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商標異議

智慧財產及商業法院行政判決 113年度行商訴字第46號民國114年3月12日辯論終結原告范嘉鑛訴訟代理人鄒純忻律師複代理人范力山律師被告經濟部智慧財產局代表人廖承威訴訟代理人李澤艷參加人迦樂生物科技有限公司代表人李燕萍上列當事人間因商標異議事件，原告不服經濟部中華民國113年6 月7日經法字第11317302760號訴願決定，提起行政訴訟，本院依職權裁定參加人參加訴訟，判決如下：　　主文一、訴願決定及原處分關於「主張商標法第30條第1項第12款部分，異議不成立」部分均撤銷。二、被告就註冊第02202983號「ShuBeijia 舒倍佳舒膚帶」商標，應作成異議成立撤銷註冊之處分。三、訴訟費用由被告負擔。　　事實及理由甲、程序方面壹、參加人經合法通知（本院卷第139頁），無正當理由於言詞辯論期日未到場，核無民事訴訟法第386條各款所列情形，依行政訴訟法第218條準用民事訴訟法第385條第1項前段規定，准原告及被告聲請，由到場之當事人辯論而為判決（本院卷第173頁）。貳、原告起訴時第1、2項聲明為：「訴願決定及原處分均撤銷」、「被告就註冊第02202983號商標應作成『異議成立，註冊應予撤銷』之處分」，於訴訟進行中補正為：「訴願決定及原處分關於『主張商標法第30條第1項第12款部分，異議不成立』部分均撤銷」、「被告就註冊第02202983號『ShuBeijia 舒倍佳舒膚帶』商標（圖樣如附圖一所示，下稱系爭商標）應作成『異議成立，註冊應予撤銷』之處分」（本院卷第13頁、第122頁、第141頁），明確其訴之聲明，核非訴之變更或追加，被告表示同意（本院卷第122頁），予以准許。　　乙、實體方面　　壹、爭訟概要：　　參加人於民國110年7月28日以「ShuBeijia 舒倍佳舒膚帶」商標，指定使用於被告所公告商品及服務分類第25類之「衣服；睡衣；內衣；內褲；初生嬰兒服；嬰兒褲；圍巾；頭巾；圍脖套；襪子；服飾用手套；露指手套」商品，向被告申請註冊，經審准列為系爭商標。嗣原告於商標法第48條第1 項所定異議期間內以系爭商標有違同法第30條第1項第12款規定提起異議，復於異議期間屆滿後追加主張系爭商標有違同條項第10款規定。案經被告審認系爭商標未違反商標法第 30條第1項第12款規定，且原告追加主張同條項第10款規定部分已逾法定期間，於113年1月22日以中台異字第G0111024 5號商標異議審定書為「主張商標法第30條第1項第10款部分，異議不受理」、「主張商標法第30條第1項第12款部分，異議不成立」之處分（下稱原處分）。原告不服前揭異議不成立部分提起訴願，經濟部於113年6月7日以經法字第11317 302760號訴願決定駁回（下稱訴願決定），原告不服提起行政訴訟，本院認本件判決結果將影響參加人之權利或法律上利益，依職權命參加人參加本件訴訟（本院卷第75至76頁）。貳、原告主張及聲明：一、系爭商標之中文「舒膚帶」為伊登詩服裝有限公司（下稱伊登詩公司）代表人即原告所獨自發想使用，於110年取得註冊第02121138號「Edenswear舒膚帶設計字」商標（圖樣如附圖二所示，下稱據以異議商標），參加人係於106年間因異業結盟成為伊登詩公司經銷商，銷售伊登詩公司服飾與繃帶等商品，知悉伊登詩公司商品信息，於結束合作後覬覦商業利益，以有中文「舒膚帶」之系爭商標搶註於第25類商品。「舒膚帶」是原告開發提供濕疹患者從事濕敷療法的系列商品，所販售「舒膚帶」商品除第5類醫療用紗布繃帶外，還有天絲布料人工縫製而成不同口徑大小的圓筒狀長條形繃帶，可自由剪裁成袖套、手套、襪子及衣服，屬第25類之服飾配件，穿戴於皮膚敏感處，用以減緩摩擦提升舒適度，抗菌修復肌膚保護患部，可水洗重複使用，經由消費者反饋而增加一款適合全身性濕疹患者穿著的「濕敷衣」商品，考量 SEO優化才將「濕敷衣」關鍵字增加在網路商品分類根目錄，系爭商標與據以異議商標構成近似且近似程度不低，原告於系爭商標註冊申請日前先使用中文「舒膚帶」於濕敷衣商品，與系爭商標指定使用商品為高度類似商品，參加人顯係因業務往來關係而知悉原告使用中文「舒膚帶」於前揭商品，意圖仿襲而申請系爭商標註冊，違反商標法第30條第1項第12款規定，應撤銷系爭商標之註冊。二、聲明如甲之貳補正聲明所示。參、被告答辯及聲明：　　一、原告與參加人間固曾具業務合作關係，然依原告現有使用證據資料及另案中台評字第H01100117號商標評定書，至多可認定原告早於系爭商標註冊申請日前，有將據以異議商標使用於繃帶商品，然繃帶商品之功能係保護受傷、受損皮膚，或用於骨傷患者固定物外面包覆纏繞之帶（條、筒）狀布料，與系爭商標指定使用之商品係具保暖、美觀功能之人體穿戴衣物相較，前者屬敷藥或保護特殊皮膚材料，後者則屬日常人體穿戴商品，二者功能、用途、原料、行銷場所截然不同，應非屬同一或類似商品，與商標法第30條第1項第12款本文所定「同一或類似商品或服務」之要件不符，系爭商標之註冊自無該條款規定之適用。二、聲明：駁回原告之訴。　　　　肆、參加人經合法通知未於準備程序及言詞辯論期日到場，亦未提出任何書狀為聲明或陳述。　伍、爭點（本院卷第125頁）：　　　　系爭商標是否有商標法第30條第1項第12款本文規定不得註冊之情形？陸、本院判斷：　　　　　一、依商標法第30條第1項第12款本文規定，商標有相同或近似於他人先使用於同一或類似商品或服務之商標，而申請人因與該他人間具有契約、地緣、業務往來或其他關係，知悉他人商標存在，意圖仿襲而申請註冊者，不得註冊。其立法意旨為：⒈本法除以保障商標權人及消費者利益為目的外，亦寓有維護市場公平競爭秩序之功能。本此意旨，將因與他人有特定關係，而知悉他人先使用之商標，非出於自創加以仿襲註冊者，顯有違市場公平競爭秩序情形，列為不得註冊之事由。⒉至於申請人是否基於仿襲意圖所為，自應斟酌契約、地緣、業務往來或其他等客觀存在之事實及證據，依據論理法則及經驗法則加以判斷。二、茲依原告所提證據清單所示證據，就原告使用據以異議商標之中文「舒膚帶」情形審酌如下：　㈠申證1為據以異議商標註冊證，其註冊日為110年2月16日，早於系爭商標註冊申請日110年7月28日及註冊日111年2月16日。申證2為原告經營之伊登詩公司於106年9月14日至30日出售予參加人三角褲、手套、袖套、口罩、男女內衣等商品出貨單明細表，可證明雙方於106年9月間有業務往來關係，再依參加人異議階段之商標異議答辯書稱其以「舒膚帶」作為繃帶商品品牌名稱，由原告提供之申證2出貨單可窺見原告為代工廠之答辯意旨，參照答證2所示同時期之「舒膚帶」商品圖片（異議卷第37頁反面、第45頁），申證2亦可佐證參加人於106年9月間有向原告經營之伊登詩公司購買「舒膚帶」商品。申證4原告與參加人公司人員對話紀錄截圖中，原告提及衣服材質「衣服是第二層肌膚對外有保護效果」、「常看客人買網路地攤衣服其實染劑有毒會過敏」等語，並稱「暫且取名叫伊登詩舒膚帶」（異議卷第57至58頁），可認中文「舒膚帶」係由原告發想命名。申證9圖片可知原告之「舒膚帶」（藍線）商品由天絲布料人工車縫成條形筒狀，可自由剪裁成袖套、手套、襪子及衣服，與醫療用紗布繃帶商品不同。申證10伊登詩官方粉絲專頁於106年9月20日記載「伊登詩鋅纖維舒膚帶上市了，採用布料車縫方式製成，改善傳統繃帶容易鬚邊疲乏缺點，德國專利技術抗菌耐水洗可重複使用，雙向彈力穿脫方便，用過的媽咪都說讚」等語。申證12伊登詩公司網頁商品介紹（網址：www.edenswear. com.tw/products_detail/濕敷繃帶 - Edenswear 舒膚帶藍線 /1），內容提及「舒膚帶」特點在於改善傳統繃帶無法重複使用的缺點，使用專利鋅纖維，含高劑量氧化鋅，超細天絲棉材質，德國專利技術水洗百次，依然維持80％高濃度氧化鋅，可重複水洗使用等文。申證13及原證2以網路時光機（Wayback machine）回溯107年1月17日伊登詩公司歷史網頁，可見於中文「舒膚帶」商品項下，有「濕疹異位性皮膚炎濕敷濕裹專用衣服」。申證14可見伊登詩公司網頁「濕敷衣」商品之「產品詳細」中以中文「舒膚帶」為介紹內容。原證1及原證3以網路時光機回溯109年9月26日伊登詩公司歷史網頁，於「舒膚帶/濕敷衣」商品項下有濕敷衣商品照片，「濕敷衣」商品資訊強調舒膚帶商品特性。原證4伊登詩官方粉絲專頁於107年1月22日記載「伊登詩鋅纖維舒膚帶濕敷衣是您的好幫手……超細天絲棉柔軟舒適」等語，其下方之網址連結即為原證2之網址，而原證2頁面左側列表僅有中文「舒膚帶」，其項下商品包含「濕疹異位性皮膚炎濕敷濕裹專用衣服」。原證5伊登詩公司蝦皮賣場販售濕敷衣商品之記載為「Edenswear 舒膚帶濕敷衣濕敷療法使用」，其下方可見最早之消費者評論日期為108年10月28日。　㈡申證3、申證5至申證8、申證11、申證15為參加人網站網頁或商品相關圖片資料；原證6Dcard、PTT網路論壇討論係為回應被告質疑原證5消費者評價未依時序先後羅列之質疑所提資料，均非原告使用中文「舒膚帶」於商品之使用事證。　㈢依上所述，原告之「舒膚帶」商品有由天絲布料人工車縫成條形筒狀款式，雖俗稱為「繃帶」，然該款舒膚帶商品可自由剪裁成袖套、手套、襪子及衣服，與一般觀念之醫療紗布繃帶不同，伊登詩公司官方粉絲專頁於106年9月20日介紹上市之舒膚帶商品，於107年1月22日介紹舒膚帶材質之濕敷衣商品，伊登詩公司網頁於107年1月17日、109年9月26日中文「舒膚帶」項下列有使用該布料材質之「濕疹異位性皮膚炎濕敷濕裹專用衣服」，伊登詩公司蝦皮賣場販售舒膚帶濕敷衣商品，於108年至111年間有多位消費者給予評價，堪認原告有於系爭商標110年7月28日申請註冊前，將據以異議商標之中文「舒膚帶」使用於天絲布料人工車縫成條形筒狀，可自由剪裁成袖套、手套、襪子及衣服之舒膚帶商品及濕敷衣商品之事實。三、系爭商標係由未經設計之外文「ShuBeijia」及中文「舒倍佳舒膚帶」上下併排所組成；據以異議商標則是由略經設計之外文「Edenswear」及中文「舒膚帶」上下併排所組成。系爭商標與原告前揭使用據以異議商標之中文「舒膚帶」相較，均有明顯之「舒膚帶」字樣，以具有通常知識經驗之消費者，於消費時施以普通之注意，有可能會誤認二者為來自同一來源，或雖不相同但有關聯之來源，應屬構成近似之商標，且近似程度高。四、系爭商標指定使用之「衣服；睡衣；內衣；內褲；初生嬰兒服；嬰兒褲；圍巾；頭巾；圍脖套；襪子；服飾用手套；露指手套」商品，與據以異議商標之中文「舒膚帶」使用於可自由剪裁成袖套、手套、襪子及衣服之舒膚帶商品及濕敷衣商品相較，二者皆屬布料紡織類商品，提供人身穿戴，具有保護身體功能，滿足消費者日常穿著需求，於材料、功能、產製者、消費族群等因素上，具有共同或關聯之處，如標上相同或近似之商標，依一般社會通念及市場交易情形，易使商品消費者誤認其為來自相同或雖不相同但有關聯之來源，二者應屬同一或類似程度高之商品。五、原告於系爭商標申請註冊前，已先使用據以異議商標之中文「舒膚帶」於天絲布料人工車縫成條形筒狀，可自由剪裁成袖套、手套、襪子及衣服之舒膚帶商品及濕敷衣商品，業如前述，而由申證2出貨明細表可見原告與參加人於106年9月間即有業務往來關係，參照答證2商品圖片可知參加人於106 年9月間有向原告經營之伊登詩公司購買「舒膚帶」商品，申證4原告與參加人公司人員對話紀錄截圖內容，可認中文「舒膚帶」係由原告發想命名，再參諸已確定之另案中台評字第H01100117號商標評定書亦認定中文「舒膚帶」係由原告先於參加人發想使用於繃帶商品（異議卷第146至150頁，本院卷第127至130頁、第174頁）等情以觀，參加人應係基於業務往來關係，知悉原告先使用據以異議商標之中文「舒膚帶」，意圖仿襲而申請系爭商標之註冊。　　柒、綜上所述，系爭商標有商標法第30條第1項第12款本文規定不得註冊之情形，原處分關於「主張商標法第30條第1項第1 2款部分，異議不成立」部分之審定，即有違誤，訴願決定予以維持，亦有未洽，原告請求撤銷訴願決定及原處分關於前揭異議不成立部分，並命被告就系爭商標應作成異議成立，註冊應予撤銷之處分，為有理由，應予准許。捌、本件判決基礎已經明確，當事人其餘攻擊防禦方法及訴訟資料經本院斟酌後，核與判決結果不生影響，並無一一論述的必要。　　　　　玖、結論：原告之訴為有理由，依智慧財產案件審理法第2條，行政訴訟法第98條第1項前段、第218條，民事訴訟法第385 條第1項前段規定，判決如主文。　　　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　　　　　智慧財產第一庭　　審判長法官　汪漢卿　　法官　蔡惠如　　法官　陳端宜以上正本係照原本作成。一、如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示或公告後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。二、上訴未表明上訴理由且未於前述20日內補提上訴理由書者，逕以裁定駁回。三、上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第49條之1第1項第3款）。但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第3項、第4項）。得不委任律師為訴訟代理人之情形所需要件㈠符合右列情形之一者，得不委任律師為訴訟代理人 1.上訴人或其代表人、管理人、法定代理人具備法官、檢察官、律師資格或為教育部審定合格之大學或獨立學院公法學教授、副教授者。 2.稅務行政事件，上訴人或其代表人、管理人、法定代理人具備會計師資格者。 3.專利行政事件，上訴人或其代表人、管理人、法定代理人具備專利師資格或依法得為專利代理人者。㈡非律師具有右列情形之一，經最高行政法院認為適當者，亦得為上訴審訴訟代理人 1.上訴人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親具備律師資格者。 2.稅務行政事件，具備會計師資格者。 3.專利行政事件，具備專利師資格或依法得為專利代理人者。 4.上訴人為公法人、中央或地方機關、公法上之非法人團體時，其所屬專任人員辦理法制、法務、訴願業務或與訴訟事件相關業務者。是否符合㈠、㈡之情形，而得為強制律師代理之例外，上訴人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出㈡所示關係之釋明文書影本及委任書。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　　　　　　　書記官　吳祉瑩

2025-03-31

IPCA-113-行商訴-46-20250331-2

司民聲

智慧財產及商業法院

聲請確定訴訟費用額

智慧財產及商業法院民事裁定 114年度司民聲字第3號聲請人張秀美住臺南市中西區國華街2段99號送達代收人陳景煒之7 相對人黃筠堤住臺南市北區大興街76巷105號上列當事人間請求排除侵害商標權行為事件，聲請人聲請確定訴訟費用額，本院裁定如下：主文相對人應負擔之訴訟費用額確定為新臺幣肆萬參仟參佰參拾柒元，及自本裁定確定之翌日起至清償日止，按年息百分之五計算之利息。理由一、按法院未於訴訟費用之裁判確定其費用額者，於訴訟終結後，第一審受訴法院應依聲請以裁定確定之。依第一項確定之訴訟費用額，應於裁判確定之翌日起，加給按法定利率計算之利息，民事訴訟法第91條第1項、第3項分別定有明文。二、聲請人與相對人間請求排除侵害商標權行為事件，經本院11 2年度民商訴字第14號、113年度民商上字第9號判決確定，第一（除確定部分外）、二審訴訟費用由相對人負擔。　　三、經本院調卷審查後，聲請人繳納第一、二審裁判費新臺幣（下同）17,335元、26,002元，應由相對人負擔43,337元【計算式：17,335元+26,002元＝43,337元】，皆由聲請人所預納。從而，相對人應賠償聲請人所預納之訴訟費用額即確定為 43,337元，並依民事訴訟法第91條第3 項規定，加給自裁定確定之翌日起至清償日止按法定利率即年息百分之五計算之利息。爰裁定如主文。　　四、如不服本裁定，應於裁定送達後10日內，以書狀向本院司法事務官提出異議，並繳納裁判費1,000元。　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28 　日智慧財產第二庭司法事務官　許秀如

2025-03-28

IPCV-114-司民聲-3-20250328-1

民專訴

智慧財產及商業法院

侵害專利權有關財產權爭議

智慧財產及商業法院民事判決 113年度民專訴字第14號原告東聿企業有限公司法定代理人賴志成住同上訴訟代理人張家瑋律師被告宥晉企業有限公司弄1之6號1樓兼法定代理人張宇均住同上上二人共同訴訟代理人陳豐裕律師複代理人湯其瑋律師薛祐珽律師上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議事件，本院於民國114 年3月3日言詞辯論終結，判決如下：主文原告之訴及假執行之聲請均駁回。訴訟費用由原告負擔。　　事實及理由一、原告主張：　㈠原告為我國第M355774號「雷射焊接機之構造」新型專利（下稱系爭專利1）、第M479173號「雷射焊接機之構造」新型專利（下稱系爭專利2，以下合稱系爭專利）之專利權人。被告張宇均前於民國97年1月1日至100年6月29日任職於原告公司，於離職後設立被告宥晉企業有限公司(下稱被告公司)，因未經原告同意或授權，重製原告所有之「移動式現場雷射焊補機」、「精巧型雷射焊補機」等照片違反著作權法，於 103年10月17日經臺灣臺南地院檢察署（下稱臺南地檢署）以103年度偵字第9401號提起公訴，經臺灣臺南地方法院（下稱臺南地院）103年度智易字第20號審理。原告與被告公司及被告張宇均於前開案件審理期間，於104年3月26日以臺南地院104年度司南調字第129號調解成立，並簽立和解書（下稱系爭和解書）。　㈡詎被告在系爭專利之專利權期間內，於107年間出售「雷射焊補機」（下稱系爭產品）予第三人仲誼企業有限公司（下稱仲誼公司），供仲誼公司履行其所得標「國防部軍備局生產製造中心第二０五廠」（下稱二０五廠）之「雷射焊補機乙台（JE07037P014PE）」標案（下稱系爭標案）侵害系爭專利權。原告於112年間始知悉上情，爰依專利法第120條準用第 96條第2項、民法第184條第1項前段；或系爭和解書第二點、專利法第97條第1項第2款、第2項；公司法第23條第2項提起本件訴訟。　㈢並聲明：　　⒈被告公司與被告張宇均應連帶給付原告新臺幣（下同）100 萬元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息。　　⒉願供擔保，請准宣告假執行。二、被告答辯：　㈠系爭專利1之專利權期間係自98年5月1日起至107年9月24日止，系爭專利2之專利權期間係自103年6月1日起至112年11月2 8日止；惟系爭專利於本件112年12月22日起訴時已消滅。　㈡由原告所提供的原證5可知，其為系爭標案之投標公司之一，至少在該標案投標時已然知悉上述標案中之技術內容；原告於接獲二０五廠107年1月12日備二五物字第0000000000號函時，便知悉仲誼公司為系爭標案之得標公司。㈢原告如認為依據系爭標案規格開發之系爭產品有侵害系爭專利，在當時便應該主張其權利，其在5年後，於112年12月22 日才提起本件訴訟，明顯已逾得請求損害賠償之請求權行使之2年時效。又系爭產品係依被告於105年4月21日取得之第M 520429號「三軸雷射加工裝置」新型專利所實施之產品，此在仲誼公司訂購前開機器即107年1月16日之前。被告售予仲誼公司之新型WTL-3100S雷射焊補機，依被告自己之專利實施即可，無須仿造系爭專利之技術。　㈣系爭產品未設置第一轉軸組、橫軸桿；第二轉軸組等相關組件，不具有系爭專利1之「轉動座上的縱軸桿沿X軸左、右擺動、結合於縱軸桿上的橫軸桿沿Y軸上、下擺動」的特徵，其控制單元亦不具有「分別與該座體、第一轉軸組以及第二轉軸組電性連接，並由該控制單元得控制該第一轉軸組與第二轉軸組之擺動」特徵，系爭產品確實未落入系爭專利1的專利權範圍。系爭產品既依據被告所有之新型專利實施，顯然與系爭專利2之結構設計不同，相較之下也已具備功效增進。因之，原告稱被告侵害其所有之系爭專利，確實無理由。　㈤原告提出之臺南地檢署103年度偵字第9401號對被告提起公訴之起訴書及臺南地院臺南簡易庭104年度司南調字第129號調解筆錄，其內容係因原告提起告訴，檢察官認被告在網站上使用原告「移動式現場雷射焊補機」、「精巧型雷射焊補機」之照片違反著作權法提起公訴，雙方達成和解後結案，原告並未舉證被告有違反上開調解筆錄之相關事證，該案與本件侵害專利權爭議事件無涉。㈥並聲明：原告之訴駁回，如受不利判決願供擔保請准宣告免為假執行。三、兩造不爭執事實(本院卷第168、179至180、208頁) ㈠原告為系爭專利1、2之專利權人。　㈡被告對原告提出之系爭專利說明書、專利證書、臺南地檢署起訴書；臺南地院臺南簡易庭調解筆錄、第二０五廠107年1 月12日決標通知函暨系統品項規格表等證據（原證1至原證7 ）形式真正不爭執。　　四、爭執事項(本院卷第168、180、208頁) ㈠原告提起本件訴訟，是否已罹於時效？　㈡原告主張被告製造系爭產品供訴外人仲誼公司投標，侵害系爭專利，是否有理由？㈢被告之系爭產品如侵害系爭專利，原告得請求被告連帶負損害賠償責任，是否有理由？五、原告之請求權已罹消滅時效　　　㈠按專利法第96條第2項專利侵害損害賠償請求權及同條第5項發明人姓名受侵害之回復請求權，自請求權人知有損害及賠償義務人時起，二年間不行使而消滅，同法第96條第6項定有明文。次按消滅時效係權利人就已發生並得行使之請求權，長時間的不行使，在一定期間經過後，發生權利人因此喪失或不得行使該請求權之法律效果，其規範目的，一方面在於維持法的和平與安定，另方面則在於避免債務人長時間陷入法律關係不安定的窘境，此種債務人利益優先於債權人保護之思想，乃以債權人遲未主張其已知悉之請求權，違反自己利益，為其正當化之基礎（最高法院106年度台上字第174 0號判決參照）。又按關於侵權行為損害賠償請求權之消滅時效，應以請求權人實際知悉損害及賠償義務人時起算，非以知悉賠償義務人因侵權行為所構成之犯罪行為經檢察官起訴，或法院判決有罪為準（最高法院97年度台上字第343號判決參照）。㈡經查系爭標案係二０五廠於107年1月8日開標，由訴外人仲誼公司以總價決標，有原告提出二０五廠107年1月12日函知原告公文，該函文對象包括本件原告及其他三家競標公司可稽（見原證5，本院卷第77頁）。嗣本院函請仲誼公司就其於1 07年間標得二０五廠之系爭標案，是否向被告公購買雷射焊補機？該公司回覆表示：其於107年1月收到二０五廠決標通知函，之後即收到原告公司來電告知其與被告張宇鈞有「智慧財產權爭議」；原告公司當時即知悉系爭標案係其委由被告公司製造提供，當時該產品有無侵權疑慮，即請被告公司提出相關證明文件以進行確認，被告公司即提出相關專利說明文件（第M520429號「三軸雷射加工裝置」新型專利，於1 06/03/10即獲舉發不成立審定)，其確認該產品並無侵權問題後，才進行後續之交貨程序等語（見本院卷第215、227頁）；之後本院再函詢上開回覆函所稱「智慧財產權爭議」具體內容為何？被告公司第M520429號新型專利技術內容是否與系爭標案內容相同？所稱確認被告公司產品無侵權問題部分，是否指有將該產品與他人之同一類產品對比？抑或是被告公司提出舉發不成立審定即直接認為該產品無侵權問題？該公司回覆表示：其不了解兩造爭議詳細內容，只大概知道是被告張宇鈞使用舊設備的面板照片而有爭議，此事與其產品設備無關，未予瞭解詳細內容；又因時間久遠，未保留文件，僅能回覆重點事項等語（見本院卷第375至376、381頁）。　㈢原告雖稱其於112年11月1日進出二０五廠時始知悉被告公司提供仲誼公司系爭產品之外觀、構造，尤其「整合式控制盒」之設計有侵害系爭專利情形云云，並提出二０五廠械彈出廠放行證明單為證（見原證8，本院卷第343頁）。然本院向二０五廠函查，請該廠對原告公司負責人賴志成於2023(112)年 11月1日進出二０五廠攜出彈匣殼品項時，有無接觸系爭標案所採購之「雷射焊補機」產品？若然，其接觸程度為何？予以查明，二０五廠回覆表示：經查賴志成並無接觸到系爭標案設備等語（見本院卷第423至425、433至435頁）。　㈣由上開事證觀之，原告於107年1月12日收到二０五廠通知得知系爭標案由仲誼公司得標，隨即該公司接到原告通知函告知，表示原告與被告張宇鈞有智慧財產權爭議，而系爭標案為雷射焊補機設備，所稱「智慧財產權爭議」應指與原告之系爭專利技術內容相關，可能涉及系爭專利，仲誼公司並稱原告於當時知悉其得標提供之設備為被告公司製造，因之，本件侵害系爭專利損害賠償請求權之消滅時效，應以原告於10 7年1月間起算，原告於112年12月22日始提起本件訴訟，已逾專利法第96條第6項所定二年期間，其損害賠償請求權時效業已消滅。六、綜上所述，原告主張被告公司之系爭產品侵害系爭專利，因已逾二年時效期間，其損害賠償請求權已為消滅。被告抗辯原告請求權時效消滅，為有理由。從而原告依專利法第96條第2項規定請求損害賠償，為無理由，應予駁回。原告之訴既經駁回，其假執行之聲請失所附麗，併予駁回。七、本件其餘爭點（系爭產品有無落入系爭專利之專利權範圍、被告應否負損害賠償責任及損害賠償金額應如何計算部分），即無逐一論駁之必要，附此敘明。　　八、據上論結，本件原告之訴無理由，依智慧財產案件審理法第 2條、民事訴訟法第78條，判決如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日智慧財產第三庭法官李維心以上正本係照原本作成。如不服本判決，應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，上訴時應提出委任律師或具有智慧財產案件審理法第10條第1項但書、第5項所定資格之人之委任狀；委任有前開資格者，應另附具各該資格證書及釋明委任人與受任人有上開規定（詳附註）所定關係之釋明文書影本。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日　　　　　　　　　　　　　書記官林佳蘋附註：智慧財產案件審理法第10條第1項、第5項智慧財產民事事件，有下列各款情形之一者，當事人應委任律師為訴訟代理人。但當事人或其法定代理人具有法官、檢察官、律師資格者，不在此限：一、第一審民事訴訟事件，其訴訟標的金額或價額，逾民事訴訟法第四百六十六條所定得上訴第三審之數額。二、因專利權、電腦程式著作權、營業秘密涉訟之第一審民事訴訟事件。三、第二審民事訴訟事件。四、起訴前聲請證據保全、保全程序及前三款訴訟事件所生其他事件之聲請或抗告。五、前四款之再審事件。六、第三審法院之事件。七、其他司法院所定應委任律師為訴訟代理人之事件。當事人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親，或當事人為法人、中央或地方機關時，其所屬專任人員具有律師資格，並經法院認為適當者，亦得為第一項訴訟代理人。

2025-03-28

IPCV-113-民專訴-14-20250328-2

民著訴

智慧財產及商業法院

不當行使著作權所生損害賠償爭議

智慧財產及商業法院民事裁定 113年度民著訴字第43號原告蔣孟宏即觸電網工作室訴訟代理人王志超律師（兼上一人及次一人之送達代收人）鍾璨鴻律師被告車庫娛樂股份有限公司法定代理人邵光琦住同上訴訟代理人徐則鈺律師（兼上一人之送達代收人）上列當事人間請求不當行使著作權所生損害賠償爭議事件，本院裁定如下：主文一、本件於本院113年度民著上再字第1號及113年度民著上再字第3號排除侵害著作權行為事件訴訟終結前，停止訴訟程序。二、原定民國114年5月13日上午9時30分言詞辯論期日取消。　　理由一、按訴訟全部或一部之裁判，以他訴訟之法律關係是否成立為據者，法院得在他訴訟終結前以裁定停止訴訟程序，民事訴訟法第182條第1項定有明文。二、本件原告主張其所經營之觸電網YouTube（下稱系爭頻道），係將電影公司發行之各類電影預告片，上傳至系爭頻道，被告竟於民國111年4月2日起未經事先告知陸續向YouTube平台惡意檢舉，導致系爭頻道遭停權、下架，原告經營12年來共計5,000多支合法授權之正版影片付之一炬，迄未恢復。爰依著作權法第90條之11規定，請求被告賠償原告自同年4 月1日至113年3月31日未能營業之損失新臺幣1,536,000元。三、被告則抗辯其為本件影片之專屬被授權人，業經本院111年度民著訴字第40號民事判決、112年度民著上字第12號民事判決及最高法院113年度台上字第718號民事裁定（乙證1至3 、丁證3。下稱第1件另案民事事件）、與本院112年度民著訴字第19號民事判決及112年度民著上字第25號民事判決（甲證21、22。下稱第2件另案民事事件）等確定裁判認定在案，故原告請求損害賠償為無理由等語。四、經查原告已對前述2件另案民事事件提起再審之訴，現由本院以113年度民著上再字第1號、113年度民著上再字第3號審理中。而本件爭點包含本件原告起訴是否為第1件另案民事事件效力所及？有無違反一事不再理原則，重複起訴？被告於甲附表1-1「YT影片下架日期」欄所示時間為檢舉行為時，是否為系爭影片之專屬被授權人？（本院卷一第402頁）。故此2件另案民事事件為本件訴訟先決問題，依首揭規定，本院認有裁定停止本件訴訟程序之必要，爰裁定如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日智慧財產第一庭法官　蔡惠如以上正本係照原本作成。如不服本裁定應於送達後10日內向本院提出抗告狀，並繳納抗告費新臺幣1,500元。　中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日　　　　　　　　　　　　　書記官　邱于婷

2025-03-28

IPCV-113-民著訴-43-20250328-1

民專訴

智慧財產及商業法院

排除侵害專利權等

智慧財產及商業法院民事判決 112年度民專訴字第66號原告 ENTEGRIS, INC.（美國安堤格里斯公司）法定代理人 Joseph Colella 訴訟代理人張哲倫律師羅秀培律師複代理人蔡昀廷律師訴訟代理人許文亭專利師林蘭君專利師複代理人古乃任專利師被告兆捷科技國際股份有限公司兼法定代理人高啓全上二人共同訴訟代理人賴安國律師楊啓元律師黃秀禎律師蔡祁芳律師上列當事人間排除侵害專利權等事件，本院於民國114年2月17日言詞辯論終結，判決如下：主文原告之訴及假執行之聲請均駁回。訴訟費用由原告負擔。　　事實及理由壹、程序部分一、按民事事件涉及外國人或外國地者，為涉外民事事件，內國法院應先確定有國際管轄權，始得受理，次依內國法之規定或概念，就爭執之法律關係予以定性後，決定應適用之法律（即準據法），而涉外民事法律適用法並無明文規定國際管轄權，應類推適用民事訴訟法之規定（最高法院98年度台上字第2259號判決意旨參照）。本件原告美商ENTEGRIS, INC. 為依外國法設立之外國法人，具有涉外因素，為涉外民事事件。原告主張被告在我國境內，侵害其所有第I386983號（下稱系爭專利1）、第I466179號（下稱系爭專利2，與系爭專利1合稱系爭專利）「用以增進離子植入系統中之離子源的壽命及性能之方法與設備」專利權，乃依專利法、民法及公司法規定，起訴請求排除防止被告侵害系爭專利及賠償損害，是應定性為專利侵權事件，應類推民事訴訟法第1條前段及第15條第1項因侵權行為涉訟之特別審判籍規定，以行為地之我國法院有國際管轄權。再者，依專利法所保護之智慧財產權益所生之第一、二審民事訴訟事件，智慧財產及商業法院有專屬管轄權，智慧財產及商業法院組織法第3條第1 款、智慧財產案件審理法第9條第1項定有明文。是以本院對本件涉外民事事件具有管轄權，並適用涉外民事法律適用法以定本件涉外民事事件之準據法。二、準據法之選定：　　按關於由侵權行為而生之債，依侵權行為地法；以智慧財產為標的之權利，依該權利應受保護地之法律，涉外民事法律適用法第25條第1項及第42條第1項分別定有明文。依上開規定，本件自應適用我國法為準據法。三、當事人能力：　　按公司法於民國107年8月1日修正、同年11月1日公布施行之第4 條規定：「本法所稱外國公司，謂以營利為目的，依照外國法律組織登記之公司。外國公司，於法令限制內，與中華民國公司有同一之權利能力。」，即廢除外國公司認許制度，尊重依外國法設立之外國公司於其本國取得法人人格之既存事實，而認與我國公司具有相同權利能力。又按有權利能力者，有當事人能力，民事訴訟法第40條第1項定有明文。本件原告為依外國法律設立之外國法人，與我國公司有同一之權利能力，有當事人能力，自得為本件原告。貳、實體部分一、原告主張略以：　㈠原告為系爭專利1、2之專利權人，專利權間至120年2月24日。被告兆捷科技國際股份有限公司（下稱被告公司，與被告高啟全合稱為被告）為公開發行公司，登錄為興櫃股票，主要經營業務為產銷電子化學特殊氣體，其於公開說明書表示，原告與其均通過台灣積體電路製造股份有限公司供應認證，為電子植入氣體可量產之生產廠家等情，可證兩造為競爭同業。　㈡被告公司產銷之離子植入氣體產品「11B Enriched Boron Tr ifluoride (11BF3/H2) - SAG II (同位素濃化之三氟化硼及氫氣之氣體混合物SAGII機械式負壓鋼瓶）」（下稱系爭產品1），經原告發現至少直接侵害系爭專利1之更正後請求項15、18及19，直接或間接侵害系爭專利1之更正後請求項1 、7、9、13、15至18。　㈢被告公司另產銷之「Enriched 72Germanium Tetrafluoride 2 (72GeF4/H2) - SAGII(同位素濃化之四氟化鍺及氫氣之氣體混合物SAGII機械式負壓鋼瓶）」（下稱系爭產品2），經原告發現直接侵害系爭專利1之更正後請求項15至19，間接侵害系爭專利1之請求項1、6、11及13。又原告發現系爭產品2侵害系爭專利2之更正後請求項1、2、4、5、10、12、13 。㈣被告高啟全為被告兆捷公司之負責人，而原告因上開侵害行為受有損害，依專利法第96條第1 項至第3 項、民法第184 條第1項前段、第185條、第179條及公司法第23條第2項規定，請求排除及防止被告等繼續侵害系爭專利，並請被告二人連帶賠償損害。　㈤並聲明：　　⒈被告公司不得直接或間接、自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用、或為上述目的而進口系爭產品1、2 及其他侵害原告系爭專利1、2發明專利權之產品。　　⒉被告兆捷公司應回收並銷毁前項聲明之侵權產品。 ⒊被告等應連帶給付原告新臺幣（下同）2,000萬元整暨自起訴狀繕送達翌日起至清償日止，按年息5%計算之利息。　　⒋第1項及第3項之聲明，原告願以現金或同額之兆豐國際商業銀行安和分行之無記名可轉讓定期存單供擔保，請准宣告假執行。二、被告答辯略以：　㈠系爭專利1 申請時係以「專利審查高速公路」方式，以全部請求項皆與美國對應案第US8237134號完全相同，該對應案業已核准為由申請專利，由經濟部智慧財產局（下稱智慧局）審查後，於101年12月20日核准專利。除專利權人業於申請案中自認全部請求項皆與美國對應案完全相同外，本件原告所主張之系爭專利1 請求項1 、6、7、9、11、13、15至1 9 ，與美國對應案第US8237134號完全相同，而該美國對應案經美國專利商標局（USPTO) 專利複審委員會於西元2018 年(107年)3月29日，就系爭專利1美國對應案US8237134之有效性，作出第IPR2016-01845 號最終書面決定（參乙證4），認定全部請求項皆有一種以上無效證據組合，足以證明其具有應撤銷之原因；並於西元2020年(109年）1月29日公告該美國對應案全部請求項撤銷之公告。原告為乙證4 最終書面決定之當事人，對於乙證4認定系爭專利1請求項1、6、7 、9 、11、13、15至19(本件原告所主張系爭專利1請求項）具有應撤銷原因之事實，自屬明知。原告在本件中所主張之系爭專利2 所有請求項之所有技術特徵，完全涵蓋在系爭專利1 請求項15及請求項11。因此，系爭專利1請求項15及請求項11之應撤銷原因(「Rendon,ATMI VAC,and Gupta」之組合，以及「Rendon,Trace,and Gupta」之組合即為系爭專利 2 請求項1、2、4、5、9、10、12、13、24、26之應撤銷原因。原告明知系爭專利有應撤銷之原因，竟提起本件訴訟，顯非為維護其權利，而係干擾被告公司合法商業活動，具惡意之商業競爭，其起訴不合法，法院應依民事訴訟法第249 條第1項第8款、第2項規定駁回原告之訴訟。　㈡被告提出乙證7及其他證據組合，主張系爭專利1及系爭專利2 皆有應撤銷之原因，對原告不得行使權利，即：　　⒈乙證7足證更正後系爭專利1請求項1不具新穎性或不具進步性；乙證7與自認習知技術之組合，或乙證7與乙證6之組合，或乙證7與乙證8及自認習知技術之組合，或乙證7與乙證9及自認習知技術之組合，或乙證7與乙證8及乙證6 之組合，或乙證7與乙證9 及乙證6 之組合，分別皆足證更正後系爭專利1請求項1不具進步性。　　⒉乙證7足證更正後系爭專利1請求項6、7、9、11、13不具新穎性或不具進步性；乙證7與自認習知技術之組合，或乙證7與乙證6之組合，或乙證7與乙證8及自認習知技術之組合，或乙證7與乙證9及自認習知技術之組合，或乙證7 與乙證8及乙證6之組合，或乙證7與乙證9及乙證6之組合，分別皆足證更正後系爭專利1請求項6、7、9、11、13不具進步性。　　⒊乙證7足證更正後系爭專利1請求項15不具新穎性或不具進步性；乙證7與乙證8之組合，或乙證7與乙證9之組合，分別皆足證更正後系爭專利1請求項15不具進步性。　　⒋乙證7足證更正後系爭專利1請求項16、17、18、19不具新穎性或不具進步性；乙證7與乙證8之組合，或乙證7與乙證9之組合，分別皆足證更正後系爭專利1請求項16、17、 18、19不具進步性。　　⒌乙證7足證更正後系爭專利2請求項1、2、9、10、24、25、 26不具新穎性或不具進步性。　　⒍乙證7與乙證8之組合，或乙證7與乙證9之組合，分別皆足證更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、9、10、12、13、 24、25、26不具進步性。㈢並聲明：　　原告之訴及假執行之聲請均駁回；如受不利判決，請准供擔保免為假執行。三、兩造不爭執事項（見本院卷六第36至37頁）：　㈠原告為系爭專利之專利權人。系爭專利1之專利權期間為102 年2月21日至120年2月24日，原告於104年11月1日因受讓而取得專利權。系爭專利2 之專利權期間為103年12月21日至1 20年2月24日，原告於104年11月1日因受讓而取得專利權。㈡被告製造及販賣系爭產品1，以氣體混合物形式自鋼瓶供給至離子佈植機，供離子植入製程使用。㈢被告為販賣之要約系爭產品2，以氣體混合物形式自鋼瓶供給至離子佈植機，供離子植入製程使用。㈣原告於113年2月2日申請系爭專利第一次更正，智慧局於113 年5月20日准予更正（見甲證24、25，本院卷二第347至350 頁）。㈤原告於113年8月21日申請系爭專利第二次更正，並經智慧局於113年11月8日准予更正（見甲證45、46，本院卷五第567 至570頁）。四、兩造所爭執之處，經協議簡化如下（見本院卷六第36至38頁）：　㈠系爭專利1之第二次更正是否違反專利法第67條第2、4項規定，而有應撤銷之事由？㈡系爭專利2之第二次更正是否違反專利法第67條第2、4項規定，而有應撤銷之事由？㈢系爭專利1是否有應撤銷之事由？ ⒈乙證7是否足以證明系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18 不具新穎性或進步性？ ⒉乙證7及系爭專利1說明書先前技術之組合；或乙證7、6之組合；或乙證7、8及系爭專利1說明書先前技術之組合；或乙證7、9及系爭專利1說明書先前技術之組合；或乙證7 、8及6之組合；或乙證7、9及6之組合；或乙證10、8及13 之組合；或乙證10、9及13之組合；或乙證10、8、11及13 之組合；或乙證10、9、11及13之組合；或乙證10、8及7 之組合；或乙證10、9及7之組合；或乙證14、13、11及8 之組合；或乙證14、13、11及9之組合；或乙證15、13、1 1及8之組合；或乙證15、13、11及9之組合；或乙證16、1 3、11及8之組合；或乙證16、13、11及9 之組合；或乙證 17、13、11及8之組合；或乙證17、13、11及9之組合，是否足以證明系爭專利1更正後請求項1、7、9、13、15至18 不具進步性？ ⒊乙證7、8及13之組合；或乙證7、9及13之組合，是否足以證明系爭專利1 更正後請求項15至18不具進步性？㈣系爭專利2 是否有應撤銷之事由？ ⒈乙證7是否足以證明系爭專利2更正後請求項1、2、10不具新穎性或進步性？ ⒉乙證7及系爭專利2說明書先前技術之組合；或乙證7及6之組合，是否足以證明系爭專利2更正後請求項1、2、10不具進步性？ ⒊乙證7、8及系爭專利2 說明書先前技術之組合；或乙證7、 9及系爭專利2說明書先前技術之組合；或乙證7、8及6之組合；或乙證7、9及6之組合；或乙證10、8及13之組合；或乙證10、9及13之組合；或乙證10、8、11及13之組合；或乙證10、9 、11及13之組合；或乙證10、8、7之組合；或乙證10、9、7之組合；或乙證7、8及13之組合；或乙證 7、9及13之組合；或乙證14、13、11及8之組合；或乙證1 4、13、11及9之組合；或乙證15、13、11及8 之組合；或乙證15、13、11及9之組合；或乙證16、13、11及8之組合；或乙證16、13、11及9之組合；或乙證17、13、11及8之組合；或乙證17、13、11及9之組合，是否足以證明系爭專利2更正後請求項1、2 、4、5、10、12、13不具進步性？㈤專利侵權部分 ⒈系爭產品1是否直接侵害系爭專利1之第二次更正後請求項1 5及18，間接侵害系爭專利1之請求項1及13？ ⒉系爭產品2是否直接侵害系爭專利1之第二次更正後請求項1 5至18，間接侵害請求項1、7、9及13？ ⒊系爭產品2是否侵害系爭專利2之第二次更正後請求項1、2 、4、5、10 12及13？㈥原告依專利法第96條第1 項，請求排除或防止侵害，是否有理由？㈦原告依專利法第96條第3 項，請求回收並銷毁系爭產品，是否有理由？㈧原告依專利法第96條第2項、第97條第1項第2及3款、同條第2 項、民法第184條第1項前段、第185條及第179 條、公司法第23條第2項，請求被告等連帶給付2,000萬元暨自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年息百分之5計算之利息，是否有理由？五、得心證之理由㈠系爭專利技術分析　　⒈系爭專利所欲解決之問題製造半導體時的離子植入步驟，係將摻質氣體（如包含摻質物種之鹵化物或氫化物）由離子源產生並萃取出離子束，再將離子束加速後以使化學物種之高能離子撞擊基板，以將這些物種植入晶圓。離子源失效可歸咎許多原因，包括沉積物積聚在陰極表面，及因電弧室中產生游離氟，引發摻質氣體進行有害蝕刻反應而產生四氟化鍺，導致陰極材料剝離或濺射，使陰極失去物理完整性而縮減離子源性能和壽命（參系爭專利1、2說明書【先前技術】，見本院卷一第68、115頁）。　　⒉系爭專利技術內容　　　為解決前述問題，系爭專利1採取的技術手段係使用「同位素濃化」摻質組成物，其中摻質組成物選自以下所組成之群組：(i)鍺化合物，經同位素濃化成高於原子量70、7 2、73、74或76之至少一鍺同位素的天然含量，其中至少一鍺同位素的同位素濃化量為：就鍺70同位素而言高於21 .2%、就鍺72同位素而言高於27.3%、就鍺73同位素而言高於7.9%、就鍺74同位素而言高於37.1%、及就鍺76同位素而言高於7.4%，且當摻質組成物係由同位素濃化鍺72同位素的四氟化鍺組成時，鍺72同位素的同位素濃化量高於51 .6%；以及(ii)摻質氣體配方，包含摻質氣體和補充氣體，其中補充氣體包括稀釋氣體和共種氣體的至少其一，其中摻質氣體和共種氣體（若有）的至少其一係經同位素濃化（參系爭專利1、2說明書【發明內容】，見本院卷一第 69、116頁）。　　⒊系爭專利1、2圖式，以系爭專利2代表，如附圖1所示。　　⒋系爭專利1申請專利範圍　　　系爭專利1原公告申請專利範圍共20項，其中請求項1、15 為獨立項。原告先後主張二次更正再抗辯，第一次更正內容（見甲證18，本院卷二第105至122頁）經智慧局於113 年5月20日准予更正（見甲證24，本院卷二第347至348頁）。第二次更正內容（見甲證31，本院卷五第31至40頁）經智慧局於同年11月8日准予更正（見甲證45，本院卷五第567至568頁）。原告主張第二次更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18受侵害（見原告民事準備五狀，本院卷五第7至23頁），其內容如下： ⑴請求項1：一種離子植入製程，包含以下步驟：提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應容器；使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中，其中該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋氣體包含氫；條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%。 ⑵請求項7：如申請專利範圍第1項之製程，其中該摻質組　　　　成物包含一或多個鍺化合物，該鍺化合物經　　　　同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或7 　　　　 6之至少一個鍺同位素之天然含量。 ⑶請求項9：如申請專利範圍第7項之製程，其中該摻質組　　　　成物包含經同位素濃化的四氟化鍺。 ⑷請求項13：如申請專利範圍第1項之製程，其中該摻質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼、和四氟化　　　　矽所組成之群組。 ⑸請求項15：一種摻質組成物，其由一摻質氣體及一稀釋　　　　氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋氣體包含氫；條件為，當該摻質組成物的經同位素濃化的該摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%，其中該摻質組成物係儲存於一單一氣體供應容器中。　　　⑹請求項16：如申請專利範圍第15項之組成物，包含一或　　　　多個鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化成　　　　高於原子量70、72、73、74或76之至少一個　　　　鍺同位素之天然含量。 ⑺請求項17：如申請專利範圍第16項之組成物，包含經同　　　　位素濃化之四氟化鍺。 ⑻請求項18：如申請專利範圍第15項之組成物，其中該摻　　　　質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼與四氟化　　　　矽所組成之群組。 ⒌系爭專利2申請專利範圍系爭專利2原公告申請專利範圍共29項，其中請求項1、28 、29為獨立項。原告先後主張二次更正再抗辯，第一次更正（見甲證19，本院卷二第123至141頁）經智慧局於113 年5月20日准予更正（見甲證25，本院卷二第349至350頁）。第二次更正（見甲證32，本院卷五第43至49頁）經智慧局於同年11月8日准予更正（見甲證46，本院卷五第569 至570頁）。原告主張第二次更正後系爭專利1請求項1、2 、4、5、10、12及13受侵害（見原告民事準備五狀，本院卷五第23至28頁），其內容如下：　　　⑴請求項1：一種摻質氣體組成物，其由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物，該稀釋氣體包含氫，且其中　　　　該摻質氣體經同位素濃化(isotopically enr 　　　　 iched)至超過至少一種鍺同位素的天然含量( 　　　　 natural abundance level)，其中該摻質氣　　　　體組成物係儲存於一單一氣體供應容器中。 ⑵請求項2：如請求項1所述之組成物，其中該摻質氣體是　　　　選自由多種鍺化合物所構成的群組，該等鍺　　　　化合物經同位素濃化成高於原子量70、72、7 　　　　 3、74或76之至少一種鍺同位素的天然含量。 ⑶請求項4：如請求項2所述之組成物，其中該摻質氣體包　　　　含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至　　　　其鍺72同位素含量為高於27.3%。 ⑷請求項5：如請求項2所述之組成物，其中該摻質氣體包　　　　含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至　　　　其鍺72同位素含量為高於51.6%。 ⑸請求項10：如請求項1所述之組成物，其中該摻質組成　　　　物包含四氟化鍺。 ⑹請求項12：如請求項10所述之組成物，其中在該四氟化　　　　鍺中的鍺具有高於27.3%的鍺72同位素的同　　　　位素濃化量。 ⑺請求項13：如請求項10所述之組成物，其中在該四氟化　　　　鍺中的鍺具有高於51.6%的鍺72同位素的同　　　　位素濃化量。㈡系爭產品技術分析系爭產品1、2係被告所產銷之離子植入氣體產品（儲存有離子植入氣體之SAG II機械式負壓鋼瓶）：　　⒈系爭產品1：同位素濃化之三氟化硼及氫氣之氣體混合物　　（11B Enriched BoronTrifluoride (11BF3)/Hydrogen 　　 Gas Mixture）SAG II機械式負壓鋼瓶。　 ⒉系爭產品1主要圖示如附圖2所示。　　⒊系爭產品2：同位素濃化之四氟化鍺及氫氣之氣體混合物（ Enriched 72Germanium Tetrafluoride (72GeF4) /Hydro gen Gas Mixture）SAG II機械式負壓鋼瓶。　　⒋系爭產品2主要圖示如附圖3所示。　㈢系爭專利申請專利範圍應以第二次核准更正內容為據　　⒈被告抗辯：原告就系爭專利向智慧局申請兩次更正，其更正內容違反專利法第67條第2項超出申請專利所揭露範圍及同條第4項實質擴大申請專利範圍規定，違反上開規定係專利法第71條第1項第1款提起舉發事項規定，其第二次更正不合法，依智慧財產案件審理法第41條第1項規定請法院自為判斷該更正申請之合法性等語。　　⒉按發明專利權有違反第67條第2至4項申請更正規定者，任何人得向專利專責機關提起舉發，專利法第71條第1項第1 款定有明文。次按當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷之原因者，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不適用民事訴訟法停止訴訟規定，智慧財產案件審理法第41 條第1項設有規定。立法理由略以：有關智慧財產之民事訴訟中，被告主張智慧財產權不存在，而提起行政爭訟時，或有第三人對智慧財產權之有效性提出評定、舉發及行政爭訟時，民事訴訟如依首揭規定停止審判，其權利之有效性與權利之侵害事實無法於同一訴訟程序一次解決；當事人每以此拖延民事訴訟程序，致智慧財產權人無法獲得即時的保障；是審理智慧財產民事訟訟之民事法院，於訴訟中就專利權有無應撤銷或廢止原因之爭點為實質判斷，並排除各訴訟法關於停止訴訟規定等語。依此，本條係針對專利權有效性爭點由民事法院自為判斷，而專利權人申請更正，目的是為修正專利權範圍之瑕疵或錯誤，避免專利權無效，以之調整專利權保護範圍，其申請更正範圍須明確，使公眾知悉其界限，應由專利專責機關專責行使審查權限，是以專利權更正申請合法與否應非本條所定專利權有效性爭點判斷事項。　　⒊再按第41條第1項規定主張或抗辯專利權有應撤銷之原因，專利權人已向專利專責機關申請更正專利權範圍者，應向法院陳明依更正後之專利權範圍為請求或主張；第1項情形，法院得就更正專利權範圍之合法性自為判斷，並於裁判前表明其法律上見解及適度開示心證，智慧財產案件審理法第41條第1項、第43條第1項及第4項分別設有規定。上開第43條規定之立法理由略以：法院於民事訴訟程序就專利權之權利有效性，有判斷權限。伴隨著專利權有效性判斷，必須認定之更正合法性爭點；且基於舉重以明輕之法理，及迅速解決紛爭之精神，參酌日本實務見解，應肯定法院具有更正合法性之判斷權限；關於更正專利權範圍之合法性，既採行司法審理與行政審查之雙軌制架構，法院於專利專責機關作成更正案之審定前，於無礙訴訟之終結者，法院亦得暫不自為判斷專利權人依更正主張之合法性。依此，專利權人為更正再抗辯之主張，如專利專責機關作成更正案審定，法院亦得不自為判斷專利權人更正主張之合法性，而以該機關更正審定之申請專利範圍為據。因之，如依上開第43條之專利權人之更正再抗辯，法院得等待專利專責機關之更正審定結果，則就上述同法第41條專利權有效性判斷，法院亦得依專利專責機關已作成之更正審定處分為據，毋庸自為判斷。　　⒋復按行政處分未經撤銷、廢止，或未因其他事由而失效者，其效力繼續存在。無效之行政處分自始不生效力，行政程序法第110條第3項定有明文；有效之先前行政處分成為後行政處分之構成要件事實之一部分時，則該先前之行政處分因其存續力而產生構成要件效力（最高行政法院108 年度判字第445號判決意旨參照）。又按「前後二程序互有關聯，先前程序所作成之行政處分（尤其是授益處分）未被撤銷前，於事實及法律狀態不變下，對同一處分機關於後續程序作成後續處分具有拘束力，避免兩相矛盾之行政處分同時出現，暨防範原處分機關藉新作處分之便，以達規避撤銷與廢止授益處分之要件規定目的，而為更不利於相對人的決定，此即「行政處分之跨程序拘束力」（最高行政法院108年度判字第376號判決參照）。準此，行政處分具有構成要件效力，其「規制內容」（即行政處分之主旨或主文部分）對處分機關以外其他國家機關有拘束力。本件原告兩次申請系爭專利之更正，其第二次更正已獲得智慧局作成專利更正核准審定書（見甲證45、46），該准予更正審定書為行政處分，具構成要件效力，拘束本院，本件以第二次更正處分作為系爭專利申請專利範圍判斷。　㈣乙證7等證據組合不足以證明系爭專利1更正後請求項不具新穎性或進步性：　　⒈乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、　　　15至18不具新穎性或不具進步性　　　⑴乙證7為我國第I290731號「用於氣體儲存及輸送的離子性液體基礎混合物」發明專利，其公告日為96年12月1 日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103 年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。　　　⑵乙證7技術內容　　　　①乙證7揭露一種用於儲存和輸送氣體的混合物和方法。一方面，提供了一種混合物，其包含：含有陰離子和陽離子的離子性液體；分佈於離子性液體中並可與離子性液體發生可逆化學反應的至少部分氣體；以及任選的未反應氣體。另一方面，提供了一種從含有離子性液體和一種或多種氣體的混合物中輸送氣體的方法，其包括：使至少部分氣體與離子性液體反應以提供含有化學反應氣體和離子性液體的混合物，並從混合物中分離出化學反應氣體，其中經分離步驟後的化學反應氣體與反應步驟之前的化學反應氣體具有基本相同的化學成分（參乙證7摘要，本院卷一第618頁）。　　　　②乙證7圖2係各種混合物的三氟化硼(BF3)容量圖，如附圖4所示。　　 ⒉乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13 　　　　、15至18不具新穎性： ⑴更正後系爭專利1請求項1之技術特徵如下: 1A:一種離子植入製程，包含以下步驟：　　 1B:提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應容器; 1C:使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中， 1D:該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成　，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物且經同　位素濃化，該稀釋氣體包含氫； 1E:條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同　　　　　　位素濃化量高於51.6%。 ⑵經查乙證7說明書第5頁（見本院卷一第579頁）記載「 …半導體生產工業例如要使用許多危險的專用氣體，如磷化氫(PH3)、砷化氫(AsH3)和三氟化硼(BF3)，用以進行摻雜…」，對應揭露（第二次更正，下同）系爭專利1請求項1之1A「一種離子植入製程…」；乙證7 說明書第28頁（見本院卷一第602頁）記載「…用於儲存和分配來自混合物的一種或多種化學反應氣體、任選的未反應氣體，或者上述兩者的體系包括『儲存和分配容器』…」，對應揭露系爭專利1請求項1之1B:「提供儲存有一摻質組成物之單一氣體供應容器」技術特徵；另乙證7請求項21（見本院卷一第622頁）記載用於儲存和輸送氣體的混合物，其包含有可與離子性液體發生可逆的化學反應以提供化學反應氣體，以及未反應氣體，而該化學反應氣體具有路易士酸性並選自「…三氟化硼、…、四氟化鍺、…、同位素富集的同型物及其混合物」，前述乙證7之化學反應氣體、未反應氣體即分別對應於系爭專利1請求項1之1D中的: 摻質氣體、稀釋氣體，且乙證7揭露之三氟化硼、四氟化鍺等均為包含摻質物種（硼或鍺）之鹵化物（氟化物），並可經同位素濃化（即同位素富集之同型物）；又乙證7請求項24記載「該未反應氣體包含惰性氣體，其選自…、氫、…及其混合物」（見本院卷一第 622頁），對應於系爭專利1請求項1之1D「該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋氣體包含氫」技術特徵。　　　　⑶惟乙證7並未明確揭露系爭專利1請求項1之1C「使一摻質組成物流入一離子源」、「從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種」及「將該等離子摻質物種植入一基板中」技術特徵；又乙證7雖揭露四氟化鍺及其同位素富集之同型物作為化學反應氣體，但並未揭露系爭專利1請求項1之「當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵。再者，更正後系爭專利1請求項1，係界定單一氣體供應容器中之摻質組成物係由摻質氣體及稀釋氣體所組成，表示摻質組成物並未包含前述兩種氣體以外之物質，而乙證7所揭露儲存於容器中之混合物，則包含離子性液體、與該離子性液體發生化學反應之氣體，以及未反應氣體（參乙證7請求項21、24，本院卷一第622 頁）。是以乙證7揭露之技術內容與更正後系爭專利1 請求項1間存有前述差異，故乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具新穎性。更正後系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，包含請求項1之全部技術特徵，乙證7既不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具新穎性，則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13不具新穎性。 ⑷更正後系爭專利1請求項15之標的名稱係「摻質組成物」，其全部技術特徵見於請求項1記載之內容。則如同前述乙證7與更正後系爭專利1請求項1之比對，乙證7之化學反應氣體、未反應氣體分別對應於更正後系爭專利1請求項15之摻質氣體、稀釋氣體，即乙證7 揭露更正後系爭專利1請求項15之「一種摻質組成物，其由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋氣體包含氫」技術特徵。另乙證7已揭露摻質氣體為「非」四氟化鍺者，如三氟化硼，即無需考量更正後系爭專利1請求項15以四氟化鍺之摻質氣體為前提條件之「條件為，當該摻質組成物的經同位素濃化的該摻質氣體或該共種氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵。 ⑸由更正後系爭專利1請求項1、15界定摻質氣體係「包含摻質物種之鹵化物」，以及稀釋氣體係「包含氫」等技術特徵；乙證7則揭露化學反應氣體（對應系爭專利1之摻質氣體）係「選自乙硼烷、三氟化硼、三氟化硼、三氟化磷、四氟化磷、四氟化矽、鍺烷、四氟化鍺、氰化氫、同位素富集的同型物及其混合物」（乙證7請求項21），未反應氣體（對應系爭專利1之稀釋氣體）係「選自氮、氦、氖、氫、氬、氪、氙、氡及其混合物」（乙證7請求項24，本院卷一第622頁），亦即更正後系爭專利1請求項1、15所界定之發明，相較於乙證7之技術內容，係由乙證7揭露的二個群組個別選出多個或一個成分所組成的選擇發明，並非乙證7已特定揭露者（參見專利審查基準第2篇第3章第2.5.4節「選擇發明」[1]），故乙證7尚不足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具新穎性。更正後系爭專利1請求項16至18係請求項15直接或間接之附屬項，包含請求項15之全部技術特徵，乙證7既不足以證明更正後系爭專利1請求項15不具新穎性，則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項16至18不具新穎性。 ⑹被告辯稱：所屬技術領域中具通常知識者，可直接且無歧異得知乙證7所揭混合物所使用之離子植入製程，參原告起訴狀第10頁於系爭產品1與系爭專利1請求項1之侵權比對自承「使用者在使用此離子植入氣體時，必然實施此等步驟」即明；既屬「必然」，豈有不能「直接且無歧異得知」，因此，應認乙證7亦已隱含要件1C技術特徵(見民事答辯七狀第10頁第10至1 5行，本院卷五第336頁)；另系爭專利1請求項1要件1 E為條件式，僅在「應同位素濃化的摻質氣體由以鍺7 2同位素進行同位素濃化的四氟化鍺為組成時」條件成就時方有適用。乙證7已揭露更正後系爭專利1請求項1E條件未滿足之情況，亦即乙證7揭示有關以「四氟化鍺」為摻質氣體下所需符合條件以外的全部技術特徵，足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具新穎性(見民事答辯七狀第14頁第11至17行，本院卷五第340頁)云云。 ⑺惟查原告於系爭產品1與系爭專利1請求項1之侵權比對自承「使用者在使用此離子植入氣體時，必然實施此等步驟(即1C技術特徵)」(參原告起訴狀第10頁，本院卷一第22頁及民事準備五狀，本院卷五第15至16頁 )，並提出甲證14及甲證15佐證該製程步驟為業界已知之技術，由甲證14第1頁圖1(本院卷一第291頁)及甲證15說明書第[004]段(見本院卷一第299至300頁) 確實可證明更正後系爭專利1請求項1之步驟1C為離子植入製程所必然使用之已知步驟技術，故由乙證7所揭示之內容，即便所屬技術領域中具有通常知識者，可知使用離子植入氣體進行離子植入時必然會使用1C 之步驟，該技術特徵為乙證7實質隱含揭露者，但乙證7與更正後系爭專利1請求項1存在如前述理由所述之差異，故乙證7尚難證明更正後系爭專利請求項1不具新穎性。 ⒊乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13 、15至18不具進步性： ⑴如前述更正後與更正後系爭專利1請求項1之比對，乙證7未明確揭露更正後系爭專利1請求項1之1C「使一摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；將該等離子摻質物種植入一基板中」技術特徵，退而言之，即便該步驟為離子植入所必然之步驟而為乙證7實質隱含揭露者，惟乙證7請求項21揭露「化學反應氣體」可選自三氟化硼、四氟化鍺等多種氣體中，並可經同位素濃化（即同位素富集之同型物），且乙證7請求項24揭露「未反應氣體」可選自包含氫氣之多種惰性氣體中；然通常知識者並無動機由前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體，共同組成為氣體組成物，相較於乙證7，系爭專利1可達成增進離子源壽命與性能之功效（參系爭專利1說明書第8、9頁，本院卷一第72 至73頁），此由乙證7之技術內容尚無法預期，是以乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性。 ⑵更正後系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，均包含請求項1之全部技術特徵，是既乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性，則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項7 、9、13不具進步性。 ⑶更正後系爭專利1請求項15與乙證7技術內容之比對，詳如前述，乙證7請求項21、24之化學反應氣體、未反應氣體固然可對應於更正後系爭專利1請求項15之摻質氣體、稀釋氣體，但通常知識者並無動機由乙證 7前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物，相較於乙證7，系爭專利1可達成增進離子源壽命與性能之功效（參系爭專利1說明書第8、9頁，本院卷一第72至73頁），由乙證7之技術內容尚無法預期，是以乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性。 ⑷更正後系爭專利1請求項16至18係請求項15之直接或間接附屬項，均包含請求項15之全部技術特徵，是既乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項16至 18不具進步性。 ⒋乙證7及系爭專利1說明書先前技術之組合，或乙證7及6之組合，不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、 15至18不具進步性　　 ⑴乙證6為我國第I267910號「離子植入的方法及其裝置」發明專利，其公告日為95年12月1日，早於系爭專利1之 102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。　　　⑵乙證6技術內容乙證6揭露習知離子植入裝置(100)之結構大致上包括用以產生離子束(102)的離子源(104)，用以分離主要摻質的質量分析器(106)，用來加速離子束(102)的加速器(1 08)，以及用以讓離子束(102)可以掃描晶圓(112)的掃描裝置(110)等（參乙證6【先前技術】，本院卷一第55 6至558頁）。 ⑶乙證6圖1係習知離子植入裝置的剖面示意圖，如附圖5所示。　　　⑷乙證7技術內容與更正後系爭專利1請求項1間之比對，詳如前述。查系爭專利1說明書【先前技術】記載「用於半導體製造的離子植入涉及藉由使化學物種之高能離子撞擊基板，以將這些物種沉積進入基板(例如微電子裝置晶圓)。為產生離子植入物種，摻質氣體(如包含摻質物種之鹵化物或氫化物)遭離子化。離子化係使用離子源來產生離子束而施行」（見本院卷一第68頁）。另查乙證6說明書【先前技術】記載「離子植入法則是藉由將摻質先解離成離子，經過加速與選擇後，將特定的離子直接打入主材質(host material)中來達到摻雜的目的」（見本院卷一第556頁）。前述系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】所載，均揭露更正後系爭專利1請求項1之1C「使一摻質組成物流入一離子源」、「從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；將該等離子摻質物種植入一基板中」技術特徵。 ⑸惟不論系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】，均未提及如何選擇特定的摻質氣體組成物；是以縱使將系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】，各與乙證7內容予以組合，所屬技術領域中具有通常知識者仍無動機由乙證7揭露的兩個氣體群組中，選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物，相較上開先前技術證據，系爭專利1藉此具有達成增進離子源壽命與性能之功效（參系爭專利1 說明書第8、9頁，本院卷一第72至73頁）。是以乙證7 及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6 之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性。 ⑹更正後系爭專利1請求項15之摻質組成物，其全部技術特徵見於請求項1。則如前述乙證7與更正後系爭專利1請求項1之比對，乙證7之化學反應氣體、未反應氣體固然可對應於更正後系爭專利1請求項15之摻質氣體、稀釋氣體，但通常知識者並無動機由乙證7前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物；且不論系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】，均未提及如何選擇特定的摻質氣體組成物，亦未提及可藉此達成增進離子源壽命與性能之功效。是以縱將系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】，各與乙證7內容予以組合，所屬技術領域中具有通常知識者仍無動機由乙證7揭露的兩個氣體群組中，選擇系爭專利1請求項1所界定之特定摻質組成物，遑論達成相同功效，故乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性。 ⑺系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，請求項16至18則為請求項15之直接或間接附屬項。既乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項1 、15不具進步性。則乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，自不足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。　　⒌乙證7、8及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證 7、9及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7、 8及6之組合，或乙證7、9及6之組合，不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性 ⑴乙證8為ATMI公司「DS-336b VAC GeF4 Isotopically En riched」產品說明書，被告敘明乙證8係存檔於「網站時光回溯器Wayback Machine」(見民事答辯二狀第8頁第3至4行，本院卷一第502頁)，可認乙證8已於2006年2 月26日公開，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。　　　　①乙證8技術內容　乙證8揭露分子(GeF4)之主要應用是預非晶化離子植入 (PAI)，以實現超淺接面硼植入。72Ge的濃化同位素(50%)可顯著增強束電流和靈活性(2X)。植入72Ge 以代天然的74Ge，有助於隔離砷、氟化鐵和其他污染物之潛在污染；亦已證實可顯著延長離子源之壽命。（參乙證8-1，本院卷一第633至634頁）。　　　　②乙證8之產品外觀及其內含氣體純度分析，如附圖6所示。 ⑵乙證9為Trace Sciences公司「GermaniumIsotopes」（鍺同位素）網頁，被告敘明乙證9於2008年8月28日公開於網路上（民事答辯二狀第8頁第19至20行，本院卷一第50 2頁），經確認乙證9存檔於「網站時光回溯器Wayback M achine」之日期為2008年8月28日，早於系爭專利1、2之申請日。　　　　①乙證9技術內容乙證9記載天然GeF4用於半導體預非晶化植入製程。使用GeF4型態的鍺72可改善製程，同時減少污染。（參乙證9-1，本院卷一第637頁）。 ②乙證9之濃化穩定Ge同位素表，如附圖7所示。　　　⑶乙證7、系爭專利1說明書【先前技術】及乙證6，與更正後系爭專利1請求項1、15之比對，俱如前述。由前述各證據內容，所屬技術領域中具有通常知識者並無動機由乙證7揭露的兩個氣體群組中選擇特定「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物。再者，乙證7之混合物包含有離子性液體，不同於更正後系爭專利1請求項1、15界定摻質組成物係由摻質氣體及稀釋氣體所組成，且儲存於單一氣體供應容器之技術特徵。　　　⑷經查乙證8第一頁左上部揭露一種用於離子植入之摻質氣體運送容器，且該容器所含之摻質組成物，包含「同位素濃化的四氟化鍺(GeF4)」為摻質氣體，且乙證8第1頁左上部第4段教示「鍺72的濃化同位素(50%)可顯著增強束電流/靈活性(2X)。植入鍺72以代天然的鍺74，有助於隔離砷、氟化鐵和其他污染物之潛在污染。亦已證實可顯著延長離子源之壽命」；乙證8另就「純度分析」欄位，記載同位素濃化量為「Ge-72 50-52%」（本院卷一第631、632頁，中譯內容參乙證8-1即本院卷一第6 33、634頁）。是以乙證8已對應揭露更正後系爭專利1 請求項1之1D中之「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」及1E之「條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」等技術特徵。 ⑸另查乙證9揭示「天然GeF4用於半導體預晶化植入製程。使用GeF4型態的Ge-72可改善製程，同時減少污染」以及鍺72同位素濃化量為82-98%等（參本院卷一第635頁，中譯內容參乙證9-1即本院卷一第637頁），亦揭露更正後系爭專利1請求項1之1D中的「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」及1E之「條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵。 ⑹乙證8或乙證9雖均揭示更正後系爭專利1請求項1之1D中的「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」，且乙證8揭露將該等氣體儲存於單一儲存容器(VAC)中，惟乙證8或乙證9並未揭露更正後系爭專利1請求項1、15有關同位素濃化之摻質氣體與含氫氣之稀釋氣體混合為摻質組成物，且一併儲存於單一容器中之技術特徵。而前述乙證7、系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6之技術內容，亦無任何教示或建議由乙證7揭露的兩個氣體群組中選擇特定「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物。是以即便將乙證8或乙證9，與乙證7、系爭專利1說明書【先前技術】及乙證6予以組合，仍無法輕易完成更正後系爭專利1請求項1、15之發明。故乙證7、8及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7、9及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7、8及6之組合，或乙證7、9及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性。　 ⑺更正後系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，包含請求項1之全部技術特徵。請求項16至1 8係請求項15之直接或間接附屬項，包含請求項15之全部技術特徵。因前述各證據組合均不足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性，自亦不足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。㈤其餘證據組合可證明更正後系爭專利1請求項具應撤銷事由　　　⒈乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性 ⑴乙證10為我國第200849309號「具氣體混合之離子源的效能改良與生命期延長的技術」專利公開案，其公告日為 97年12月16日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 ①乙證10技術內容乙證10揭露具氣體混合之離子源的效能改良與生命期延長的技術。在一特定例示性實施例中，所述技術可實現為離子植入機中之離子源的效能改良與生命期延長的方法。所述方法可包含將預定量之摻雜氣體導入離子源腔室內。所述摻雜氣體可包含摻雜物質。所述方法亦可包含將預定量之稀釋氣體導入離子源腔室內。所述稀釋氣體可稀釋摻雜氣體以改良離子源之效能並延長離子源之生命期。所述稀釋氣體可進一步包含與摻雜物質相同的協同物質（參乙證10摘要，本院卷二第63頁）。　　　　②乙證10之圖1習知離子植入機系統及圖3A離子源組態示意圖，如附圖8所示。　 ⑵乙證13為我國第201005806號「在半導體處理系統中離子源之清洗」專利公開案，其公告日為99年2月1日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21 日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 ①乙證13技術內容乙證13揭露一種改進離子植入系統性能並且延長其壽命之方法，該方法包括將該陰極與由至少一種清洗氣以及至少一種沉積氣的組成的一氣體混合物進行接觸，其中所述氣體混合物平衡了材料在該陰極上的沉積和該材料或其他材料從該陰極上的剝離。氣體混合物的清洗氣去除了沉積在該陰極上的摻雜劑以及陰極的材料，而氣體混合物的沉積氣直接或間接地引起摻雜劑沉積在該陰極上。此氣體混合物保持了在該陰極上摻雜材料的累積以及它或其他材料的剝離之間的一平衡，並且因此延長了離子源的壽命。該氣體混合物在離子源植入機中的存儲和分配可以利用SDS、VAC等系統（參乙證13說明書第37頁末段至第38頁第1段，本院卷五第445至446頁）。　　　　②乙證13圖1顯示引入原位清洗處理後對離子源壽命延長，如附圖9所示。　 ⑶查乙證10說明書第6頁第2段（見本院卷二第66頁）記載「離子植入為藉由用賦能離子直接轟擊基材而使化學物質沈積至基材內的方法…」，第11頁末段至第12頁第1段（見本院卷二第71、72頁）記載「本發明揭露具氣體混合之離子源的效能改良與生命期延長的技術…所述方法可包含將預定量之摻雜氣體釋放至離子源腔室內。所述摻雜氣體可包含摻雜物質。所述方法亦可包含將預定量之稀釋氣體釋放至離子源腔室內。所述稀釋氣體可稀釋摻雜氣體以改良離子源之效能並延長離子源之生命期」，前述乙證10之技術內容業已揭露更正後系爭專利1請求項1之1A、1C及部分1D「一種離子植入製程，包含以下步驟(1A)：…使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中(1C)，其中該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成(部分1D)」技術特徵，且乙證10之摻雜氣體、稀釋氣體即分別對應於系爭專利1之摻質氣體、稀釋氣體；又乙證10說明書第15頁表一（見本院卷二第75頁）揭露多種鹵化形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4（或見第14頁末段記載「在一實施例中，摻雜氣體可以含鹵素氣體之形式自摻雜氣體源260 中釋放」，本院卷二第74頁)，對應揭露更正後系爭專利1請求項1之「該摻質氣體包含摻質之鹵化物」技術特徵；乙證10說明書第16頁第2段（見本院卷二第76頁）記載「稀釋氣體可包括氫氣(H2)或含氫氣體」，對應揭露更正後系爭專利1請求項1之1D中之「該稀釋氣體包含氫」技術特徵，再者，乙證10說明書第17頁第7至10行（見本院卷二第77頁）記載「藉由將預定量之一或多種氣體，諸如含氫稀釋氣體(或惰性氣體) ，以及預定量之摻雜氣體釋放至電弧室206內，可減少金屬成長速率或鎢堆積速率」，上開段落已揭示鹵化形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4加入氫氣可改良離子源之效能並延長離子源之生命期，其中氫氣的作用可以減少金屬成長速率或鎢堆積速度。綜上，乙證10前揭技術內容與更正後系爭專利1請求項1之差異在於，乙證10未揭露更正後系爭專利1請求項1之1B之「提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應容器」及1D中之摻質氣體「經同位素濃化」技術特徵。 ⑷另查乙證13說明書第4頁第6至14行(見本院卷五第412頁) 記載「離子植入被用於積體電路的製造以便精確地向半導體晶圓中引入受控制量的摻雜雜質並且是微電子/半導體生產中之重要方法。在此類植入系統中，一離子源使一所希望的摻雜元素氣體電離成離子並且該等離子以具有所希望能量的一離子束的形式從源中引出。引出係籍由施用一高的電壓跨過合適成型的引出電極而實現，該等電極將多個孔合併成了引出束的通道。離子束然後在工作件的表面，例如一半導體晶圓上進行定向，以便向該工作件植入摻雜元素」，乙證13說明書第37頁末段至第38頁第1段見（見本院卷五第445至446頁）記載「… 本發明涉及改進具有一陰極的一離子植入系統的性能並且延長其壽命之方法，該方法包括將該陰極與由至少一種清洗氣以及至少一種沉積氣的組成的一氣體混合物進行接觸…延長了離子源的壽命。該氣體混合物在離子源植入機中的存儲和分配可以籍由使用以下各項來完成：一吸附-解吸設備(被稱為SDS-安全遞送源)，它描述於美國專利號5,518,528中，並且其內容籍由引用結合在此；一流體存儲和分配系統(被稱為VAC真空致動氣瓶) ，該系統包括用於保持一流體在所希望的一壓力下的一容器，描述於美國專利號6,101,816中並且其內容籍由引用結合在此；或一SDS與VAC的混合流體存儲和分配系統(被稱為VAC-Sorb)，它描述於美國專利號6,089,027 中並且其內容籍由引用結合在此。該等流體存儲和分配系統提供了氣體在低於大氣壓下的遞送，並且由此比高壓流體存儲和分配系統更安全並且更有效。此外，該氣體混合物中的一些氣體可以一起在SDS、VAC或VAC-Sorb 系統中存儲和分配…」。由前述乙證13之技術內容即對應揭露更正後系爭專利1請求項1之「一種離子植入製程，包含以下步驟：提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應容器；使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中，其中該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成」技術特徵。進而言之，乙證13之沉積氣、清洗氣，即分別對應系爭專利1請求項1 之摻質氣體、稀釋氣體。且乙證13揭露沉積氣與清洗氣之氣體混合物可存儲於SDS或VAC單一容器中，另乙證13 說明書第39頁第2至4行（見本院卷五第447頁）揭露氣體混合物（清洗氣與沉積氣）為「H2/GeF4」、「H2/BF 3」，對應揭露更正後系爭專利1請求項1之「該摻質氣體包含摻質之鹵化物…，該稀釋氣體包含氫」技術特徵，亦即乙證13揭示更正後系爭專利1請求項1之1A至1C及部分1D。綜上，乙證13與更正後系爭專利1請求項1之差異僅在於乙證13並未揭露1D中之摻質氣體「經同位素濃化」技術特徵。（註：因乙證13揭露之摻雜氣體並非以鍺72同位素進行濃化的四氟化鍺所組成，故無需考慮更正後系爭專利1請求項1之「條件為，當摻質氣體由以鍺 72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72 同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵）。　　 ⑸如前述，乙證8或乙證9均已揭露更正後系爭專利1請求項 1之1D中之「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」及1E「條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵。換言之，不論乙證8或乙證9，均揭露乙證13與更正後系爭專利1請求項1間之差異技術特徵。 ⑹因乙證8、9、13之技術內容均關於半導體離子植入系統或其使用之摻雜氣體，屬於相同技術領域；又乙證8、9 、13之目的或所欲解決之問題，均為改善離子源效能或延長其生命期（參乙證8第1頁、乙證9第1頁、乙證13說明書第37頁，本院卷一第631、635頁、本院卷五第445 頁）；且乙證8或乙證9教示採用經同位素濃化之四氟化鍺作為摻質氣體，可延長離子源壽命或改善製程等，亦與乙證13所欲解決的問題相同；則所屬技術領域中具有通常知識者基於乙證13揭示摻質氣體包含四氟化鍺與稀釋氣體包含氫氣等技術內容，為進一步延長離子源壽命，當有合理動機依乙證8或乙證9之建議或教示，採用經同位素濃化之四氟化鍺為摻質氣體，進而輕易完成更正後系爭專利1請求項1之發明，即乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證明更正後系爭專利1請求項1 不具進步性，故乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及 13之組合自足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性。 ⑺更正後系爭專利1請求項7依附於請求項1，並界定「該摻質組成物包含一或多個鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或76之至少一個鍺同位素之天然含量」附屬技術特徵。更正後系爭專利1請求項9依附於請求項7，並界定「該摻質組成物包含經同位素濃化的四氟化鍺」附屬技術特徵；更正後系爭專利 1請求項13依附於請求項1，並界定「該摻質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼、和四氟化矽所組成之群組」附屬技術特徵。如前所述，乙證8或乙證9揭示經同位素濃化的四氟化鍺，且以鍺72同位素濃化至50%高於天然含量，即揭露前述請求項7、9、13之附屬技術特徵。又乙證 10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性，俱如前述，故乙證 10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13不具進步性。 ⑻更正後系爭專利1請求項15之全部技術特徵見於請求項1 ，是既乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性，俱如前述，自亦足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，則乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合亦足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性。 ⑼更正後系爭專利1請求項16依附於請求項15，並界定「包含一或多個鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或76之至少一個鍺同位素之天然含量」附屬技術特徵。更正後系爭專利1請求項17依附於請求項16，並界定「包含經同位素濃化的四氟化鍺」附屬技術特徵。更正後系爭專利1請求項18依附於請求項15，並界定「該摻質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼、和四氟化矽所組成之群組」之附屬技術特徵。如前所述，乙證8或乙證9揭示經同位素濃化的四氟化鍺為摻質氣體，且以鍺72同位素濃化至高於天然含量，即已揭露前述請求項16至18之附屬技術特徵。又乙證10、8及13 之組合，或乙證10、9及13之組合足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，俱如前述，則前述證據組合自當足以證明更正後系爭專利1請求項16至18不具進步性。 ⒉乙證10、8、11及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18 不具進步性 ⑴乙證11為「使用濃化同位素SDS 72GeF4來減少砷對鍺的交叉污染」論文，其公開日為95年2月26日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。乙證11揭露隨著接面深度減低，預非晶化（PA）植入在 CMOS 加工製程中愈來愈普遍。鍺作為矽的等電子體已展現出在矽中進行預非晶化植入的能力。液態GeF4的氣態蒸氣是鍺離子束的常見來源，通常會選用原子量74的同位素進行植入，因為其具有較高的天然濃度。然而，可能出現與類似質量的摻雜劑（例如砷）交叉污染的問題。使用同位素濃化量50%以上的Ge72可改善可用的束電流，同時減少潛在的交叉污染。透過Eaton GSD200E高電流植入機評估同位素濃化的Ge72安全輸送系統(SDS)源之下，已實證此高電流植入機中的質量解離度。乙證11以SIMS（二次離子質譜分析儀(Secondary Ion Mass Spectrometer )）比對使用天然濃度之GeF4與使用SDS濃化GeF4作為植入源的表面及能量交叉污染程度，並介紹了以物種間潔淨法（between species purge）減少高能砷污染物之有效性（參乙證11摘要，本院卷二第93頁）。　 ⑵乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性，詳如前述，故乙證10、8、11及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合，自當足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性。 ⑶更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18係請求項1、1 5之直接或間接附屬項，前述各請求項之附屬技術特徵均為乙證8或乙證9所揭露，已如前述，故乙證10、8、1 1及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。　　⒊乙證10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性　　　⑴乙證10與更正後系爭專利1請求項1、15之比對，詳如前述。乙證10業已揭露更正後系爭專利1請求項1之「一種離子植入製程，包含以下步驟：…使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中，其中該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質之鹵化物…該稀釋氣體包含氫；…」技術特徵，以及更正後系爭專利1請求項15「一種摻質組成物，其由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物…，該稀釋氣體包含氫… 」技術特徵。惟乙證10並未揭露更正後系爭專利1請求項1、15有關「摻質組成物儲存於單一氣體供應容器」，以及「摻質氣體『經同位素濃化』」之技術特徵。 ⑵乙證7與更正後系爭專利1請求項1、15之比對，亦如前述，乙證7雖揭露「化學反應氣體」可選自三氟化硼、四氟化鍺等多種氣體中，並可經同位素濃化（即同位素富集之同型物），並另揭露「未反應氣體」可選自包含氫氣之多種惰性氣體中；然通常知識者並無動機由前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體，共同組成為氣體組成物。 ⑶乙證8或乙證9雖均揭露摻質氣體為經同位素濃化之四氟化鍺，且乙證8揭露將其儲存於單一儲存容器(VAC)中。惟乙證8或乙證9仍未揭露更正後系爭專利1請求項1、15 有關同位素濃化之摻質氣體與含氫氣之稀釋氣體混合為摻質組成物，且一併儲存於單一容器中之技術特徵。 ⑷綜上，乙證10及乙證8（或乙證9）之技術內容均為離子植入製程所使用之氣體，屬相同技術領域；二者之目的均在提高離子源效能，就所欲解決之問題具有共通性；並均藉由摻雜氣體提供離子植入所需之摻質，就功能與作用，亦具共通性；乙證10揭示鹵化形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4加入氫氣可改良離子源之效能並延長離子源之生命期，其中氫氣的作用可以減少金屬成長速率或鎢堆積速度，乙證8（或乙證9）教示經同位素濃化之四氟化鍺，可減少污染或增加離子源壽命，則所屬技術領域中具有通常知識者基於乙證10揭露之摻雜氣體及稀釋氣體，為改良離子源之效能並延長離子源之生命期，自有動機選擇經同位濃化之四氟化鍺作為摻雜氣體，並與氫氣等稀釋氣體相互混合為摻質組成物。乙證10及乙證8（或乙證9）雖未揭露將經同位素濃化之四氟化鍺與氫氣所組成之氣體混合物儲存於單一容器中；然乙證10 已教示將稀釋氣體與摻雜氣體相混合，具有改善離子源效能及生命期之功效，且乙證10實施例業揭露混合氣體不僅可在電弧室中混合，亦可在進入電弧室前混合（對於改善離子源效能及生命期並未產生實質效果），則所屬技術領域中具有通常知識者當能輕易思及將摻雜氣體與稀釋氣體先行混合並封裝於單一容器中，亦即其僅為乙證10將摻雜氣體與稀釋氣體個別封裝於不同容器之簡單變更。另查系爭專利1圖1及說明書第28頁最後一段至第29頁（見本院卷一第92至93頁）記載之內容可知，離子植入處理系統中關於氣體提供至離子植入前，摻雜氣體（裝置於容器304）與稀釋氣體（裝置於容器362，見本院卷一第93頁第10行）分別裝置於不同之容器（氣瓶），之後經管線（366，370）將氣體輸送至混合室360 ，以將氣體混合物通往植入機的離子源，系爭專利1說明書第31頁第2至8行（見本院卷一第95頁）記載「摻雜氣體可含一或多種補充氣體（即稀釋氣體及/或共種氣體）的混合，…例如，在第1圖系統中，容器302可構成含有摻植氣體與補充氣體混合物的單一氣體供應容器（無補充容器362、634）」。由上開系爭專利1說明書內容可證，反應氣體不論以單一容器提供混合氣體，或以兩個容器分別提供摻雜氣體與稀釋氣體再予混合，均能達成改良離子源效能或生命期之功效，另查系爭專利1 說明書通篇亦未記載以「單一」氣體供應容器，對於發明所欲改善離子源效能及生命期之功效具有何無法預期之功效，是對所屬技術領域中具通常知識者而言，更正後系爭專利1請求項1、15之發明，係將乙證10與乙證8 （或乙證9）組合後予以簡單變更所能輕易完成者，故乙證10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性。 ⑸更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18，係請求項1 、15之直接或間接附屬項，且其附屬技術特徵已為乙證 8或乙證9所揭露，詳如前述；故乙證10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。 ⒋乙證14、13、11及8之組合，或乙證14、13、11及9之組合，或乙證15、13、11及8之組合，或乙證15、13、11及9之組合，或乙證16、13、11及8之組合，或乙證16、13、11 及9之組合，或乙證17、13、11及8之組合，或乙證17、13 、11及9之組合，均足以證明更正後系爭專利1請求項1、7 、9、13、15至18不具進步性 ⑴乙證14為我國第200836229號「具氣體稀釋之離子源的改善效能與延長生命期的技術」專利公開案，其公告日為 97年9月1日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。　　　　①乙證14技術內容乙證14揭露一種具氣體稀釋之離子源改善效能並延長生命期之技術。在一特定例示性實施例中，該技術可被實現為一種具氣體稀釋之離子植入機中之離子源改善效能並延長生命期的方法，該方法包含：將預定量之摻雜氣體釋放至離子源腔室中，及將預定量之稀釋氣體釋放至離子源腔室中。稀釋氣體可包含用於稀釋摻雜氣體以改善離子源之效能並延長其生命期的含氙氣體與含氫氣體之混合物（參乙證14摘要，本院卷五第475頁）。 ②乙證14圖3A為離子源組態示意圖，如附圖10所示。　　 ⑵乙證15為美國第7592212號「用於確定植入半導體基板中雜質劑量的方法」專利公開案，其公告日為2009(98)年 9月1日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之 103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 ①乙證15技術內容乙證15揭露一種用於確定電漿摻雜過程中雜質總劑量的方法及其裝置，其係直接測量植入半導體基板中的總離子劑量，例如使用法拉第杯，並以離子質譜直接測量電漿摻雜過程所產生電漿中雜質離子種與非雜質離子種的比例，以及每種雜質離子種與電漿中總雜質離子種的比例，最後以總離子劑量和比例來確定雜質總劑量（參乙證15摘要，本院卷五第599頁）。　　　　②乙證15圖1為確定植入半導體基板雜質總劑量之方法示意圖，如附圖11所示。　　 ⑶乙證16為美國第7534628號「半導體裝置的形成方法及光電裝置的形成方法」專利公開案，其公告日為2009(98) 年5月19日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利 2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 ①乙證16技術內容乙證16揭露一種形成半導體裝置的方法，該半導體裝置包括一個含有由電漿增強化學氣相沉積法（CVD）形成的晶體之矽基沉積半導體層，該方法包括以下步驟：在形成該半導體層時，於高頻電極與基板之間施加偏壓，且使高頻電極為負極；檢測在高頻電極或基板上產生的火花；並根據檢測結果控制至少一個條件，該條件從高頻功率、偏壓電壓、偏壓電流、壓力、氣體流量和電極間距離所構成的組合中選擇，以使持續時間100毫秒或以上的火花數量保持在每分鐘不超過1次（參乙證16摘要，本院卷五第521頁）。 ②乙證16圖11為形成半導體裝置之流程步驟示意圖，如附圖12所示。　 ⑷乙證17為我國第58963號「使用微波能量製造不定形半導體合金及裝置之方法」專利案，其公告日為73年6月1日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年1 2月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。乙證17技術內容：乙證17揭露一種用以將不定形半導體合金膜澱積於基底上之方法，包括：供給微波能源；使該微波能配合入裝有該基底之實質上封閉之反應器內；及將包括至少一種含半導體化合物之氣體導入該反應器內以於該器中形成輝光放電漿質及使得自該等反應氣體之不定形半導體膜澱積於該基底上者（參乙證17請求項 1，本院卷五第553頁）。　 ⑸乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性，詳如前述，故乙證14、13、11及8之組合，或乙證14、13、11及9之組合，或乙證15、13、11及8之組合，或乙證15、13、11及9 之組合，或乙證16、13、11及8之組合，或乙證16、13 、11及9之組合，或乙證17、13、11及8之組合，或乙證 17、13、11及9之組合，自當足以證明更正後系爭專利1 請求項1、15不具進步性。 ⑹更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18之附屬技術特徵均為乙證8或乙證9所揭露，已如前述，故前述各證據組合亦足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16 至18不具進步性。 ⒌乙證7、8及13之組合，或乙證7、9及13之組合，均足以證明更正後系爭專利1請求項15至18不具進步性　　　⑴乙證7之技術內容雖可對應於系爭專利1請求項15之技術特徵。但所屬技術領域中具有通常知識者單憑乙證7尚無動機由反應氣體及未反應氣體二個群組中，選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物，以達成系爭專利1增進離子源壽命與性能之功效，俱如前述。　　　⑵惟乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合，業已揭露更正後系爭專利1請求項15之全部技術特徵，足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，以及請求項16至1 8之附屬技術特徵為乙證8或乙證9所揭露，均詳如前述。是以乙證7、8及13之組合，或乙證7、9及13之組合足以證明更正後系爭專利1請求項15至18不具進步性。　㈥乙證7等證組合不足以證明系爭專利2更正後請求項　　⒈乙證7不足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、10不具新穎性或不具進步性 ⑴更正後系爭專利2請求項1之全部技術特徵，實質上已見於更正後系爭專利1請求項15之內容；且更正後系爭專利2請求項2、10之附屬技術特徵，同更正後系爭專利1 請求項16、17。被告乃主張乙證7既足以證明更正後系爭專利1請求項15至17不具新穎性及不具進步性，此即足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、10不具新穎性及不具進步性云云（見被告民事答辯七狀第71至74頁，本院卷五第397至404頁）。 ⑵惟如前述，乙證7並不足以證明更正後系爭專利1請求項1 5至17不具新穎性或不具進步性，被告之主張即非可採。詳言之，乙證7雖揭露「化學反應氣體」可選自三氟化硼、四氟化鍺等多種氣體之群組，並可經同位素濃化（即同位素富集之同型物），並揭露「未反應氣體」可選自包含氫氣等多種惰性氣體之群組；然更正後系爭專利2請求項1所界定之發明，係由乙證7揭露的二個群組個別選出多個或一個成分所組成的選擇發明，並非乙證 7已特定揭露者，故乙證7不足以證明更正後系爭專利2 請求項1不具新穎性。再者，通常知識者由乙證7所揭露之技術內容，並無動機由前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體，以共同組成為摻質氣體組成物，相較於乙證7，系爭專利2具有可達成增進離子源壽命與性能之功效（參系爭專利2說明書第【0026】段，本院卷一第119頁），由乙證7之技術內容尚無法預期，故乙證7不足以證明更正後系爭專利2請求項1不具進步性。又更正後系爭專利2請求項2、10係依附於請求項1，包含請求項1之全部技術特徵，則乙證7既不足以證明更正後系爭專利2請求項1不具新穎性及進步性，自不足以證明更正後系爭專利2請求項2、10不具新穎性及進步性。 ⒉乙證7及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7及 6之組合，不足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、10不具進步性 ⑴更正後系爭專利2請求項1之全部技術特徵，實質上已見於更正後系爭專利1請求項15之內容，故乙證7技術內容與更正後系爭專利2請求項1間之比對，略同於前述乙證 7與更正後系爭專利1請求項15間之比對，不另贅述。 ⑵被告並未具體指出系爭專利2說明書【先前技術】或乙證 6記載之技術內容，何處對應於更正後系爭專利2請求項 1、2、10之技術特徵。被告係以更正後系爭專利2請求項1、2、10之內容，實質上同於更正後系爭專利1請求項15至17，乃援引其主張更正後系爭專利1請求項15至1 7不具進步性之證據組合，而包含有系爭專利2說明書【先前技術】（註：相同於系爭專利1說明書【先前技術】）及乙證6。惟參照被告抗辯更正後系爭專利1無效之理由（見被告民事答辯七狀第19、20頁，本院卷五第34 5至346頁），可知系爭專利2說明書【先前技術】與乙證6，係被告用來主張對應更正後系爭專利1請求項1有關離子植入之相關步驟。然更正後系爭專利2請求項1並無記載任何離子植入步驟，顯見系爭專利2說明書【先前技術】或乙證6並未揭露系爭專利2請求項1之技術特徵。 ⑶既系爭專利2說明書【先前技術】或乙證6，均未提及如何選擇特定的摻質氣體組成物，是以縱使將系爭專利2 說明書【先前技術】或乙證6，各與乙證7內容予以組合，所屬技術領域中具有通常知識者仍無動機由乙證7揭露的兩個氣體群組中，選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物，且系爭專利2藉此達成增進離子源壽命與性能之功效，由乙證7、系爭專利2說明書【先前技術】、乙證6均無法預期。故乙證7及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利2請求項1不具進步性。 ⑷系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，請求項16至18則為請求項15之直接或間接附屬項。既乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，均不足以證明系爭專利1請求項1、15不具進步性，則乙證7及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，自不足以證明更正後系爭專利2請求項7、9、13、16至18不具進步性。 ⒊乙證7、8及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7、9及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7 　　　、8及6之組合，或乙證7、9及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12、13不具進步性 ⑴被告抗辯：更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12 、13之實質內容，同於更正後系爭專利1請求項15至17 ，是既前述各證據組合足以證明更正後系爭專利1請求項15至17不具進步性，即足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12、13不具進步性云云。 ⑵惟如前述，乙證7、8及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7、9及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7、8及6之組合，或乙證7、9及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項15至17不具進步性，故被告之主張並非可採。㈦其餘證據組合可證明更正後系爭專利2請求項具應撤銷事由　　　乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合，或乙證10 、8、11及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合，或乙證 10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，或乙證7、8及13 之組合，或乙證7、9及13之組合，或乙證14、13、11及8之組合，或乙證14、13、11及9之組合，或乙證15、13、11及8 之組合，或乙證15、13、11及9之組合，或乙證16、13、11 及8之組合，或乙證16、13、11及9之組合，或乙證17、13、 11及8之組合，或乙證17、13、11及9之組合，均足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12、13不具進步性 ⒈更正後系爭專利2請求項1之全部技術特徵，實質上已見於更正後系爭專利1請求項15。是既前述各證據組合足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，自亦足以證明更正後系爭專利2請求項1不具進步性。 ⒉更正後系爭專利2請求項2係依附於請求項1，並界定「該摻質氣體是選自由多種鍺化合物所構成的群組，該等鍺化合物經同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或76之至少一種鍺同位素的天然含量」之附屬技術特徵。系爭專利2 請求項4、5均依附於請求項2，並分別界定「該摻質氣體包含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至其鍺72同位素含量為高於27.3%」、「該摻質氣體包含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至其鍺72同位素含量為高於51.6 %」之附屬技術特徵。如前所述，乙證8揭示經同位素濃化的四氟化鍺，且以鍺72同位素濃化至50-52%高於天然含量；另乙證9記載經同位素濃化的四氟化鍺，以及鍺70、72 、73、74或76之同位素濃化量分別為84-99%、82-98%、72 -99%、94-98%、85-99%等內容，是以乙證8或乙證9之技術內容，均已揭露前述更正後系爭專利2請求項2、4、5之附屬技術特徵。又前述各證據組合足以證明更正後系爭專利 2請求項1不具進步性，俱如前述，是以前述各證據組合亦足以證明更正後系爭專利2請求項2、4、5不具進步性。 ⒊更正後系爭專利2請求項10係依附於請求項1，並界定「該摻質組成物包含四氟化鍺」之附屬技術特徵。更正後系爭專利2請求項12、13均依附於請求項10，並分別界定「該四氟化鍺中的鍺具有高於27.3%的鍺72同位素的同位素濃化量」、「該四氟化鍺中的鍺具有高於51.6%的鍺72同位素的同位素濃化量」之附屬技術特徵。如前所述，乙證8 揭示經同位素濃化的四氟化鍺，且以鍺72同位素濃化至50 -52%高於天然含量；另乙證9揭示經同位素濃化的四氟化鍺，以及鍺72之同位素濃化量為82-98%；是以乙證8或乙證9之技術內容，均已揭露前述請求項10、12、13之附屬技術特徵。又前述各證據組合足以證明更正後系爭專利2 請求項1不具進步性，俱如前述，故前述各證據組合亦足以證明更正後系爭專利2請求項10、12、13不具進步性。　㈧對原告陳述意見之回應　 ⒈原告於言詞辯論時主張：更正後之系爭專利摻質組成物之重要特徵，特徵1：摻質組成物係儲存於一單一氣體供應容器中；特徵2：氣體供應容器所儲存之摻質組成物僅含「摻質氣體」及「稀釋氣體」，而不含其他成分；特徵3: 稀釋氣體經同位素濃化(見114年2月17日庭期簡報第9頁，本院卷六第225頁)，並陳述：　　　⑴系爭專利之功效(1)系爭專利之摻質組成物可增進離子源壽命和性能具有功效(依據系爭專利2說明書之[0022]、 [0026]、[0029]之段落)，並提出相關研究甲證38、39 之論文佐證eBF3與H2、eGeF4與H2可增進離子源壽命且可維持甚至增進「離子束電流」之離子源性能⑵系爭專利之摻質組成物可儲放於單一供應容器且具安全性(見簡報第10至13頁，本院卷六第225至227頁)，並於民事準備六狀第41頁（見本院卷五第91頁）第7至10行主張「系爭專利1/2出乎意外地發現：相較於不含稀釋氣體者，將同位素濃化的摻質氣體與稀釋氣體(氫)組合，所得離子源壽命和性能較佳（系爭專利1第9頁第4至7行，本院卷一第73頁），且該氣體組合不會實質影響離子束電流，甚至額外地增進離子束電流(甲證38及甲證39參照」（見本院卷五第173至185頁）。　　　⑵乙證10揭示使用摻雜氣體源會使電弧室外殼202材料沉積於陰極208而呈現對離子源102效能及生命期造成不利影響，使用「稀釋氣體」（含氫氣體）延長離子源之生命期，亦即採用GeF4（摻雜氣體）+AsH3（稀釋氣體）或G eH4（摻雜氣體）+H2（稀釋氣體）可延長離子源之生命期，但可能衍生「離子束電流減小」之問題，必須選擇特定的「稀釋氣體」(共種氣體)，以避免此問題，且乙證10使用時的「預先混合」不等於安全穩定的儲存，乙證7、8、9、11及13未教示或建議: eBF3/H2、eGeF4/H2 可安全、穩定地儲存於單一容器，故以乙證10為主要證據之相關證據組合，不足以證明系爭專利欠缺進步性（見簡報第17至20頁，本院卷六第229至230頁)。　　　⑶原告另稱：被告稱乙證13可證明「三氟化硼（或四氟化鍺）與氫氣儲存在單一容器」乃習知技術，進而將乙證 13引用於本件前案證據組合中，此係被告自行拼湊乙證 13技術內容所得之錯誤認知（見本院卷六第12頁）。　　　⑷系爭專利具肯定進步性因素（見114年2月17日庭期簡報第44至56頁）：①系爭專利1/2之摻雜組合物顯著提升離子源壽命且不會實質影響片電阻及離子束電流、甚至反而可增加離子束電流（離子源性能之一）（見簡報第45 頁）；②系爭專利1/2將三氟化硼( BF3)或四氟化鍺(GeF 4）與氫氣儲存在單一容器」克服習知將BF3、GeF4及H2 屬於危害物質應隔離分開儲存之技術偏見（見原告簡報第46至48頁，本院卷六第243至244頁)；③系爭專利1/2 產品在短短數年內取得40%以上銷售比例，展現出強勁成長趨勢，故獲得商業成功云云(見簡報第51頁，本院卷六第246頁)。　　⒉惟由系爭專利2（甲證7）與系爭專利1（甲證6）之內容與系爭專利2大致相同，故以系爭專利2為例說明。其說明書第[0002]段記載「本發明係關於使用摻質和摻質氣體混合物進行離子植入，以增進離子植入系統中的離子源壽命及性能」，說明書第[0006]段記載「離子源失效可歸咎許多原因，包括沉積物積聚在陰極表面，其對離子的熱離子發射有負面影響，以致減低電弧電流、降低性能及縮短離子源壽命，及因電弧室中產生游離氟，引發摻質氣體進行有害蝕刻反應而產生四氟化鍺，並因陰極材料剝離或濺射，造成陰極失去物理完整性而縮減離子源性能和壽命」；說明書第[0026]段記載「相較於未使用同位素濃化摻質及/ 或補充材料的離子植入系統和製程，本發明使用同位素濃化摻質及/或補充材料的離子植入系統和製程可增進離子源壽命與性能」；另系爭專利2說明書第[0067]~[0073]段記載內容，可知採用具同位素之鍺、硼摻質之摻質氣體時，其中鍺包含同位素(70、72、73、74、76），因74Ge於離子植入過程中會與砷殘餘物產生及電弧室之不鏽鋼產生交叉汙染，若不採用鍺為摻質且氣體輸送管與電弧室介面採用石墨、鎢或其他材料的植入系統沒有交叉汙染問題，則可採用含74Ge之摻質氣體，故在同一植入機亦用於植入砷的情況下，使用天然含量之鍺摻質氣體，為解決施行砷摻雜之離子植入系統植入鍺時的砷汙染問題，採用天然含量較少的鍺72同位素係有利的，然如四氟化鍺中鍺72同位素的天然含量為24.3%，鍺74同位素則為37.1%（見系爭專利2說明書第14至15頁及表I，本院卷一第127至128頁）。是以使用天然含量之鍺勢必降低可用射束電流，可能減少產量及增加植入成本。系爭專利使用同位素濃化鍺72同位素之四氟化鍺或者鍺烷能有效提高可用射束電流，進而增加離子植入系統產量。使用同位素濃化之摻質組成物，例如同位素濃化70Ge之四氟化鍺或鍺烷，也可達成類似提高射束電流、產量和整體性能的好處，相較於未依天然含量濃度同位素調整之摻質及/或共種氣體的對應系統，有益的同位素濃度係相對其在摻質及/或共種氣體中之天然含量增加成能增進離子植入系統中離子源性能與壽命的程度。上開內容揭示系爭專利提出以經同位素濃化之摻質鹵化物作為摻質氣體可提高射束電流、增加增進離子植入系統中離子源性能與壽命的技術及其原理。　　⒊再系爭專利2說明書第[0029]段記載「稀釋氣體為不含摻質物種且與摻質氣體有效混合的氣體，相較於處理不含稀釋氣體之摻質氣體的相對應離子源壽命和性能，處理具摻質氣體之含稀釋氣體混合物的離子源壽命和性能較佳。稀釋氣體實例包括氫氣、氬氣、氟氣和氙氣。」，另查第[001 12]段記載「本發明係關於使用氨氣做為共流氣體和四氟化鍺，以增進離子植入系統的源壽命，其中四氟化鍺做為摻質氣體，且四氟化鍺可選擇性同位素濃化至少一Ge同位素。當使用氨氣做為補充氣體並與四氟化鍺混合來植入鍺時，氨氣(NH3)的氮與氫分子將有效清除四氟化鍺中的氟。清除氟的結果，將使GeF4/NH3混合物至少部分抑制鹵素在離子源內循環，鹵素循環會因鎢鬚晶生長在弧形槽縫及 /或鎢沉積在陰極及/或對陰極上而造成源壽命不佳」，由上開說明書內容可知，系爭專利係提出以氨氣作為補充氣體，因氨氣(NH3)的氮與氫分子將有效清除四氟化鍺中的氟，抑制鹵素在離子源內循環，抑制鎢鬚晶生長在弧形槽縫及/或鎢沉積在陰極及/或對陰極上而造成離子源壽命不佳，由系爭專利之發明說明雖揭示摻雜氣體含稀釋氣體混合物較不含稀釋氣體之摻質氣體的離子源壽命和性能佳，並舉出稀釋氣體實例包括氫氣、氬氣、氟氣和氙氣。但於第[00112]段記載之具體實施態樣僅係以四氟化鍺做為摻質氣體，以氨氣作為補充氣體，並說明氨氣在解決離子源壽命不佳問題上之作用，系爭專利說明書雖揭示加入稀釋氣體可解決離子源壽命不佳問題，惟說明書通篇並未揭示明確以e-GeF4/H2或e-BF3/H2混合氣體的具體實施態樣，亦未於說明書中提出相關實驗數據以資佐證該二氣體混合物可增進「離子束電流」之離子源性能。經查原證38為原告公司於2018年發表之期刊論文、原證39係於2014年發表之期刊論文，其中一位作者Joseph Sweeney為系爭專利之第二發明人。經查上開二論文係於系爭專利1公告日（201 3年2月21日）之後相當時日始發表，距離系爭專利1、2申請日（優先權日）2010年更長達4、8年之久，原告以此欲證明系爭專利於申請當時以e-GeF4/H2或e-BF3/H2之氣體組合中之氫氣具有增進「離子束電流」之功效，究屬系爭專利申請當時即已知悉（發現）？抑或為系爭專利申請之後甚至公告之後，始由申請人（或發明人）經由實驗試驗始得知者，自非無疑。 ⒋乙證10說明書第11頁末段至第12頁第1段（見本院卷二第71 、72頁）記載「本發明揭露具氣體混合之離子源的效能改良與生命期延長的技術…所述方法可包含將預定量之摻雜氣體釋放至離子源腔室內。所述摻雜氣體可包含摻雜物質。所述方法亦可包含將預定量之稀釋氣體釋放至離子源腔室內。所述稀釋氣體可稀釋摻雜氣體以改良離子源之效能並延長離子源之生命期」；又乙證10說明書第15頁表一（見本院卷二第75頁）揭露多種鹵化物形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4；乙證10說明書第16頁第2段（本院卷二第76 頁）記載「稀釋氣體可包括氫氣(H2)或含氫氣體」，另乙證10說明書第17頁第7至10行（見本院卷二第77頁）記載「藉由將預定量之一或多種氣體，諸如含氫稀釋氣體（或惰性氣體），以及預定量之摻雜氣體釋放至電弧室206內，可減少金屬成長速率或鎢堆積速率」，上開段落已揭示鹵化形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4加入氫氣可改良離子源之效能並延長離子源之生命期，其中氫氣的作用可以減少金屬成長速率或鎢堆積速度，此與前述系爭專利2說明書第[00112]段記載氨氣(含氫分子)對於改良離子源之效能並延長離子源之生命期所扮演的功能及作用相同。亦即乙證10已揭示離子植入製程採用鹵化形式之摻雜物質氣體中加入氫氣可以減少鎢堆積速度。另查乙證10說明書第 18頁第2段（見本院卷二第78頁）進一步揭示當AsH3（協同氣體）與GeF4（摻雜氣體）混合時，自由氫與自由氟分子組合雖可延長離子源生命期，然而，所需摻雜物質（Ge ）因電漿中之協同物質(As)缺乏摻雜劑(Ge)而減小，乙證 10第18頁第3段進一步揭示在離子植入期間使用摻雜氣體- 稀釋氣體之互補性組合，以防止Ge離子束電流減少…如GeH 4(稀釋氣體)+GeF4(摻雜氣體)之混合氣體，不僅自由氫與自由氟組合以改良離子源之生命期，而且來自摻雜氣體與稀釋氣體(補充反應之Ge來源)之Ge物質存在可防止任何離子束電流損失，相較系爭專利係採用經同位素濃化之鹵化物(e-GeF4)以增加有益摻質(72Ge同位素)濃度(來源)以維持或增加離子束電流。再乙證10說明書第19頁第14至16行（見本院卷二第79頁）記載「氫氣(H2)可做為額外稀釋氣體與任何摻雜劑-稀釋劑混合物一起(此時Gｅ摻質充足)釋放以便延長離子束電流」。相較於乙證10所揭示以「GeH4 (稀釋氣體)+GeF4(摻雜氣體)之混合氣體」(其中GeH4係為補充並維持Ge摻雜劑量)而系爭專利係以(e-GeF4)或(e-BF 3)之同位素濃化(增加有益的摻雜劑之濃度)來防止任何離子束電流損失(乙證8或乙證9揭示該技術特徵即可達成之功效)前提下，氫氣的作用均可減少鎢堆積進而維持離子束電流，故乙證10已揭示加入氫氣混合後具有延長離子束電流達成功效及原理。乙證8(或乙證9)及乙證10已分別揭示系爭專利1請求項1於離子植入製程中以經同位素濃化之摻質之鹵化物，或摻質之鹵化物加入氫氣作為摻質組成物可防止(Ge)離子束電流損失，以增進離子源壽命和性能之技術手段。至於摻質組成物之摻質氣體及稀釋氣體兩者係分開儲存不同容器或是一起混合儲存在單一容器，對於系爭專利所欲解決增進離子源壽命和性能之問題及功效並未產生實質的影響。 ⒌至於原告主張乙證10使用時的「預先混合」不等於安全、穩定的儲存，系爭專利係在「混合後儲存」於容器中且「涉及長期（例如1至3年或更久）之安全性/穩定性」(114 年2月17日簡報第20頁，本院卷六第230頁)，惟該功效於系爭專利申請時之說明書並未記載，亦未提出將該兩特定氣體混合之實施態樣，故該功效尚難作為系爭專利具進步性之論斷依據（退而言之，該技術亦見於乙證13），故系爭專利請求項中之摻質組成物僅為乙證10及乙證8（或乙證9）之結合，非原告所稱係於系爭專利申請時之意外發現。 ⒍另查甲證38係顯示以單獨使用11BF3、與使用11BF3/H2混合物可增進離子源壽命至兩倍以上（見甲證38第241頁左欄第16至20行與右欄第20至22行、圖5，本院卷五第175頁），再甲證39顯示使用eGeF4可以得到增進離子束電流，增進離子源壽命，使用eGeF4+H2可獲得額外的離子束電流增進（見甲證39第5頁右欄結論第1至5行，本院卷五第183頁），原告主張以該二證據為證明加入氫氣(H2)對於系爭專利具有顯著之功效，惟是否達成該功效應與兩者氣體混合物之特定比例有關，此部分於系爭專利說明書中均未揭示，且上開二文獻並未針對eGeF4/H2（或11BF3/H2）與習知以未經濃化之GeF4/H2（或BF3/H2）做比對。由於乙證8（或乙證9）及乙證10分別揭示e GeF4及H2具有增進離子源壽命之功能及作用，故原告欲以甲證38或甲證39證明系爭專利具有無法預期之功效，實屬牽強，故原告主張並非可採。　 ⒎另查系爭專利2說明書第[00108]段記載之內容可知，系爭專利之摻質氣體與補充氣體係分開儲存在不同容器(304,3 62,364)，透過管線(312,366,368)輸送至植入室後混合，另於說明書第[00109]至[00110]段可將摻雜氣體與補充氣體裝於單一供應容器(co-package共裝混合物)中，並將該混合氣體傳送至植入室，該方式可用於提供鍺烷(GeH4)混合含氫氣、鈍氣或其他稀釋氣體之混合物中，相較於高壓之100%鍺烷，此係較安全的包裝方式，第[00114]段記載「或者可提供含氨氣與四氟化鍺混合物且呈任何適當相對比例之單一供應容器」，系爭專利說明書對於摻質氣體及稀釋氣體混合於單一供應容器的發明，並未揭露eGeF4+H2 及eBF3+H2之實施態樣，更未提出兩者係以該適當比例混合始達成安全、穩定包裝之效果？故將上開二氣體混合於單一容器之方式可達「長期(例如1至3年或更久)之安全性穩定性」究屬系爭專利申請當時即已知悉(發現)？抑或申請人(發明人)於系爭專利申請之後始經由實驗試驗始得知者，自非無疑。 ⒏另查乙證13第37至38頁（見本院卷五第445至446頁）揭示一種氣體混合物，其包含清洗氣及沉積氣，該氣體混合物保持了在離子植入系統之陰極上摻雜材料的累積以及它或其他材料的剝離之間的平衡，並且因此延長離子源的壽命（見乙證13第37頁第14至20行，本院卷五第445頁）。該氣體混合物在離子源植入機中的存儲分配可以藉由一吸附 -解吸設備(被稱為SDS-安全遞送源)；一流體存儲和分配系統(被稱為VAC真空致動氣瓶)；或一SDS與VAC的混合流體存儲和分配系統(被稱為VAC-Sorb)。該等流體存儲和分配系統提供了氣體在低於大氣壓(負壓)下的遞送，並且由此比高壓流體存儲和分配系統更安全並且更有效。乙證13 第38頁第8至10行並載明:「該氣體混合物中的一些氣體可以一起在SDS、VAC或VAC-Sorb系統中存儲和分配，該等氣體在高壓流體存儲和分配系統中的共存係不相容的（參乙證13第37頁第20行至38頁第10行，本院卷五第446頁），該段原申請時之外文說明書為「Moreover, some of the gases of the gas mixture, which are not compatible to co-exist under high pressure fluid storage andd ispensing system, can be stored and dispensed toge ther under the SDS, VAC or VAC-Sorb systems.」（見本院卷六第309至311頁)；又乙證13除了揭示「在以上方法的另一實施方式中，氣體混合物的多種氣體順序地流動以便接觸該陰極」（見乙證13第38頁第13至14行，本院卷五第446頁）外，乙證13說明書第38頁第11至12行亦揭示「在以上方法的一實施方式中，氣體混合物的多種氣體同時地流動以便接觸該陰極」，該段內容意謂氣體混合物係一起在SDS、VAC或VAC-Sorb系統中儲存和分配始可同時地流動。再者，乙證13亦揭示氣體混合物之實例(但不限於) :…H2/GeF4…H2/BF3（見乙證13第39頁第2至6行，本院卷五第447頁），由上開內容，所屬技術領域中具通常知識者應可理解，乙證13揭示氣體混合物(見乙證13第39頁第2至 6行所例示，本院卷五第447頁)可藉由VAC、SDS或VAC-Sor b系統於低於大氣壓下(負壓)的遞送，這樣的傳送方式比以高壓流體存儲和分配系統更安全並且更有效，而且在這些氣體混合物中，一些原本以高壓流體存儲和分配系統中不相容共存的混合氣體，可以SDS、VAC或VAC-Sorb系統( 以低於大氣壓下 (負壓))一起被存儲和分配，故乙證13並未僅限定可一起儲存和分配的氣體係指「在高壓流體存儲和分配系統中的共存不相容」的某些氣體，且未排除原本以高壓流體或低壓流體(負壓)儲存和分配系統中的共存相容的混合氣體（此由乙證13之請求項44及45項所記載之內容並未限定氣體混合物為某些特定氣體可證)。故所屬技術領域中具通常知識者在閱讀乙證13後可得知，乙證13該例示之氣體混合物可透過VAC、SDS或VAC-Sorb等系統以低於大氣壓(負壓)下的遞送將該混合氣體一起儲存、運送之技術教示，故乙證13確實已揭示更正後系爭專利將「四氟化鍺及氫氣」或「三氟化硼及氫氣」混合而安全、穩定地儲放於單一容器中之技術特徵，未有原告所稱「被告自行拼湊乙證13技術內容所得之錯誤認知」，亦無所謂系爭專利克服了習知「四氟化鍺」或「三氟化硼」及「氫氣」分別為具腐蝕性物質或屬易燃氣體應有效隔離分開儲存之技術偏見，故原告主張尚不足採。 ⒐至於原告主張依據甲證38可證明將eGeF4+H2及eBF3+H2儲放於單一容器且具儲存穩定性及安全性係因兩者化學穩定性，熱力學計算顯示在室溫或高溫下，11BF3+H2之間並未產生反應（見甲證38第242頁左欄第37至41行，本院卷五第17 6頁)，該摻質組成物能穩定且安全地存於同一容器中，並能達到至少三年的穩定儲存壽命(甲證38第242頁右欄第1至 2行)；甲證39顯示eGeF4+H2混合物可穩定地儲存於單一容器在高溫的加速安全性測試中，長達25天沒有變化發生(參 114年2月17日簡報第12至13頁，本院卷六第226至227頁）云云。由於乙證13已明確揭示可將GeF4+H2或BF3+H2之混合氣體一起儲存並運送即可達成安全性之問題，其非系爭專利申請時始為之創見，該結果及功效亦為所屬技術領域中具通常知識者所能預期，原告以上開證據主張系爭專利具有之功效，並不可採。 ⒑原告另主張系爭專利之產品在短短數年內，取得40%以上的銷售比例，展現出強勁的成長趨勢，故系爭專利已獲商業上成功（見113年9月5日民事準備六狀第25至27頁，本院卷五第75至77頁）云云。所謂發明是否具商業上成功係指申請專利之發明於商業上獲得成功，且其係由該發明之技術特徵所直接導致，而非因其他因素如銷售技巧或廣告宣傳所造成者，則可判斷具有肯定進步性之因素（參照智慧局發明專利審查基準第3.4.2.3.4節)。經查原告僅概略性提出該公司販售純三氟化硼，以及系爭專利產品所占總銷售額相對比例，尚無從得知該類產品或競爭公司相類似產品於整體市場，特別是我國之銷售情形與市占比例，況且系爭專利產品歷經近10年之銷售，其總銷售額雖有成長，但總銷售額仍未達純三氟化硼產品一半，自難認已獲商業上成功，再者，系爭專利產品進入消費市場上的銷售業績及比例，更可能會因為廠商的品牌形象、銷售策略等因素所致，非係由系爭專利發明之技術特徵所直接導致，故原告以此銷售比例據此主張系爭專利獲得商業上的成功，並非正確。　 ⒒依上述，由於證據8、9、10、13已分別揭露更正後系爭專利之所有技術特徵，且證據間具有結合之動機，系爭專利具有否定進步性因素之理由，原告雖主張系爭專利具有有利功效、克服習知技術偏見及具商業成功之肯定進步性之輔助性判斷因素，惟經審酌後認為上開主張並無理由，綜合考量「否定進步性之因素」及「肯定進步性之因素」後，認為更正後系爭專利之發明為所屬技術領域中具有通常知識者參酌該相關先前技術所揭露之內容及申請時之通常知識所能輕易完成，故不具進步性。六、綜上所述，被告提出之乙證7與其餘證據組合，雖不足以證明系爭專利更正後請求項不具新穎性及進步性，但乙證10、 8及13之組合、或乙證10、9及13之組合，乙證10、8、11及1 3之組合、或乙證10、9、11及13之組合，乙證10、8及7之組合、或乙證10、9及7之組合，乙證14、13、11及8之組合、或乙證14、13、11及9之組合、或乙證15、13、11及8之組合、或乙證15、13、11及9之組合、或乙證16、13、11及8之組合、或乙證16、13、11及9之組合、或乙證17、13、11及8之組合、或乙證17、13、11及9之組合，均足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性；乙證7、8 及13之組合、或乙證7、9及13之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項15至18不具進步性；乙證10、8及13之組合、或乙證10、9及13之組合、或乙證10、8、11及13之組合、或乙證10、9、11及13之組合、或乙證10、8及7之組合、或乙證1 0、9及7之組合、或乙證7、8及13之組合、或乙證7、9及13 之組合、或乙證14、13、11及8之組合、或乙證14、13、11 及9之組合、或乙證15、13、11及8之組合、或乙證15、13、 11及9之組合、或乙證16、13、11及8之組合、或乙證16、13 、11及9之組合、或乙證17、13、11及8之組合、或乙證17、 13、11及9之組合，均足以證明更正後系爭專利2請求項1、2 、4、5、10、12、13不具進步性。系爭專利有應撤銷之事由，依智慧財產案件審理法第41條第2項規定，原告不得對被告主張專利權。從而，原告依專利法第96條第1 項至第3 項、民法第184條第1項前段、第185條、第179條及公司法第23 條第2項規定請求排除及防止被告等繼續侵害系爭專利，並請求被告二人連帶賠償損害，為無理由，應予駁回。原告之訴即經駁回，其假執行之聲請失其依據，併予駁回。七、本件其餘爭點（系爭產品有無落入系爭專利之專利權範圍、被告應否銷毀系爭產品及負損害賠償責任、損害賠償金額應如何計算及排除、防止侵害系爭專利有無理由部分），經本院審酌後認與判決結果不生影響，爰不一一論列。本件無為中間判決之必要，爰為終局判決，併此敘明。　　八、據上論結，本件原告之訴無理由，依智慧財產案件審理法第 2條、民事訴訟法第78條，判決如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日智慧財產第二庭法官　李維心以上正本係照原本作成。如不服本判決，應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，上訴時應提出委任律師或具有智慧財產案件審理法第10條第1項但書、第5項所定資格之人之委任狀；委任有前開資格者，應另附具各該資格證書及釋明委任人與受任人有上開規定（詳附註）所定關係之釋明文書影本。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日　　　　　　　　　　　　　書記官　林佳蘋附註：智慧財產案件審理法第10條第1項、第5項智慧財產民事事件，有下列各款情形之一者，當事人應委任律師為訴訟代理人。但當事人或其法定代理人具有法官、檢察官、律師資格者，不在此限：一、第一審民事訴訟事件，其訴訟標的金額或價額，逾民事訴訟法第四百六十六條所定得上訴第三審之數額。二、因專利權、電腦程式著作權、營業秘密涉訟之第一審民事訴訟事件。三、第二審民事訴訟事件。四、起訴前聲請證據保全、保全程序及前三款訴訟事件所生其他事件之聲請或抗告。五、前四款之再審事件。六、第三審法院之事件。七、其他司法院所定應委任律師為訴訟代理人之事件。當事人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親，或當事人為法人、中央或地方機關時，其所屬專任人員具有律師資格，並經法院認為適當者，亦得為第一項訴訟代理人。

2025-03-28

IPCV-112-民專訴-66-20250328-3

刑智上易

智慧財產及商業法院

違反著作權法

智慧財產及商業法院刑事判決 114年度刑智上易字第9號上訴人即被告林景羚莊博宇上列上訴人即被告等因違反著作權法案件，不服臺灣臺北地方法院中華民國113年12月27日第一審判決（112年度智易字第38號，起訴案號：臺灣臺北地方檢察署112年度偵字第16247號），提起上訴，本院判決如下：　　主文上訴駁回。理由一、按不服地方法院之第一審判決而上訴者，應向管轄第二審之高等法院為之；上訴書狀應敘述具體理由；上訴書狀未敘述上訴理由者，應於上訴期間屆滿後20日內補提理由書於原審法院。逾期未補提者，原審法院應定期間先命補正；又第二審法院認為上訴書狀未敘述理由或上訴有刑事訴訟法第362 條前段之情形者，應以判決駁回之，但其情形可以補正而未經原審法院命其補正者，審判長應定期間先命補正，刑事訴訟法第361條、第367條分別定有明文。　　　　　二、經查，上訴人即被告林景羚、莊博宇不服第一審判決，雖均於法定期間內具狀提起第二審上訴，惟其刑事聲明上訴狀僅記載「不服臺灣臺北地方法院112年度智易字第38號刑事判決，特於法定期間內就原判決之全部提起上訴，上訴理由容後補呈」等語，未敘述上訴理由，經原審法院裁定命上訴人等應於上訴期間屆滿後20日內補提理由書於原審法院，該裁定先後於民國114年2月5月、同年月13日，各由上訴人莊博宇之同居人代為收受、上訴人林景羚本人親自收受，均已生合法送達之效力，此有原審法院送達證書、上訴狀及上開函稿等資料在卷可參（見原審卷2第97、99、115、119、121頁、本院卷第17頁），惟上訴人等雖經原審法院命其補正，迄今仍未補提上訴理由，參照首揭規定，本件上訴書狀未敘述上訴理由而不合法定程式，爰依刑事訴訟法第372條規定，不經言詞辯論，予以駁回。據上論斷，應依智慧財產案件審理法第2條，刑事訴訟法第367條前段、第372條，判決如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日智慧財產第三庭審判長法官張銘晃法官　林怡伸法官　彭凱璐以上正本證明與原本無異。本判決不得上訴。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日書記官陳政偉

2025-03-28

IPCM-114-刑智上易-9-20250328-1

附民上

智慧財產及商業法院

違反著作權法

智慧財產及商業法院刑事附帶民事訴訟判決 114年度附民上字第2號上訴人林景羚莊博宇被上訴人鄭安琪上列上訴人等因違反著作權法案件，不服臺灣臺北地方法院中華民國113年12月27日第一審刑事附帶民事訴訟判決（113年度智附民字第1號），提起上訴，本院判決如下：　　主文上訴駁回。　　理由一、按刑事附帶民事訴訟除本編有特別規定者外，準用關於刑事訴訟之規定；又不服地方法院之第一審判決而上訴者，應向管轄第二審之高等法院為之；上訴書狀應敘述具體理由；上訴書狀未敘述上訴理由者，應於上訴期間屆滿後20日內補提理由書於原審法院。逾期未補提者，原審法院應定期間先命補正；第二審法院認為上訴書狀未敘述理由或上訴有刑事訴訟法第362條前段之情形者，應以判決駁回之，但其情形可以補正而未經原審法院命其補正者，審判長應定期間先命補正，刑事訴訟法第490條前段、第361條、第367條分別定有明文。　　　　　二、經查，上訴人林景羚、莊博宇不服第一審刑事附帶民事訴訟判決，雖均於法定期間內具狀提起第二審上訴，惟其刑事附帶民事聲明上訴狀僅記載「上訴理由容後補呈」等語，未敘述上訴理由，經原審法院裁定命上訴人等應於上訴期間屆滿後20日內補提理由書於原審法院，該裁定先後於民國114年2 月5月、同年月13日，各由上訴人莊博宇之同居人代為收受、上訴人林景羚本人親自收受，均已生合法送達之效力，此有原審法院送達證書、上訴狀及上開函稿等資料在卷可參（見原審卷2第97、99、115、119、121頁、本院卷第17頁），惟上訴人等雖經原審法院命其補正，迄今仍未補提上訴理由，參照首揭規定，本件上訴書狀未敘述上訴理由而不合法定程式，爰依刑事訴訟法第490條前段準用同法第372條規定，不經言詞辯論，予以駁回。據上論斷，應依智慧財產案件審理法第2條，刑事訴訟法第490條前段、第367條前段、第372條，判決如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日智慧財產第三庭審判長法官張銘晃法官　林怡伸法官　彭凱璐以上正本證明與原本無異。本判決不得上訴。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日書記官陳政偉

2025-03-28

IPCM-114-附民上-2-20250328-1

刑營訴

智慧財產及商業法院

違反營業秘密法

智慧財產及商業法院刑事裁定　 113年度刑營訴字第24號被告 LEI MING （雷鳴，新加坡籍）選任辯護人徐宏昇律師賴苡安律師上列被告因違反營業秘密法等案件，經檢察官提起公訴(113年度偵緝字第933、934號)，本院裁定如下：　　主　文 LEI MING(雷鳴)自民國一百十四年四月十日起，限制出境、出海捌月。　　理　由一、按被告犯罪嫌疑重大，有相當理由足認有逃亡之虞者，必要時檢察官或法官得逕行限制出境、出海，但所犯係最重本刑為拘役或專科罰金之案件，不得逕行限制之；又審判中限制出境、出海每次不得逾 8月，犯最重本刑為有期徒刑10年以下之罪者，累計不得逾 5年，其餘之罪，累計不得逾10年；起訴或判決後案件繫屬法院或上訴審時，原限制出境、出海所餘期間未滿一月者，延長為一月，刑事訴訟法第93條之 2 第1項第2款、第93條之3第2項後段、第5項分別定有明文。二、被告LEI MING(雷鳴，下稱被告）因違反營業秘密法等案件，於偵查中經檢察官認其涉嫌違反營業秘密法等案件，犯罪嫌疑重大，且有相當理由足認其有逃亡之虞，故於民國113年8月10日起，限制出境、出海8月。上開案件嗣經檢察官提起公訴，於113年12月3日繫屬本院，被告於本院準備程序中，否認部分犯罪，然依卷內現存事證，其違反上開罪名之犯罪嫌疑依然重大。三、本院依法予被告及其辯護人陳述意見之機會，並審酌全案證據資料後，認被告涉犯違反營業秘密法第13條之2第1項、第 13條之1第 1項第2款之意圖在域外使用而逾越授權範圍重製營業秘密罪，犯罪嫌疑重大，又被告為外籍人士，前於偵查中經通緝始到案，仍有出境後不再入境我國之可能性，且面臨刑事審判、執行及民事賠償，為規避日後審判程序之進行　　、妨害刑罰之執行及告訴人求償追訴而逃亡之可能性甚高，　　有相當理由足認有逃亡之虞，以本案犯罪情節、目前訴訟進　　行程度，衡酌國家刑事司法權之有效行使、社會秩序及公共　　利益之維護，與被告居住及遷徒自由權受限制之程度，認有　　限制出境、出海之必要，爰依刑事訴訟法第93條之2第1項第　　2款，裁定被告自114年 4月10日起，限制出境、出海8月，　　由本院通知執行機關即內政部移民署及海洋委員會海巡署偵　　防分署執行之。據上論斷，應依刑事訴訟法第93條之2第1項第2款、第93條之3第 2項，裁定如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日　　　　　　　　　智慧財產第四庭　　　　　　　　　　　　　審判長法　官　蔡慧雯　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　李郁屏　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　馮浩庭以上正本證明與原本無異。如不服本裁定，應於送達後10日內，向本院提出抗告狀。　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　黃奎彰中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日

2025-03-27

IPCM-113-刑營訴-24-20250327-3

民著上易

智慧財產及商業法院

著作權其他契約爭議事件

智慧財產及商業法院民事判決 113年度民著上易字第6號上訴人軌魅有限公司法定代理人吳冠緯被上訴人影像怪獸有限公司法定代理人凃宥呈上列當事人間著作權其他契約爭議事件，上訴人對於中華民國11 3年5月10日臺灣臺北地方法院112年度智字第1號第一審判決對其不利部分提起上訴，本院於114年3月13日言詞辯論終結，判決如下：主文一、原判決命上訴人給付逾新臺幣貳萬壹仟元本息部分及該部分假執行暨訴訟費用之裁判均廢棄。二、上開廢棄部分，被上訴人在第一審之訴及假執行之聲請均駁回。三、上訴人其餘上訴駁回。四、第一審(除確定部分外)、第二審訴訟費用由上訴人負擔十分之七，餘由被上訴人負擔。事實及理由壹、程序事項：一、本件係智慧財產案件審理法修正施行（民國112年1月12日修正、同年8月30日施行）前繫屬（見臺灣臺中地方法院111年度智字第10號卷，下稱臺中地院卷第9頁），依同法第75條第1項前段，應適用修正前智慧財產案件審理法之規定。二、被上訴人經合法通知，無正當理由未於言詞辯論期日到場，經核並無民事訴訟法第386條各款所列事由，爰依上訴人之聲請為一造辯論判決。貳、實體事項：一、被上訴人主張(與本件第二審審理範圍無關部分不予贅述)：　被上訴人於110年10月28日與訴外人穩茂生物醫藥科技股份有限公司（下稱穩茂公司）成立短片影像製作契約（下稱系爭拍片契約），約定由被上訴人為穩茂公司拍攝企業短片及影像製作，被上訴人拍攝之影像如原判決附表1編號1-3所示（下合稱系爭原始影片），為該等著作之財產權人。嗣被上訴人與上訴人於110年12月13日簽訂影片剪輯契約（下稱系爭後製契約），約定由被上訴人提供系爭原始影片予上訴人，上訴人於被上訴人授權範圍內按其指示進行剪輯後製，並要求未經被上訴人同意前不得將剪輯影像公開曝光。後上訴人交付如原判決附表2編號1、2所示影片共2支予被上訴人（下合稱系爭後製影片），該等影片財產權亦應歸被上訴人所有。詎上訴人之法定代理人吳冠緯未經被上訴人及穩茂公司同意，於110年12月30日、111年1月11日、同年月14日，在上訴人經營之YouTube及臉書網站之「米映製作」帳號網頁上，就如原判決附表2編號2所示影片擅自公開傳輸；另就如原判決附表2編號1所示影片擅自拆分成上下集如編號1-1、1 -2所示，並使用不同封面上傳，總秒數亦與交付被上訴人之影片不同，而有重製、改作如原判決附表2編號1所示影片之行為（以上3支上訴人公開傳輸之影片如原判決附表3編號1 至3所示，下合稱系爭公開影片），侵害被上訴人就系爭原始影片、系爭後製影片之著作權，被上訴人因此於111年1月 15日通知上訴人公司終止系爭後製契約，被上訴人已依系爭後製契約給付上訴人10支剪輯影像費用共新臺幣(下同)4萬5 ,000元，每支影片費用為4,500元，而上訴人僅交付系爭後製影片2支，被上訴人既然終止系爭後製契約，上訴人僅能收取報酬9,000元，其無法律上原因溢領報酬3萬6,000元【計算式：4萬5,000元－9,000元＝3萬6,000元】，依民法第179 條規定，請求上訴人公司如數返還，爰依民法第179條提起本件訴訟。二、上訴人抗辯則以：原審判決上訴人應給付被上訴人2萬9,000元及自112年11月1 8日起至清償日止年息5%之利息，然原判決附表二編號1之部分，片長22分18秒，依照系爭後製契約第2條(被證3，同原證四註解說明02)約定超過15分鐘可以分成上下兩支影片處理，上訴人認為編號1、2等於3支影片，應計算為2萬4,000 元，依民法第179條，被上訴人可請求返還2萬1,000元。又原判決附表一編號3茶道之製作，雖為順稿剪輯版本之半成品，但仍花費多時與人力成本製作剪輯，應仍有原價8,000 元中4,500元的報酬，且西元2022年1月15日，原證15的第1 則(臺灣臺北地方法院卷【下稱北院卷】第345頁)，上訴人有提到茶道影片已上傳，亦即已上傳到當初提供給被上訴人的雲端等語。承上，被上訴人可請求返還金額應為1萬6,500 元。三、被上訴人未於言詞辯論期日到場，亦未提出聲明及陳述。四、原審判決：㈠上訴人公司應給付被上訴人2萬9,000元，及自1 12年11月18日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息。㈡被上訴人其餘之訴駁回。㈢訴訟費用由上訴人公司負擔百分之二，餘由被上訴人負擔。㈣本判決第一項得假執行。但上訴人公司以2萬9,000元為被上訴人預供擔保，得免為假執行。㈤被上訴人其餘假執行之聲請駁回。上訴人不服提起上訴，並聲明：㈠原判決關於不利於上訴人部分廢棄。㈡上開廢棄部分，被上訴人於第一審之訴及假執行聲請均駁回。㈢第一、二審訴訟費用由被上訴人負擔。四、本院得心證之理由：㈠原審經審酌後認定上訴人依系爭後製契約，係交付被上訴人如原判決附表2編號1、2所示影片共2支（即系爭後製影片），至於上訴人主張就原判決附表2編號1係交付如原判決附表 2編號1-1、1-2所示2支影片，而由被上訴人或穩茂公司自行將之合併為1支云云，顯與兩造訂立系爭後製契約之目的有間，復與常情相違，難認可採。又系爭後製影片屬共同著作，著作財產權為被上訴人與上訴人共有，上訴人將如原判決附表2編號1所示影片拆為上、下2集之重製行為，及公開傳輸系爭公開影片之行為，屬共同著作權人之合理使用行為，被上訴人無正當理由不得拒絕。　㈡原審判決就被上訴人依民法第179條規定可請求上訴人返還2 萬9,000元，理由大致如下: 　　本件被上訴人於111年1月15日通知上訴人終止系爭後製契約，此為兩造所不爭(兩造不爭執事項見原判決第5至6頁)，系爭後製契約終止後，上訴人就受領之超額報酬，其受利益原因失其存在，即應依民法不當得利法律關係返還被上訴人。系爭後製契約第4條約定：「…反之，若客戶端任意終止或解約，其專案優惠價將改為執行單一價位(單價)計算。」、第 5條約定後期製作影片單價為8,000元，專案優惠單價為4,50 0元等情，有影片製作報價單1份附卷可證（見臺中地院卷第 35頁）。而本件上訴人使用、公開傳輸系爭公開影片並無違反系爭後製契約或侵害被上訴人著作權之情，自可認被上訴人因不可歸責上訴人之事由，任意終止契約。依上開約定，各後製影片單價應回歸8,000元計算。又上訴人共交付如附表2編號1、2所示影片2支，其可受領之報酬應計為1萬6,000 元。被上訴人已付4萬5,000元，其依民法第179條規定請求返還2萬9,000元【計算式：4萬5,000元－1萬6,000元＝2萬9,0 00元】，確屬有據。上訴人辯以其就如原判決附表1編號3所示影片已製作順稿本版本，此部分應計算8,000元製作費等語，惟就原判決附表1編號3所示影片，兩造並不爭執上訴人未交付完工後之成品，被上訴人或穩茂公司事後亦未使用上訴人製作之影片，堪認該半成品於被上訴人並無價值，依承攬報酬後付原則，上訴人自無受領此部分報酬之法律上泉源，上訴人上開所辯，尚非有理等語。㈢上訴人僅就原判決判命其給付被上訴人2萬9,000元部分不服上訴，本院審酌如下: 　⒈原審判決雖認為上訴人主張就原判決附表2編號1係交付如原判決附表2編號1-1、1-2所示2支影片，而由被上訴人或穩茂公司自行將之合併為1支，顯與兩造訂立系爭後製契約之目的有間，復與常情相違云云。然查，本件影片製作報價單即系爭後製契約第2條約定：「影片風格依客戶提供之範例為基準，總長度均落在15分鐘內；假使影片總長度過長，將分成上下(支)集處理計算」，依原判決附表二編號1所示片長2 2分18秒，原判決附表二編號1-1及編號1-2片長各為11分45 秒及11分12秒，總長計22分57秒，不論依被上訴人或上訴人主張片長均超過15分鐘，上訴人自得依系爭後製契約第2條約定主張將原判決附表二編號1-1及編號1-2分成2支影片價，原判決就此部分漏未審酌系爭後製契約第2條約定，即謂與常情相違，自非允當，是本件被上訴人依民法第179條規定得請求上訴人返還2萬1,000元【計算式：4萬5,000元－2萬 4,000元＝2萬1,000元】，始屬妥適。　⒉至於上訴人辯稱其就如原判決附表1編號3所示影片已製作順稿本版本，此部分應計算8,000元製作費云云。但查，就原判決附表1編號3所示影片，兩造並不爭執上訴人未交付完工後之成品，被上訴人或穩茂公司事後亦未使用上訴人製作之影片，堪認該半成品於被上訴人並無價值，是以原判決依承攬報酬後付原則，認上訴人無受領此部分報酬之法律上泉源，並無違誤。上訴人固辯稱原判決附表1編號3所示影片已依系爭後製契約第3條前段約定，即影片素材上傳方式由客戶方提供雲端空間或隨身硬碟，並於排定製作日前完整提交製作素材，包含拍攝影片、文案、影像製作註解說明，經其由雲端上傳給被上訴人，但查依系爭後製契約第5條約定「　　影片製作報價單將於雙方確認無誤後，完成簽署後拍照回傳以及款項支付，雙方便可立即排定製作之日起(附件一)」，而該條約定所稱「附件一」並未經兩造確定，而關於兩造確認內容一事，上訴人陳稱係直接電話聊，但並無電話錄音，是以無從依此方式確認，而由上訴人法定代理人吳冠緯與其所謂被上訴人窗口jinnifer kek之原證15LINE對話，並未確認原判決附表1編號3所示「茶道」影片(北院卷第345至379 頁)，且就受命法官詢問:「後續提到以上法官所詢問原證十五的LINE對話，是因客戶反映「貧富大挑戰-下」雙方的對話，與「茶道」無關？」，亦為上訴人法定代理人吳冠緯所是認(見本院卷第99頁第6至9行準備程序筆錄所載)，承上足認上訴人主張其就原判決附表1編號3所示影片應取得8,000 元製作費，並非可採。五、綜上所述，被上訴人依民法第179條規定請求上訴人返還2萬 1,000元本息，為有理由，應予准許，原判決此部分並無違誤，上訴意旨指摘原判決此部分不當，求予廢棄改判，為無理由，應予駁回。至於原判決命上訴人給付逾2萬1,000元本息部分，為無理由，該部分假執行之聲請亦失所附麗，應併予駁回，因此，上訴人就此部求予廢棄改判，為有理由，自應由本院將此部廢棄，並改判如主文第2項所示。六、本件判決基礎已經明確，當事人其餘攻擊防禦方法及訴訟資　　料經本院斟酌後，核與判決結果不生影響，並無逐一論述必　　要。七、據上論結，本件上訴為一部有理由、一部無理由，依修正前智慧財產案件審理法第1條，民事訴訟法第450條、第449條第1項、第79條、385條第1項前段，判決如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日智慧財產第一庭審判長法官　汪漢卿法官　吳俊龍法官　曾啓謀以上正本係照原本作成。不得上訴。中　　華　　民　　國　　114 　年　　4 　　月　　2　　日　　　　　　　　　　　　　書記官　丘若瑤

2025-03-27

IPCV-113-民著上易-6-20250327-1

刑智上訴

智慧財產及商業法院

偽造文書等

智慧財產及商業法院刑事判決 113年度刑智上訴字第33號上訴人即被告莊明憲選任辯護人林孝甄律師劉彥麟律師上列上訴人即被告因偽造文書等案件，不服臺灣臺北地方法院11 0年度智訴字第9號，中華民國113年8月21日第一審判決（起訴案號：臺灣臺北地方檢察署109年度調偵字第863、885、919號、10 9年度偵字第16709、18763號），提起上訴，本院判決如下：　　主文原判決關於緩刑命被告應於緩刑期間內向指定之政府機關、政府機構、行政法人、社區或其他符合公益目的之機構或團體提供壹佰貳拾小時之義務勞務及緩刑期間付保護管束部分，均撤銷。　　事實及理由一、本院審理範圍：按刑事訴訟法第348條第3項規定：「上訴得明示僅就判決之刑、沒收或保安處分一部為之。」此之所謂刑，除所諭知之主刑、從刑（禠奪公權），尚包含緩刑（包括緩刑之附加負擔部分)。而緩刑乃調和有罪必罰與刑期無刑之手段，必須受2年以下有期徒刑、拘役或罰金之輕度刑罰宣告，並合於刑法第74條第1項各款所定條件之一始得諭知。其與針對犯罪行為相關之具體情況，本諸責任刑罰之原則，審酌刑法第 57條各款所列情狀而為量定之刑罰裁量，或就被告本身及其所犯各罪之總檢視，權衡參佐被告之責任、整體刑法目的暨相關刑事政策等，依刑法第51條之規定予以酌定之應執行刑，各有不同之規範目的，所應審酌之事項與適用之法律亦為相異，已難謂與量定宣告刑或定應執行刑不得予以分離審判。故如僅就下級審緩刑或附加負擔部分諭知與否或當否提起一部上訴，於該部分經上訴審撤銷或改判時，亦不會與未聲明上訴之宣告刑或應執行刑部分產生相互矛盾之情況。於此情形，緩刑與宣告刑或應執行刑間，非互屬審判上無從分割之「有關係之部分」。是僅就下級審緩刑或附加負擔部分提起一部上訴，效力自不及於未聲明之宣告刑或應執行刑部分（最高法院112年度台上字第3367號、第4510號判決意旨參照）。查本案上訴人即被告莊明憲經原審論處罪刑後，檢察官未上訴，被告具狀針對原判決宣告：㈠緩刑4年；㈡緩刑期間內應向指定之政府機關、政府機構、行政法人、社區或其他符合公益目的之機構或團體提供120小時之義務勞務（下稱緩刑附義務勞務負擔）；㈢緩刑期間付保護管束；㈣沒收犯罪所得部分提起上訴，有卷附刑事上訴暨上訴理由（一）狀 1份可稽（見本院卷第49頁至第50頁），嗣被告於本院準備程序及選任辯護人在場之情形下，當庭表明前揭僅就原判決㈡緩刑附義務勞務負擔、㈢緩刑期間付保護管束部分提起上訴，並撤回其他關於㈠、㈣所示第二審上訴之旨，已生合法撤回第二審部分上訴之效果，亦有本院準備程序筆錄、刑事撤回上訴狀各1件在卷可參（見本院卷第120頁、第125頁），揆諸前揭判決意旨，原判決宣告被告之緩刑附義務勞務負擔及緩刑期間付保護管束部分與未聲明上訴之宣告刑間，並非互屬審判上無從分割之有關係之部分，是本院之審判範圍，僅限於原判決宣告刑之緩刑附義務勞務負擔及緩刑期間付保護管束部分之妥適與否進行審查，不及於原判決認定之犯罪事實、罪名及沒收，此部分之認定，均引用第一審判決書所載之事實、證據及理由，先予敘明。二、被告上訴意旨略以：　　被告於原審已經坦承犯行，且與告訴人之繼承人等以新臺幣（下同）350萬元達成調解，迄今已按期給付200萬元，犯後態度良好。又被告已高齡70歲，曾於民國83年遭逢重大車禍，導致「頭部外傷併硬腦膜下出血」而住院手術；102年7月間，因急性腹痛進行膽囊切除手術；目前因罹患糖尿病、高血壓等，時常暈眩，多次跌倒受傷，經醫院開出預防跌倒衛教單。由於被告身體逐漸老化，且可能因上開腦部受創、手術之後遺症，導致有記憶力衰退、錯置情形，隨著年齡增長，身體及記憶力只會更加退化，被告確實有不適合服義務勞務及執行定時報到之保護管束，另被告與子女努力籌措共計 21萬元，分別捐款予公益團體，以彌補過錯、回饋社會，爰請求撤銷原判決關於緩刑附義務勞務負擔及緩刑期間付保護管束等語。三、撤銷改判之理由：　㈠按緩刑宣告與否暨附加如何之負擔，屬法院得依職權裁量之事項。又刑法緩刑之規定，原僅設定2至5年之觀察期間，並無附負擔之規定，欠缺在緩刑期間內對受緩刑宣告人之具體觀察手段，為落實緩刑意旨，且基於個別預防、鼓勵被告自新及復歸社會之目的，94年2月2日刑法修正時，仿刑事訴訟法緩起訴附負擔之規定，於刑法第74條增訂第2項，導入緩刑期間內附負擔之機制，並於95年7月1日施行。依增訂緩刑附負擔規定之立法意旨，及緩刑所附之負擔，或係對於被害人關係之修復；或為賦予被告社會公益責任；或者係使被告回復身心正常之處遇；抑或為預防犯罪與保護被害人之相應舉措，足見緩刑所附之負擔並非刑罰之替代性措施（最高法院113年度台上字第5065號刑事判決意旨參照）。　㈡原判決以被告前未曾因故意犯罪受有期徒刑以上刑之宣告，並審酌被告因一時失慮，致罹刑案，且犯後坦承犯行，有悔悟之心，並與告訴人之繼承人等成立調解，經偵審程序，當知所警惕，應無再犯之虞，因認對被告所宣告之刑，以暫不執行為當，併予宣告緩刑4年，另考量被告所為，為法所不許，為促使其日後得以知曉尊重法治之觀念，認除前開緩刑宣告外，尚有賦予其等一定負擔之必要，爰衡酌被告之犯罪情節、經濟狀況等，依刑法第74條第2項第5款規定命被告於緩刑附義務勞務負擔，及依刑法第93條第1項第2款規定諭知其於緩刑期間付保護管束，固非無據。然查：　⒈被告上訴意旨所陳伊曾遭逢車禍，導致「頭部外傷併硬腦膜下出血」而住院手術、進行膽囊切除手術，及因罹患糖尿病、高血壓等疾病，經醫院開出預防跌倒衛教單各情，有被告提出國立台灣大學醫學院附設醫院病歷、住院病歷、病歷摘要、檢驗報告單、會診記錄；台北長庚紀念醫院急診病歷、會診邀請單、會診回覆單、會診及報告單、心電圖檢查報告、檢驗醫學科檢驗報告單、手術記錄單、出院病歷摘要等醫療資料在卷可參（見本院卷第187頁至第285頁、第301頁至第307頁）。另被告捐款21萬元予公益團體，亦有國內匯款申請書5紙在卷可憑（見本院卷第291頁至第293頁）。　2.按基於刑罰目的性之考量、刑事政策之取向及行為人刑罰之衡量，國家刑罰權之行使，兼具一般預防及特別預防之目的，量刑仍應以行為人責任為基礎，本於責任之不法內涵為主要準據，同時考量緩刑係附隨於有罪判決的非機構式之刑事處遇，且緩刑所附之負擔並非刑罰之替代性措施，而是藉由緩刑附負擔以及違反緩刑規定將入監執行之方式，給予某種心理上的強制作用，達到矯正過錯，警惕再犯之警示作用，及重新社會化之人格自我再製之機能。原判決固對被告宣告緩刑附義務勞務負擔及緩刑期間付保護管束，惟衡酌被告已高齡70歲且身體健康情形欠佳一節，已如前述，其現實上如因身體健康因素致無法履行上開緩刑附負擔及緩刑期間受保護管束之執行，等同變相課予被告面臨因有刑法第75條之1 第1項第4款規定情形，而遭法院撤銷緩刑宣告之風險，則原判決所命緩刑附負擔及受保護管束執行，無異剝奪被告已獲有緩刑之寬典，不無逾越反映本案犯行之可非難性與侵害法益程度，而有科刑裁量失當之違反罪刑相當原則違誤。佐以，公訴檢察官於本院審理時亦當庭陳明：被告相對有年紀了，而且身體健康狀況也不好，對於被告希望改以捐款公益金給公益團體，並取代義務勞務120小時，就被告的上訴沒有特別意見，請鈞院依法審酌等語（見本院卷第179頁）。從而，原審固考量被告所為，為法所不許，為促使其日後得以知曉尊重法治之觀念，認除緩刑宣告外，尚有賦予其等一定負擔之必要，經衡酌被告之犯罪情節、經濟狀況等，宣告被告緩刑附義務勞務負擔及緩刑期間付保護管束，然未及審酌被告身體健康情形欠佳，能否確實履行緩刑附義務勞務負擔及受保護管束之執行，及被告於本院時籌措款項捐款予公益團體之彌補過錯悔悟態度等有利於被告之量刑因子，即不無有偏失側重之情，尚有未洽。㈢綜上，被告上訴意旨，指摘原判決宣告緩刑附義務勞務負擔部分不當，即屬有據，應由本院予以撤銷。至於緩刑期間付保護管束部分，因撤銷緩刑附義務勞務負擔而失所附麗，應併予撤銷。據上論斷，應依刑事訴訟法第369條第1項前段、第364條、第373 條，判決如主文。本案經檢察官許智評提起公訴，檢察官朱立豪到庭執行職務。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日智慧財產第三庭審判長法官　張銘晃　　　　　　　　　　　　　　　法官　李郁屏　　　　　　　　　　　　　　　法官　馮浩庭以上正本證明與原本無異。如不服本判決，應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，其未敘述上訴之理由者，並得於提起上訴後20日內向本院補提理由書（均須按他造當事人之人數附繕本）「切勿逕送上級法院」。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日　　　　　　　書記官蔡文揚附錄本案論罪科刑法條全文修正前著作權法第91條之1 擅自以移轉所有權之方法散布著作原件或其重製物而侵害他人之著作財產權者，處三年以下有期徒刑、拘役，或科或併科新臺幣五十萬元以下罰金。明知係侵害著作財產權之重製物而散布或意圖散布而公開陳列或持有者，處三年以下有期徒刑，得併科新臺幣七萬元以上七十五萬元以下罰金。犯前項之罪，其重製物為光碟者，處六月以上三年以下有期徒刑，得併科新臺幣二十萬元以上二百萬元以下罰金。但違反第八十七條第四款規定輸入之光碟，不在此限。犯前二項之罪，經供出其物品來源，因而破獲者，得減輕其刑。中華民國刑法第216條行使第210條至第215條之文書者，依偽造、變造文書或登載不實事項或使登載不實事項之規定處斷。中華民國刑法第210條偽造、變造私文書，足以生損害於公眾或他人者，處5年以下有期徒刑。中華民國刑法第220條在紙上或物品上之文字、符號、圖畫、照像，依習慣或特約，足以為表示其用意之證明者，關於本章及本章以外各罪，以文書論。錄音、錄影或電磁紀錄，藉機器或電腦之處理所顯示之聲音、影像或符號，足以為表示其用意之證明者，亦同。

2025-03-27

IPCM-113-刑智上訴-33-20250327-1