9所揭露，詳如前述；故乙證10、8及7之組合， 或乙證10、9及7之組合，足以證明更正後系爭專利1請 求項7、9、13、16至18不具進步性。 ⒋乙證14、13、11及8之組合，或乙證14、13、11及9之組合 ，或乙證15、13、11及8之組合，或乙證15、13、11及9之 組合，或乙證16、13、11及8之組合，或乙證16、13、11 及9之組合，或乙證17、13、11及8之組合，或乙證17、13 、11及9之組合，均足以證明更正後系爭專利1請求項1、7 、9、13、15至18不具進步性 ⑴乙證14為我國第200836229號「具氣體稀釋之離子源的改 善效能與延長生命期的技術」專利公開案，其公告日為 97年9月1日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專 利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前 技術。 　　　　①乙證14技術內容 乙證14揭露一種具氣體稀釋之離子源改善效能並延長 生命期之技術。在一特定例示性實施例中，該技術可 被實現為一種具氣體稀釋之離子植入機中之離子源改 善效能並延長生命期的方法，該方法包含：將預定量 之摻雜氣體釋放至離子源腔室中，及將預定量之稀釋 氣體釋放至離子源腔室中。稀釋氣體可包含用於稀釋 摻雜氣體以改善離子源之效能並延長其生命期的含氙 氣體與含氫氣體之混合物（參乙證14摘要，本院卷五 第475頁）。 ②乙證14圖3A為離子源組態示意圖，如附圖10所示。 　 　 ⑵乙證15為美國第7592212號「用於確定植入半導體基板中 雜質劑量的方法」專利公開案，其公告日為2009(98)年 9月1日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之 103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術 。 ①乙證15技術內容 乙證15揭露一種用於確定電漿摻雜過程中雜質總劑量 的方法及其裝置，其係直接測量植入半導體基板中的 總離子劑量，例如使用法拉第杯，並以離子質譜直接 測量電漿摻雜過程所產生電漿中雜質離子種與非雜質 離子種的比例，以及每種雜質離子種與電漿中總雜質 離子種的比例，最後以總離子劑量和比例來確定雜質 總劑量（參乙證15摘要，本院卷五第599頁）。 　　　　②乙證15圖1為確定植入半導體基板雜質總劑量之方法示 意圖，如附圖11所示。 　 　 ⑶乙證16為美國第7534628號「半導體裝置的形成方法及光 電裝置的形成方法」專利公開案，其公告日為2009(98) 年5月19日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利 2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技 術。 ①乙證16技術內容 乙證16揭露一種形成半導體裝置的方法，該半導體裝 置包括一個含有由電漿增強化學氣相沉積法（CVD） 形成的晶體之矽基沉積半導體層，該方法包括以下步 驟：在形成該半導體層時，於高頻電極與基板之間施 加偏壓，且使高頻電極為負極；檢測在高頻電極或基 板上產生的火花；並根據檢測結果控制至少一個條件 ，該條件從高頻功率、偏壓電壓、偏壓電流、壓力、 氣體流量和電極間距離所構成的組合中選擇，以使持 續時間100毫秒或以上的火花數量保持在每分鐘不超 過1次（參乙證16摘要，本院卷五第521頁）。 ②乙證16圖11為形成半導體裝置之流程步驟示意圖，如 附圖12所示。 　 ⑷乙證17為我國第58963號「使用微波能量製造不定形半導 體合金及裝置之方法」專利案，其公告日為73年6月1日 ，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年1 2月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 乙證17技術內容：乙證17揭露一種用以將不定形半導體 合金膜澱積於基底上之方法，包括：供給微波能源；使 該微波能配合入裝有該基底之實質上封閉之反應器內； 及將包括至少一種含半導體化合物之氣體導入該反應器 內以於該器中形成輝光放電漿質及使得自該等反應氣體 之不定形半導體膜澱積於該基底上者（參乙證17請求項 1，本院卷五第553頁）。 　 ⑸乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證明更正 後系爭專利1請求項1、15不具進步性，詳如前述，故乙 證14、13、11及8之組合，或乙證14、13、11及9之組合 ，或乙證15、13、11及8之組合，或乙證15、13、11及9 之組合，或乙證16、13、11及8之組合，或乙證16、13 、11及9之組合，或乙證17、13、11及8之組合，或乙證 17、13、11及9之組合，自當足以證明更正後系爭專利1 請求項1、15不具進步性。 ⑹更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18之附屬技術特 徵均為乙證8或乙證9所揭露，已如前述，故前述各證據 組合亦足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16 至18不具進步性。 ⒌乙證7、8及13之組合，或乙證7、9及13之組合，均足以證 明更正後系爭專利1請求項15至18不具進步性 　　　⑴乙證7之技術內容雖可對應於系爭專利1請求項15之技術 特徵。但所屬技術領域中具有通常知識者單憑乙證7尚 無動機由反應氣體及未反應氣體二個群組中，選擇特定 的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體， 以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物，以達成系 爭專利1增進離子源壽命與性能之功效，俱如前述。 　　　⑵惟乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合，業已揭露更 正後系爭專利1請求項15之全部技術特徵，足以證明更 正後系爭專利1請求項15不具進步性，以及請求項16至1 8之附屬技術特徵為乙證8或乙證9所揭露，均詳如前述 。是以乙證7、8及13之組合，或乙證7、9及13之組合足 以證明更正後系爭專利1請求項15至18不具進步性。 　㈥乙證7等證組合不足以證明系爭專利2更正後請求項 　　⒈乙證7不足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、10不具新 穎性或不具進步性 ⑴更正後系爭專利2請求項1之全部技術特徵，實質上已見 於更正後系爭專利1請求項15之內容；且更正後系爭專 利2請求項2、10之附屬技術特徵，同更正後系爭專利1 請求項16、17。被告乃主張乙證7既足以證明更正後系 爭專利1請求項15至17不具新穎性及不具進步性，此即 足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、10不具新穎性 及不具進步性云云（見被告民事答辯七狀第71至74頁， 本院卷五第397至404頁）。 ⑵惟如前述，乙證7並不足以證明更正後系爭專利1請求項1 5至17不具新穎性或不具進步性，被告之主張即非可採 。詳言之，乙證7雖揭露「化學反應氣體」可選自三氟 化硼、四氟化鍺等多種氣體之群組，並可經同位素濃化 （即同位素富集之同型物），並揭露「未反應氣體」可 選自包含氫氣等多種惰性氣體之群組；然更正後系爭專 利2請求項1所界定之發明，係由乙證7揭露的二個群組 個別選出多個或一個成分所組成的選擇發明，並非乙證 7已特定揭露者，故乙證7不足以證明更正後系爭專利2 請求項1不具新穎性。再者，通常知識者由乙證7所揭露 之技術內容，並無動機由前述兩個群組中選擇特定的「 包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及 「包含氫」之稀釋氣體，以共同組成為摻質氣體組成物 ，相較於乙證7，系爭專利2具有可達成增進離子源壽命 與性能之功效（參系爭專利2說明書第【0026】段，本 院卷一第119頁），由乙證7之技術內容尚無法預期，故 乙證7不足以證明更正後系爭專利2請求項1不具進步性 。又更正後系爭專利2請求項2、10係依附於請求項1， 包含請求項1之全部技術特徵，則乙證7既不足以證明更 正後系爭專利2請求項1不具新穎性及進步性，自不足以 證明更正後系爭專利2請求項2、10不具新穎性及進步性 。 ⒉乙證7及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7及 6之組合，不足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、10不 具進步性 ⑴更正後系爭專利2請求項1之全部技術特徵，實質上已見 於更正後系爭專利1請求項15之內容，故乙證7技術內容 與更正後系爭專利2請求項1間之比對，略同於前述乙證 7與更正後系爭專利1請求項15間之比對，不另贅述。 ⑵被告並未具體指出系爭專利2說明書【先前技術】或乙證 6記載之技術內容，何處對應於更正後系爭專利2請求項 1、2、10之技術特徵。被告係以更正後系爭專利2請求 項1、2、10之內容，實質上同於更正後系爭專利1請求 項15至17，乃援引其主張更正後系爭專利1請求項15至1 7不具進步性之證據組合，而包含有系爭專利2說明書【 先前技術】（註：相同於系爭專利1說明書【先前技術 】）及乙證6。惟參照被告抗辯更正後系爭專利1無效之 理由（見被告民事答辯七狀第19、20頁，本院卷五第34 5至346頁），可知系爭專利2說明書【先前技術】與乙 證6，係被告用來主張對應更正後系爭專利1請求項1有 關離子植入之相關步驟。然更正後系爭專利2請求項1並 無記載任何離子植入步驟，顯見系爭專利2說明書【先 前技術】或乙證6並未揭露系爭專利2請求項1之技術特 徵。 ⑶既系爭專利2說明書【先前技術】或乙證6，均未提及如 何選擇特定的摻質氣體組成物，是以縱使將系爭專利2 說明書【先前技術】或乙證6，各與乙證7內容予以組合 ，所屬技術領域中具有通常知識者仍無動機由乙證7揭 露的兩個氣體群組中，選擇特定的「包含摻質之鹵化物 且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋 氣體作為摻質組成物，且系爭專利2藉此達成增進離子 源壽命與性能之功效，由乙證7、系爭專利2說明書【先 前技術】、乙證6均無法預期。故乙證7及系爭專利2說 明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，均不足 以證明更正後系爭專利2請求項1不具進步性。 ⑷系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬 項，請求項16至18則為請求項15之直接或間接附屬項。 既乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙 證7及6之組合，均不足以證明系爭專利1請求項1、15不 具進步性，則乙證7及系爭專利2說明書【先前技術】之 組合，或乙證7及6之組合，自不足以證明更正後系爭專 利2請求項7、9、13、16至18不具進步性。 ⒊乙證7、8及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙 證7、9及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7 　　　、8及6之組合，或乙證7、9及6之組合，均不足以證明更 正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12、13不具進步 性 ⑴被告抗辯：更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12 、13之實質內容，同於更正後系爭專利1請求項15至17 ，是既前述各證據組合足以證明更正後系爭專利1請求 項15至17不具進步性，即足以證明更正後系爭專利2請 求項1、2、4、5、10、12、13不具進步性云云。 ⑵惟如前述，乙證7、8及系爭專利2說明書【先前技術】之 組合，或乙證7、9及系爭專利2說明書【先前技術】之 組合，或乙證7、8及6之組合，或乙證7、9及6之組合， 均不足以證明更正後系爭專利1請求項15至17不具進步 性，故被告之主張並非可採。 ㈦其餘證據組合可證明更正後系爭專利2請求項具應撤銷事由　 　　乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合，或乙證10 、8、11及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合，或乙證 10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，或乙證7、8及13 之組合，或乙證7、9及13之組合，或乙證14、13、11及8之 組合，或乙證14、13、11及9之組合，或乙證15、13、11及8 之組合，或乙證15、13、11及9之組合，或乙證16、13、11 及8之組合，或乙證16、13、11及9之組合，或乙證17、13、 11及8之組合，或乙證17、13、11及9之組合，均足以證明更 正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12、13不具進步性 ⒈更正後系爭專利2請求項1之全部技術特徵，實質上已見於 更正後系爭專利1請求項15。是既前述各證據組合足以證 明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，自亦足以證明 更正後系爭專利2請求項1不具進步性。 ⒉更正後系爭專利2請求項2係依附於請求項1，並界定「該摻 質氣體是選自由多種鍺化合物所構成的群組，該等鍺化合 物經同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或76之至少 一種鍺同位素的天然含量」之附屬技術特徵。系爭專利2 請求項4、5均依附於請求項2，並分別界定「該摻質氣體 包含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至其鍺72同位 素含量為高於27.3%」、「該摻質氣體包含一鍺化合物， 該鍺化合物經同位素濃化至其鍺72同位素含量為高於51.6 %」之附屬技術特徵。如前所述，乙證8揭示經同位素濃化 的四氟化鍺，且以鍺72同位素濃化至50-52%高於天然含量 ；另乙證9記載經同位素濃化的四氟化鍺，以及鍺70、72 、73、74或76之同位素濃化量分別為84-99%、82-98%、72 -99%、94-98%、85-99%等內容，是以乙證8或乙證9之技術 內容，均已揭露前述更正後系爭專利2請求項2、4、5之附 屬技術特徵。又前述各證據組合足以證明更正後系爭專利 2請求項1不具進步性，俱如前述，是以前述各證據組合亦 足以證明更正後系爭專利2請求項2、4、5不具進步性。 ⒊更正後系爭專利2請求項10係依附於請求項1，並界定「該 摻質組成物包含四氟化鍺」之附屬技術特徵。更正後系爭 專利2請求項12、13均依附於請求項10，並分別界定「該 四氟化鍺中的鍺具有高於27.3%的鍺72同位素的同位素濃 化量」、「該四氟化鍺中的鍺具有高於51.6%的鍺72同位 素的同位素濃化量」之附屬技術特徵。如前所述，乙證8 揭示經同位素濃化的四氟化鍺，且以鍺72同位素濃化至50 -52%高於天然含量；另乙證9揭示經同位素濃化的四氟化 鍺，以及鍺72之同位素濃化量為82-98%；是以乙證8或乙 證9之技術內容，均已揭露前述請求項10、12、13之附屬 技術特徵。又前述各證據組合足以證明更正後系爭專利2 請求項1不具進步性，俱如前述，故前述各證據組合亦足 以證明更正後系爭專利2請求項10、12、13不具進步性。 　㈧對原告陳述意見之回應 　 ⒈原告於言詞辯論時主張：更正後之系爭專利摻質組成物之 重要特徵，特徵1：摻質組成物係儲存於一單一氣體供應 容器中；特徵2：氣體供應容器所儲存之摻質組成物僅含 「摻質氣體」及「稀釋氣體」，而不含其他成分；特徵3: 稀釋氣體經同位素濃化(見114年2月17日庭期簡報第9頁 ，本院卷六第225頁)，並陳述： 　　　⑴系爭專利之功效(1)系爭專利之摻質組成物可增進離子源 壽命和性能具有功效(依據系爭專利2說明書之[0022]、 [0026]、[0029]之段落)，並提出相關研究甲證38、39 之論文佐證eBF3與H2、eGeF4與H2可增進離子源壽命且 可維持甚至增進「離子束電流」之離子源性能⑵系爭專 利之摻質組成物可儲放於單一供應容器且具安全性(見 簡報第10至13頁，本院卷六第225至227頁)，並於民事 準備六狀第41頁（見本院卷五第91頁）第7至10行主張 「系爭專利1/2出乎意外地發現：相較於不含稀釋氣體 者，將同位素濃化的摻質氣體與稀釋氣體(氫)組合，所 得離子源壽命和性能較佳（系爭專利1第9頁第4至7行， 本院卷一第73頁），且該氣體組合不會實質影響離子束 電流，甚至額外地增進離子束電流(甲證38及甲證39參 照」（見本院卷五第173至185頁）。 　　　⑵乙證10揭示使用摻雜氣體源會使電弧室外殼202材料沉積 於陰極208而呈現對離子源102效能及生命期造成不利影 響，使用「稀釋氣體」（含氫氣體）延長離子源之生命 期，亦即採用GeF4（摻雜氣體）+AsH3（稀釋氣體）或G eH4（摻雜氣體）+H2（稀釋氣體）可延長離子源之生命 期，但可能衍生「離子束電流減小」之問題，必須選擇 特定的「稀釋氣體」(共種氣體)，以避免此問題，且乙 證10使用時的「預先混合」不等於安全穩定的儲存，乙 證7、8、9、11及13未教示或建議: eBF3/H2、eGeF4/H2 可安全、穩定地儲存於單一容器，故以乙證10為主要證 據之相關證據組合，不足以證明系爭專利欠缺進步性（ 見簡報第17至20頁，本院卷六第229至230頁)。 　　　⑶原告另稱：被告稱乙證13可證明「三氟化硼（或四氟化 鍺）與氫氣儲存在單一容器」乃習知技術，進而將乙證 13引用於本件前案證據組合中，此係被告自行拼湊乙證 13技術內容所得之錯誤認知（見本院卷六第12頁）。 　　　⑷系爭專利具肯定進步性因素（見114年2月17日庭期簡報 第44至56頁）：①系爭專利1/2之摻雜組合物顯著提升離 子源壽命且不會實質影響片電阻及離子束電流、甚至反 而可增加離子束電流（離子源性能之一）（見簡報第45 頁）；②系爭專利1/2將三氟化硼( BF3)或四氟化鍺(GeF 4）與氫氣儲存在單一容器」克服習知將BF3、GeF4及H2 屬於危害物質應隔離分開儲存之技術偏見（見原告簡報 第46至48頁，本院卷六第243至244頁)；③系爭專利1/2 產品在短短數年內取得40%以上銷售比例，展現出強勁 成長趨勢，故獲得商業成功云云(見簡報第51頁，本院 卷六第246頁)。 　　⒉惟由系爭專利2（甲證7）與系爭專利1（甲證6）之內容與 系爭專利2大致相同，故以系爭專利2為例說明。其說明書 第[0002]段記載「本發明係關於使用摻質和摻質氣體混合 物進行離子植入，以增進離子植入系統中的離子源壽命及 性能」，說明書第[0006]段記載「離子源失效可歸咎許多 原因，包括沉積物積聚在陰極表面，其對離子的熱離子發 射有負面影響，以致減低電弧電流、降低性能及縮短離子 源壽命，及因電弧室中產生游離氟，引發摻質氣體進行有 害蝕刻反應而產生四氟化鍺，並因陰極材料剝離或濺射， 造成陰極失去物理完整性而縮減離子源性能和壽命」；說 明書第[0026]段記載「相較於未使用同位素濃化摻質及/ 或補充材料的離子植入系統和製程，本發明使用同位素濃 化摻質及/或補充材料的離子植入系統和製程可增進離子 源壽命與性能」；另系爭專利2說明書第[0067]~[0073]段 記載內容，可知採用具同位素之鍺、硼摻質之摻質氣體時 ，其中鍺包含同位素(70、72、73、74、76），因74Ge於 離子植入過程中會與砷殘餘物產生及電弧室之不鏽鋼產生 交叉汙染，若不採用鍺為摻質且氣體輸送管與電弧室介面 採用石墨、鎢或其他材料的植入系統沒有交叉汙染問題， 則可採用含74Ge之摻質氣體，故在同一植入機亦用於植入 砷的情況下，使用天然含量之鍺摻質氣體，為解決施行砷 摻雜之離子植入系統植入鍺時的砷汙染問題，採用天然含 量較少的鍺72同位素係有利的，然如四氟化鍺中鍺72同位 素的天然含量為24.3%，鍺74同位素則為37.1%（見系爭專 利2說明書第14至15頁及表I，本院卷一第127至128頁）。 是以使用天然含量之鍺勢必降低可用射束電流，可能減少 產量及增加植入成本。系爭專利使用同位素濃化鍺72同位 素之四氟化鍺或者鍺烷能有效提高可用射束電流，進而增 加離子植入系統產量。使用同位素濃化之摻質組成物，例 如同位素濃化70Ge之四氟化鍺或鍺烷，也可達成類似提高 射束電流、產量和整體性能的好處，相較於未依天然含量 濃度同位素調整之摻質及/或共種氣體的對應系統，有益 的同位素濃度係相對其在摻質及/或共種氣體中之天然含 量增加成能增進離子植入系統中離子源性能與壽命的程度 。上開內容揭示系爭專利提出以經同位素濃化之摻質鹵化 物作為摻質氣體可提高射束電流、增加增進離子植入系統 中離子源性能與壽命的技術及其原理。 　　⒊再系爭專利2說明書第[0029]段記載「稀釋氣體為不含摻質 物種且與摻質氣體有效混合的氣體，相較於處理不含稀釋 氣體之摻質氣體的相對應離子源壽命和性能，處理具摻質 氣體之含稀釋氣體混合物的離子源壽命和性能較佳。稀釋 氣體實例包括氫氣、氬氣、氟氣和氙氣。」，另查第[001 12]段記載「本發明係關於使用氨氣做為共流氣體和四氟 化鍺，以增進離子植入系統的源壽命，其中四氟化鍺做為 摻質氣體，且四氟化鍺可選擇性同位素濃化至少一Ge同位 素。當使用氨氣做為補充氣體並與四氟化鍺混合來植入鍺 時，氨氣(NH3)的氮與氫分子將有效清除四氟化鍺中的氟 。清除氟的結果，將使GeF4/NH3混合物至少部分抑制鹵素 在離子源內循環，鹵素循環會因鎢鬚晶生長在弧形槽縫及 /或鎢沉積在陰極及/或對陰極上而造成源壽命不佳」，由 上開說明書內容可知，系爭專利係提出以氨氣作為補充氣 體，因氨氣(NH3)的氮與氫分子將有效清除四氟化鍺中的 氟，抑制鹵素在離子源內循環，抑制鎢鬚晶生長在弧形槽 縫及/或鎢沉積在陰極及/或對陰極上而造成離子源壽命不 佳，由系爭專利之發明說明雖揭示摻雜氣體含稀釋氣體混 合物較不含稀釋氣體之摻質氣體的離子源壽命和性能佳， 並舉出稀釋氣體實例包括氫氣、氬氣、氟氣和氙氣。但於 第[00112]段記載之具體實施態樣僅係以四氟化鍺做為摻 質氣體，以氨氣作為補充氣體，並說明氨氣在解決離子源 壽命不佳問題上之作用，系爭專利說明書雖揭示加入稀釋 氣體可解決離子源壽命不佳問題，惟說明書通篇並未揭示 明確以e-GeF4/H2或e-BF3/H2混合氣體的具體實施態樣， 亦未於說明書中提出相關實驗數據以資佐證該二氣體混合 物可增進「離子束電流」之離子源性能。經查原證38為原 告公司於2018年發表之期刊論文、原證39係於2014年發表 之期刊論文，其中一位作者Joseph Sweeney為系爭專利之 第二發明人。經查上開二論文係於系爭專利1公告日（201 3年2月21日）之後相當時日始發表，距離系爭專利1、2申 請日（優先權日）2010年更長達4、8年之久，原告以此欲 證明系爭專利於申請當時以e-GeF4/H2或e-BF3/H2之氣體 組合中之氫氣具有增進「離子束電流」之功效，究屬系爭 專利申請當時即已知悉（發現）？抑或為系爭專利申請之 後甚至公告之後，始由申請人（或發明人）經由實驗試驗 始得知者，自非無疑。 ⒋乙證10說明書第11頁末段至第12頁第1段（見本院卷二第71 、72頁）記載「本發明揭露具氣體混合之離子源的效能改 良與生命期延長的技術…所述方法可包含將預定量之摻雜 氣體釋放至離子源腔室內。所述摻雜氣體可包含摻雜物質 。所述方法亦可包含將預定量之稀釋氣體釋放至離子源腔 室內。所述稀釋氣體可稀釋摻雜氣體以改良離子源之效能 並延長離子源之生命期」；又乙證10說明書第15頁表一（ 見本院卷二第75頁）揭露多種鹵化物形式之摻雜物質，例 如BF3、GeF4；乙證10說明書第16頁第2段（本院卷二第76 頁）記載「稀釋氣體可包括氫氣(H2)或含氫氣體」，另乙 證10說明書第17頁第7至10行（見本院卷二第77頁）記載 「藉由將預定量之一或多種氣體，諸如含氫稀釋氣體（或 惰性氣體），以及預定量之摻雜氣體釋放至電弧室206內 ，可減少金屬成長速率或鎢堆積速率」，上開段落已揭示 鹵化形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4加入氫氣可改良離 子源之效能並延長離子源之生命期，其中氫氣的作用可以 減少金屬成長速率或鎢堆積速度，此與前述系爭專利2說 明書第[00112]段記載氨氣(含氫分子)對於改良離子源之 效能並延長離子源之生命期所扮演的功能及作用相同。亦 即乙證10已揭示離子植入製程採用鹵化形式之摻雜物質氣 體中加入氫氣可以減少鎢堆積速度。另查乙證10說明書第 18頁第2段（見本院卷二第78頁）進一步揭示當AsH3（協 同氣體）與GeF4（摻雜氣體）混合時，自由氫與自由氟分 子組合雖可延長離子源生命期，然而，所需摻雜物質（Ge ）因電漿中之協同物質(As)缺乏摻雜劑(Ge)而減小，乙證 10第18頁第3段進一步揭示在離子植入期間使用摻雜氣體- 稀釋氣體之互補性組合，以防止Ge離子束電流減少…如GeH 4(稀釋氣體)+GeF4(摻雜氣體)之混合氣體，不僅自由氫與 自由氟組合以改良離子源之生命期，而且來自摻雜氣體與 稀釋氣體(補充反應之Ge來源)之Ge物質存在可防止任何離 子束電流損失，相較系爭專利係採用經同位素濃化之鹵化 物(e-GeF4)以增加有益摻質(72Ge同位素)濃度(來源)以維 持或增加離子束電流。再乙證10說明書第19頁第14至16行 （見本院卷二第79頁）記載「氫氣(H2)可做為額外稀釋氣 體與任何摻雜劑-稀釋劑混合物一起(此時Gｅ摻質充足)釋 放以便延長離子束電流」。相較於乙證10所揭示以「GeH4 (稀釋氣體)+GeF4(摻雜氣體)之混合氣體」(其中GeH4係為 補充並維持Ge摻雜劑量)而系爭專利係以(e-GeF4)或(e-BF 3)之同位素濃化(增加有益的摻雜劑之濃度)來防止任何離 子束電流損失(乙證8或乙證9揭示該技術特徵即可達成之 功效)前提下，氫氣的作用均可減少鎢堆積進而維持離子 束電流，故乙證10已揭示加入氫氣混合後具有延長離子束 電流達成功效及原理。乙證8(或乙證9)及乙證10已分別揭 示系爭專利1請求項1於離子植入製程中以經同位素濃化之 摻質之鹵化物，或摻質之鹵化物加入氫氣作為摻質組成物 可防止(Ge)離子束電流損失，以增進離子源壽命和性能之 技術手段。至於摻質組成物之摻質氣體及稀釋氣體兩者係 分開儲存不同容器或是一起混合儲存在單一容器，對於系 爭專利所欲解決增進離子源壽命和性能之問題及功效並未 產生實質的影響。 ⒌至於原告主張乙證10使用時的「預先混合」不等於安全、 穩定的儲存，系爭專利係在「混合後儲存」於容器中且「 涉及長期（例如1至3年或更久）之安全性/穩定性」(114 年2月17日簡報第20頁，本院卷六第230頁)，惟該功效於 系爭專利申請時之說明書並未記載，亦未提出將該兩特定 氣體混合之實施態樣，故該功效尚難作為系爭專利具進步 性之論斷依據（退而言之，該技術亦見於乙證13），故系 爭專利請求項中之摻質組成物僅為乙證10及乙證8（或乙 證9）之結合，非原告所稱係於系爭專利申請時之意外發 現。 ⒍另查甲證38係顯示以單獨使用11BF3、與使用11BF3/H2混合 物可增進離子源壽命至兩倍以上（見甲證38第241頁左欄 第16至20行與右欄第20至22行、圖5，本院卷五第175頁） ，再甲證39顯示使用eGeF4可以得到增進離子束電流，增 進離子源壽命，使用eGeF4+H2可獲得額外的離子束電流增 進（見甲證39第5頁右欄結論第1至5行，本院卷五第183頁 ），原告主張以該二證據為證明加入氫氣(H2)對於系爭專 利具有顯著之功效，惟是否達成該功效應與兩者氣體混合 物之特定比例有關，此部分於系爭專利說明書中均未揭示 ，且上開二文獻並未針對eGeF4/H2（或11BF3/H2）與習知 以未經濃化之GeF4/H2（或BF3/H2）做比對。由於乙證8（ 或乙證9）及乙證10分別揭示e GeF4及H2具有增進離子源 壽命之功能及作用，故原告欲以甲證38或甲證39證明系爭 專利具有無法預期之功效，實屬牽強，故原告主張並非可 採。 　 ⒎另查系爭專利2說明書第[00108]段記載之內容可知，系爭 專利之摻質氣體與補充氣體係分開儲存在不同容器(304,3 62,364)，透過管線(312,366,368)輸送至植入室後混合， 另於說明書第[00109]至[00110]段可將摻雜氣體與補充氣 體裝於單一供應容器(co-package共裝混合物)中，並將該 混合氣體傳送至植入室，該方式可用於提供鍺烷(GeH4)混 合含氫氣、鈍氣或其他稀釋氣體之混合物中，相較於高壓 之100%鍺烷，此係較安全的包裝方式，第[00114]段記載 「或者可提供含氨氣與四氟化鍺混合物且呈任何適當相對 比例之單一供應容器」，系爭專利說明書對於摻質氣體及 稀釋氣體混合於單一供應容器的發明，並未揭露eGeF4+H2 及eBF3+H2之實施態樣，更未提出兩者係以該適當比例混 合始達成安全、穩定包裝之效果？故將上開二氣體混合於 單一容器之方式可達「長期(例如1至3年或更久)之安全性 穩定性」究屬系爭專利申請當時即已知悉(發現)？抑或申 請人(發明人)於系爭專利申請之後始經由實驗試驗始得知 者，自非無疑。 ⒏另查乙證13第37至38頁（見本院卷五第445至446頁）揭示 一種氣體混合物，其包含清洗氣及沉積氣，該氣體混合物 保持了在離子植入系統之陰極上摻雜材料的累積以及它或 其他材料的剝離之間的平衡，並且因此延長離子源的壽命 （見乙證13第37頁第14至20行，本院卷五第445頁）。該 氣體混合物在離子源植入機中的存儲分配可以藉由一吸附 -解吸設備(被稱為SDS-安全遞送源)；一流體存儲和分配 系統(被稱為VAC真空致動氣瓶)；或一SDS與VAC的混合流 體存儲和分配系統(被稱為VAC-Sorb)。該等流體存儲和分 配系統提供了氣體在低於大氣壓(負壓)下的遞送，並且由 此比高壓流體存儲和分配系統更安全並且更有效。乙證13 第38頁第8至10行並載明:「該氣體混合物中的一些氣體可 以一起在SDS、VAC或VAC-Sorb系統中存儲和分配，該等氣 體在高壓流體存儲和分配系統中的共存係不相容的（參乙 證13第37頁第20行至38頁第10行，本院卷五第446頁）， 該段原申請時之外文說明書為「Moreover, some of the gases of the gas mixture, which are not compatible to co-exist under high pressure fluid storage andd ispensing system, can be stored and dispensed toge ther under the SDS, VAC or VAC-Sorb systems.」（見 本院卷六第309至311頁)；又乙證13除了揭示「在以上方 法的另一實施方式中，氣體混合物的多種氣體順序地流動 以便接觸該陰極」（見乙證13第38頁第13至14行，本院卷 五第446頁）外，乙證13說明書第38頁第11至12行亦揭示 「在以上方法的一實施方式中，氣體混合物的多種氣體同 時地流動以便接觸該陰極」，該段內容意謂氣體混合物係 一起在SDS、VAC或VAC-Sorb系統中儲存和分配始可同時地 流動。再者，乙證13亦揭示氣體混合物之實例(但不限於) :…H2/GeF4…H2/BF3（見乙證13第39頁第2至6行，本院卷五 第447頁），由上開內容，所屬技術領域中具通常知識者 應可理解，乙證13揭示氣體混合物(見乙證13第39頁第2至 6行所例示，本院卷五第447頁)可藉由VAC、SDS或VAC-Sor b系統於低於大氣壓下(負壓)的遞送，這樣的傳送方式比 以高壓流體存儲和分配系統更安全並且更有效，而且在這 些氣體混合物中，一些原本以高壓流體存儲和分配系統中 不相容共存的混合氣體，可以SDS、VAC或VAC-Sorb系統( 以低於大氣壓下 (負壓))一起被存儲和分配，故乙證13並 未僅限定可一起儲存和分配的氣體係指「在高壓流體存儲 和分配系統中的共存不相容」的某些氣體，且未排除原本 以高壓流體或低壓流體(負壓)儲存和分配系統中的共存相 容的混合氣體（此由乙證13之請求項44及45項所記載之內 容並未限定氣體混合物為某些特定氣體可證)。故所屬技 術領域中具通常知識者在閱讀乙證13後可得知，乙證13該 例示之氣體混合物可透過VAC、SDS或VAC-Sorb等系統以低 於大氣壓(負壓)下的遞送將該混合氣體一起儲存、運送之 技術教示，故乙證13確實已揭示更正後系爭專利將「四氟 化鍺及氫氣」或「三氟化硼及氫氣」混合而安全、穩定地 儲放於單一容器中之技術特徵，未有原告所稱「被告自行 拼湊乙證13技術內容所得之錯誤認知」，亦無所謂系爭專 利克服了習知 「四氟化鍺」或「三氟化硼」及「氫氣」 分別為具腐蝕性物質或屬易燃氣體應有效隔離分開儲存之 技術偏見，故原告主張尚不足採。 ⒐至於原告主張依據甲證38可證明將eGeF4+H2及eBF3+H2儲放 於單一容器且具儲存穩定性及安全性係因兩者化學穩定性 ，熱力學計算顯示在室溫或高溫下，11BF3+H2之間並未產 生反應（見甲證38第242頁左欄第37至41行，本院卷五第17 6頁)，該摻質組成物能穩定且安全地存於同一容器中，並 能達到至少三年的穩定儲存壽命(甲證38第242頁右欄第1至 2行)；甲證39顯示eGeF4+H2混合物可穩定地儲存於單一容 器在高溫的加速安全性測試中，長達25天沒有變化發生(參 114年2月17日簡報第12至13頁，本院卷六第226至227頁） 云云。由於乙證13已明確揭示可將GeF4+H2或BF3+H2之混合 氣體一起儲存並運送即可達成安全性之問題，其非系爭專 利申請時始為之創見，該結果及功效亦為所屬技術領域中 具通常知識者所能預期，原告以上開證據主張系爭專利具 有之功效，並不可採。 ⒑原告另主張系爭專利之產品在短短數年內，取得40%以上的 銷售比例，展現出強勁的成長趨勢，故系爭專利已獲商業 上成功（見113年9月5日民事準備六狀第25至27頁，本院卷 五第75至77頁）云云。所謂發明是否具商業上成功係指申 請專利之發明於商業上獲得成功，且其係由該發明之技術 特徵所直接導致，而非因其他因素如銷售技巧或廣告宣傳 所造成者，則可判斷具有肯定進步性之因素（參照智慧局 發明專利審查基準第3.4.2.3.4節)。經查原告僅概略性提 出該公司販售純三氟化硼，以及系爭專利產品所占總銷售 額相對比例，尚無從得知該類產品或競爭公司相類似產品 於整體市場，特別是我國之銷售情形與市占比例，況且系 爭專利產品歷經近10年之銷售，其總銷售額雖有成長，但 總銷售額仍未達純三氟化硼產品一半，自難認已獲商業上 成功，再者，系爭專利產品進入消費市場上的銷售業績及 比例，更可能會因為廠商的品牌形象、銷售策略等因素所 致，非係由系爭專利發明之技術特徵所直接導致，故原告 以此銷售比例據此主張系爭專利獲得商業上的成功，並非 正確。 　 ⒒依上述，由於證據8、9、10、13已分別揭露更正後系爭專利 之所有技術特徵，且證據間具有結合之動機，系爭專利具 有否定進步性因素之理由，原告雖主張系爭專利具有有利 功效、克服習知技術偏見及具商業成功之肯定進步性之輔 助性判斷因素，惟經審酌後認為上開主張並無理由，綜合 考量「否定進步性之因素」及「肯定進步性之因素」後， 認為更正後系爭專利之發明為所屬技術領域中具有通常知 識者參酌該相關先前技術所揭露之內容及申請時之通常知 識所能輕易完成，故不具進步性。 六、綜上所述，被告提出之乙證7與其餘證據組合，雖不足以證 明系爭專利更正後請求項不具新穎性及進步性，但乙證10、 8及13之組合、或乙證10、9及13之組合，乙證10、8、11及1 3之組合、或乙證10、9、11及13之組合，乙證10、8及7之組 合、或乙證10、9及7之組合，乙證14、13、11及8之組合、 或乙證14、13、11及9之組合、或乙證15、13、11及8之組合 、或乙證15、13、11及9之組合、或乙證16、13、11及8之組 合、或乙證16、13、11及9之組合、或乙證17、13、11及8之 組合、或乙證17、13、11及9之組合，均足以證明更正後系 爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性；乙證7、8 及13之組合、或乙證7、9及13之組合，足以證明更正後系爭 專利1請求項15至18不具進步性；乙證10、8及13之組合、或 乙證10、9及13之組合、或乙證10、8、11及13之組合、或乙 證10、9、11及13之組合、或乙證10、8及7之組合、或乙證1 0、9及7之組合、或乙證7、8及13之組合、或乙證7、9及13 之組合、或乙證14、13、11及8之組合、或乙證14、13、11 及9之組合、或乙證15、13、11及8之組合、或乙證15、13、 11及9之組合、或乙證16、13、11及8之組合、或乙證16、13 、11及9之組合、或乙證17、13、11及8之組合、或乙證17、 13、11及9之組合，均足以證明更正後系爭專利2請求項1、2 、4、5、10、12、13不具進步性。系爭專利有應撤銷之事由 ，依智慧財產案件審理法第41條第2項規定，原告不得對被 告主張專利權。從而，原告依專利法第96條第1 項至第3 項 、民法第184條第1項前段、第185條、第179條及公司法第23 條第2項規定請求排除及防止被告等繼續侵害系爭專利，並 請求被告二人連帶賠償損害，為無理由，應予駁回。原告之 訴即經駁回，其假執行之聲請失其依據，併予駁回。 七、本件其餘爭點（系爭產品有無落入系爭專利之專利權範圍、 被告應否銷毀系爭產品及負損害賠償責任、損害賠償金額應 如何計算及排除、防止侵害系爭專利有無理由部分），經本 院審酌後認與判決結果不生影響，爰不一一論列。本件無為 中間判決之必要，爰為終局判決，併此敘明。　　 八、據上論結，本件原告之訴無理由，依智慧財產案件審理法第 2條、民事訴訟法第78條，判決如主文。 中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日 智慧財產第二庭 法 官　李維心 以上正本係照原本作成。 如不服本判決，應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，上 訴時應提出委任律師或具有智慧財產案件審理法第10條第1項但 書、第5項所定資格之人之委任狀；委任有前開資格者，應另附 具各該資格證書及釋明委任人與受任人有上開規定（詳附註）所 定關係之釋明文書影本。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上 訴審裁判費。 中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日 　　　　　　　　　　　　　 書記官　林佳蘋 附註： 智慧財產案件審理法第10條第1項、第5項 智慧財產民事事件，有下列各款情形之一者，當事人應委任律師 為訴訟代理人。但當事人或其法定代理人具有法官、檢察官、律 師資格者，不在此限： 一、第一審民事訴訟事件，其訴訟標的金額或價額，逾民事訴訟 法第四百六十六條所定得上訴第三審之數額。 二、因專利權、電腦程式著作權、營業秘密涉訟之第一審民事訴 訟事件。 三、第二審民事訴訟事件。 四、起訴前聲請證據保全、保全程序及前三款訴訟事件所生其他 事件之聲請或抗告。 五、前四款之再審事件。 六、第三審法院之事件。 七、其他司法院所定應委任律師為訴訟代理人之事件。 當事人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親，或當事人為法人、中央或地方機關時，其所屬專任人員具有律師資格，並經法院認為適當者，亦得為第一項訴訟代理人。

2025-03-28

IPCV-112-民專訴-66-20250328-3

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橋頭簡易庭

排除侵害

臺灣橋頭地方法院民事裁定 　　　　　　　　　　　　　　　　　 112年度橋簡字第1048號 上 訴 人 即 被 告 首席京都管理委員會 法定代理人 陳愛錦 上列上訴人與被上訴人鍾國順間請求排除侵害事件，上訴人對於 中華民國114年2月27日本院第一審判決提起上訴，查本件上訴利 益為新臺幣（下同）67,000元，是應徵第二審裁判費2,250元， 然尚未據上訴人繳納，茲限上訴人於收受本裁定送達後5日內如 數補繳，如逾期未補正，即駁回上訴，特此裁定。 中 華 民 國 114 年 3 月 28 日 橋頭簡易庭 法 官 蕭承信 以上正本係照原本作成。 本件不得抗告。 中 華 民 國 114 年 3 月 28 日 書記官 葉玉芬

2025-03-28

CDEV-112-橋簡-1048-20250328-1

簡上
臺灣臺中地方法院

請求排除侵害

臺灣臺中地方法院民事判決 112年度簡上字第181號 上 訴 人 陳榮添 訴訟代理人 吳灌憲律師 被上訴人 葛婉真 訴訟代理人 賴淑惠律師 上列當事人間請求排除侵害事件，上訴人對於民國112年2月21日 本院沙鹿簡易庭110年度沙簡字第744號第一審簡易判決提起上訴 ，本院於114年3月7日言詞辯論終結，判決如下： 　　主　　文 上訴駁回。 第二審訴訟費用由上訴人負擔。 　　事實及理由 一、被上訴人起訴主張： (一)被上訴人所有坐落臺中市○○區○○段00地號土地（下稱系爭土 地，土地上有被上訴人所有龍井區新興段12建號建物），與 上訴人所有坐落同段13地號土地（土地上有上訴人所有同段 11建號建物，該11號建物與上述12號建物下合稱系爭建物） 相鄰。上訴人在其11建號建物上增建三、四、五樓層時，未 經被上訴人同意即越界建築，侵占被上訴人所有系爭土地如 原判決附圖編號B-2所示面積2平方公尺土地。被上訴人於民 國110年8月16日申請測量時，始知上訴人越界建築之事，而 向上訴人請求拆屋還地，惟遭上訴人拒絕，遂提起本件訴訟 。爰依民法第767條第1項前段、中段，請求擇一為有利判決 ，請求上訴人拆除越界建築之建物，並返還系爭土地等語。 並聲明：上訴人應將系爭土地上如臺中市龍井地政事務所11 1年11月14日測量成果圖（即原判決附圖）所示B-2部分面積 2平方公尺之建物拆除，並將該部分土地返還被上訴人。 (二)於二審補陳：兩造於111年4月14日原審勘驗現場時，均不爭 執被上訴人所有12號建物及上訴人所有之11號建物前方以建 物支柱之磁磚中線為界。如未共同使用部分，應以各自使用 之範圍為界線，而認定本件雙方建物後方因各自建造牆壁使 用，並無共同使用部分，故應以雙方使用牆壁之交界處即被 上訴人所稱紅磚與黃牆交界處為界，並無違誤。又本件被上 訴人請求上訴人拆除越界建築之建物，並返還系爭土地之部 分，均非屬原始興建部分，係屬上訴人事後違法增建部分， 上訴人於增建當時，即應注意增建地上物上有無越界占用他 人土地之情形，且上訴人亦無提出證據證明被上訴人於繼受 前手權利時，已有明知而仍為繼受之情形存在。況上訴人所 有之11號建物之違章建築部分，即11號建物原有房屋上違法 增建3至5層樓，建物後方違法擴建1至5層樓部分均屬違法之 違章建築，業經由臺中市政府都發局以110年11月3日中市都 違字第1100212194號違章建築認定通知書查處再案，屬110 年4月20日以前興建完成之既存違建，後續將依臺中市違章 建築執行原則及相關規定續處。是上訴人依法本應自行拆除 ，未自行拆除則由市政府列管以公權力介入行政執行依序排 程執行拆除，並不受法律保護而得保存。且本件爭執僅涉及 兩造財產上之利益，並無關連公共利益之情形，本件自無上 訴人主張有民法第796條之1規定之適用，上訴人亦無權利濫 用等語。 二、上訴人則以： (一)於原審答辯：⒈本件無論係按上訴人或被上訴人之指界點， 兩份成果圖所示之地籍線（黑色線）與屋前磁磚中心與屋後 水龍頭連接線（紅色線）或屋前磁磚中心與屋後牆邊連接線 ，均自屋前開始即有偏移之現象。惟本件上訴人及被上訴人 所有系爭建物均係於68年11月20日建築完成，兩筆建物均係 由建設公司起造，非係兩造自行起造，是以臺中市龍井地政 事務鑑測之結果顯示，本件系爭建物於起造時即有偏移。⒉ 原始起造人起造時即有偏移，則就本件系爭建物原始建造部 份，依據民法第796條第1項之規定，被上訴人應有忍受義務 ，不得請求上訴人拆除或變更。⒊針對上訴人嗣後增建之部 分，上訴人係依據系爭11號建物原始牆面（即系爭建物之共 同壁）向後延伸為增建，是以應以上訴人所指：屋前磁磚中 心與屋後水龍頭連接線為本件鑑測之依據。⒋依據上訴人指 界之測量結果，本件11號建物越界部分僅1.33平方公尺（尚 包含原始起造之越界部分），且增建部分係於88年間即完工 ，迄今長達22年，更何況越界部分為房屋之主要結構，若命 上訴人拆除顯然違反比例原則，本件11號建物於68年即完工 ，增建部分於88年完工，原告之前手就上述增建部分長達22 年均未主張，上訴人自可合理信賴鄰地所有人容任越界之情 形。⒌又本件系爭土地公告土地現值為每平方公尺23,900元 ，系爭11號建物越界部分僅1.33平方公尺，僅限制被上訴人 些微所有權，即被上訴人果真受損，亦屬些微損害，反觀被 上訴人要求上訴人拆除部分，均為11號建物之結構壁，將對 該主建物結構有莫大影響，且必須支付巨額拆屋費用，系爭 11號建物亦會加速老化，甚至出現漏水、龜裂等傷害，上訴 人之損害不可謂不大，違反比例原則，是被上訴人向上訴人 行使拆屋還地之權，顯有權利濫用之情。⒍就系爭越界部分 ，被告可類推適用民法第796條之1第2項準用同法第796條第 2項規定，同意向原告價購。 (二)於二審補陳上訴理由： 　　本件被上訴人因其前手所有權人未為異議，被上訴人受讓後 自不得再行爭執，為原審就此部分認上訴人應舉證證明被上 訴人於繼受前手權利時，已有明知而仍為繼受之情形，顯有 違最高法院85年度台上字第119號民事判決意旨，故原審判 決就此部分之認定非無違誤。若本件未合乎民法第796條之 推定，懇請均院審酌民法第796條之1規定之適用，因本件上 訴人所有11號建物之越界部分均為兩造所有系爭建物之共同 壁，被上訴人主張兩造所有系爭建物並無共同壁存在，實與 事實不符，且依據地政機關之測量結果，上訴人占用被上訴 人之系爭土地分別為0.9平方公及2平方公尺，足見被上訴人 之損害非鉅，若貿然予以拆除，被上訴人所獲個人經濟利益 小於系爭12號建物、緊鄰11號建物結構，及所在區域住民安 全、財產之公共危險，是以祈請鈞院審酌上情，免為全部之 移去或變更。再者依據內政部時價登錄資料，可知系爭土地 之地段價格一坪不足新臺幣30萬元，然原審就本件上訴人拆 除系爭越界部分是否影響系爭建物之結構安全、上訴人拆除 及修補之費用部分均未詳加調查兩造間之損益，即逕為判決 ，非無可議，顯非適法等語。 三、原審審酌事證後，准許被上訴人全部請求，上訴人就原審判 決全部不服，提起上訴，於本院聲明：（一）原判決廢棄。 （二）上開廢棄部分，被上訴人於第一審之訴駁回。（三） 如受不利判決，願供擔保請准宣告免為假執行。被上訴人答 辯聲明：上訴駁回。　　　　 四、兩造不爭執事項（見本院卷第336頁）： (一)被上訴人於109年10月26日買受系爭土地及坐落其上同段12 號建物（即門牌號碼台中市○○區○○○路000巷00號），並於同 年12月9日完成所有權移轉登記。 (二)上訴人於107年10月16日以分割繼承取得台中市○○區○○段00 號土地及坐落其上同段11號建物（即門牌號碼台中市○○區○○ ○路000巷00號），並於同年11月1日完成所有權移轉登記。 　　 五、兩造爭執事項（見本院卷第336頁至第337頁）： (一)被上訴人依民法第767條1項前段、中段請求上訴人拆除占用 如台中市龍井地政事務所111 年11月14日複丈成果圖所示B- 2 部分面積2 平方公尺之建物，並將部分土地返還被上訴人 ，有無理由？ (二)上訴人主張本件有民法796條規定之適用，有無理由？ (三)上訴人主張本件有民法796條之1之適用，有無理由？ (四)上訴人主張本件有民法第148條之適用，有無理由？　　 六、本院之判斷：　　 (一)被上訴人請求上訴人應將系爭土地上如臺中市龍井地政事務 所111年11月14日測量成果圖（即原判決附圖）所示B-2部分 面積2平方公尺之建物拆除，並將該部分土地返還被上訴人 ，為有理由： 　1.上訴人於本院審理時，仍爭執上訴人所有11號建物之越界部 分均為兩造所有系爭建物之共同壁，為共同壁之延伸，上訴 人並無自行再砌磚牆面云云，惟本院審酌兩造於111年4月14 日原審勘驗現場時，均不爭執雙方所有系爭建物前方以建物 支柱之磁磚中線為界，而上訴人亦曾於本院審理時陳稱：兩 造所有系爭建物本來只有1、2樓，系爭建物各自3樓以上部 分確實為兩造事後所增建，係被上訴人先增建3樓，上訴人 事後在增建3樓以上之的房子等語（見本院卷第246頁），則 本院認系爭建物各自3樓以上部分既為兩造事後所各自於不 同時點所增建，系爭建物即應以其各自使用之範圍為界線， 應無共用壁延伸之情形存在。是以，原審就此部分認本件系 爭建物後方因兩造各自建造牆壁使用，無共同使用部分，故 應以兩造使用牆壁之交界處即被上訴人於原審所稱紅牆與黃 牆交界處為界之認定並無違誤。　 　2.而上訴人所有11建號建物占用原告所有系爭土地如附圖所示 B-1部分0.9平方公尺、B-2部分2平方公尺一節，亦據原審會 同雙方勘驗現場，並囑託臺中市龍井地政事務所派員會同測 量，有勘驗筆錄及臺中市清水地政事務所111年12月23日龍 地二字第1110009887號函附土地複丈成果圖（即附圖）附卷 可稽，且有現場照片在卷可佐，自堪信為真實。 　3.上訴人於增建之時，既已知悉被上訴人前手有先就12號建物 進行3樓增建部分，則上訴人理應於其11號建物進行3樓以上 增建、擴建部分前，先行測量建築界址、確認其所有13號土 地之使用界線為何，惟上訴人並未有提出任何證據，以證其 於增建11號建物3樓以上及建物後方擴建部分時，有先行測 量以確認系爭建物間之地界處為何之事實存在。因此本院認 上訴人自不得僅以其係依據建物原始牆面向後延伸為增建云 云，以解免其越界建築之責任，進而主張其因此得合法占用 他人土地。 　4.從而，被上訴人依民法第767條第1項前段、中段，請求上訴 人應將系爭土地上如臺中市龍井地政事務所111年11月14日 測量成果圖（即原判決附圖）所示B-2部分面積2平方公尺之 建物拆除，並將該部分土地返還被上訴人，為有理由。 (二)本件無民法第796條、第796條之1之適用： 　1.按土地所有人建築房屋非因故意或重大過失逾越地界者，鄰 地所有人如知其越界而不即提出異議，不得請求移去或變更 其房屋。土地所有人建築房屋逾越地界，鄰地所有人請求移 去或變更時，法院得斟酌公共利益及當事人利益，免為全部 或一部之移去或變更。但土地所有人故意逾越地界者，不適 用之，民法第796條第1項前段、第796條之1第1項分別定有 明文。上開規定依民法物權編施行法第8條之3規定，於98年 民法物權編修正前土地所有人建築房屋逾越地界，鄰地所有 人請求移去或變更其房屋時，亦適用之（最高法院110年度 台上字第621號判決參照）。按民法第796條所定鄰地所有人 之忍受義務，係為土地所有人所建房屋之整體有一部分逾越 疆界，若予拆除勢將損及全部建築物之經濟價值而設，倘土 地所有人所建房屋整體之外，越界加建房屋，則鄰地所有人 請求拆除，原無礙於所建房屋之整體，即無該條規定之適用 （最高法院86年度台上字第813號裁判要旨參照）。按民法 第796條第1項本文規定，土地所有人建築房屋非因故意或重 大過失逾越地界者，鄰地所有人如知其越界而不即提出異議 ，不得請求移去或變更其房屋，係指鄰地所有人於土地遭越 界建築當時，明知而不即時反對，不得於事後請求拆除建築 物而言。惟上開越界建築規定，其適用必以房屋於越界建築 過程中，鄰地所有權人即已發現越界之事實，而未於相當時 間內提出異議者，始有適用，其於越界建築完成後方才知悉 者，要無適用之餘地（參最高法院45年台上字第931號民事 判決意旨）。 　2.上訴人抗辯所有11建號建物於原始起造人興建時，即有偏移，3樓以上增建係於88年完工，被上訴人及其前手均未對11號建物提出異議，即已知悉11號建物有越界情事，卻未即時異議，依民法第796條第1項本文規定，被上訴人有容忍義務，不得請求拆除云云。然為被上訴人所否認，上訴人自應就此利己事實負證明之行為責任。亦即須先證明鄰地所有權人即系爭土地所有權人於增建部分越界建築之當時已知悉而不即提出異議之情事。然上訴人僅空言被上訴人前手於11號建物3樓以上興建完成時，知其越界而未即提出異議，卻未能舉證以實其說，迄今亦無提出證據證明被上訴人於繼受前手權利時，已有明知而仍為繼受之情形存在，是其此部分之答辯，亦顯屬無據，自不足採，難認合於民法第796條第1項本文之規定。又被告另抗辯11建號建物3樓以上增建部分越界部分為結構壁，若予拆除，將對主建物結構有莫大影響，且必須支付鉅額拆屋費用，加速11建號建物老化、出現漏水、龜裂等傷害云云，惟11建號建物3樓以上如原審判決附圖所示之越界部分係事後之違法增建，並無礙原始起造之11建號建物主體，依上開實務見解，自不能請求免為全部或一部之移去，上訴人此部分抗辯亦無可採。　　　　　 (四)本件無民法第148條之適用： 　1.按權利之行使，不得違反公共利益，或以損害他人為主要目 的。行使權利，履行義務，應依誠實及信用方法，民法第14 8條固定有明文。惟該條所稱權利之行使，是否以損害他人 為主要目的，應就權利人因權利行使所能取得之利益，與他 人及國家社會因其權利行使所受之損失，比較衡量以定之。 倘其權利之行使，自己所得利益極少，而他人及國家社會所 受之損失甚大者，始得視為以損害他人為主要目的，若當事 人行使權利，雖足使他人喪失利益，而茍非以損害他人為主 要目的，即不在該條所定範圍之內（最高法院71年度台上字 第737號、45年度台上字第105號民事裁判意旨參照）。 　2.經查，本件被上訴人訴請上訴人應將系爭土地上如原判決附 圖所示B-2部分面積2平方公尺之建物拆除之部分，係屬上訴 人所有11號建物之屋後增建部分，為違法增建、未辦理保存 登記之部分，此部分除有上訴人所提臺中市政府回覆被上訴 人陳情之電子訊息一紙為證（見本院卷第357頁）外，亦可 認該越界建築部分確屬110年4月20日以前興建完成之既存違 建，後續將依臺中市違章建築執行原則及相關規定續處，是 上訴人依法本應自行拆除，如未自行拆除後續亦由市政府列 管以公權力介入行政執行依序排程執行拆除，並不受法律保 護而得保存，且上訴人亦有於本院114年3月7日審理時表示 本件被上訴人請求其拆除如原判決附圖所示B-2部分地上物 確屬增建、未辦理保存登記等語（見本院卷第348頁），其 並未就該增建部分為違章建築等情為任何爭執之意思表示， 是此部分勘認被上訴人請求上訴人拆除如原判決附圖所示B- 2部分之地上物範圍，非屬11號建物之合法建築部分，則依 上開規定及說明，本件上訴人就其無權占用系爭土地如原判 決附圖所示B-2部分面積2平方公尺，欠缺建築法令保障之正 當利益，並加以審酌本件上訴人所有如原判決附圖所示B-2 部分地上物部分確實損及被上訴人對於系爭土地所有權之圓 滿，及本件僅涉及兩造財產上之利益，並無關連公共利益之 情形，且被上訴人為系爭土地之所有權人其向非法占用之人 請求排除侵害核屬正當權利之行使，上訴人復未能舉證證明 被上訴人請求其將於系爭土地上如原判決附圖所示B-2部分 面積2平方公尺之建物拆除係以損害上訴人為主要目的，故 本院認本件並無適用民法第796條之1規定之餘地及權利濫用 之情形存在。則本件上訴人之上訴意旨，均顯屬無據，且無 理由，自不足取。 七、綜上所述，上訴人所有11號建物如原判決附圖（即臺中市龍 井地政事務所111年11月14日測量成果圖原判決附圖）所示B -2部分面積2平方公尺之範圍，有無權占用被上訴人所有系 爭土地，既無正當權源，且無民法第796條、第796條之1規 定之適用，亦無民法第148條權利濫用之情事，則被上訴人 依民法第767條第1項前段、中段，請求被上訴人拆除上述越 界之建物，並將占用之土地返還予被上訴人，核屬有據，應 予准許。原審判決命上訴人應將如原判決附圖（即臺中市龍 井地政事務所111年11月14日測量成果圖原判決附圖）所示B -2部分面積2平方公尺之建物拆除，並將該部分土地返還被 上訴人，並依職權宣告假執行，於法並無不合。上訴論旨指 摘原判決不當，求予廢棄改判，為無理由，應駁回其上訴。 八、本件事證已臻明確，兩造其餘之攻擊或防禦方法及所用之證 據，經本院斟酌後，認為均不足以影響本判決之結果，爰不 逐一論列，附此敘明。 九、據上論結，本件上訴為無理由，依民事訴訟法第436條之1第 　　3項、第449條第1項、第78條，判決如主文。 中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日 　　　　　　　　　民事第三庭　 審判長法　官　唐敏寶 　　　　　　　　　　　　　　　　　　 法　官　林秉賢 　　　　　　　　　　　　　　　　　　 法　官 李婉玉 上正本係照原本作成。 本件不得上訴 中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日 　　　　　　　　　　　　　　　　　　 書記官　童淑芬

2025-03-28

TCDV-112-簡上-181-20250328-1

補
臺灣士林地方法院

排除侵害等

臺灣士林地方法院民事裁定 114年度補字第314號 原 告 謝坤蒼 楊寧珠 謝宜恩 共 同 訴訟代理人 楊曉邦律師 黃冠儒律師 被 告 姜海燕 謝承佑 翁惠懿 共 同 訴訟代理人 林大偉律師 上列當事人間請求排除侵害等事件，原告起訴未據繳納足額裁判 費。按訴訟標的之價額，由法院核定。核定訴訟標的之價額，以 起訴時之交易價額為準；無交易價額者，以原告就訴訟標的所有 之利益為準；以一訴主張數項標的者，其價額合併計算之。以一 訴附帶請求其起訴後之孳息、損害賠償、違約金或費用者，不併 算其價額。訴訟標的之價額不能核定者，以第466條所定不得上 訴第三審之最高利益額數加10分之1定之。民事訴訟法第77條之1 第1、2項、第77條之2第1項本文、同條第2項、第77條之12分別 定有明文。本件原告起訴主張：㈠被告姜海燕、謝承佑、翁惠懿 （下分稱姓名，合稱被告）應對門牌號碼新北市○○區○○路0段00○ 0號（下稱系爭建築物）18樓房屋所產生之腳步聲等聲響加強隔 音措施，並不得製造超過如附表所示音量之聲響侵入原告居住之 系爭建築物17樓之房屋。㈡姜海燕、謝承佑應連帶給付原告各新 臺幣（下同）10萬元，及自起訴狀繕本送達之翌日起至清償日止 ，按週年利率5%計算之利息。查原告起訴第1項聲明係依民法第1 8條第1項、第184條第1項前段、第793條、第800條之1規定而為 請求，屬於預防侵害，並非回復人格權之適當處分，且非對於身 分上之權利或親屬關係有所主張，應屬財產權訴訟，因無法客觀 評斷原告因禁止被告為上開行為及排除侵害所受利益之交易價額 ，應認此部分訴訟標的價額不能核定，依上開規定，此部分訴訟 標的價額應以165萬元定之。另原告依侵權行為之法律關係向姜 海燕、謝承佑請求連帶給付各10萬元，此部分訴訟標的金額共30 萬元（計算式：100,000×3＝300,000），至原告附帶請求之起訴 狀繕本送達翌日起之利息均為起訴後之利息，故不併算此部分價 額。據此，本件訴訟標的價額核定為195萬元（計算式：1,650,0 00＋300,000＝1,950,000），應徵第一審裁判費2萬4,315元。茲依 民事訴訟法第249條第1項但書之規定，限原告於收受本裁定送達 5日內補繳，逾期不繳，即駁回其訴，特此裁定。 中 華 民 國 114 年 3 月 28 日 民事第二庭 法 官 劉瓊雯 以上正本係照原本作成。 核定訴訟標的價額部分，如不服裁定得於收受送達後10日內向本 院提出抗告狀，並繳納抗告費新臺幣1,500元（若經合法抗告， 命補繳裁判費之裁定，並受抗告法院之裁判）。 中 華 民 國 114 年 3 月 28 日 書記官 劉淑慧 附表（噪音管制標準值）： 時段 上午7時起至晚上7時 晚上7時起至晚上11時 晚上11時起至翌日上午7時 頻率 低頻 37 37 32 全頻 67 57 47

2025-03-28

SLDV-114-補-314-20250328-1

訴
臺灣臺北地方法院

排除侵害等

臺灣臺北地方法院民事判決 113年度訴字第3653號 原 告 蔡淑婷 訴訟代理人 繆璁律師 繆忠男律師 被 告 何小玉 兼 上一人 訴訟代理人 張大慶 被 告 張大正 高秀珠 上 一 人 訴訟代理人 蘇奕人 被 告 翁慧卿 訴訟代理人 翁宇宏 被 告 林忠孝 訴訟代理人 林冠印 被 告 張劍浩 上列當事人間請求排除侵害等事件，本院於民國114年3月13日言 詞辯論終結，判決如下： 　　主　　　文 一、被告何小玉、張大正、張大慶應將坐落臺北市○○區○○段○○段 000地號土地上如附圖A部分所示面積10平方公尺之地上物拆 除，並將該部分土地返還原告及全體共有人。 二、被告何小玉、張大正、張大慶應給付原告新臺幣790元，及 自民國113年5月21日起至返還第一項所示土地之日止，按月 給付原告新臺幣602元。　 三、被告高秀珠應將坐落臺北市○○區○○段○○段000地號土地上如 附圖B部分所示面積15平方公尺之地上物拆除，並將該部分 土地返還原告及全體共有人。　　 四、被告高秀珠應給付原告新臺幣1184元，及自民國113年5月17 日起至返還第三項所示土地之日止，按月給付原告新臺幣93 0元。　　 五、被告翁慧卿應將坐落臺北市○○區○○段○○段000地號土地上如 附圖C部分所示面積7平方公尺之地上物拆除，並將該部分土 地返還原告及全體共有人。 六、被告翁慧卿應給付原告新臺幣553元，及自民國113年5月11 日起至返還第五項所示土地之日止，按月給付原告新臺幣42 1元。　　 七、被告林忠孝應將坐落臺北市○○區○○段○○段000地號土地上如 附圖D部分所示面積8平方公尺之地上物拆除，並將該部分土 地返還原告及全體共有人。　　　 八、被告林忠孝應給付原告新臺幣632元，及自民國113年5月12 日起至返還第七項所示土地之日止，按月給付原告新臺幣48 2元。　　　 九、被告張劍浩應將坐落臺北市○○區○○段○○段000地號土地上如 附圖E部分所示面積5平方公尺之地上物拆除，並將該部分土 地返還原告及全體共有人。　　 十、被告張劍浩應給付原告新臺幣395元，及自民國113年5月10 日起至返還第九項所示土地之日止，按月給付原告新臺幣30 1元。　 十一、原告其餘之訴駁回。 十二、訴訟費用由被告何小玉與張大正及張大慶負擔百分之22、 被告高秀珠負擔百分之33、被告翁慧卿負擔百分之16、被 告林忠孝負擔百分之18、被告張劍浩負擔百分之11。 十三、本判決原告勝訴部分，於原告分別以新臺幣113萬元、新 臺幣170萬元、新臺幣79萬元、新臺幣90萬元、新臺幣56 萬元為被告何小玉與張大正及張大慶、被告高秀珠、被告 翁慧卿、被告林忠孝、被告張劍浩供擔保後，得假執行； 但被告何小玉與張大正及張大慶、被告高秀珠、被告翁慧 卿、被告林忠孝、被告張劍浩如分別以新臺幣340萬元、 新臺幣510萬元、新臺幣238萬元、新臺幣272萬元、新臺 幣170萬元為原告預供擔保後，得免為假執行。 十四、原告其餘假執行之聲請駁回。 　　事實及理由 壹、程序方面： 一、按因不動產之物權或其分割或經界涉訟者，專屬不動產所 在地之法院管轄，民事訴訟法第10條第1項定有明文。本件 原告依民法第767條、第821條規定請求被告返還之不動產 係位於本院轄區，依前開規定，本院就本件訴訟自有管轄 權，合先敘明。 二、按訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴，但請求之 基礎事實同一、擴張或減縮應受判決事項之聲明者，不在此 限，民事訴訟法第255條第1項第2、3款定有明文。原告起訴 時，原聲明請求如附表一「起訴時聲明」欄所示（北司補卷 第7至11頁、本院卷第35至37頁）。嗣於113年11月22日以民 事準備狀，變更聲明為如附表一「變更後聲明」欄所示（本 院卷第163至165頁）。核原告所為上開訴之變更，係基於同 一基礎事實而主張，並擴張應受判決事項之聲明，揆諸前揭 規定，應予准許。　　 貳、實體方面：　 一、原告主張：伊於113年2月22日以信託為登記原因取得臺北市 ○○區○○段○○段000地號土地（下稱系爭土地）所有權（權利 範圍2/10），與被告張劍浩、林忠孝、張大慶及訴外人龎少 慈、高資彬、姜淮濱、謝馥禧共有系爭土地。被告分別為附 表二「建物建號」及「建物門牌」欄所示建物之所有權人， 其所有如附表二所示建物附連使用之地上物，分別無權占用 系爭土地如附圖A、B、C、D、E所示部分（面積各如附表二 「占用面積」欄所示），並受有相當於租金之不當得利，爰 依民法第767條、第821條規定，請求被告拆除占用系爭土地 如附圖A、B、C、D、E所示部分之地上物（下稱系爭地上物 ），將所占用之該部分土地返還予伊及全體共有人，並依民 法第179條規定，請求被告給付依系爭土地申報地價年息10% 計算，自113年2月17日起至113年4月1日止相當於租金之不 當得利，及自起訴狀繕本送達翌日起按月給付相當於租金之 不當得利（金額見附表一第2、4、6、8、10項「變更後聲明 」欄所示）等語。並聲明：㈠如附表一「變更後聲明欄」所 示；㈡願供擔保，請准宣告假執行。 二、被告答辯： 　㈠被告張大慶、何小玉以：建物存在很久了，道路是後來才開 闢的，本件應有原告默示同意伊使用系爭土地之分管契約存 在等語。 　　被告張大正以：調解時有達成鑑界的共識，且伊當初買房時 ，旁邊之79巷為稻田，嗣至60年間始有地號，係政府將其變 成地號，伊認為協議分割是最好的方式等語。 　㈡被告高秀珠以：伊之父母於70年間買房時現況已是如此，不 知有占用系爭土地之狀況，當初賣房的人也沒有提到這件事 等語。 　㈢被告翁慧卿以：伊於78年9月25日購入附表二編號3所示建物 時，即未購買前方道路用地，附圖C部分所示面積亦未包含 前面圍牆，僅就圍牆內面積計算原告認伊占用部分，該圍牆 屬原屋主及地主所有，伊並無圍牆所有權，倘任意拆除恐有 毀損他人財物之虞。原告主張之占用事實並不存在，且道路 用地任何人均可自由使用，原告如認該圍牆侵害伊就系爭土 地之權益，可自行拆除與伊無涉，然拆除時不得影響住戶之 亦由進出權益等語。 　㈣被告林忠孝以：伊於68年間購入系爭土地應有部分1/10時其 上建物即已存在，原告非社區居民，其於購入系爭土地應有 部分2/10時即應知悉系爭土地上有建物存在，其未先與住民 良性溝通即請求拆屋還地，違反誠信原則。系爭土地共有人 應尊重長期占有之既成秩序，原告僅請求拆除系爭地上物並 不會增加道路用地使用面積，僅係勞民傷財且不符公共利益 ，原告為求商業利潤不顧其他住民之居住權及使用權，屬權 利濫用。縱伊係無權占用系爭土地，系爭土地未直接面臨基 隆路而係位於小巷中，距捷運、百貨及市場均有距離，坐落 其上之建物亦已逾60年，原告以申報地價年息10%計算相當 於租金之不當得利，亦屬過高等語。 　㈤被告張劍浩以：本件爭端係因訴外人陸秀珍將系爭土地應有 部分10分之2信託登記予原告始由生，伊有系爭土地應有部 分1/10，系爭土地及圍籬伊均有權狀，且有繳納房屋稅與地 價稅，原告不應剝奪伊之權利等語。 　㈥均聲明：⒈原告之訴及假執行之聲請均駁回；⒉願供擔保，請 准宣告免為假執行。 三、查原告於113年2月22日以信託為登記原因取得系爭土地所有 權，權利範圍2/10，張劍浩、林忠孝、張大慶亦為系爭土地 之共有人，權利範圍各1/10、1/10、3/20。被告分別為附表 二所示建號建物之所有權人等情，有土地所有權狀、土地登 記謄本、建物登記謄本附卷可稽（北司補卷第25、63至75頁 ），且為兩造所不爭執，堪信屬實。 四、本院之判斷：　　 　㈠原告請求拆除地上物返還土地部分： 　⒈按所有人對於無權占有或侵奪其所有物者，得請求返還之。 對於妨害其所有權者，得請求除去之；各共有人對於第三人 ，得就共有物之全部為本於所有權之請求。但回復共有物之 請求，僅得為共有人全體之利益為之，民法第767條第1項前 段、中段、第821條分別定有明文。 　⒉查原告為系爭土地之之共有人，被告所有如附表二所示之建 物與系爭土地緊鄰，並在系爭土地上設置鐵門、圍牆等地上 物等情，有土地及建物登記登記謄本、現場照片、附圖足憑 （北司補卷第63至73、47至63頁，本院卷第73至79、145頁 ）。被告張大慶、何小玉雖辯稱本件有原告默示同意被告使 用系爭土地之分管契約存在云云，惟單純沉默並非默示意思 表示，尚難僅以土地所有權人單純沉默遽認雙方有分管契約 存在；被告翁慧卿雖辯稱伊並無圍牆所有權，無權拆除云云 ，惟圍牆不論係何人所設置，然為被告所有及管領之建物所 涵蓋，並與建物本體附合，有上開現場照片可稽，為主物即 建物之所有權人被告取得所有權，被告就圍牆自有處分權； 被告張劍浩雖辯稱伊有系爭土地應有部分1/10，有使用系爭 土地之權利云云，惟被告係排他之占有使用，對全體共有人 而言仍屬無權占有；被告林忠孝雖辯稱原告請求拆除系爭地 上物，違反誠信原則云云，惟被告占用如附表二所示面積合 計45平方公尺，原告依法行使權利，並無權利濫用，亦無違 反誠信原則；是被告上開所辯，均非可採。而系爭地上物占 用系爭土地分別如附圖A、B、C、D、E所示部分，有臺北市 松山地政事務所土地複丈成果圖（即附圖）在卷可參（本院 卷第145頁），被告復未舉證證明其有占有系爭土地之合法 權源，即屬無權占有，是被告抗辯伊未無權占用系爭土地云 云，尚非可採。從而，原告請求被告分別拆除系爭地上物返 還系爭土地如附圖A、B、C、D、E所示部分予原告及全體共 有人，應屬有據。 　㈡原告請求返還不當得利部分： 　⒈按無法律上原因而受利益，致他人受損害者，應返還其利益 ，雖有法律上原因，而其後已不存在者，亦同，民法第179 條定有明文。又得請求之不當得利範圍，應以他方所受之利 益為度，非以請求人所受損害若干為準，無權占有他人土地 ，可能獲得相當於租金之利益，為社會通常之觀念（最高法 院61年台上字第1695號判決意旨參照）。本件被告無權占有 系爭土地，因此受有使用該土地之利益，致原告受有損害， 依前揭說明，應給付原告相當於租金之不當得利。而原告於 113年2月22日以信託為登記原因取得系爭土地所有權，權利 範圍2/10，有土地登記謄本附卷可稽（北司補卷第65頁）， 是原告請求被告給付自取得系爭土地所有權之日即113年2月 22日起至113年4月1日（原告請求之末日見本院卷第171頁） 止相當於租金之不當得利，及自起訴狀繕本送達翌日起至返 還土地之日止按月給付相當於租金之不當得利，洵屬有據。 　⒉次按依土地法第105條準用同法第97條之規定，城市地方租用 基地建築房屋之租金，以不超過土地申報總價年息10%為限 ，而所謂土地總價額，係以法定地價為準，而法定地價係土 地所有權人依土地法規定所申報之地價，在平均地權條例施 行區域，係指土地所有權人於地政機關舉辦規定地價或重新 規定地價時之公告申報期間內自行申報之地價，土地法施行 法第25條、土地法第148條、平均地權條例第16條分別定有 明文。至於所謂年息10%為限，乃指基地租金之最高限額而 言，並非必須照申報價額年息10%計算之，尚須斟酌基地之 位置、工商繁榮程度、使用人利用基地之經濟價值、所受利 益等情事綜合判斷之（最高法院68年台上字第3071號判決意 旨參照）。查被告占用之系爭土地係位於臺北市信義區基隆 路2段巷內，而系爭土地其餘部分現況為道路使用，附近生 活機能佳等情，有Google地圖、現場照片、附圖附卷可稽（ 本院卷第73至79、145、203頁），爰審酌上開一切情狀，認 應以系爭土地申報總價年息5%計算相當於租金之不當得利為 適當，原告請求以年息10%計算，尚屬過高。而系爭土地之 申報地價為每平方公尺7萬2240元，此有土地登記謄本可稽 （本院卷第63頁），從而，原告請求如附表三所示被告給付 自113年2月22日至同年4月1日分別占用系爭土地如附圖A、B 、C、D、E所示部分（面積分別為10、15、7、8、5平方公尺 ），按申報地價每平方公尺7萬2240元，以年息5%計算如附 表三第3欄所示之不當得利，及自起訴狀繕本送達翌日起至 返還土地之日止，按月給付如附表三第4欄所示之不當得利 ，洵屬有據。逾此部分請求，則屬無據。 五、綜上所述，原告依民法第767條第1項前段、中段、第821條 、第179條規定，請求被告應分別將坐落系爭土地上如附表 二占用土地欄即附圖A、B、C、D、E部分所示之系爭地上物 拆除，各將該部分土地返還原告及全體共有人，並分別給付 原告如附表三第3欄所示之金額，及自如附表三第4欄所示日 期起至返還上開土地之日止，按月給付原告如附表三第4欄 所示金額，為有理由，應予准許。至逾此範圍所為之請求， 為無理由，應予駁回。 六、兩造均陳明願供擔保，聲請宣告假執行或免為假執行，經核 　　原告勝訴部分，均與民事訴訟法第390條第2項、第392條規 　　定相符，爰分別酌定相當之擔保金額宣告之；至於原告其餘 　　假執行之聲請，則因訴之駁回而失所依附，自不應准許之。 七、本件事證已臻明確，兩造其餘主張、陳述及所提證據，經本 　　院審酌後，認與本件判斷結果無影響，爰毋庸再予一一審酌 　　，附此敘明。 八、訴訟費用負擔之依據：民事訴訟法第79條。 中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日 　　　　　　　　　民事第二庭　　法　官 蕭清清 以上正本係照原本作成。 如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。如 委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。 中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日 　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　蔡沂倢 附表一： 聲明 項次 起訴時聲明 （北司補卷第7至9頁，本院卷第35至37頁） 變更後聲明 （本院卷第163至165頁） 第1項 被告何小玉、張大正、張大慶應將坐落臺北市○○區○○段○○段000地號土地（下稱系爭土地）上如起訴狀附圖A部分所示面積2平方公尺（位置面積以地政機關實際測量為準）之地上物拆除，將土地返還原告及全體共有人。 被告何小玉、張大正、張大慶應將坐落系爭土地上如附圖A部分所示面積10平方公尺之地上物拆除，將土地返還原告及全體共有人。 第2項 被告何小玉、張大正、張大慶應給付原告新臺幣（下同）356元，及自起訴狀繕本送達翌日起至返還土地之日止，按月給付原告241元。 被告何小玉、張大正、張大慶應給付原告1781元，及自起訴狀繕本送達翌日起至返還土地之日止，按月給付原告1204元 第3項 被告高秀珠應將坐落系爭土地上如起訴狀附圖B部分所示面積3平方公尺（位置面積以地政機關實際測量為準）之地上物拆除，將土地返還原告及全體共有人。 被告高秀珠應將坐落系爭土地上如附圖B部分所示面積15平方公尺之地上物拆除，將土地返還原告及全體共有人。 第4項 被告高秀珠應給付原告534元，及自起訴狀繕本送達翌日起至返還土地之日止，按月給付原告新臺幣361元。 被告高秀珠應給付原告2672元，及自起訴狀繕本送達翌日起至返還土地之日止，按月給付原告1806元。 第5項 被告翁慧卿應將坐落系爭土地上如起訴狀附圖C部分所示面積2平方公尺（位置面積以地政機關實際測量為準）之地上物拆除，將土地返還原告及全體共有人。 被告翁慧卿應將坐落系爭土地上如附圖C部分所示面積7平方公尺之地上物拆除，將土地返還原告及全體共有人。 第6項 被告翁慧卿應給付原告356元，及自起訴狀繕本送達翌日起至返還土地之日止，按月給付原告241元。 被告翁慧卿應給付原告1247元，及自起訴狀繕本送達翌日起至返還土地之日止，按月給付原告843元。 第7項 被告林忠孝應將坐落系爭土地上如起訴狀附圖D部分所示面積2平方公尺（位置面積以地政機關實際測量為準）之地上物拆除，將土地返還原告及全體共有人。 被告林忠孝應將坐落系爭土地上如附圖D部分所示面積8平方公尺之地上物拆除，將土地返還原告及全體共有人。 第8項 被告林忠孝應給付原告356元，及自起訴狀繕本送達翌日起至返還土地之日止，按月給付原告241元。 被告林忠孝應給付原告1425元，及自起訴狀繕本送達翌日起至返還土地之日止，按月給付原告963元。 第9項 被告張劍浩應將坐落系爭土地上如附圖E部分所示面積1平方公尺（位置面積以地政機關實際測量為準）之地上物拆除，將土地返還原告及全體共有人。 被告張劍浩應將坐落系爭土地上如附圖E部分所示面積5平方公尺之地上物拆除，將土地返還原告及全體共有人。 第10項 被告張劍浩應給付原告178元，及自起訴狀繕本送達翌日起至返還土地之日止，按月給付原告120元。 被告張劍浩應給付原告891元，及自自起訴狀繕本送達翌日起至返還土地之日止，按月給付原告602元。 附表二： 編號 被告 建物建號 建物門牌 占用系爭土地部分 占用面積 （平方公尺） 1 何小玉 臺北市○○區○○段○○段000○號 臺北市○○區○○路0段00巷00弄0號 附圖A 10 張大正 張大慶 2 高秀珠 臺北市○○區○○段○○段000○號 臺北市○○區○○路0段00巷00號 附圖B 15 3 翁慧卿 臺北市○○區○○段○○段000○號 臺北市○○區○○路0段00巷00號 附圖C 7 4 林忠孝 臺北市○○區○○段○○段000○號 臺北市○○區○○路0段00巷00號 附圖D 8 5 張劍浩 臺北市○○區○○段○○段000○號 臺北市○○區○○路0段00巷00號 附圖E 5 附表三： 編號 姓名 自113年2月22日起至同年4月1日止之不當得利 （共40天即40/366年） 自起訴狀繕本送達翌日起至返還土地之日止按月給付之不當得利 1 何小玉 張大正 張大慶 790元 （72,240元×10平方公尺×5%×40/366年×2/10原告權利範圍＝790元〈元以下4捨5入，下同〉） 自起訴狀繕本送達最後一位被告翌日即113年5月21日（送達證書見北司補卷第81至85頁）起至返還土地之日止按月給付602元 2 高秀珠 1184元 （72,240元×15平方公尺×5%×40/366年×2/10原告權利範圍＝1184元） 自起訴狀繕本送達翌日即113年5月17日（送達證書見北司補卷第99頁）起至返還土地之日止按月給付930元 3 翁慧卿 553元 （72,240元×7平方公尺×5%×40/366年×2/10原告權利範圍＝553元） 自起訴狀繕本送達翌日即113年5月11日（送達證書見北司補卷第91頁）起至返還土地之日止按月給付421元 4 林忠孝 632元 （72,240元×8平方公尺×5%×40/366年×2/10原告權利範圍＝632元） 自起訴狀繕本送達翌日即113年5月12日（送達證書見北司補卷第93頁）起至返還土地之日止按月給付482元 5 張劍浩 395元 （72,240元×5平方公尺×5%×40/366年×2/10原告權利範圍＝395元） 自起訴狀繕本送達翌日即113年5月10日（送達證書見北司補卷第95頁）起至返還土地之日止按月給付301元

2025-03-27

TPDV-113-訴-3653-20250327-2

訴
臺灣新北地方法院

排除侵害等

臺灣新北地方法院民事判決 112年度訴字第1128號 原 告 水鑽石社區大廈管理委員會 法定代理人 呂咏錞 訴訟代理人 李璇辰律師 被 告 家欣建設事業股份有限公司（下稱家欣公司） 法定代理人 江春美 訴訟代理人 劉錦隆律師 被 告 香港商世界健身事業有限公司台灣分公司 （下稱世界健身公司） 法定代理人 柯約翰 訴訟代理人 謝明智律師 曾偉哲律師 陳昱澤律師 上列當事人間請求排除侵害等事件，經本院於民國114年2月6日 言詞辯論終結，判決如下： 　　主　文 一、被告家欣公司應將位於新北市○○區○○段000地號地面一層，如附件新北市新莊地政事務所土地複丈成果圖所示：同段0000號建物上通風管設施使用000地號土地約略範圍、地號（暫編）000（0）、面積14.4平方公尺；同段0000建號建物上鐵架滴水通風管設施使用000地號土地約略範圍、地號（暫編）000（0）、面積18.77平方公尺，即如附表三編號1至編號4部分之設備拆除。 二、被告家欣公司應將位於新北市○○區○○段000地號地下一層， 如附件新北市新莊地政事務所土地複丈成果圖所示：同段00 00建號建物地下一層走道（周遭無牆壁）使用000地號土地 約略範圍、地號（暫編）000（0）、面積45.77平方公尺， 即如附表三編號18部分，恢復為走道使用。 三、被告家欣公司應給付原告新台幣（下同）1,686,468元及自 民國111年9月9日起至清償日止，按年息5％計算之利息。暨 自111年9月9日起至原告履行主文第一、二項完畢之日止， 按日給付原告937元，暨自各期到期次日起至清償日止按年 息5％計算之利息。 四、原告其餘之訴駁回。 五、訴訟費用由被告家欣公司負擔二分之一，餘由原告負擔。 六、本判決原告勝訴部分於原告以820,000元供擔保後，得為假 執行。但被告家欣公司如於假執行程序實施前，以2,460,00 　　0元為原告預供擔保，得免為假執行。 七、原告其餘假執行之聲請駁回。 　　事實及理由 一、原告於言詞辯論終結後，改選主任委員為呂咏錞，法定代理 人有所變更，因而聲明承受訴訟，此據其提出113年12月14 日水鑽石社區大廈區分所有權人會議紀錄一份在卷可按，經 核無誤，爰予准許，合先敘明。 二、原告起訴聲明： 　　⒈確認新北市○○區○○段(下稱○○段)0000建號、○○段0000建號 、○○段0000建號、○○段0000建號等之管理權為原告。 　　⒉被告家欣公司、世界健身公司應分別依附表三應負責拆除人欄所示將設置於○○段000地號（重測前：○○段○○段000地號）、同段0000建號（重測前：○○段○○段0000建號）上之屋凸【原證19第1頁，對應原證18左上圖暫編000（0）地號】、及屋凸上方、立面之不鏽鋼架組成之支架【原證19第2頁】、排風管【原證19第3頁，對應原證18左上圖暫編000（0）地號】、自來水設備【原證19第4頁，對應原證18左上圖暫編000（0）地號】、固定壁面之監視器設備(含電線)【原證19第5頁】、水塔水箱設備【原證19第6頁上方紅圈處，對應原證18右上圖暫編000（0）地號】、冷卻空調設備【原證19第6頁下方紅框處】、熱排風機設備【原證19第7~9頁紅圈處，對應原證18右上圖暫編000（0）地號】、配電盤配電箱【原證19第10頁上方紅圈處】、排風扇【原證19第10頁下方紅圈處，對應原證18右上圖暫編000（0）地號】及相對應之管線設施皆予以拆除。 　　⒊被告家欣公司、世界健身公司應分別依附表三應負責拆除 人欄所示將設置於○○段000地號（重測前：○○段○○段000地 號）、同段0000建號（重測前：○○段○○段0000建號）上兩 座前、後排列之橘色柵欄機底座【原證19第11頁上方紅圈 處，對應原證18右下圖暫編000（0）、（0）地號】、橘 色電子顯示設備、黃色電箱設備【原證19第11頁下方紅圈 處，對應原證18右下圖暫編000（0）地號】、交通錐【原 證19第12頁，對應原證18右下圖暫編000（0）、（0）地 號】、對應橘色柵欄機所設置電、管線【原證19第13頁】 皆予以拆除。 　　⒋被告家欣公司、世界健身公司應分別依附表三應負責拆除 人欄所示將設置於○○段000地號（重測前：○○段○○段000地 號）、同段0000建號（重測前：○○段○○段0000建號）一層 電梯外牆面【原證19第14頁上方】、牆面【原證19第14頁 下方】、大門【原證19第15、16頁】、電梯內側【原證19 第17頁】、樓梯牆面【原證19第18~21頁】、天花板【原 證19第22頁】及地下一層電梯門【原證19第23頁】、牆面 【原證19第23~25頁】上之物，以及一層天花板延伸至樓 梯上之彩色燈條與附屬之電線設備【原證19第14、18、20 、21、22頁】，皆予以拆除。 　　⒌被告家欣公司、世界健身公司應分別依附表三應負責拆除 人欄所示將○○段000地號（重測前：○○段○○段000地號）、 同段0000建號（重測前：○○段○○段0000建號）之L型通道 【對應原證18左下圖暫編000（0）地號】恢復如該處建物 測量成果圖。 　　⒍被告家欣公司應給付原告1,857,241元，及自起訴狀送達翌 日起至清償日止，按年息5%計算之利息；並應自起訴狀送 達翌日起至「履行完畢第二項至第五項聲明」之日止，按 日給付原告1,032元，及自次日起至清償止，按年息5%計 算之利息。 　　⒎被告世界健身公司應給付原告3,953,279元，及自起訴狀送 達翌日起至清償日止，按週年息5%計算之利息；並應自起 訴狀送達翌日起至「履行完畢第二項至第五項聲明」之日 止，按日給付原告2,196元，及自次日起至清償止，按年 息5%計算之利息。 　　⒏願供擔保請准宣告假執行。 　並主張略以： 　㈠水鑽石社區係於92年2月間，由被告家欣公司所起造。家欣公 司於107年10月19日將其專有部分(即○○段0000、0000、0000 建號)出租予被告世界健身公司之際，先、後將該等專有部 分之共有(用)部分為不法使用，已違反公寓大廈管理條例第 7條、第8條第1、3項、第9條第1~4項之規定。 　㈡被告世界健身公司無視公寓大廈管理條例第7條、第8條、第9 條等規定，執意以與被告家欣公司間租賃契約內容，應由家 欣公司履行之負擔行為，作為干預原告依法對共有部分管理 權限的依據(參公寓大廈管理條例第58條第2項)；並以共有 部分之持分人，亦即均為被告家欣公司，在統計承租標的之 共有部分持分權利後，為完整權利，聲稱依公寓大廈管理條 例第4條第1項、第9條第1項等規定，應屬專有部分而得自由 使用、或合計共用部分為完整權利為理由，與原告就共有部 分之管理使用權限發生爭議。被告家欣公司、世界健身公司 對附表2共有建號內，所為前開排除原告管理等行為，俱已 侵害公寓大廈管理條例第10條第2項賦予原告對共用部分之 管理權限，爰依下列規定請求排除侵害： 　　⒈共用部分之物上請求權(請求權基礎：公寓大廈管理條例第 8條第3項、第9條第4項、民法第767條第1、2項、第821條 但書)： 　　　⑴公寓大廈周圍上下、外牆面、樓頂平臺及不屬專有部分 之防空避難設備，其變更構造、顏色、設置廣告物、鐵 鋁窗或其他類似之行為，違反者，管理負責人或管理委 員會應予制止，經制止而不遵從而屆期未回復原狀者， 得由管理負責人或管理委員會回復原狀，其費用由該住 戶負擔。各區分所有權人按其共有之應有部分比例，對 建築物之共用部分及其基地有使用收益之權。但另有約 定者從其約定。住戶對共用部分之使用應依其設置目的 及通常使用方法為之。但另有約定者從其約定。前二項 但書所約定事項，不得違反本條例、區域計畫法、都市 計畫法及建築法令之規定。住戶違反第二項規定，管理 負責人或管理委員會應予制止，並得按其性質請求各該 主管機關或訴請法院為必要之處置。如有損害並得請求 損害賠償。公寓大廈管理條例第8、9條分別定有明文。 實務上亦不排除可適用民法第767條第1、2項、第821條 等規定。而原告係社區區分所有權人推舉管理委員組成 管理委員會，受託執行社區公共事務推行、共有部分之 管理，需以社區多數人共同利益為共有部分之管理導向 ，並非在配合特定區分所有權人(即被告家欣公司)、承 租人(即被告世界健身公司)營運管理方便所設置。故原 告性質上為全體區分所有權人推舉出管理權人，並經10 8年度區分所有權人會議之議題三決議通過在案，自得 代替全體區分所有權人對被告家欣公司、世界健身公司 主張排除侵害規定。 　　　⑵因○○段000地號(被告家欣建設公司權利範圍：829/10,00 0)、○○段0000、0000建號性質上為共有建號，不符合公 寓大廈管理條例第3條第3款「專有部分」定義性(均不 具備空間上、使用上獨立性要件)規定，且關於共有地 號、建號之管理，公寓大廈管理條例第10條第2項已將 管理權限賦予管理委員會所獨占，屬於公寓大廈管理條 例已有明文之情形，並無適用民法物權編共有物規定。 若被告家欣公司以形式上登記共有建物權利完整可拒絕 適用公寓大廈管理條例相關規定，無疑將創造出一國內 另有一國，管理權限分歧奇特現象，而當「共有建物之 權利比例合計為一情形」不存在時，管理權限將處於不 明的詭譎狀態。遑論，被告家欣公司實際上並未就系爭 共用建號之權利，享有完整所有權。故原告自得請求被 告依附表三所示之內容，就侵害原告所有權之部分加以 拆除，如聲明所示。 　　　⑶被告家欣公司對原告聲明第5項雖辯稱：就「新北市○○區 ○○段000地號、同段0000建號之L型通道」非其所拆除、 打除，可能為其他承租人所為云云，惟被告家欣公司既 為區分所有權人及出租人，自仍有回復該L型通道之防 災區劃狀態之義務，蓋該L型通道所分隔兩側臨接之專 有部分區域，亦屬被告家欣公司專有部分範圍，家欣公 司以專有部分所有權人身分，有回復該L型通道之防災 區劃兩側壁體之義務。否則無異持續放任被告家欣公司 得以此方式持續占用該共用部分L型通道，破壞防災區 劃、維護公共利益之功能。 　　⒉不當得利部分(請求權基礎民法第179條)：排除侵害原因事 實之行為，屬無權占有其他共有人之情形，屬於無權使用 之非給付類型不當得利(民法第179條)。故原告自得請求 被告給付不當得利。 　　　⑴就「非給付型」之不當得利計算金額，應以每坪每月租 金1,181元為計算標準：按主張不當得利之原告，如因 自己行為致原由其掌控之財產發生主體變動，本於無法 律上原因而生財產變動消極事實舉證困難之危險，固應 歸諸原告，由該原告就不當得利請求權之成立特別要件 即所清償債務不存在之事實，負其舉證責任。但財產主 體之變動倘係被告之行為所致，自應由被告舉證證明其 受領給付係有法律上之原因，有最高法院99年度台上字 第503號民事判決可稽。經查，本件屬於「非給付型」 之不當得利(權益歸屬說)，亦即被告家欣公司侵奪原告 基於公寓大廈管理條例賦予原告對「共有建物為管理權 」之利益。被告家欣公司以「給付型」不當得利之標準 ，要求原告說明對該共有建物並無計畫對共有建物為管 理使用，並無損失為由，實已將不同類型不當得利之舉 證方式混為一談。 　　　⑵申言之，被告家欣公司應說明為何其具有法律上原因， 亦即何以單以區分所有權人身分即可保有對共有建物之 管理權，突破公寓大廈管理條例第10條第2項前段賦予 原告管理權？事實上，公寓大廈管理條例既無「大公」 、「小公」之明文，亦無於第10條第2項管理權限上區 分是否由管理委員會權限上之差異。被告家欣公司此處 之辯稱，明顯逾越公寓大廈管理條例第10條第2項之法 條文義射程範圍，導致該條規範形同具文虛設。 　　　⑶檢具泰山區明志路三段牆面廣告出租標準為範例，以22. 97呎換算約700.1256公分，6.56呎約為199.9488公分( 每呎為30.48公分)。兩者乘積為139,989.275369平方公 分(相當於13.99平方公尺、4.23198坪)，以每月5,000 元租金計算，亦即每坪租金約1,181元(原先係以使用土 地每月每坪1,500元為計算標準)，據此謹將相關請求數 額計算如下： 　　　　①依鈞院囑託測量之土地複丈成果圖及附表三之被告家 欣公司應負責拆除範圍，其佔用000地號及000地號土 地面積計86.66平方公尺（計算式：14.14＋18.77＋7.3 8＋0.22＋0.38＋45.77＝86.66），亦即26.21坪（計算式 ：86.66÷3.3058＝26.21，四捨五入至小數點後二位） ，以每坪每月租金平均1,181元，並以占用五年計算 ，原告所得請求被告家欣公司返還佔用000地號及000 地號土地相當於租金之不當得利即為1,857,241元（ 計算式：26.21×1181×60＝1,857,241，四捨五入至整 數位）。每日應給付原告相當於租金之不當得利金額 應為1,032元（計算式：26.21x1181÷30＝1,032，四捨 五入至整數位）。 　　　　②依上開土地複丈成果圖及附表三之世界健身公司應負 責拆除範圍，其佔用000地號及000地號土地面積計40 .2平方公尺（計算式：1.73＋30.84＋0.6＋1.6＋2.4＋0.4 4＋0.49＋2.1＝40.2）；次依【原證19】所示A1至L1所 測量出如附表四之占用面積，被告世界健身公司所佔 用000地號土地用作裝潢、廣告等之面積計144.23平 方公尺，共計184.43平方公尺，亦即55.79坪（計算 式：184.43÷3.3058＝55.79，四捨五入至小數點後二 位），以每坪每月以當地出租金額1,181元，並以占 用5年(共60月)計算，原告所得請求被告世界健身公 司返還佔用000地號及000地號土地相當於租金之不當 得利即為3,953,279元（計算式：55.79×1,181×60＝3, 953,279，四捨五入至整數位）。每日應給付原告相 當於租金之不當得利金額應為2,196元（計算式：55. 79x1,181÷30＝2,196，四捨五入至整數位）。 三、被告世界健身公司聲明：原告之訴駁回。如受不利判決，被 告願供擔保請准宣告免於假執行。並略以下列情詞置辯： 　㈠原告主張訴之聲明一、確認新北市○○區○○段0000○號、○○段00 00建號、○○段0000建號、○○段0000建號等之管理權為原告云 云，原告主張伊有管理權又主張以民法第767條物上請求權 做為請求權基礎請求被告拆除系爭設備，而民法第767條物 上請求權應屬於所有權人之權利權能，本件原告主張之方式 難認有解決紛爭之功效，應無確認利益。 　㈡針對原告請求被告世界健身公司拆除返還部分，茲以表列說 明如下：　　 編號 標的名稱 原證出處 被告意見 1 不銹鋼排列而成之屋凸及支撐屋凸之支架 原證19第1至2頁 非被告施作，本來就存在 2 排風管 原證19第3頁 非被告施作，本來就存在 3 自來水設備 原證19第4頁 原告撤回請求 4 監視器設備 原證19第5頁 非被告施作，本來就存在 5 水塔水箱設備 原證19第6頁 被告施作 6 冷卻空調設備 原證19第6頁 被告施作 7 熱排風機設備 原證19第7至9頁 被告施作 8 配電盤配電箱 原證19第10頁 被告施作 9 排風扇 原證19第10頁 被告施作 10 設備相關之管線設施 原證18之左下圖000(1) 原告撤回請求 11 橘色柵欄機 原證19第11頁 被告施作 12 柵欄機橘色收費設備、柵欄機橘色燈號設備、黃色電箱設備 原證19第11頁 被告施作 13 橘色交通錐 原證19第12頁 非被告施作，本來就存在 14 對應橘色柵欄機所設管線 原證19第13頁 非被告施作，本來就存在 15 一層電梯外側門、牆面、大門、電梯內側門、樓梯牆面 原證19第14至21頁 被告施作 16 地下一層電梯門、牆面、天花板 原證19第22至25頁 被告施作 17 一層天花板延伸至樓梯上之彩色條燈與附屬之電線設備 原證19第14、18、20、21、22頁 被告施作 18 L型通道 原證18左下圖暫編000(1) 非被告施作，且原本沒有牆 　㈢上開表格編號18，非被告施作，且被告僅就現狀承租，就被 告承租時起即無牆面存在，原告請求被告恢復如建物測量成 果圖，顯無理由。另部分標的並非被告所有或被告所施作， 被告並無拆除之權利，故原告對於被告之請求自無理由。 　㈣再者，原告請求權基礎為民法第767條、第821條但書等，均 係區分所有權人方得行使之權利，原告是管理委員會，不得 行使前開權利。 　㈤又系爭標的中有屬共同被告家欣公司擁有全部所有權者(如00 00建號)，其餘部分係屬區分所有建物之小公區域，屬於專 供商場使用，身為住宅管理委員會之原告並無權干涉（退步 言之，縱有部分管理權限亦應考量商場利益、商場所有權人 之意見…等，故受有相當之限制且不得恣意為之）。被告係 向共同被告家欣公司合法承租，是被告具有專用使用權利應 屬無疑。故原告請求被告拆除系爭標的均無理由。 　㈥原告主張被告侵害其基於公寓大廈管理條例賦予之共有建物 為管理權之利益云云，惟原告之請求權基礎為民法第179條 不當得利，應屬於區分所有權人方得行使之權利，原告請求 已非適法。再者，被告否認有占用原告所主張之占用面積； 又原告以明志路三段廣告租金為計算標準，僅為其自行尋找 之單一廣告內容，並不足以作為本件計算之基礎等語。 四、被告家欣公司聲明：原告之訴駁回，如受不利判決，願供擔 保請准免為假執行。並略以下列情詞置辯： 　㈠依土地登記規則第81條第1項規定：「區分所有建物所屬共有 部分，除法規另有規定外，依區分所有權人按其設置目的及 使用性質之約定情形，分別合併，另編建號，單獨登記為各 相關區分所有權人共有。」，可知區分所有建築物之共有部 分，有屬全體區分所有權人共同持有者，有僅部分區分所有 權人共同持有者，前者為「全體共有部分」（俗稱大公）， 後者為「一部共有部分」（俗稱小公）。查泰山區○○段0000 建號為0000、0000、0000、0000、0000、0000、0000、0000 、0000、0000、0000、0000、0000建號之共同使用部分；00 00、0000建號為0000、0000、0000建號之共同使用部分；00 00建號為0000、0000建號之共同使用部分，均屬一部共有之 公共設施。依公寓大廈管理條例第36條規定，「一、區分所 有權人會議決議事項之執行。二、共有及共用部分之清潔、 維護、修繕及一般改良。三、公寓大廈及其周圍之安全及環 境維護事項。四、住戶共同事務應興革事項之建議。五、住 戶違規情事之制止及相關資料之提供。六、住戶違反第六條 第一項規定之協調。七、收益、公共基金及其他經費之收支 、保管及運用。八、規約、會議紀錄、使用執照謄本、竣工 圖說、水電、消防、機械設施、管線圖說、會計憑證、會計 帳簿、財務報表、公共安全檢查及消防安全設備檢修之申報 文件、印鑑及有關文件之保管。九、管理服務人之委任、僱 傭及監督。十、會計報告、結算報告及其他管理事項之提出 及公告。十一、共用部分、約定共用部分及其附屬設施設備 之點收及保管。十二、依規定應由管理委員會申報之公共安 全檢查與消防安全設備檢修之申報及改善之執行。十三、其 他依本條例或規約所定事項。」固為管理委員會之職務，惟 系爭0000、0000、0000、0000建號既為「一部共有部分」， 未持有系爭0000、0000、0000、0000建號持分之區分所有權 人，對於系爭0000、0000、0000、0000建號如何使用，應無 權干涉，而原告為管理委員會，對於系爭0000、0000、0000 、0000建號如何清潔、維護、修繕及改良，在不違反設置目 的及使用性質之情況下，應依持有系爭0000、0000、0000、 0000建號持分之區分所有權人之指示，系爭0000、0000、00 00、0000建號之管理權豈會是原告所有？更何況原告請求確 認系爭0000、0000、0000、0000建號之管理權為其所有之目 的，係為侵害持有系爭0000、0000、0000、0000建號持分之 區分有權人之利益。 　㈡公寓大廈管理條例第8條第3項規定：「住戶違反第一項規定 ，管理負責人或管理委員會應予制止，經制止而不遵從者， 應報請主管機關依第四十九條第一項規定處理，該住戶並應 於一個月內回復原狀。屆期未回復原狀者，得由管理負責人 或管理委員會回復原狀，其費用由該住戶負擔。」第二項規 定為「公寓大廈周圍上下、外牆面、樓頂平臺及不屬專有部 分之防空避難設備，其變更構造、顏色、設置廣告物、鐵鋁 窗或其他類似之行為，除應依法令規定辦理外，該公寓大廈 規約另有規定或區分所有權人會議已有決議，經向直轄市、 縣（市）主管機關完成報備有案者，應受該規約或區分所有 權人會議決議之限制。」故原告應舉證證明被告有在系爭公 寓大廈周圍上下、外牆面、樓頂平臺及不屬專有部分之防空 避難設備，變更構造、顏色、設置廣告物、鐵鋁窗或其他類 似之行為。 　㈢公寓大廈管理條例第9條第4項規定「住戶違反第二項規定， 管理負責人或管理委員會應予制止，並得按其性質請求各該 主管機關或訴請法院為必要之處置。如有損害並得請求損害 賠償。」第二項規定為「住戶對共用部分之使用應依其設置 目的及通常使用方法為之。但另有約定者從其約定。」故原 告應舉證證明其請求被告拆除部分，違反設置目的或通常使 用方法？ 　㈣系爭0000建號之共有人為0000、0000、0000、0000、0000、0 000、0000、0000、0000、0000、0000、0000、0000建號之 區分所有權人，0000、0000建號之共有人為0000、0000、00 00建號之之區分所有權人，0000建號之共有人為0000、0000 建號之之區分所有權人，原告並非系爭0000、0000、0000、 0000建號之共有人，故無民法第767條第1、2項、第821條但 書之請求權，及民法第179條之請求權。 　㈤被告就系爭公寓大廈有二種身份，一為起造人，一為餘屋之 區分所有權人，就為起造人身分所設置之設施，不論是大公 還是小公，均早已點交給原告多年，故該設施如果是設置在 大公，其所有權為全體區分所有權人所有，如果是設置在小 公，其所有權為持有該小公之區分所有權人所有，被告已無 處分權。原告113年10月18日民事變更訴之聲明狀附表三編 號1、2、3、4即是設置在小公所有權為持有該小公之區分所 有權人所有之設施。 　㈥又查附表三編號1、2、4之設施位在0000建號及0000建號地下 室之上方，該部分不論是否違章建築均屬於0000建號及0000 建號建物之一部分，就屬於0000建號部分，在原告不認為該 項設施屬於起造人點交給伊之公共設施之前提下，被告基於 0000建號所有權人之身分，固有拆除0000建號地下室上方之 設施之權利，但就0000建號地下室上方之設施部分，被告僅 為該設施之共有人，被告基於共有人之身分雖有處分權，惟 依民法第819條第2項規定，在未得共有人全體之同意前，被 告不得拆除該部分設施。再者，附表三編號1、2、4之設施 若為被告所有，原告或其他區分所有權人並無所有權，原告 有何權利請求拆除？ 　㈦尤有甚者，原告既不承認附表三編號1、2、4之設施屬於公共 設施，顯無公寓大廈管理條例第8條、第10條之適用。況附 表三編號1之屋頂突出物用途在於遮蔽地下一樓頂版之開口 ，使雨水不會流入地下室，以維護機電設備尤其是台電受電 室之安全，及讓地上室能正常使用，編號2之排風管屬於民 生設施，編號4之監視器用途在於維護用戶安全。故退一步 言，縱認原告有權請求被告拆除，亦為權利濫用。 　㈧附表三編號19之L型通道所在位置雖在0000建號公共設施範圍 內，所有權為被告所有，原告請求被告回復原狀，並無法律 依據。 　㈨附表三編號1、2、4之設施位在0000建號及0000建號地下室之 上方，而0000建號及0000建號地下室固坐落在000、000地號 上，但0000建號及0000建號地下室之下尚有三層其他建號之 地下室，亦即附表三編號1、2、4之設施下方尚有四層地下 室與附表三編號1、2、4之設施共同使用000、000地號土地 ，原告主張每坪每月相當於租金之不當得利為1,181元，顯 無依據。況原告並非000、000地號土地之所有權人，有何法 律依據請求被告給付不當得利等語。 五、兩造不爭執之事項： 　㈠水鑽石社區係於92年2月間，由被告家欣公司起造。 　㈡家欣公司為○○段0000、0000、0000建號建物之所有人，並於1 07年10月19日將上開建物出租予被告世界健身公司。 　㈢○○段0000建號之建物，依地籍登記所示，建物門牌：明志路 三段83號地下一層之一等，主要用途為共有部分，層次為一 層、二層、騎樓、地下一層、地下二層，而其主建物資料分 別為：0000（所有權人為泰山氣體有限公司）、0000、0000 、0000、0000（所有權人為宋**）、0000（所有權人為陳** ）、0000（所有權人為葉**）、0000（所有權人為曾**）、 0000（所有權人為李**）、0000（所有權人為被告家欣公司 ）、0000（所有權人為台灣基督長老教會台北中會）、0000 （所有權人為中華郵政公司）、0000(所有權人為楊**）建 號。（見本院卷235-247、353頁）。 　㈣○○段0000建號之建物，依地籍登記所示，建物門牌：明志路 三段83號地下一層之二等，主要用途為共有部分，層次為地 下一層，而其主建物資料分別為：0000、0000、0000建號。 （見本院卷第357頁） 　㈤○○段0000建號之建物，依地籍登記所示，建物門牌：明志路 三段83號地下一層之一等，主要用途為共有部分，層次為地 下一層，而其主建物資料分別為：0000、0000、0000建號。 （見本院卷第361頁） 　㈥○○段0000建號之建物，依地籍登記所示，建物門牌：明志路 三段83號地下一層之三等，主要用途為共有部分，層次為地 下一層，而其主建物資料分別為：0000、0000建號。（見本 院卷第365頁） 　㈦本院於113年5月17日履勘現場，並囑託新北市新莊地政事務 所進行測量，據其於113年6月12日函覆測繪結果如卷附之土 地複丈成果圖（見本院卷第415頁，下簡稱本案複丈成果圖 ）。兩造就履勘結果及複丈成果圖之客觀真實性俱不爭執。 六、本件爭點及本院之判斷： 　㈠就原告訴之聲明第一項部分，為確認為○○段0000、0000、000 0、0000建號等之管理權為原告；被告爭執原告此部分之訴 並無確認利益等語。本院判斷如下： 　　⒈依民事訴訟法第247條第1項規定，確認法律關係之訴，非 原告有即受確認判決之法律上利益者，不得提起之；而所 謂即受確認判決之法律上利益，係指法律關係之存否不明 確，而原告主觀上認其在法律上之地位有不妥之狀態存在 ，且此種不妥狀態，能以確認判決將之除去者而言。如係 經法院判決確認，亦不能除去其不妥之狀態者，即難認有 受確認判決之法律上利益。 　　⒉本件原告訴之聲明第一項，請求確認○○段0000、0000、000 0、0000等建號等之管理權為原告。經查，○○段0000、000 0、0000、0000等建號為水鑽石社區部分共有人之共有部 分，原告既為水鑽石社區之管理委員會，依公寓大廈管理 條例第10條第2項前段規定：「共用部分、約定共用部分 之修繕、管理、維護，由管理負責人或管理委員會為之。 」本屬依法應由原告為管理之事項。被告家欣公司為水鑽 石社區之區分所有權人之一，被告世界健身公司則為區分 所有部分之承租人，彼等對於原告基於社區管理委員會之 地位，有權管理社區大樓之共用部分一節，並無爭執。是 以，本件兩造所爭執者，係就原告對○○段0000、0000、00 00、0000等建號之共有部分管理方式適當與否有所爭議， 並非對原告有無管理權限而生爭執。本件縱判決確認原告 對上述共有部分有管理權限，亦無解於兩造目前訟爭之狀 態。是以，本件原告雖於主觀上認其在法律上之地位有不 妥之狀態存在，然本院認為，縱依原告訴之聲明第一項為 其勝訴之判決，亦不能除去此不妥之狀態，故本件難認原 告有受該確認判決之法律上利益，揆諸首揭說明，原告此 部分確認之訴因無即受確認判決之法律上利益，於法不合 ，應予駁回。 　㈡就○○段0000、0000、0000、0000等建號之法律地位，本院認 定如下： 　　⒈按我國集合式住宅之所有權登記方式，習慣上有稱作「大 公」、「小公」之部分。所謂「大公」者：係指供全體住 戶共同使用，而由全體住戶共同分擔的公共設施部分。如 管理室、一樓大廳、配電室、台電受電室、發電機械房、 空調室、屋頂突出物、蓄水池、水箱水塔、電梯間（若社 區只有單一棟大樓）、交誼聽、會議室、運動三溫暖室等 。至稱「小公」者：則指供部分特定住戶群共同使用，而 由該特定住戶群共同分擔的公共設施部分。如社區某一棟 大樓的電梯間、大樓某一樓層的樓梯間、通道、走廊、門 廊、共用儲物空間、停車位及停車場車道等。又關於公共 設施（包含大公、小公）之登記方式，一般來說，在建物 謄本係登記於「建物標示部」裡，以「共有部分」呈現， 不與主建物混合登記。申言之，區分所有建物，依土地登 記規則第81條第1款規定，地下層停車空間為建物之共用 部分，若係由全體區分所有權人共有該部分之所有權，並 擁有該部分之使用權，即為俗稱之大公，若係由部分區分 所有權人所共有該部分之所有權，並擁有該部分之使用權 ，即為俗稱之小公。如區分所有建物，係以購買停車位之 社區住戶為共有人，並享有使用該部分建物之權利，則非 該部分建物之共有人，即無使用之權利。是以，如於出售 部分建物停車位時，與各承購停車位之社區住戶就停車位 之位置及範圍已有明定，自可解釋為部分建物共有人間之 共有物分管契約，具有拘束各該分管契約當事人之效力， 此為我國法院向來所持之見解。 　　⒉經查，本件依○○段0000、0000、0000、0000等建號之登記 內容，均係登記為共有部分，並分別記載有主建物之建號 ，又該主建物之建號顯然並非水鑽石社區大廈全體區分所 有權人均包含在內。由是可知，○○段0000、0000、0000、 0000等建號之性質均屬俗稱之小公，係由部分區分所有權 人共有該部分之所有權，並擁有該部分之使用權。是以， 依登記資料可知： 　　　⑴○○段0000建號之建物，為部分區分所有權人包含主建物 之建號分別為0000（所有權人為泰山氣體有限公司）、 0000、0000、0000（上三筆所有權人均為被告家欣公司 ）、0000（所有權人為宋**）、0000（所有權人為陳** ）、0000（所有權人為葉**）、0000（所有權人為曾** ）、0000（所有權人為李**）、0000（所有權人為被告 家欣公司）、0000（所有權人為台灣基督長老教會台北 中會）、0000（所有權人為中華郵政公司）、0000(所 有權人為楊**）等人所共有，並由該等區分所有權人擁 用使用權。 　　　⑵○○段0000建號之建物，為區分所有權人被告家欣公司所 有0000、0000、0000建號建物之共有部分，並由被告家 欣公司擁有使用權。 　　　⑶○○段0000建號之建物，為區分所有權人被告家欣公司所 有0000、0000、0000建號建物之共有部分，並由被告家 欣公司擁有使用權。 　　　⑷○○段0000建號之建物，為區分所有權人被告家欣公司所 有0000、0000建號建物之共有部分，並由被告家欣公司 擁有使用權。 　㈢原告請求被告拆除上述「小公」即○○段0000、0000、0000、0 000等建號內之物品，被告則否認原告有此請求拆除之權利 ，本院就此爭點之判斷標準如下： 　　⒈按所謂「小公」，固屬集合式住宅即公寓大廈社區中，部 分區分所有權人所共有，並擁有使用權之部分。惟其性質 既為「共同使用」之共有部分，而非專有部分，則共有該 部分「小公」之區分所有權人，並不能將此共用部分為完 全排他之使用，或將之劃歸於其專有部分內，成為私人之 使用空間。舉例而言，某層樓之樓梯間，固常登記為該層 樓區分所有人所共有之「小公」，然此一樓梯間仍需供全 體住戶或訪客於需要時通行使用，共有該小公之區分有所 權人，並不得將之圍阻而排除他人之使用。而社區亦得制 定相關管理規約，比如限制住戶於該樓梯間擺放雜物、鞋 櫃等等。凡此，均應為我國現代公民社會中，眾所週知之 事實。 　　⒉再者，公寓大廈管理條例雖未就「小公」、「大公」部分 之使用或管理權限為特別區分之規定，惟參照該條例第8 條第1項規定：「公寓大廈周圍上下、外牆面、樓頂平臺 及不屬專有部分之防空避難設備，其變更構造、顏色、設 置廣告物、鐵鋁窗或其他類似之行為，除應依法令規定辦 理外，該公寓大廈規約另有規定或區分所有權人會議已有 決議，經向直轄市、縣（市）主管機關完成報備有案者， 應受該規約或區分所有權人會議決議之限制。」及第9條 第2至4項規定：「住戶對共用部分之使用應依其設置目的 及通常使用方法為之。但另有約定者從其約定。前二項但 書所約定事項，不得違反本條例、區域計畫法、都市計畫 法及建築法令之規定。住戶違反第二項規定，管理負責人 或管理委員會應予制止，並得按其性質請求各該主管機關 或訴請法院為必要之處置。如有損害並得請求損害賠償。 」等規定意旨，應可推知：小公部分固屬部分區分所有權 人所共有，並對之有使用權，但仍應依設置之目的及通常 使用方法為使用，並不得違反政府法令及社區規約。若針 對小公部分變更構造、顏色、設置廣告物、鐵鋁窗或其他 類似之行為，要加以法令以外之限制，則應以社區規約為 依據，或經區分所有權人會議為決議，始得為之。 　㈣就原告訴之聲明第二項，請求被告家欣公司、世界健身公司 應分別依附表三應負責拆除人欄所示將設置於○○段0000建號 上之屋凸等設施拆除部分，是否有理由，本院判斷如下： 　　⒈○○段0000建號為同段0000、0000、0000建號建物之共有部 分，即家欣公司有所有權之小公部分，業見前述。然依建 物登記謄本所示，此建號係位於「地下一層」，換言之， 非為地下一層部分，並不是該0000建號之建物，也不是本 件被告家欣公司擁有所有權的小公部分。準此以觀，被告 家欣公司既非地面一層之區分所有權專用部分之所有人或 小公部分的所有人，即無權於該全體區分所有權人之共有 部分（即大公）加以建築占用，此乃當然之理。是以，如 附表三編號1、2、3、4部分，並非設置於地下一層，而係 設置於地面一層之物品，非屬被告家欣公司所有之小公部 分（即○○段0000建號），故家欣公司未得全體共有人同意 ，即擅自設置上開物品，應屬無權占用甚明。家欣公司並 不否認上開物品均係其所裝設，則原告基於社區管理權限 ，並經區分所有權人會議於108年12月15日決議：議題三 ：有關本社區旁安全梯出入口（全聯旁空地），私設安全 梯之屋凸建築物及排風管一案，請先向家欣公司協商請求 應將共有物之土地返還共有人全體及除去該等違建物，若 協商不成再向法院提出除無權占有及損害賠償訴訟（見本 院重司調卷第129-131頁），而代表社區全體請求家欣公 司拆除如附表三編號1、2、3、4部分占用社區大公之違建 物，自屬有理由。 　　⒉至家欣公司辯稱如附表二編號1至4所示設施，係用以遮風 擋雨，避免下方社區公用設備損害，原告請求拆附係屬權 利濫用云云。惟依本院現場勘驗結果，可認該處下方社區 公用設備如有遮風擋雨之需求，就開口處加以平面封閉即 可達到目的，並非必以興建屋凸等設備為必要。是被告家 欣公司此部之抗辯，尚難遽予採信。 　　⒊至原告請求被告世界健身公司拆除如附表三編號5、6、7、 8、9、10部分。本院查，上開物品係設置於地下一層之○○ 段0000號建物內，此部分為家欣公司擁有所有權之小公部 分。家欣公司基所有人之身分，將其建物出租於世界健身 公司，並同意承租人世界健身公司於其所屬小公部分設置 水塔水箱設備、冷卻空調設備、熱排風機設備、配電盤配 電箱設備、排風扇、管線設施等，作為此小公部分之主建 物即0000、0000、0000建號建物之生活功能使用，核其情 狀，尚難認有違反設置之目的或非屬通常使用方法，或有 何違反政府法令之情形存在。而原告亦未能提出社區規約 或區分所有權人會議之決議，以證明其有權要求被告拆除 上開物品（原告提出前開108年12月15日區分所有權人會 議決議，其議題三之決議內容，除提及前述屋凸違建應訴 請拆除外，並無提及原告於本案請求之其他部分）。是以 ，原告此部分之請求自不足採。　　　　　 　㈤就原告訴之聲明第三項，請求被告家欣公司、世界健身公司 應分別依附表三應負責拆除人欄所示將設置於○○段0000建號 上之柵欄機等設施拆除部分，是否有理由，本院判斷如下： 　　⒈○○段0000建號為同段0000、0000建號建物之共有部分，亦 即家欣公司擁有所有權之小公部分，業見前述。依建物登 記謄本所示，此建號係位於「地下一層」，並經本院於11 3年5月17日履勘現場，發見該建號係屬停車場使用，合先 敘明。而按開放空間及退縮空地，在直轄市、縣（市）政 府核准範圍內，得依規約或區分所有權人會議決議供營業 使用；防空避難設備，得為原核准範圍之使用；其兼作停 車空間使用者，得依法供公共收費停車使用。公寓大廈管 理條例第16條第2項但書定有明文。而社區停車場即便屬 於大公，亦得分配予住戶各自約定專用，業己敘明如前。 　　⒉本院查，水鑽石社區大廈為多棟建物之社區，地下層設有 停車場，其中0000建號既登記為主建物（即同段0000、00 00建號）之共有部分，非屬全體區分所有權人所共有之大 公，則堪認此小公部分，應屬於該主建物所有人（即家欣 公司）所得專用之停車場。而被告世界健身公司於此建號 內設置如附表三編號11、12之橘色柵欄機、橘色柵欄機收 費設備、橘色電子顯示設備、黃色電箱設備；被告家欣公 司於此建號內設置如附表三編號13、14之橘色交通錐、對 應橘色柵欄機所設管線等物品，應屬對其所有或承租之停 車空間所為之管理措施，核其情狀，尚難認有違反設置之 目的或非屬通常使用方法，或有何違反政府法令之情形存 在。而原告亦未能提出社區規約或區分所有權人會議之決 議，以證明其有權要求被告拆除上開物品。是以，原告此 部分之請求自不足採。　　　　　　　　 　㈥就原告訴之聲明第四項，請求被告家欣公司、世界健身公司 應分別依附表三應負責拆除人欄所示將設置於○○段0000建號 上之牆面廣告等設施拆除部分，是否有理由，本院判斷如下 ： 　　⒈○○段0000建號為同段0000（所有權人為泰山氣體有限公司 ）、0000、0000、0000（上三筆所有權人均為被告家欣公 司）、0000（所有權人為宋**）、0000（所有權人為陳** ）、0000（所有權人為葉**）、0000（所有權人為曾**） 、0000（所有權人為李**）、0000（所有權人為被告家欣 公司）、0000（所有權人為台灣基督長老教會台北中會） 、0000（所有權人為中華郵政公司）、0000(所有權人為 楊**）等主建物之共有部分，為上開區分所有權人所共有 之小公。登記之層次為一層、二層、騎樓、地下一層、地 下二層，經本院履勘現場之結果，發見此一建號乃屬二樓 以下至地下二層停車場之樓梯間及樓梯，係供商場使用。 原告亦不爭執此處之電梯雖可供住戶由地下二樓停車場搭 乘至二樓商場，但無法到達住家（見本院卷第397頁）。 由是可知，水鑽石社區大廈為一住商混合之集合住宅，而 此○○段0000建號建物，既登記為商用部分區分所有權人所 共有，設置之電梯亦無法到達住宅，堪認乃屬供商場使用 之小公，應無疑義。 　　⒉原告請求被告拆除如附表三編號15至17部分，本院履勘現 場之結果均為設置於牆面之廣告物，並未妨礙其他住戶或 公眾通行於此建號建物內，而此部分小公既係供作商場使 用部分，則於牆面上設置平面廣告，應屬合理之使用範圍 ，尚難認有違反設置之目的或非屬通常使用方法，或有何 違反政府法令之情形存在。而原告亦未能提出社區規約或 區分所有權人會議之決議，或就共有此小公之其他區分所 有權人有何對使用小公之不同意見並請求原告處理等事證 ，以證明其有權要求被告拆除上開物品。是以，原告此部 分之請求自不足採。　　　　 　㈦就原告訴之聲明第五項，請求被告家欣公司、世界健身公司 應分別依附表三應負責拆除人欄所示將設置於○○段0000建號 上之L型通道恢復等部分，是否有理由，本院判斷如下： 　　⒈○○段0000建號為同段0000、0000、0000建號建物之共有部 分，亦即家欣公司擁有所有權之小公部分，業見前述。依 建物登記謄本所示，此建號係位於「地下一層」。經本院 於113年5月17日履勘現場，無法進入系爭建號，僅能諭知 地政人員就此建號之測量成果圖L型通道測繪於地籍圖上 ，並註記兩側是否有牆面（見本院卷第399-400頁）。而 據新北市新莊地政事務所製成本案複丈成果圖記載0000建 號地下一層走道（周遭無牆壁）。合先敘明。 　　⒉按公寓大廈共用部分不得獨立使用供做專有部分。其為下 列各款者，並不得為約定專用部分：一、公寓大廈本身所 占之地面。二、連通數個專有部分之走廊或樓梯，及其通 往室外之通路或門廳；社區內各巷道、防火巷弄。三、公 寓大廈基礎、主要樑柱、承重牆壁、樓地板及屋頂之構造 。四、約定專用有違法令使用限制之規定者。五、其他有 固定使用方法，並屬區分所有權人生活利用上不可或缺之 共用部分。公寓大廈管理條例第7條定有明文。 　　⒊本件○○段0000建號部分為小公，依原告社區大廈之建物測 量成果圖（即建物謄本所附圖面），為一略成L型之樓梯 間及走道（見本院卷第359頁）。如下圖： 　　　 　　　而經本院囑託新莊地政事務所測繪原告所指遭占用部分， 則約略為該建號L型走道部分（見本院卷第415頁）。如下 圖所示000（1）部分： 　　　 　　　以本院履勘當日無法進入的情況來看，此一小公部分，顯 然已遭被告家欣公司占用而與其專有部分合併為一個空間 。然此一○○段0000建號於上開建物謄本所附建物測量成果 圖中已明確記載為「走道」，而連通數個專有部分之走廊 不得作為約定專用部分，為公寓大廈管理條例第7條所明 定。是以，被告家欣公司將此部分走道納為私人空間使用 ，自非法之所許。 　　⒋從而，本件原告基於社區管理委員會之地位，請求被告家 欣公司應將上開部分恢復為走道使用，自屬於法有據。惟 查，走道之使用，係供通行，並不以兩面有牆壁為必要， 若走道兩側專用部分之區分所有權人，願自行拆除牆壁使 無間隔，而不妨礙走道之通行者，於法似無不可。是原告 請求被告家欣公司應將L型通道恢復為兩側有牆壁云云， 於法無據，不應准許。至被告世界健身公司為本件承租人 ，並無於物理上變動租賃物現狀之權利，是原告請求被告 世界公司亦應負上開回復走道之義務云云，即乏所據。 　㈧本件原告訴之聲明第六項請求被告家欣公司給付相當於租金 之不當得利部分，本院認定如下： 　　⒈按無法律上之原因而受利益，致他人受損害者，應返還其 利益。雖有法律上之原因，而其後已不存在者，亦同。不 當得利之受領人，除返還其所受之利益外，如本於該利益 更有所取得者，並應返還。但依其利益之性質或其他情形 不能返還者，應償還其價額。民法第179條、第181條分別 定有明文。而無權占有他人土地，可能獲得相當於租金之 利益為社會通常之觀念（最高法院61年台上字第1695號判 決要旨參照）。又按土地所有權，除法令有限制外，於其 行使有利益之範圍內，及於土地之上下。民法第773條前 段定有明文。是以，本件被告若有無權占用原告所管理之 系爭土地共有部分，依前揭說明，原告自得請求被告給付 相當於使用土地租金之不當得利。本院審酌系爭土地位於 新北市泰山區之市中心，居住人口眾多，市況繁華，即水 鑽石社區本身即有商場，包含被告世界健身公司所開設之 知名健身品牌在內，土地之經濟價值實屬不斐，故原告主 張本件被告無權占用系爭土地之相當於租金之不當得利， 應以每月每坪1,181元計算，衡情已遠低於市價，本院認 屬可採，合先敘明。 　　⒉本件被告家欣公司無權占用○○段000地號地面層部分，即如 土地複丈成果圖暫編地號000（0）、000（0）部分，面積 合計為32.91平方公尺（計算式：14.14+18.77）。詳下圖 ：　　　　 　　　 　　　 　　⒊本件被告家欣公司無權占用○○段000地號地面層部分，即如 土地複丈成果圖暫編地號000（0）部分，面積為45.77平 方公尺。詳下圖：　 　　　　　 　　　 　　⒋合計前兩項所示之占用面積為78.68平方公尺（計算式：32 .91+45.77＝78.68），即23.80坪（小數點後二位以下四捨 五入）。 　　⒌從而，本件原告請求被告家欣公司應就其無權占用部分， 給付相當於五年之土地使用租金即1,686,468元（計算式 ：1,181元×23.80坪×12月×5年＝1,686,468，元以下四捨五 入），暨自起訴狀繕本送達翌日起至拆除前述占用部分止 ，按日給付原告937元（1,181元×23.80坪/30日＝937元， 元以下四捨五入）部分，為有理由。 　㈨本件原告訴之聲明第七項請求被告世界健身公司給付相當於 租金之不當得利部分，本院認定如下：本件原告訴請被告世 界健身公司無權占有拆屋還地部分，均經本院駁回，已如前 述。是原告請求被告世界健身公司應給付相當於租金之不當 得利部分，自亦無由成立。 七、綜上所述，本件原告請求被告家欣公司應拆除如主文第一項 所示之物，及恢復如主文第二項所示之走道，暨給付原告1, 686,468元及自起訴狀送達翌日（即111年9月9日）起至清償 日止按年息5％計算之法定遲延利息，暨自111年9月9日起至 履行主文第一、二項完畢之日止，按日給付原告937元，暨 自各期到期次日起至清償日止按年息5％計算之遲延利息，為 有理由，應予准許。原告其餘請求則為無理由，應予駁回。 兩造陳明願供擔保請准宣告假執行及免予假執行，於原告勝 訴部分，核無不合，爰分別酌定相當之擔保金額予以准許。 至原告敗訴部分，其假執行之聲請失其依附，應併予駁回。 八、本案事證已臻明確，兩造其餘主張陳述及所提之證據，經核 於本院認定之事實不生影響，爰不予一一論駁，附此敘明。 九、訴訟費用負擔之依據：民事訴訟法第79條。 中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日 　　　　　　　　　民事第六庭　　法　官　許映鈞 以上正本係照原本作成 如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。如 委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。 中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日 　　　　　　　　　　　　　　書記官　陳逸軒 附表三：待拆除物及應負責拆除人之對應表 編號 待拆除物名稱 原證出處 應負責拆除人 1 不鏽鋼架排列而成之屋凸及支撐屋凸之支架 原證19第1~2頁 家欣公司 2 排風管 原證19第3頁 家欣公司 3 自來水設備 原證19第4頁 家欣公司 4 監視器設備 原證19第5頁 家欣公司 5 水塔水箱設備 原證19第6頁 世界健身公司 6 冷卻空調設備 原證19第6頁 世界健身公司 7 熱排風機設備 原證19第7~9頁 世界健身公司 8 配電盤配電箱 原證19第10頁 世界健身公司 9 排風扇 原證19第10頁 世界健身公司 10 上揭編號2至9設備之相關管線設施 原證18左下圖暫編000（1）地號 被告二公司 11 橘色柵欄機 原證19第11頁 世界健身公司 12 橘色柵欄機收費設備、橘色電子顯示設備、黃色電箱設備 原證19第11頁 世界健身公司 13 橘色交通錐 原證19第12頁 家欣公司 14 對應橘色柵欄機所設管線 原證19第13頁 家欣公司 15 一層電梯外側門、牆面、大門、電梯內側門、樓梯牆面 原證19第14至21頁 世界健身公司 16 地下一層電梯門、牆面、天花板 原證19第22至25頁 世界健身公司 17 一層天花板延伸至樓梯上之彩色燈條與附屬之電線設備 原證第19第14、18、20、21、22頁 世界健身公司 18 新北市○○區○○段000地號、同段0000建號之L型通道 對應原證18左下圖暫編000（0）地號 被告二公司 附表四：原證19各區域尺寸及面積計算表 編號 區域 長/高 寬 上底 下底 扣除範圍 扣除範圍之面積說明 面積(平方公分) 1 A1 165 64 　 　 　 　 10,560 2 A2 38 44.5 　 　 　 　 1,691 3 A3 203 38 　 　 　 　 7,714 4 A4 209 80 　 　 　 　 16,720 5 A5 277 38 　 　 460 電梯按鈕面板*2　(23x10)x2=460 10,066 6 B1 229 626 　 　 　 　 143,354 7 B2 180 80 　 　 　 　 14,400 8 B3 30 69 　 　 　 　 2,070 9 B4 30 52 　 　 　 　 1,560 10 B5 30 52 　 　 　 　 1,560 11 B6 30 69 　 　 　 　 2,070 12 B7 15 92.7 　 　 　 　 1,390.5 13 B8 99 69.5 　 　 　 　 6,880.5 14 B9 15 92.7 　 　 　 　 1,390.5 15 B10 99 69.5 　 　 　 　 6,880.5 16 C1 180 80 　 　 　 　 14,400 17 D1 209 80 　 　 　 　 16,720 18 E1 281.4 178.5 　 　 　 　 50,229.9 19 E2 95 137 　 　 　 　 13,015 20 E3(三角形) 95 140 　 　 　 　 6,650.0 21 E4(梯形) 117 　 270 102 　 　 21,762 22 F1 400 405 　 　 　 　 162,000 23 G1 390 126 　 　 　 　 49,140 24 G2(梯形) 48 　 373 390 　 　 18,312 25 G3(梯形) 266 373 　 　 　 　 99,218 26 G4(梯形) 55 　 253 321 　 　 15,785 27 G5 321 14 　 　 　 　 4,494 28 H1 321 24 　 　 　 　 7,704 29 H2 321 159 　 　 　 　 51,039 30 H3 321 212 　 　 603 電梯按鈕面板　67*9=603 67,449 31 I1 321 630 　 　 　 　 202,230 32 J1 321 742 　 　 53295 門:255*209=53295 184,887 33 K1 321 440 　 　 42900 門:220*195=42900 98,340 34 L1 274 477 　 　 　 　 130,698 合計(平方公分) 1,442,379.9 合計(平方公尺) 144.2380 　　　　　　　　　　　　　　 附件：

2025-03-27

PCDV-112-訴-1128-20250327-1

訴
臺灣新北地方法院

排除侵害

臺灣新北地方法院民事裁定 114年度訴字第865號 原 告 施志成 被 告 陳奕伶 上列當事人間請求排除侵害事件，本院裁定如下： 　　主　文 原告應於本裁定送達之日起5日內，補繳第一審裁判費新台幣(下 同)1萬6,335元，逾期未補繳，即駁回原告之訴。 　　理　由 一、按訴訟標的之價額，由法院核定；核定訴訟標的之價額，以 起訴時之交易價額為準；無交易價額者，以原告就訴訟標的 所有之利益為準；訴訟標的之價額不能核定者，以第466條 所定不得上訴第三審之最高利益額數加十分之一定之，民事 訴訟法第77條之1第1項、第2項、第77條之12分別定有明文 。次按原告訴之聲明關於移除噪音源部分，係請求除去侵害 ；關於不得再製造噪音部分，係請求被告不得為一定之行為 ，屬於預防侵害，並非回復人格權之適當處分。兩項請求均 得以金錢衡量，且非對於親屬關係及身分上之權利有所主張 ，自屬財產權訴訟（臺灣高等法院暨所屬法院111年法律座 談會民事類提案第17號研討結果參照）。 二、本件原告起訴請求被告應停止噪音侵入其新北市○○區○○路00 巷00號6樓住處。經核，原告係請求被告除去侵害或不得為 一定之行為，屬於排除或預防侵害，得以金錢衡量，且非對 於親屬關係及身分上之權利有所主張，自屬財產權訴訟，是 其訴訟標的之價額，應以原告如獲勝訴判決，所能獲得客觀 上之利益定之，惟就原告所提訴訟資料，無法衡量原告倘獲 勝訴判決所得受之客觀利益，訴訟標的價額即屬不能核定， 應依民事訴訟法第77條之12規定，以同法第466條所定不得 上訴第三審之最高利益額數加1/10定之，而現不得上訴第三 審之最高利益額數為150萬元，加計1/10為165萬元，故本件 訴訟標的價額應核定為165萬元，應徵收第一審裁判費1萬7, 335元(原告於民國113年12月30日起訴，依114年1月1日施行 「前」之「臺灣高等法院民事訴訟、強制執行費用提高徵收 額數標準」計算)，扣除原告已繳納裁判費1,000元(本院114 年　度重司調字第2號卷第5頁)，尚應補繳第一審裁判費1萬 6,335元(計算式：17,335元－1,000元＝16,335元)。茲依民事 訴訟法第249條第1項但書之規定，限原告於收受本裁定送達 5日內補正如主文所示之事項，逾期未補正，即駁回其訴， 特此裁定。 中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日 　　　　　　　　　民事第七庭　　法　官　王婉如 以上正本係照原本作成。 如對本裁定抗告應於送達後10日內向本院提出抗告狀，並繳納抗 告費新台幣1,500元。 　　　　　　　　　 中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日 　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　張育慈

2025-03-27

PCDV-114-訴-865-20250327-1

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