Know99判決書

搜尋結果：民事訴訟事件

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確認支付命令不生效力等

臺灣南投地方法院民事判決 113年度訴字第67號原告蕭麗芬訴訟代理人陳敬升律師被告滙豐(台灣)商業銀行股份有限公司法定代理人紀睿明訴訟代理人王崇恩李秉翰湯志剛上列當事人間請求確認支付命令不生效力等事件，本院於民國11 4年3月10日言詞辯論終結，判決如下：　　主　文原告之訴駁回。訴訟費用由原告負擔。　　事實及理由一、原告主張略以：　　訴外人香港商香港上海匯豐銀行股份有限公司（下稱香港匯豐銀行）前以原告向訴外人中華商業銀行股份有限公司（下稱中華商銀，中華商銀前與香港匯豐銀行合併，並由香港滙豐銀行為存續銀行，概括承受中華商銀之資產、負債與營業，嗣香港匯豐銀行與被告依企業併購法有關分割之規定，將香港匯豐銀行在臺灣分行之部分營業、資產及負債分割予被告）申請麥克現金卡，積欠卡債本金新臺幣（下同）17萬5, 366元、利息及違約金，向本院聲請對原告核發支付命令，經本院核發97年度司促字第7514號支付命令（下稱系爭支付命令）及確定證明書。嗣被告以系爭支付命令及確定證明向本院民事執行處換發民國99年7月27日投院平99司執愛字第1 3333號債權憑證（下稱系爭債權憑證）。被告復於110年9月 28日執系爭債權憑證向本院民事執行處對原告聲請強制執行，經本院民事執行處以110年度司執字第22971號清償債務強制執行事件（下稱系爭強制執行事件）受理在案，被告並於 110年10月27日全額受償51萬1,185元。詎料，系爭支付命令係按被告所陳報原告之戶籍地址「南投縣○○市○○○路000號」（下稱系爭戶籍址）為送達，然原告實際未居住於該戶籍地址，故系爭支付命令核發後，3個月內未合法送達原告，自不生效力。則被告執系爭債權憑證對原告聲請強制執行，而受償51萬1,185元，即無法律上原因，自應返還。爰依民事訴訟法第515條、民法第179條規定，提起本件訴訟。並聲明：㈠確認系爭支付命令對原告不生效力；㈡被告應給付原告51 萬1,185元，及自民事起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按週年利率5％計算之利息。二、被告抗辯則以：　　系爭支付命令業經合法送達而生效，原告於支付命令卷宗銷毀後始爭執系爭支付命令送達未合法，自應就未合法送達之事實負舉證責任，且原告早在87年4月2日即遷入系爭戶籍址，亦無廢止住所之意思，系爭支付命令自屬已合法送達原告而生效。又系爭支付命令既為合法有效，而被告執該命令所換發之系爭債權憑證，亦同屬有效，故被告執系爭債權憑證於系爭強制執行事件受償51萬1,185元，自屬有法律上原因。並聲明：如主文第1項所示。三、兩造不爭執事項：　㈠原告自87年4月2日起迄今均設籍於系爭戶籍址。　㈡香港匯豐銀行於97年間聲請支付命令，經本院核發系爭支付命令，並取得支付命令確定證明書。被告曾以系爭支付命令及確定證明書向原告聲請強制執行，並換發系爭債權憑證。　㈢被告於110年9月28日以系爭債權憑證為執行名義，聲請強制執行原告之財產，經本院以系爭強制執行事件受理在案，被告於110年10月間收取原告對訴外人臺灣土地銀行股份有限公司南投分公司之存款51萬1,185元而全部受償，執行程序已於110年10月27日終結。　㈣系爭支付命令卷及本院99年度司執字第13333號清償債務強制執行卷宗，均已罹於保存期限銷燬。四、兩造爭執事項：　㈠系爭支付命令是否未經合法送達而失其效力？　㈡原告依民法第179條規定，請求被告返還51萬1,185元，有無理由？　五、本院之判斷：　㈠按確認法律關係之訴，非原告有即受確認判決之法律上利益者，不得提起之，民事訴訟法第247條第1項前段定有明文。又所謂即受確認判決之法律上利益，係指因法律關係之存否不明確，致原告在私法上之地位有受侵害之危險，而此項危險得以對於被告之確認判決除去者而言，故確認法律關係成立或不成立之訴，苟具備前開要件，即得謂有受確認判決之法律上利益。經查：原告主張香港匯豐銀行聲請並經本院核發系爭支付命令，該支付命令因未於核發後3個月內合法送達於原告，而失其效力等情，為被告所否認，則系爭支付命令對原告是否失其效力並不明確，致原告私法上之地位有受侵害之危險，堪認原告起訴請求確認系爭支付命令對於原告失其效力，應有即受確認判決之法律上利益。　㈡按債務人對於支付命令未於法定期間合法提出異議者，支付命令與確定判決有同一之效力，104年7月1日民事訴訟法第5 21條第1項修法前定有明文。而發支付命令後，3個月內不能送達於債務人者，其命令失其效力，民事訴訟法第515條第1 項亦有明定。又法院誤認未確定之裁判為確定，依聲請付與確定證明書者，不生裁判已確定之效力，法院就該裁判已否確定，仍得予以審查，不受該確定證明書之拘束(最高法院8 1年台抗字第114號裁定意旨參照)。經查：系爭支付命令雖為修法前核發之支付命令，如經合法送達，原告未於法定期間合法提出異議，與確定判決有同一效力，原告應受既判力之拘束，不得再為相異之主張。然原告既主張系爭支付命令未經合法送達，不生確定效力，本院就系爭支付命令已否確定，自仍得予以審查。　㈢按法院依法定程式所作之文書，除有反證，足以證明其記載為失實外，就其記載事項有完全之證據力，此觀民事訴訟法第355條之規定自明。且當事人請求發給確定證明書，法院應依司法院92年8月26日修正發布之辦理民事訴訟事件應行注意事項第146點規定，經審查判決、裁定、支付命令確經合法送達確定後，始得發給。則支付命令既經法院發給確定證明書予債權人，其所記載之事項，除有反證外，即有完全之證據力。嗣後債務人於支付命令卷宗逾保存期限而銷燬後，主張該支付命令未經合法送達，自應由債務人就此未經合法送達之事實舉證證明之(最高法院108年度台上字第2644號判決意旨參照)。經查：香港匯豐銀行於97年間聲請支付命令，經本院核發系爭支付命令，並取得支付命令確定證明書。嗣被告於99年間以系爭支付命令及確定證明書向本院民事執行處對原告聲請強制執行，並換發取得系爭債權憑證等情，為兩造所不爭執。原告於113年1月31日始以系爭支付命令未對其合法送達為由，起訴請求確認系爭支付命令對原告不生效力，惟系爭支付命令卷宗及系爭債權憑證卷宗均因逾保存期限業已銷燬，有調案申請證明在卷可憑(見本院卷第33 至35頁)，原告於系爭支付命令卷宗銷燬後，始主張系爭支付命令未經合法送達提起本件確認之訴，依上開說明，自應由原告就此未經合法送達之事實負擔舉證證明，以推翻系爭支付命令確定證明書之記載。　㈣原告固主張系爭支付命令送達時，其因工作關係實際住所為門牌號碼高雄市○○區○○○路000號、高雄市○○區○○街00號，並提出Google街景照片2幀為證，足證系爭支付命令未經合法送達等等。惟按送達於應受送達人之住居所、事務所或營業所行之，民事訴訟法第136條第1項本文定有明文。依一定事實，足認有久住之意思，住於一定之地域者，即為設定其住所於該地，民法第20條第1項亦有明文。是我國民法關於住所之設定，兼採主觀主義及客觀主義之精神，必須主觀上有久住一定區域之意思，客觀上有住於一定區域之事實，該一定之區域始為住所（最高法院109年度台上字第2100號判決意旨參照）。其次，依一定事實，足認以廢止之意思離去其住所者，即為廢止其住所，民法第24條固有明文。惟雖離去其住所，如出國留學、出外就業、在營服役、在監服刑、離家避債、逃匿等，但有歸返之意思者，尚不得遽認廢止其住所（最高法院102年度台抗字第201號裁定意旨參照）。經查：原告於87年4月2日遷入並設籍於系爭戶籍址迄今乙節，有原告戶籍謄本在卷可稽（見本院卷第47頁），且為兩造所不爭執。其次，原告自陳於97年間當時其父親有心血管疾病，其有回南投帶父親去門診，其生病受傷亦均在南投就醫，當時其來來去去等節，業據原告自陳在卷（見本院卷第216頁），足徵原告於自87年4月2日起遷入系爭戶籍址時，即有將該址作為長久居住設為住所之意思。再者，系爭支付命令於 97年8月4日核發，而原告於97年7月4日健保投保單位名稱為「南投縣餐飲職業工會」並於99年4月19日退保，以及原告於97年1月12日、同年10月9日就醫門診醫事機構均位於南投縣，有本院依職權使用院內裁判查詢機查得系爭支付命令、原告健保投保資料及衛生福利部中央健康保險署函復本院資料附卷可參（見本院卷第131頁、限制閱覽卷宗卷第13至15 頁），上開南投縣餐飲職業工會及醫事機構均回復本院原告所留存之地址均為系爭戶籍址（見本院卷第235頁、限制閱覽卷宗卷第21、23頁），依上可知，原告並未因工作緣故，而將其戶籍地址變更遷入高雄，可見原告雖因出外工作而離去系爭戶籍址之住所，但有歸返之意思，難認原告主觀上有放棄久住系爭戶籍址之意思。參以，原告於系爭強制執行事件聲請閱卷書狀及委任狀，以及本件民事起訴狀所留存之住所地址亦均為系爭戶籍址。綜上各節，原告自87年4月2日遷入系爭戶籍址，縱因工作關係外出，然原告未曾向戶政機關辦理戶籍地址之變更，復於法院執行、訴訟事件提出之訴訟文書未有更動他址之情形，顯見原告並無廢止系爭戶籍址為其住所之意思。　㈤準此，系爭支付命令按系爭戶籍址送達，符合民事訴訟法第1 36條規定，既經合法送達，原告未於法定期間合法提出異議而告確定，依104年7月1日修正前民事訴訟法第521條第1項規定，自生與確定判決同一之效力，原告應受既判力之拘束，不得再為相異之主張。是以，原告再行訴請確認系爭支付命令對其不生效力，並依民法第179條規定請求被告返還受償51萬1,185元及法定遲延利息，均屬無據。六、綜上所述，原告請求確認系爭支付命令對原告不生效力，以及依民法第179條規定訴請被告應給付原告51萬1,185元及法定遲延利息，均為無理由，應予駁回。七、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊防禦方法及所提證據，核與判決之結果不生影響，爰不逐一論述，併此敘明。八、訴訟費用負擔之依據：民事訴訟法第78條。　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　民事第二庭　法　官　蔡仲威以上正本係照原本作成。如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　　　　　　　書記官　陳雅雯

2025-03-31

NTDV-113-訴-67-20250331-2

北小

臺北簡易庭

損害賠償

臺灣臺北地方法院小額民事判決 114年度北小字第344號原告余奕佑訴訟代理人余遠灝被告李翊群現於法務部○○○○○○○執行上列當事人間損害賠償事件，原告就本院113年度易字第718號詐欺等刑事案件提起附帶民事訴訟（113年度附民字第1428號），經刑事庭移送前來，本院於民國114年3月6日言詞辯論終結，判決如下：　　主　　文被告應給付原告新臺幣27,000元，及自民國113年7月22日起至清償日止，按年息5%計算之利息。訴訟費用由被告負擔。本判決得假執行。但被告如以新臺幣27,000元為原告預供擔保後，得免為假執行。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　臺北簡易庭　法　官　林振芳上列正本係照原本作成。如不服本判決，須以違背法令為理由，應於判決送達後20日內向本庭（臺北市○○○路0段000巷0號）提出上訴狀。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　　　　　　　書記官　蔡凱如附註：訴訟費用負擔之依據為民事訴訟法第78條。本件係由刑事庭依刑事訴訟法第504條第1項規定，裁定移送民事庭之刑事附帶民事訴訟事件，依同條第2項規定，免納裁判費。至本件言詞辯論終結時尚未發生其他訴訟費用，本無確定訴訟費用額必要。惟仍爰依民事訴訟法第87條第1項之規定，諭知訴訟費用之負擔，以備將來如有訴訟費用發生時，得確定其負擔，併此敘明。　　　附錄：一、民事訴訟法第436條之24第1、2項：　　對於小額程序之第一審裁判上訴或抗告，非以其違背法令為理由，不得為之。二、民事訴訟法第436條之25：　　上訴狀內應記載上訴理由，表明下列各款事項：　㈠原判決所違背之法令及其具體內容。　㈡依訴訟資料可認為原判決有違背法令之具體事實。

2025-03-31

TPEV-114-北小-344-20250331-1

附民

臺灣高等法院臺南分院

損害賠償

臺灣高等法院臺南分院刑事附帶民事訴訟判決　 114年度附民字第140號　　原告黃保齊被告王財源上列被告因侮辱案件（114年度上易字第6號），原告提起附帶民事訴訟事件，請求損害賠償，本院判決如下：　　主　文原告之訴及假執行之聲請均駁回。　　　理　由一、按刑事訴訟諭知無罪、免訴或不受理之判決者，應以判決駁回原告之訴，刑事訴訟法第503條第1項前段定有明文。二、本件被告王財源被訴侮辱案件，經臺灣臺南地方法院113年度易字第1665號判決無罪，檢察官不服提起上訴，業經本院 114年度上易字第6號判決上訴駁回在案。則依照首開規定，自應駁回原告附帶提起之民事訴訟，其假執行之聲請因亦無所附麗，應併予駁回。三、據上論斷，應依刑事訴訟法第503條第1項前段，判決如主文。　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　刑事第三庭　審判長法　官　林逸梅　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　陳珍如　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　梁淑美以上正本證明與原本無異。不得上訴。　　　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　沈怡君　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日

2025-03-31

TNHM-114-附民-140-20250331-1

民聲

智慧財產及商業法院

核定律師酬金

智慧財產及商業法院民事裁定 114年度民聲字第8號聲請人興南眼鏡有限公司法定代理人林麗珍上列聲請人與相對人黃麗文即宏興眼鏡行間聲請核定律師酬金事件，本院裁定如下：主文聲請人之律師酬金核定為新臺幣伍萬元。　　　　理由一、聲請意旨略以：聲請人與相對人黃麗文即宏興眼鏡行間排除侵害商標權行為事件（本院112年度民商訴字第58號，下稱本案訴訟），聲請人依智慧財產案件審理法第10條第1項第1 款、第15條聲請確定律師酬金新臺幣（下同）12萬元。　　二、按智慧財產第一審民事訴訟事件，其訴訟標的金額或價額，逾民事訴訟法第466條所定得上訴第三審之數額，當事人應委任律師為訴訟代理人，但當事人或其法定代理人具有法官、檢察官、律師資格者，不在此限；第10條第1項本文及第1 1條第1項之律師酬金，為訴訟或程序費用之一部，並應限定其最高額。其支給標準，由司法院參酌法務部及全國律師聯合會等意見定之，智慧財產案件審理法第10條第1項及第15 條分別定有明文。立法意旨以：考量智慧財產民事事件之高度法律專業性，為保護當事人權益，促進審理效能，明定特定類型之智慧財產民事事件應強制由律師代理，故限制上開第10條第1項規定所列之事件強制律師代理，並明定該律師酬金為訴訟或程序費用之一部。次按法院裁定律師酬金，應斟酌案情之繁簡、訴訟之結果及律師之勤惰，於下列範圍內為之。但律師與當事人約定之酬金較低者，不得超過其約定：、民事財產權之訴訟，於訴訟標的金額或價額百分之三以下，但最高不得逾50萬元，法院選任律師及第三審律師酬金核定支給標準（下稱支給標準）第4條第1項第1款亦定有明文。三、經查，本件聲請人前對相對人因排除侵害商標權行為事件提起本案訴訟，本院判決認相對人應排除侵害及給付聲請人10 萬元，並駁回聲請人其餘之請求。聲請人及相對人均未提起上訴，而告確定。本案訴訟係聲請人依商標法第68條第3款、第69條第1項、第3項、第71條第1項第3款及民事訴訟法第 222條第2項規定請求排除侵害並賠償損害；又依公平交易法第21條第1至4項及同法第29條規定請求排除相對人之侵害，本件訴訟標的金額及價額共計為265萬元，為智慧財產案件審理法第10條第1項之強制律師代理事件，聲請人係委任郭○ ○律師為第一審訴訟代理人（本案訴訟卷第52頁）。又依前揭支給標準第4條第1項第1款規定，及審酌本案訴訟案情尚非甚為繁雜，當事人人數亦非眾多，本院審理期間共開庭5 次，聲請人先後提出起訴狀、追加起訴狀、爭點整理狀、民事補充㈠至㈤狀、更正狀、聲請調查證據狀及㈠狀，並提出相關證據資料供參酌，則聲請人聲請核定本案訴訟之第一審律師酬金，自無不合，爰核定律師酬金為伍萬元。四、依前揭規定，裁定如主文。　　　中　　華　　民　　國　　114 　年　 3 　　月　 31 　日智慧財產第二庭法官李維心　以上正本係照原本作成。如不服本裁定應於送達後10日內向本院提出抗告狀，並繳納抗告費新臺幣1,500元。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　　　　　書記官林佳蘋

2025-03-31

IPCV-114-民聲-8-20250331-1

民聲

智慧財產及商業法院

核定律師酬金

智慧財產及商業法院民事裁定 114年度民聲字第23號聲請人工商財經數位股份有限公司法定代理人陳國瑋上列聲請人與相對人吳仁凱間聲請核定律師酬金事件，本院裁定如下：主文聲請駁回。　　　　理由一、聲請意旨略以：聲請人與相對人吳仁凱間侵害著作權有關財產權爭議事件，前經本院於民國113年10月16日以113年度民著訴字第8號（下稱本案訴訟）民事判決確定在案，依本案訴訟之判決，訴訟費用由相對人負擔，並依智慧財產案件審理法第10條第1項、第15條規定，律師酬金為訴訟費用之一部，為確定訴訟費用額，聲請核定本件委任律師之酬金。二、按智慧財產第一審民事訴訟事件，其訴訟標的金額或價額，逾民事訴訟法第466條所定得上訴第三審之數額，當事人應委任律師為訴訟代理人，但當事人或其法定代理人具有法官、檢察官、律師資格者，不在此限；第10條第1項本文及第1 1條第1項之律師酬金，為訴訟或程序費用之一部，並應限定其最高額。其支給標準，由司法院參酌法務部及全國律師聯合會等意見定之，智慧財產案件審理法第10條第1項第１款及第15條分別定有明文。立法意旨以：考量智慧財產民事事件之高度法律專業性，為保護當事人權益，促進審理效能，明定特定類型之智慧財產民事事件應強制由律師代理，故限制上開第10條第1項規定所列之事件強制律師代理，並明定該律師酬金為訴訟或程序費用之一部。　　三、經查，本件相對人吳仁凱前對聲請人、宏岳國際有限公司（下稱宏岳公司）、黃偉傑、時報資訊股份有限公司、東南旅行社股份有限公司、基隆市政府、旅網國際股份有限公司、東森新媒體控股股份有限公司等因侵害著作權有關財產權爭議事件提起本案訴訟，相對人請求賠償金額逾民事訴訟法第 466條所定得上訴第三審之數額，為強制律師代理之訴訟。嗣經本院於判決認宏岳公司、黃偉傑應連帶給付相對人新臺幣30萬元，並駁回相對人其餘之訴。宏岳公司、黃偉傑不服上開判決，於同年11月12日提起上訴，本院113年度民著上易字第11號審理中，前開訴訟尚未全部終結，故本院尚無從就聲請人應負擔之律師酬金為全部斟酌，且律師酬金係按件數核定，不得將訴訟割裂而先行核定部分之律師酬金。從而，聲請人聲請就其自身已駁回其訴部分核定律師酬金，即有未合，不應准許。四、依民事訴訟法第95條第1項，裁定如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31 　日智慧財產第二庭法官　李維心以上正本係照原本作成。如不服本裁定應於送達後10日內向本院提出抗告狀，並繳納抗告費新臺幣1,500元。　　　　　　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　　　　　書記官　林佳蘋

2025-03-31

IPCV-114-民聲-23-20250331-1

民公訴

智慧財產及商業法院

公平交易法除去侵害等

智慧財產及商業法院民事判決 113年度民公訴字第9號原告 Little Mermaid Showroom 法定代理人關慧珊送達代收人許少慈訴訟代理人鄭敦晉律師被告綺麗絲國際有限公司法定代理人李昇達訴訟代理人蔡晴羽律師林煜騰律師（兼送達代收人）孫國成律師上列當事人間請求公平交易法除去侵害事件，本院於民國114年3 月3日言詞辯論終結，判決如下：主文原告之訴駁回。訴訟費用由原告負擔。　　事實及理由壹、程序方面：一、本院就本件涉外事件有管轄權，並應適用我國法為準據法：　㈠按民事案件涉及外國人或構成案件事實中牽涉外國地者，即　　為涉外民事事件，應依涉外民事法律適用法定法域之管轄及　　法律之適用（最高法院98年度台上字第1695號判決意旨參照　　) ；又按關於外國人或外國地涉訟之國際管轄權，我國涉外　　民事法律適用法並未規定，故就具體事件受訴法院是否有管　　轄權，應顧及當事人間實質上公平、裁判之正當妥適、程序　　之迅速經濟等訴訟管轄權法理，類推適用內國法之民事訴訟　　法有關規定（最高法院97年臺抗字第185號裁定、96年度台　　上字第582號判決意旨參照）。本件原告為香港地區依法設　　立之法人(原證1：原告商業登記證明，見本院卷第17頁)，具有涉外因素，是本件屬涉外民事事件。而原告依公平交易法規定請求如後述訴之聲明，而選擇於我國法院提起本件訴訟，且被告為我國法人（經濟部商工登記公示資料查詢服務，見本院卷第37至39頁），不但在我國境內能接受通知之送達，且其重要經濟活動及主要財產所在地亦在我國境內，兩造在我國應訴最為便利，亦符合「被告應受較大之保護」原則，將來我國法院就本件判決亦能為最有效之執行，是我國就本件應有司法管轄權，又依我國智慧財產及商業法院組織法第3條第3款之規定，本院對於本公平交易法事件亦有管轄權，合先敘明。㈡次按未經許可之香港或澳門法人、團體或其他機構，不得在臺灣地區為法律行為；香港澳門之公司在臺灣地區營業準用公司法有關外國公司之規定，香港澳門關係條例（下稱港澳條例）第39條、第41條分別定有明文。而港澳條例第39條之規定乃為保護我國國內交易安全而設，對於香港、澳門地區未經認許之法人，應認其得在我國為民事訴訟之原、被告。港澳條例第39條所稱之「法律行為」，應不包括訴訟行為在內（最高法院91年度台上字第2647號判決意旨參照）。又按未經認許其成立之外國法人，雖不能認其為法人，然仍不失為非法人之團體，苟該非法人團體設有代表人或管理人者，依民事訴訟法第40條第3項規定，自有當事人能力。至其在臺灣是否設有事務所或營業所則非所問（最高法院50年台上字第1898號判決先例意旨參照）。查本件原告係依香港地區法律設立註冊登記之法人，其雖未經我國主管機關認許，然既為香港地區之法人，並設有設有代表人及營業所，自不失為非法人之團體，而有訴訟法上之當事人能力，得為本件民事訴訟之原告。㈢復按，民事事件涉及香港或澳門者，類推適用涉外民事法律　　適用法。涉外民事法律適用法未規定者，適用與民事法律關係最重要牽連關係地法律，港澳條例第38條定有明文。又按法律行為發生債之關係者，其成立及效力，依當事人意思定其應適用之法律，涉外民事法律適用法第20條第1項定有明文。查原告主張兩造間於我國涉有公平交易法除去侵害事件，原告本於公平交易法之法律關係而為請求，依上開規定，本件自應適用我國法為準據法。二、按訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴，但擴張或減縮應受判決事項之聲明者，不在此限，民事訴訟法第255 條第1項第3款定有明文。本件原告原訴之聲明第ㄧ、二項為「一、被告應向Meta Platforms,Inc.撤回對原告所有之Fac ebook及Instagram社群平台帳號專頁（帳號名稱均為：0000 00 0000000 00000000；註冊電子信箱均為：OOOOOOOOOOOOO OOOOOOOOOOOOOOOOOOO）之檢舉，致上開帳號專頁回復至均得正常使用之狀態。二、原告願供擔保，請准為假執行之宣告。」；嗣於民國113年12月23日，經法官諭知行為人之意思表示不適合假執行，原告當庭撤回假執行之聲請(本院卷第178頁)，原告前開所為訴之變更，核屬減縮應受判決事項之聲明，揆諸前揭規定，核無不合，應予准許。三、原告經本院合法通知（本院113年12月23日準備程序筆錄第6 頁第28至29行記載，見本院卷第182頁），未於最後言詞辯論期日到場，核無民事訴訟法第386條各款所列情形，爰依被告之聲請，由其一造辯論而為判決。　　貳、實體方面：　　　　一、原告主張：　　原告係以銷售韓國時裝及保養品等為主之零售店，登記設立於香港，並同時經營Meta Platforms,Inc.（下稱Meta公司）之Facebook及Instagram社群平台帳號專頁（帳號名稱均為：OOOOOO OOOOOOO OOOOOOOO；註冊電子信箱均為：OOOOO OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO，下合稱系爭專頁），而透過經營系爭專頁銷售商品，係原告主要之營業方法及收入來源。系爭專頁於113年3月間突遭不名人士向Meta公司檢舉，導致系爭專頁無預警遭到封鎖，嗣經原告詢問Meta公司，始知原告係遭檢舉人以電子信箱「OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO」檢舉原告之系爭專頁有侵權之情事(下稱系爭檢舉行為)，Me ta公司說明如欲重啟系爭專頁，須由原告自行與檢舉人釐清本件爭議，並由檢舉人撤回本件檢舉後方得重啟。原告之主要營業方法及收入來源均係以經營系爭專頁進行商品銷售為主，而被告向Meta公司檢舉原告之前，並未事先或同時通知原告系爭專頁有侵權之可能，先行請求原告排除侵害，亦未說明具體事實及理由使原告清楚知悉有何侵權之情事，即向 Meta公司檢舉，違反公平交易委員會對於事業發侵害著作權、商標權或專利權警告函案件之處理原則第4點第1項、第2 項所規定之義務，導致原告在不清楚系爭專頁有何侵權行為之狀況下遭關閉迄今，使原告無法使用系爭專頁營運，而持續受有重大之損害，顯已影響交易秩序，並有顯失公平之情況，已構成公平交易法第25條之違反。原告並於113年7月29 日以敦洋法公字第0000000000號律師函請求被告協助釐清本件爭議至今，均未獲被告任何回應，使原告之權益受損持續擴大，其行為已有構成陳述或散布足以損害他人營業信譽之不實、影響交易秩序等違反公平交易法規定之情事，致原告之權益受有重大之損害，原告依公平交易法第29條之規定請求除去侵害，爰依法提起本件訴訟。並聲明：㈠被告應向Met a 公司撤回對原告所有之系爭專頁之檢舉，致上開帳號專頁回復至均得正常使用之狀態。㈡訴訟費用由被告負擔。二、被告則以：　　檢舉原告系爭專頁之帳號，雖與被告於經濟部商工登記公示資料之英文名稱相符合，惟該帳號並非被告所有。又檢舉系爭專頁有侵害智慧財產權之疑慮，並不必然導致系爭專頁遭移除以及封鎖之結果，倘若其確實遭到移除，亦係由於Meta 公司基於管理系爭專頁平台之權限所為，系爭檢舉行為與原告所受到之使用系爭專頁之權益侵害間，不具備相當因果關係，且被告並非檢舉人，無從撤回系爭檢舉行為。而系爭專頁得否回復至正常使用之狀態，依舊取決於Meta公司是否於收受檢舉之撤回申請以後，決定恢復系爭帳號之權限。是原告訴之聲明請求被告撤回系爭檢舉行為，並致系爭專頁回復至正常使用之狀態，其所聲明之事項間不僅欠缺關聯性，亦缺乏可執行性。另參酌Meta公司社群政策，系爭檢舉行為並不符合警告函處理原則第2點所稱之「事業發警告函行為」，不構成原告所主張之公平交易法第24條、第25條不公平競爭情事，更無法導出原告主張之公平交易法第29條侵害排除請求權。並聲明：㈠原告之訴駁回。㈡訴訟費用由原告負擔。三、本件法官依民事訴訟法第271條之1準用同法第270條之1第1 項第3款、第3 項規定，整理兩造不爭執事項並協議簡化爭點如下：㈠不爭執事項：　⒈原告以甲證2及甲證7主張其Facebook及Instagram社群平台　　帳號專頁(即系爭專頁)遭檢舉人以電子信箱「OOOOOOOOOO OOOOOOOOOO」向Meta公司檢舉侵權(即系爭檢舉行為)。 ⒉原告以甲證2及甲證7主張系爭專頁於Meta公司接收系爭檢舉行為後，Meta公司關閉及封鎖。　㈡本件爭點: ⒈系爭檢舉行為是否為被告所為? ⒉系爭檢舉行為是否有公平交易委員會對於事業發侵害著作權、商標權或專利權警告函案件之處理原則之適用?是否屬向被告之交易相對人或潛在之交易相對人發函?是否違反公平交易法第25條之規定? 　⒊系爭檢舉行為是否違反公平交易法第24條之規定? 四、得心證之理由：　㈠按「當事人主張有利於己之事實者，就其事實有舉證之責任。但法律別有規定，或依其情形顯失公平者，不在此限。」民事訴訟法第277條定有明文。次按「依舉證責任分配法則所確定之應負舉證責任一造當事人，其對待證事實所應提出之證據，乃係本證，該本證應使法院對待證事實達到『確信』始可謂舉證成功；此時，乃應由不負舉證責任一造當事人對該待證事實之相反事實提出證據反駁，稱為反證，用以『動搖』法官原基於本證所得之確信即可，不須令法院對該相反事實形成確信。故本證與反證於主體及舉證程度，皆不相同。」最高法院113年度台上字第226號民事判決旨可資參照。本件原告既主張系爭檢舉行為係被告所為，則依民事訴訟法第277條規定以及前開最高法院判決意旨，即應由其就此有利於己之事實負舉證責任，且其應提出之證據乃係本證，而應使法院對該待證事實達到確信之程度。　㈡原告主張透過甲證10號(本院卷第197至205頁)，於113年9月4日收到電話號碼「OOOO OOO OOO OOO」即「Sophia truu」之人員來訊，就訊息內容可知對本件訴訟細節熟稔於心，可證此電話為被告或被告之雇員所使用、「TRUU」為被告旗下所經營之品牌，且為該手機之使用者，足認系爭檢舉行為係被告所為云云。惟經本院依原告聲請函詢訴外人台灣大哥大股份有限公司(台灣大哥大公司)，經台灣大哥大公司函覆OOOOOOOOOO係訴外人○○○○○○○○○所使用(見本院卷第219至221頁)，無法證明係被告或被告之員工所使用。況查，依甲證10顯示對話內容明確載有「TRUU審查侵權」等字句，無法證明系爭檢舉行為確係被告所為，而係由「TRUU童」品牌方依其權利保護機制所為之正當審查。又觀諸甲證10號第2至5頁所呈現之對話人頭像，雖可推知原告應係與同一人進行對話，然該對話者之顯示名稱卻前後不一，時而顯示為「OOOO OOO OOO OOO」、時而又變更為「Sophia truu」，亦有可疑，且無證據顯示被告與「TRUU」品牌有何關聯。　㈢原告主張為證明檢舉案件確實存在及檢舉人為「OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO」，聲請本院向台灣臉書有限公司函詢檢舉案號第283389491471789號案件資全案資料，向恩克斯網路科技有限公司(下稱恩克斯公司)函詢被告及Instagram專頁於其公司張貼主辦活動之紀錄之完整資料，以及向美商科高國際有限公司(下稱美商科高公司)函詢「OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO」與「OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO」之用戶資料、「OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO」於113年5月27日發信至「OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO」之完整訊息等語。然查，宏鑑法律事務所代台灣臉書有限公司函覆之函文(本院卷第235至236頁)陳稱台灣臉書有限公司並未擁有、經營、控制或主辦臉書服務或Instagram服務，因此，台灣臉書有限公司並無法針對本院函文採取任何對應行動。至於恩克斯公司、美商科高公司於本件言詞辯論終結前雖尚未函覆，但查被告辯稱其以「mkup_tw」網路帳號及「MKUP」品牌於Instagram社群平台經營美妝事業，並架設官方網站，主要從事保養品及化妝品等商品之銷售，深耕美妝與護膚領域，致力於以高品質的化妝保養產品，滿足消費者多元需求，此有原告提出之社群平台帳號專業截圖與官網網頁截圖可稽（參甲證8，見本院卷第141至144頁），且遍尋甲證8之社群平台及官方網站之貼文，根本無「TRUU」之字樣之產品，更遑論「TRUU」所為被告經營之品牌等語，應堪採信。承上，則原告主張「OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO」與「OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO」均為被告或被告員工所設，且均為被告或被告員工所使用；被告以「OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO」向Ｍeta公司檢舉，後再以「OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO」回覆原告有關侵權事宜；此二信箱為「TRUU」品牌之代理人、「TRUU」為被告旗下品牌云云，即非可採。　㈣縱使被告曾於恩克斯公司架設之「獎金獵人」網頁上架比賽之資訊，並留下電子信箱「OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO」為被告之聯繫方式，亦無法逕推論該信箱與系爭檢舉信箱(即「O OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO」)有關聯，進而認定檢舉行為係被告所為，因為電子信箱為網路活動常見之工具，一人可能持有多個信箱，多人亦可能共用同一信箱，或以他人信箱代為收發信息，故原告之推論過於間接且缺乏合理因果關係，声認已盡舉證責任而得證明系爭檢舉行為為被告所為。　㈤綜上，原告無法證明被告與「TRUU」品牌有何關聯，亦無法證明「OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO」、「OOOOOOOOOOOOOOOOOO OOOO」為「TRUU」品牌之代理人、「TRUU」為被告旗下品牌及被告以「OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO」向Ｍeta公司檢舉，後再以「OOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO」回覆原告有關侵權事宜。因此，原告主張系爭檢舉行為係被告所為，並非可採。　㈥系爭檢舉行為既非被告所為(爭點1)，則本件爭點2、3即不需進一步審究，附此敘明。五、綜上所述，被告無法舉證系爭檢舉行為為被告所為，其主張被告違反公平交易法第24條、第25條之規定，依同法第29條請求被告應向Meta公司撤回對原告所有之系爭專頁之檢舉，致上開帳號專頁回復至均得正常使用之狀態，應予駁回。六、本件事證已臻明確，兩造其餘之攻擊或防禦方法及提出之證　　據資料，經本院斟酌後認均不足以影響本判決之結果，爰不　　逐一論列，附此敘明。七、結論：本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第2 條，民事訴訟法第78條、第385條第1項，判決如主文。　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日智慧財產第一庭法官　曾啓謀以上正本係照原本作成。如不服本判決，應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，上訴時應提出委任律師或具有智慧財產案件審理法第10條第1項但書、第5項所定資格之人之委任狀；委任有前開資格者，應另附具各該資格證書及釋明委任人與受任人有上開規定（詳附註）所定關係之釋明文書影本。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　4 　　月　　9 　　日　　　　　　　　　　　　　書記官　丘若瑤附註：智慧財產案件審理法第10條第1項、第5項智慧財產民事事件，有下列各款情形之一者，當事人應委任律師為訴訟代理人。但當事人或其法定代理人具有法官、檢察官、律師資格者，不在此限：一、第一審民事訴訟事件，其訴訟標的金額或價額，逾民事訴訟法第四百六十六條所定得上訴第三審之數額。二、因專利權、電腦程式著作權、營業秘密涉訟之第一審民事訴訟事件。三、第二審民事訴訟事件。四、起訴前聲請證據保全、保全程序及前三款訴訟事件所生其他事件之聲請或抗告。五、前四款之再審事件。六、第三審法院之事件。七、其他司法院所定應委任律師為訴訟代理人之事件。當事人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親，或當事人為法人、中央或地方機關時，其所屬專任人員具有律師資格，並經法院認為適當者，亦得為第一項訴訟代理人。

2025-03-31

IPCV-113-民公訴-9-20250331-1

上

臺灣高等法院臺中分院

履行協議等

臺灣高等法院臺中分院民事裁定 112年度上字第21號上訴人賀姿華訴訟代理人李學鏞律師上列聲請人因與相對人賴清祥等間履行協議等事件，聲請退還溢繳裁判費，本院裁定如下：　　主　文聲請駁回。　　理　由一、聲請意旨略以：聲請人對民國113年3月6日本院112年度上字第21號民事判決不服提起上訴，嗣減縮訴之聲明，且減縮部分之裁判費，均已於另案即本院112年度重上字第226號（下簡稱另案）訴訟中繳納，故裁判費已重複繳納，並詳如113 年11月25日陳報狀、同年12月9日書狀、114年3月20日聲請狀等，爰請求退還溢繳之裁判費新臺幣（下同）3萬9447元等語。二、按訴訟費用如有溢收情事者，法院應依聲請並得依職權以裁定返還之，民事訴訟法第77條之26第l項定有明文。原告撤回其訴者，訴訟費用由原告負擔。其於第一審言詞辯論終結前撤回者，得於撤回後3個月內聲請退還該審級所繳裁判費3 分之2，民事訴訟法第83條定有明文。揆其立法意旨係為鼓勵當事人撤回無益或不必要之訴訟，以減省法院之勞費，必該訴訟全部因原告撤回起訴或上訴人撤回上訴，致訴訟全部繫屬消滅而告終結時，始得聲請法院退還該裁判費，是倘原告僅撤回其訴之一部，則訴訟仍繫屬於法院，並無減少法院裁判之勞費，即無該項規定之適用（最高法院95年度第7次民事庭會議決議、97年度台抗字第232號裁定意旨參照）。　　所謂溢收，專指訴訟費用因誤會或其他原因而有溢收情事而言，例如法院對訴訟標的價額計算有誤而導致溢收裁判費，或當事人因誤少為多而溢繳之情形（最高法院112年度台抗字第353號裁定意旨可參）。又單純減縮應受判決聲明之情形，不得聲請退還裁判費，辦理民事訴訟事件應行注意事項第136點第4項後段亦有明定。三、查：　㈠聲請人對於113年3月6日本院112年度上字第21號民事判決，不服提起上訴，並僅繳交裁判費2萬6002元（見本院卷一第1 6頁），經本院於113年11月5日裁定為：本件訴訟標的價額核定為1975萬9254元。上訴人（即指聲請人，下同）應於本裁定正本送達翌日起10日內補繳第三審裁判費26萬6330元，逾期未補繳，即駁回其上訴。上訴人另應補繳第一審裁判費新臺幣16萬218元、第二審裁判費26萬6330元（如附表之本院核定之訴訟標的價額欄位及說明所示）。嗣聲請人於113 年11月18日再補繳交裁判費13萬8952元，有本院自行收納款項收據可佐。　㈡上訴人雖嗣迭具狀減縮部分上訴聲明（詳113年11月18日縮減訴之聲明狀、113年12月8日上訴理由記補充說明㈢狀、同年1 2月9日書狀、114年3月20日聲請溢繳裁判費狀），本院彙整如附表「上訴人減縮後之請求及上訴利益」欄位所示。惟依前揭法律規定及說明，聲請人所為變更訴之聲明核屬減縮應受判決事項之聲明，並未合於上開民事訴訟法第77條之26規定得聲請退還訴訟費用之事由，而聲請人所為減縮應受判決事項之聲明，且性質上僅屬訴之部分撤回，並非撤回其訴之全部，無民事訴訟法第83條第1項後段規定之適用，則關於該減縮或變更前所繳納之裁判費，依上開辦理民事訴訟事件應行注意事項第136點第4項後段規定，不得聲請退還裁判費，仍歸由聲請人負擔，亦不得請求返還該部分裁判費，自無聲請人所稱溢繳裁判費之情形。再者，裁判費之繳納為訴訟合法之要件，本案與另案乃各自獨立之訴訟，應分別繳納裁判費，自不得以另案所繳納裁判費於本案折抵，從而，聲請人於本案繳納之裁判費並非重複，亦無溢繳之情事。　㈢綜上，本院所核定金額於法尚無不合，聲請人並已依該通知補繳，自無溢繳之情事，其聲請本院退還裁判費3萬9447元，即不應准許。四、據上論結，本件聲請為無理由，爰裁定如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　民事第九庭　　審判長法　官　劉長宜　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　郭玄義　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　吳昀儒正本係照原本作成。如不服本裁定應於裁定送達後10日內向本院提出抗告理由狀（須按他造人數附具繕本），並繳納裁判費新臺幣1,500元。　　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　邱曉薇　　　　　　　　　　　　　　　　　　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日附表：上訴人上訴原請求聲明本院核定之訴訟標的價額(詳本院113年11月5日裁定) 上訴人減縮後之請求及上訴利益 1.被上訴人應履行賴水生於民國00年0月00日之死因贈與契約賴水生之遺產扣除系爭3筆土地後之價額:928萬7034元上訴人減縮後請求： 1.請求被上訴人應移轉賴水生立中大飯店有限公司出資額20萬元予上訴人。 2.請求被上訴人賴雪玉移轉立中大飯店有限公司出資額35萬元予上訴人。上訴利益：此部分合計為55萬元。 2.被上訴人賴清祥應履行99年4月6日切結書、99年5月5日切結書暨贈與書、99年5月5日貳之ㄧ切結書及99年5月13日切結書 ★財產權訴訟部分 1.「賴清祥應將其名下存款現金、動產、不動產財產移轉予上訴人」:717萬2220元 2.「資遣梁家茜永不錄用」:165萬元 3.「賴清祥十倍價錢給付上訴人」:165萬元　 ★非財產權訴訟部分 1.「監護權移轉至上訴人名下」 2.「賴清祥進行結紮手術」 3.「對賀姿華停止碎碎念，並溫柔對待之」上訴人請求： 1.被上訴人賴清祥應將立中大飯店有限公司出資額80萬元及黎安商旅有限公司出資額40萬元及經營權移轉給上訴人。 2.被上訴人應將立中大飯店及黎安商旅有限公司董事長、負責人變更為上訴人。上訴利益：移轉出資額部分合計120萬元，移轉立中大飯店及黎安商旅有限公司經營權及變更董事長、負責人部分，應屬訴訟標的價額不能核定，故兩公司各以165萬元計，本項上訴利益合計450萬元。合計財產權請求之訴訟標的價額合計為1975萬9254元，應徵收第三審裁判費29萬2332元，另加計非財產權請求部分裁判費1萬3500元，合計應徵收第三審裁判費29萬2332元。兩項聲明之上訴利益合計505萬元，應徵收第三審裁判費7萬6492元。

2025-03-31

TCHV-112-上-21-20250331-7

民專訴

智慧財產及商業法院

排除侵害專利權等

智慧財產及商業法院民事判決 112年度民專訴字第66號原告 ENTEGRIS, INC.（美國安堤格里斯公司）法定代理人 Joseph Colella 訴訟代理人張哲倫律師羅秀培律師複代理人蔡昀廷律師訴訟代理人許文亭專利師林蘭君專利師複代理人古乃任專利師被告兆捷科技國際股份有限公司兼法定代理人高啓全上二人共同訴訟代理人賴安國律師楊啓元律師黃秀禎律師蔡祁芳律師上列當事人間排除侵害專利權等事件，本院於民國114年2月17日言詞辯論終結，判決如下：主文原告之訴及假執行之聲請均駁回。訴訟費用由原告負擔。　　事實及理由壹、程序部分一、按民事事件涉及外國人或外國地者，為涉外民事事件，內國法院應先確定有國際管轄權，始得受理，次依內國法之規定或概念，就爭執之法律關係予以定性後，決定應適用之法律（即準據法），而涉外民事法律適用法並無明文規定國際管轄權，應類推適用民事訴訟法之規定（最高法院98年度台上字第2259號判決意旨參照）。本件原告美商ENTEGRIS, INC. 為依外國法設立之外國法人，具有涉外因素，為涉外民事事件。原告主張被告在我國境內，侵害其所有第I386983號（下稱系爭專利1）、第I466179號（下稱系爭專利2，與系爭專利1合稱系爭專利）「用以增進離子植入系統中之離子源的壽命及性能之方法與設備」專利權，乃依專利法、民法及公司法規定，起訴請求排除防止被告侵害系爭專利及賠償損害，是應定性為專利侵權事件，應類推民事訴訟法第1條前段及第15條第1項因侵權行為涉訟之特別審判籍規定，以行為地之我國法院有國際管轄權。再者，依專利法所保護之智慧財產權益所生之第一、二審民事訴訟事件，智慧財產及商業法院有專屬管轄權，智慧財產及商業法院組織法第3條第1 款、智慧財產案件審理法第9條第1項定有明文。是以本院對本件涉外民事事件具有管轄權，並適用涉外民事法律適用法以定本件涉外民事事件之準據法。二、準據法之選定：　　按關於由侵權行為而生之債，依侵權行為地法；以智慧財產為標的之權利，依該權利應受保護地之法律，涉外民事法律適用法第25條第1項及第42條第1項分別定有明文。依上開規定，本件自應適用我國法為準據法。三、當事人能力：　　按公司法於民國107年8月1日修正、同年11月1日公布施行之第4 條規定：「本法所稱外國公司，謂以營利為目的，依照外國法律組織登記之公司。外國公司，於法令限制內，與中華民國公司有同一之權利能力。」，即廢除外國公司認許制度，尊重依外國法設立之外國公司於其本國取得法人人格之既存事實，而認與我國公司具有相同權利能力。又按有權利能力者，有當事人能力，民事訴訟法第40條第1項定有明文。本件原告為依外國法律設立之外國法人，與我國公司有同一之權利能力，有當事人能力，自得為本件原告。貳、實體部分一、原告主張略以：　㈠原告為系爭專利1、2之專利權人，專利權間至120年2月24日。被告兆捷科技國際股份有限公司（下稱被告公司，與被告高啟全合稱為被告）為公開發行公司，登錄為興櫃股票，主要經營業務為產銷電子化學特殊氣體，其於公開說明書表示，原告與其均通過台灣積體電路製造股份有限公司供應認證，為電子植入氣體可量產之生產廠家等情，可證兩造為競爭同業。　㈡被告公司產銷之離子植入氣體產品「11B Enriched Boron Tr ifluoride (11BF3/H2) - SAG II (同位素濃化之三氟化硼及氫氣之氣體混合物SAGII機械式負壓鋼瓶）」（下稱系爭產品1），經原告發現至少直接侵害系爭專利1之更正後請求項15、18及19，直接或間接侵害系爭專利1之更正後請求項1 、7、9、13、15至18。　㈢被告公司另產銷之「Enriched 72Germanium Tetrafluoride 2 (72GeF4/H2) - SAGII(同位素濃化之四氟化鍺及氫氣之氣體混合物SAGII機械式負壓鋼瓶）」（下稱系爭產品2），經原告發現直接侵害系爭專利1之更正後請求項15至19，間接侵害系爭專利1之請求項1、6、11及13。又原告發現系爭產品2侵害系爭專利2之更正後請求項1、2、4、5、10、12、13 。㈣被告高啟全為被告兆捷公司之負責人，而原告因上開侵害行為受有損害，依專利法第96條第1 項至第3 項、民法第184 條第1項前段、第185條、第179條及公司法第23條第2項規定，請求排除及防止被告等繼續侵害系爭專利，並請被告二人連帶賠償損害。　㈤並聲明：　　⒈被告公司不得直接或間接、自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用、或為上述目的而進口系爭產品1、2 及其他侵害原告系爭專利1、2發明專利權之產品。　　⒉被告兆捷公司應回收並銷毁前項聲明之侵權產品。 ⒊被告等應連帶給付原告新臺幣（下同）2,000萬元整暨自起訴狀繕送達翌日起至清償日止，按年息5%計算之利息。　　⒋第1項及第3項之聲明，原告願以現金或同額之兆豐國際商業銀行安和分行之無記名可轉讓定期存單供擔保，請准宣告假執行。二、被告答辯略以：　㈠系爭專利1 申請時係以「專利審查高速公路」方式，以全部請求項皆與美國對應案第US8237134號完全相同，該對應案業已核准為由申請專利，由經濟部智慧財產局（下稱智慧局）審查後，於101年12月20日核准專利。除專利權人業於申請案中自認全部請求項皆與美國對應案完全相同外，本件原告所主張之系爭專利1 請求項1 、6、7、9、11、13、15至1 9 ，與美國對應案第US8237134號完全相同，而該美國對應案經美國專利商標局（USPTO) 專利複審委員會於西元2018 年(107年)3月29日，就系爭專利1美國對應案US8237134之有效性，作出第IPR2016-01845 號最終書面決定（參乙證4），認定全部請求項皆有一種以上無效證據組合，足以證明其具有應撤銷之原因；並於西元2020年(109年）1月29日公告該美國對應案全部請求項撤銷之公告。原告為乙證4 最終書面決定之當事人，對於乙證4認定系爭專利1請求項1、6、7 、9 、11、13、15至19(本件原告所主張系爭專利1請求項）具有應撤銷原因之事實，自屬明知。原告在本件中所主張之系爭專利2 所有請求項之所有技術特徵，完全涵蓋在系爭專利1 請求項15及請求項11。因此，系爭專利1請求項15及請求項11之應撤銷原因(「Rendon,ATMI VAC,and Gupta」之組合，以及「Rendon,Trace,and Gupta」之組合即為系爭專利 2 請求項1、2、4、5、9、10、12、13、24、26之應撤銷原因。原告明知系爭專利有應撤銷之原因，竟提起本件訴訟，顯非為維護其權利，而係干擾被告公司合法商業活動，具惡意之商業競爭，其起訴不合法，法院應依民事訴訟法第249 條第1項第8款、第2項規定駁回原告之訴訟。　㈡被告提出乙證7及其他證據組合，主張系爭專利1及系爭專利2 皆有應撤銷之原因，對原告不得行使權利，即：　　⒈乙證7足證更正後系爭專利1請求項1不具新穎性或不具進步性；乙證7與自認習知技術之組合，或乙證7與乙證6之組合，或乙證7與乙證8及自認習知技術之組合，或乙證7與乙證9及自認習知技術之組合，或乙證7與乙證8及乙證6 之組合，或乙證7與乙證9 及乙證6 之組合，分別皆足證更正後系爭專利1請求項1不具進步性。　　⒉乙證7足證更正後系爭專利1請求項6、7、9、11、13不具新穎性或不具進步性；乙證7與自認習知技術之組合，或乙證7與乙證6之組合，或乙證7與乙證8及自認習知技術之組合，或乙證7與乙證9及自認習知技術之組合，或乙證7 與乙證8及乙證6之組合，或乙證7與乙證9及乙證6之組合，分別皆足證更正後系爭專利1請求項6、7、9、11、13不具進步性。　　⒊乙證7足證更正後系爭專利1請求項15不具新穎性或不具進步性；乙證7與乙證8之組合，或乙證7與乙證9之組合，分別皆足證更正後系爭專利1請求項15不具進步性。　　⒋乙證7足證更正後系爭專利1請求項16、17、18、19不具新穎性或不具進步性；乙證7與乙證8之組合，或乙證7與乙證9之組合，分別皆足證更正後系爭專利1請求項16、17、 18、19不具進步性。　　⒌乙證7足證更正後系爭專利2請求項1、2、9、10、24、25、 26不具新穎性或不具進步性。　　⒍乙證7與乙證8之組合，或乙證7與乙證9之組合，分別皆足證更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、9、10、12、13、 24、25、26不具進步性。㈢並聲明：　　原告之訴及假執行之聲請均駁回；如受不利判決，請准供擔保免為假執行。三、兩造不爭執事項（見本院卷六第36至37頁）：　㈠原告為系爭專利之專利權人。系爭專利1之專利權期間為102 年2月21日至120年2月24日，原告於104年11月1日因受讓而取得專利權。系爭專利2 之專利權期間為103年12月21日至1 20年2月24日，原告於104年11月1日因受讓而取得專利權。㈡被告製造及販賣系爭產品1，以氣體混合物形式自鋼瓶供給至離子佈植機，供離子植入製程使用。㈢被告為販賣之要約系爭產品2，以氣體混合物形式自鋼瓶供給至離子佈植機，供離子植入製程使用。㈣原告於113年2月2日申請系爭專利第一次更正，智慧局於113 年5月20日准予更正（見甲證24、25，本院卷二第347至350 頁）。㈤原告於113年8月21日申請系爭專利第二次更正，並經智慧局於113年11月8日准予更正（見甲證45、46，本院卷五第567 至570頁）。四、兩造所爭執之處，經協議簡化如下（見本院卷六第36至38頁）：　㈠系爭專利1之第二次更正是否違反專利法第67條第2、4項規定，而有應撤銷之事由？㈡系爭專利2之第二次更正是否違反專利法第67條第2、4項規定，而有應撤銷之事由？㈢系爭專利1是否有應撤銷之事由？ ⒈乙證7是否足以證明系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18 不具新穎性或進步性？ ⒉乙證7及系爭專利1說明書先前技術之組合；或乙證7、6之組合；或乙證7、8及系爭專利1說明書先前技術之組合；或乙證7、9及系爭專利1說明書先前技術之組合；或乙證7 、8及6之組合；或乙證7、9及6之組合；或乙證10、8及13 之組合；或乙證10、9及13之組合；或乙證10、8、11及13 之組合；或乙證10、9、11及13之組合；或乙證10、8及7 之組合；或乙證10、9及7之組合；或乙證14、13、11及8 之組合；或乙證14、13、11及9之組合；或乙證15、13、1 1及8之組合；或乙證15、13、11及9之組合；或乙證16、1 3、11及8之組合；或乙證16、13、11及9 之組合；或乙證 17、13、11及8之組合；或乙證17、13、11及9之組合，是否足以證明系爭專利1更正後請求項1、7、9、13、15至18 不具進步性？ ⒊乙證7、8及13之組合；或乙證7、9及13之組合，是否足以證明系爭專利1 更正後請求項15至18不具進步性？㈣系爭專利2 是否有應撤銷之事由？ ⒈乙證7是否足以證明系爭專利2更正後請求項1、2、10不具新穎性或進步性？ ⒉乙證7及系爭專利2說明書先前技術之組合；或乙證7及6之組合，是否足以證明系爭專利2更正後請求項1、2、10不具進步性？ ⒊乙證7、8及系爭專利2 說明書先前技術之組合；或乙證7、 9及系爭專利2說明書先前技術之組合；或乙證7、8及6之組合；或乙證7、9及6之組合；或乙證10、8及13之組合；或乙證10、9及13之組合；或乙證10、8、11及13之組合；或乙證10、9 、11及13之組合；或乙證10、8、7之組合；或乙證10、9、7之組合；或乙證7、8及13之組合；或乙證 7、9及13之組合；或乙證14、13、11及8之組合；或乙證1 4、13、11及9之組合；或乙證15、13、11及8 之組合；或乙證15、13、11及9之組合；或乙證16、13、11及8之組合；或乙證16、13、11及9之組合；或乙證17、13、11及8之組合；或乙證17、13、11及9之組合，是否足以證明系爭專利2更正後請求項1、2 、4、5、10、12、13不具進步性？㈤專利侵權部分 ⒈系爭產品1是否直接侵害系爭專利1之第二次更正後請求項1 5及18，間接侵害系爭專利1之請求項1及13？ ⒉系爭產品2是否直接侵害系爭專利1之第二次更正後請求項1 5至18，間接侵害請求項1、7、9及13？ ⒊系爭產品2是否侵害系爭專利2之第二次更正後請求項1、2 、4、5、10 12及13？㈥原告依專利法第96條第1 項，請求排除或防止侵害，是否有理由？㈦原告依專利法第96條第3 項，請求回收並銷毁系爭產品，是否有理由？㈧原告依專利法第96條第2項、第97條第1項第2及3款、同條第2 項、民法第184條第1項前段、第185條及第179 條、公司法第23條第2項，請求被告等連帶給付2,000萬元暨自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年息百分之5計算之利息，是否有理由？五、得心證之理由㈠系爭專利技術分析　　⒈系爭專利所欲解決之問題製造半導體時的離子植入步驟，係將摻質氣體（如包含摻質物種之鹵化物或氫化物）由離子源產生並萃取出離子束，再將離子束加速後以使化學物種之高能離子撞擊基板，以將這些物種植入晶圓。離子源失效可歸咎許多原因，包括沉積物積聚在陰極表面，及因電弧室中產生游離氟，引發摻質氣體進行有害蝕刻反應而產生四氟化鍺，導致陰極材料剝離或濺射，使陰極失去物理完整性而縮減離子源性能和壽命（參系爭專利1、2說明書【先前技術】，見本院卷一第68、115頁）。　　⒉系爭專利技術內容　　　為解決前述問題，系爭專利1採取的技術手段係使用「同位素濃化」摻質組成物，其中摻質組成物選自以下所組成之群組：(i)鍺化合物，經同位素濃化成高於原子量70、7 2、73、74或76之至少一鍺同位素的天然含量，其中至少一鍺同位素的同位素濃化量為：就鍺70同位素而言高於21 .2%、就鍺72同位素而言高於27.3%、就鍺73同位素而言高於7.9%、就鍺74同位素而言高於37.1%、及就鍺76同位素而言高於7.4%，且當摻質組成物係由同位素濃化鍺72同位素的四氟化鍺組成時，鍺72同位素的同位素濃化量高於51 .6%；以及(ii)摻質氣體配方，包含摻質氣體和補充氣體，其中補充氣體包括稀釋氣體和共種氣體的至少其一，其中摻質氣體和共種氣體（若有）的至少其一係經同位素濃化（參系爭專利1、2說明書【發明內容】，見本院卷一第 69、116頁）。　　⒊系爭專利1、2圖式，以系爭專利2代表，如附圖1所示。　　⒋系爭專利1申請專利範圍　　　系爭專利1原公告申請專利範圍共20項，其中請求項1、15 為獨立項。原告先後主張二次更正再抗辯，第一次更正內容（見甲證18，本院卷二第105至122頁）經智慧局於113 年5月20日准予更正（見甲證24，本院卷二第347至348頁）。第二次更正內容（見甲證31，本院卷五第31至40頁）經智慧局於同年11月8日准予更正（見甲證45，本院卷五第567至568頁）。原告主張第二次更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18受侵害（見原告民事準備五狀，本院卷五第7至23頁），其內容如下： ⑴請求項1：一種離子植入製程，包含以下步驟：提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應容器；使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中，其中該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋氣體包含氫；條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%。 ⑵請求項7：如申請專利範圍第1項之製程，其中該摻質組　　　　成物包含一或多個鍺化合物，該鍺化合物經　　　　同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或7 　　　　 6之至少一個鍺同位素之天然含量。 ⑶請求項9：如申請專利範圍第7項之製程，其中該摻質組　　　　成物包含經同位素濃化的四氟化鍺。 ⑷請求項13：如申請專利範圍第1項之製程，其中該摻質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼、和四氟化　　　　矽所組成之群組。 ⑸請求項15：一種摻質組成物，其由一摻質氣體及一稀釋　　　　氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋氣體包含氫；條件為，當該摻質組成物的經同位素濃化的該摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%，其中該摻質組成物係儲存於一單一氣體供應容器中。　　　⑹請求項16：如申請專利範圍第15項之組成物，包含一或　　　　多個鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化成　　　　高於原子量70、72、73、74或76之至少一個　　　　鍺同位素之天然含量。 ⑺請求項17：如申請專利範圍第16項之組成物，包含經同　　　　位素濃化之四氟化鍺。 ⑻請求項18：如申請專利範圍第15項之組成物，其中該摻　　　　質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼與四氟化　　　　矽所組成之群組。 ⒌系爭專利2申請專利範圍系爭專利2原公告申請專利範圍共29項，其中請求項1、28 、29為獨立項。原告先後主張二次更正再抗辯，第一次更正（見甲證19，本院卷二第123至141頁）經智慧局於113 年5月20日准予更正（見甲證25，本院卷二第349至350頁）。第二次更正（見甲證32，本院卷五第43至49頁）經智慧局於同年11月8日准予更正（見甲證46，本院卷五第569 至570頁）。原告主張第二次更正後系爭專利1請求項1、2 、4、5、10、12及13受侵害（見原告民事準備五狀，本院卷五第23至28頁），其內容如下：　　　⑴請求項1：一種摻質氣體組成物，其由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物，該稀釋氣體包含氫，且其中　　　　該摻質氣體經同位素濃化(isotopically enr 　　　　 iched)至超過至少一種鍺同位素的天然含量( 　　　　 natural abundance level)，其中該摻質氣　　　　體組成物係儲存於一單一氣體供應容器中。 ⑵請求項2：如請求項1所述之組成物，其中該摻質氣體是　　　　選自由多種鍺化合物所構成的群組，該等鍺　　　　化合物經同位素濃化成高於原子量70、72、7 　　　　 3、74或76之至少一種鍺同位素的天然含量。 ⑶請求項4：如請求項2所述之組成物，其中該摻質氣體包　　　　含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至　　　　其鍺72同位素含量為高於27.3%。 ⑷請求項5：如請求項2所述之組成物，其中該摻質氣體包　　　　含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至　　　　其鍺72同位素含量為高於51.6%。 ⑸請求項10：如請求項1所述之組成物，其中該摻質組成　　　　物包含四氟化鍺。 ⑹請求項12：如請求項10所述之組成物，其中在該四氟化　　　　鍺中的鍺具有高於27.3%的鍺72同位素的同　　　　位素濃化量。 ⑺請求項13：如請求項10所述之組成物，其中在該四氟化　　　　鍺中的鍺具有高於51.6%的鍺72同位素的同　　　　位素濃化量。㈡系爭產品技術分析系爭產品1、2係被告所產銷之離子植入氣體產品（儲存有離子植入氣體之SAG II機械式負壓鋼瓶）：　　⒈系爭產品1：同位素濃化之三氟化硼及氫氣之氣體混合物　　（11B Enriched BoronTrifluoride (11BF3)/Hydrogen 　　 Gas Mixture）SAG II機械式負壓鋼瓶。　 ⒉系爭產品1主要圖示如附圖2所示。　　⒊系爭產品2：同位素濃化之四氟化鍺及氫氣之氣體混合物（ Enriched 72Germanium Tetrafluoride (72GeF4) /Hydro gen Gas Mixture）SAG II機械式負壓鋼瓶。　　⒋系爭產品2主要圖示如附圖3所示。　㈢系爭專利申請專利範圍應以第二次核准更正內容為據　　⒈被告抗辯：原告就系爭專利向智慧局申請兩次更正，其更正內容違反專利法第67條第2項超出申請專利所揭露範圍及同條第4項實質擴大申請專利範圍規定，違反上開規定係專利法第71條第1項第1款提起舉發事項規定，其第二次更正不合法，依智慧財產案件審理法第41條第1項規定請法院自為判斷該更正申請之合法性等語。　　⒉按發明專利權有違反第67條第2至4項申請更正規定者，任何人得向專利專責機關提起舉發，專利法第71條第1項第1 款定有明文。次按當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷之原因者，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不適用民事訴訟法停止訴訟規定，智慧財產案件審理法第41 條第1項設有規定。立法理由略以：有關智慧財產之民事訴訟中，被告主張智慧財產權不存在，而提起行政爭訟時，或有第三人對智慧財產權之有效性提出評定、舉發及行政爭訟時，民事訴訟如依首揭規定停止審判，其權利之有效性與權利之侵害事實無法於同一訴訟程序一次解決；當事人每以此拖延民事訴訟程序，致智慧財產權人無法獲得即時的保障；是審理智慧財產民事訟訟之民事法院，於訴訟中就專利權有無應撤銷或廢止原因之爭點為實質判斷，並排除各訴訟法關於停止訴訟規定等語。依此，本條係針對專利權有效性爭點由民事法院自為判斷，而專利權人申請更正，目的是為修正專利權範圍之瑕疵或錯誤，避免專利權無效，以之調整專利權保護範圍，其申請更正範圍須明確，使公眾知悉其界限，應由專利專責機關專責行使審查權限，是以專利權更正申請合法與否應非本條所定專利權有效性爭點判斷事項。　　⒊再按第41條第1項規定主張或抗辯專利權有應撤銷之原因，專利權人已向專利專責機關申請更正專利權範圍者，應向法院陳明依更正後之專利權範圍為請求或主張；第1項情形，法院得就更正專利權範圍之合法性自為判斷，並於裁判前表明其法律上見解及適度開示心證，智慧財產案件審理法第41條第1項、第43條第1項及第4項分別設有規定。上開第43條規定之立法理由略以：法院於民事訴訟程序就專利權之權利有效性，有判斷權限。伴隨著專利權有效性判斷，必須認定之更正合法性爭點；且基於舉重以明輕之法理，及迅速解決紛爭之精神，參酌日本實務見解，應肯定法院具有更正合法性之判斷權限；關於更正專利權範圍之合法性，既採行司法審理與行政審查之雙軌制架構，法院於專利專責機關作成更正案之審定前，於無礙訴訟之終結者，法院亦得暫不自為判斷專利權人依更正主張之合法性。依此，專利權人為更正再抗辯之主張，如專利專責機關作成更正案審定，法院亦得不自為判斷專利權人更正主張之合法性，而以該機關更正審定之申請專利範圍為據。因之，如依上開第43條之專利權人之更正再抗辯，法院得等待專利專責機關之更正審定結果，則就上述同法第41條專利權有效性判斷，法院亦得依專利專責機關已作成之更正審定處分為據，毋庸自為判斷。　　⒋復按行政處分未經撤銷、廢止，或未因其他事由而失效者，其效力繼續存在。無效之行政處分自始不生效力，行政程序法第110條第3項定有明文；有效之先前行政處分成為後行政處分之構成要件事實之一部分時，則該先前之行政處分因其存續力而產生構成要件效力（最高行政法院108 年度判字第445號判決意旨參照）。又按「前後二程序互有關聯，先前程序所作成之行政處分（尤其是授益處分）未被撤銷前，於事實及法律狀態不變下，對同一處分機關於後續程序作成後續處分具有拘束力，避免兩相矛盾之行政處分同時出現，暨防範原處分機關藉新作處分之便，以達規避撤銷與廢止授益處分之要件規定目的，而為更不利於相對人的決定，此即「行政處分之跨程序拘束力」（最高行政法院108年度判字第376號判決參照）。準此，行政處分具有構成要件效力，其「規制內容」（即行政處分之主旨或主文部分）對處分機關以外其他國家機關有拘束力。本件原告兩次申請系爭專利之更正，其第二次更正已獲得智慧局作成專利更正核准審定書（見甲證45、46），該准予更正審定書為行政處分，具構成要件效力，拘束本院，本件以第二次更正處分作為系爭專利申請專利範圍判斷。　㈣乙證7等證據組合不足以證明系爭專利1更正後請求項不具新穎性或進步性：　　⒈乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、　　　15至18不具新穎性或不具進步性　　　⑴乙證7為我國第I290731號「用於氣體儲存及輸送的離子性液體基礎混合物」發明專利，其公告日為96年12月1 日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103 年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。　　　⑵乙證7技術內容　　　　①乙證7揭露一種用於儲存和輸送氣體的混合物和方法。一方面，提供了一種混合物，其包含：含有陰離子和陽離子的離子性液體；分佈於離子性液體中並可與離子性液體發生可逆化學反應的至少部分氣體；以及任選的未反應氣體。另一方面，提供了一種從含有離子性液體和一種或多種氣體的混合物中輸送氣體的方法，其包括：使至少部分氣體與離子性液體反應以提供含有化學反應氣體和離子性液體的混合物，並從混合物中分離出化學反應氣體，其中經分離步驟後的化學反應氣體與反應步驟之前的化學反應氣體具有基本相同的化學成分（參乙證7摘要，本院卷一第618頁）。　　　　②乙證7圖2係各種混合物的三氟化硼(BF3)容量圖，如附圖4所示。　　 ⒉乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13 　　　　、15至18不具新穎性： ⑴更正後系爭專利1請求項1之技術特徵如下: 1A:一種離子植入製程，包含以下步驟：　　 1B:提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應容器; 1C:使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中， 1D:該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成　，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物且經同　位素濃化，該稀釋氣體包含氫； 1E:條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同　　　　　　位素濃化量高於51.6%。 ⑵經查乙證7說明書第5頁（見本院卷一第579頁）記載「 …半導體生產工業例如要使用許多危險的專用氣體，如磷化氫(PH3)、砷化氫(AsH3)和三氟化硼(BF3)，用以進行摻雜…」，對應揭露（第二次更正，下同）系爭專利1請求項1之1A「一種離子植入製程…」；乙證7 說明書第28頁（見本院卷一第602頁）記載「…用於儲存和分配來自混合物的一種或多種化學反應氣體、任選的未反應氣體，或者上述兩者的體系包括『儲存和分配容器』…」，對應揭露系爭專利1請求項1之1B:「提供儲存有一摻質組成物之單一氣體供應容器」技術特徵；另乙證7請求項21（見本院卷一第622頁）記載用於儲存和輸送氣體的混合物，其包含有可與離子性液體發生可逆的化學反應以提供化學反應氣體，以及未反應氣體，而該化學反應氣體具有路易士酸性並選自「…三氟化硼、…、四氟化鍺、…、同位素富集的同型物及其混合物」，前述乙證7之化學反應氣體、未反應氣體即分別對應於系爭專利1請求項1之1D中的: 摻質氣體、稀釋氣體，且乙證7揭露之三氟化硼、四氟化鍺等均為包含摻質物種（硼或鍺）之鹵化物（氟化物），並可經同位素濃化（即同位素富集之同型物）；又乙證7請求項24記載「該未反應氣體包含惰性氣體，其選自…、氫、…及其混合物」（見本院卷一第 622頁），對應於系爭專利1請求項1之1D「該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋氣體包含氫」技術特徵。　　　　⑶惟乙證7並未明確揭露系爭專利1請求項1之1C「使一摻質組成物流入一離子源」、「從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種」及「將該等離子摻質物種植入一基板中」技術特徵；又乙證7雖揭露四氟化鍺及其同位素富集之同型物作為化學反應氣體，但並未揭露系爭專利1請求項1之「當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵。再者，更正後系爭專利1請求項1，係界定單一氣體供應容器中之摻質組成物係由摻質氣體及稀釋氣體所組成，表示摻質組成物並未包含前述兩種氣體以外之物質，而乙證7所揭露儲存於容器中之混合物，則包含離子性液體、與該離子性液體發生化學反應之氣體，以及未反應氣體（參乙證7請求項21、24，本院卷一第622 頁）。是以乙證7揭露之技術內容與更正後系爭專利1 請求項1間存有前述差異，故乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具新穎性。更正後系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，包含請求項1之全部技術特徵，乙證7既不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具新穎性，則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13不具新穎性。 ⑷更正後系爭專利1請求項15之標的名稱係「摻質組成物」，其全部技術特徵見於請求項1記載之內容。則如同前述乙證7與更正後系爭專利1請求項1之比對，乙證7之化學反應氣體、未反應氣體分別對應於更正後系爭專利1請求項15之摻質氣體、稀釋氣體，即乙證7 揭露更正後系爭專利1請求項15之「一種摻質組成物，其由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋氣體包含氫」技術特徵。另乙證7已揭露摻質氣體為「非」四氟化鍺者，如三氟化硼，即無需考量更正後系爭專利1請求項15以四氟化鍺之摻質氣體為前提條件之「條件為，當該摻質組成物的經同位素濃化的該摻質氣體或該共種氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵。 ⑸由更正後系爭專利1請求項1、15界定摻質氣體係「包含摻質物種之鹵化物」，以及稀釋氣體係「包含氫」等技術特徵；乙證7則揭露化學反應氣體（對應系爭專利1之摻質氣體）係「選自乙硼烷、三氟化硼、三氟化硼、三氟化磷、四氟化磷、四氟化矽、鍺烷、四氟化鍺、氰化氫、同位素富集的同型物及其混合物」（乙證7請求項21），未反應氣體（對應系爭專利1之稀釋氣體）係「選自氮、氦、氖、氫、氬、氪、氙、氡及其混合物」（乙證7請求項24，本院卷一第622頁），亦即更正後系爭專利1請求項1、15所界定之發明，相較於乙證7之技術內容，係由乙證7揭露的二個群組個別選出多個或一個成分所組成的選擇發明，並非乙證7已特定揭露者（參見專利審查基準第2篇第3章第2.5.4節「選擇發明」[1]），故乙證7尚不足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具新穎性。更正後系爭專利1請求項16至18係請求項15直接或間接之附屬項，包含請求項15之全部技術特徵，乙證7既不足以證明更正後系爭專利1請求項15不具新穎性，則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項16至18不具新穎性。 ⑹被告辯稱：所屬技術領域中具通常知識者，可直接且無歧異得知乙證7所揭混合物所使用之離子植入製程，參原告起訴狀第10頁於系爭產品1與系爭專利1請求項1之侵權比對自承「使用者在使用此離子植入氣體時，必然實施此等步驟」即明；既屬「必然」，豈有不能「直接且無歧異得知」，因此，應認乙證7亦已隱含要件1C技術特徵(見民事答辯七狀第10頁第10至1 5行，本院卷五第336頁)；另系爭專利1請求項1要件1 E為條件式，僅在「應同位素濃化的摻質氣體由以鍺7 2同位素進行同位素濃化的四氟化鍺為組成時」條件成就時方有適用。乙證7已揭露更正後系爭專利1請求項1E條件未滿足之情況，亦即乙證7揭示有關以「四氟化鍺」為摻質氣體下所需符合條件以外的全部技術特徵，足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具新穎性(見民事答辯七狀第14頁第11至17行，本院卷五第340頁)云云。 ⑺惟查原告於系爭產品1與系爭專利1請求項1之侵權比對自承「使用者在使用此離子植入氣體時，必然實施此等步驟(即1C技術特徵)」(參原告起訴狀第10頁，本院卷一第22頁及民事準備五狀，本院卷五第15至16頁 )，並提出甲證14及甲證15佐證該製程步驟為業界已知之技術，由甲證14第1頁圖1(本院卷一第291頁)及甲證15說明書第[004]段(見本院卷一第299至300頁) 確實可證明更正後系爭專利1請求項1之步驟1C為離子植入製程所必然使用之已知步驟技術，故由乙證7所揭示之內容，即便所屬技術領域中具有通常知識者，可知使用離子植入氣體進行離子植入時必然會使用1C 之步驟，該技術特徵為乙證7實質隱含揭露者，但乙證7與更正後系爭專利1請求項1存在如前述理由所述之差異，故乙證7尚難證明更正後系爭專利請求項1不具新穎性。 ⒊乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13 、15至18不具進步性： ⑴如前述更正後與更正後系爭專利1請求項1之比對，乙證7未明確揭露更正後系爭專利1請求項1之1C「使一摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；將該等離子摻質物種植入一基板中」技術特徵，退而言之，即便該步驟為離子植入所必然之步驟而為乙證7實質隱含揭露者，惟乙證7請求項21揭露「化學反應氣體」可選自三氟化硼、四氟化鍺等多種氣體中，並可經同位素濃化（即同位素富集之同型物），且乙證7請求項24揭露「未反應氣體」可選自包含氫氣之多種惰性氣體中；然通常知識者並無動機由前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體，共同組成為氣體組成物，相較於乙證7，系爭專利1可達成增進離子源壽命與性能之功效（參系爭專利1說明書第8、9頁，本院卷一第72 至73頁），此由乙證7之技術內容尚無法預期，是以乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性。 ⑵更正後系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，均包含請求項1之全部技術特徵，是既乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性，則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項7 、9、13不具進步性。 ⑶更正後系爭專利1請求項15與乙證7技術內容之比對，詳如前述，乙證7請求項21、24之化學反應氣體、未反應氣體固然可對應於更正後系爭專利1請求項15之摻質氣體、稀釋氣體，但通常知識者並無動機由乙證 7前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物，相較於乙證7，系爭專利1可達成增進離子源壽命與性能之功效（參系爭專利1說明書第8、9頁，本院卷一第72至73頁），由乙證7之技術內容尚無法預期，是以乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性。 ⑷更正後系爭專利1請求項16至18係請求項15之直接或間接附屬項，均包含請求項15之全部技術特徵，是既乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項16至 18不具進步性。 ⒋乙證7及系爭專利1說明書先前技術之組合，或乙證7及6之組合，不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、 15至18不具進步性　　 ⑴乙證6為我國第I267910號「離子植入的方法及其裝置」發明專利，其公告日為95年12月1日，早於系爭專利1之 102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。　　　⑵乙證6技術內容乙證6揭露習知離子植入裝置(100)之結構大致上包括用以產生離子束(102)的離子源(104)，用以分離主要摻質的質量分析器(106)，用來加速離子束(102)的加速器(1 08)，以及用以讓離子束(102)可以掃描晶圓(112)的掃描裝置(110)等（參乙證6【先前技術】，本院卷一第55 6至558頁）。 ⑶乙證6圖1係習知離子植入裝置的剖面示意圖，如附圖5所示。　　　⑷乙證7技術內容與更正後系爭專利1請求項1間之比對，詳如前述。查系爭專利1說明書【先前技術】記載「用於半導體製造的離子植入涉及藉由使化學物種之高能離子撞擊基板，以將這些物種沉積進入基板(例如微電子裝置晶圓)。為產生離子植入物種，摻質氣體(如包含摻質物種之鹵化物或氫化物)遭離子化。離子化係使用離子源來產生離子束而施行」（見本院卷一第68頁）。另查乙證6說明書【先前技術】記載「離子植入法則是藉由將摻質先解離成離子，經過加速與選擇後，將特定的離子直接打入主材質(host material)中來達到摻雜的目的」（見本院卷一第556頁）。前述系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】所載，均揭露更正後系爭專利1請求項1之1C「使一摻質組成物流入一離子源」、「從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；將該等離子摻質物種植入一基板中」技術特徵。 ⑸惟不論系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】，均未提及如何選擇特定的摻質氣體組成物；是以縱使將系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】，各與乙證7內容予以組合，所屬技術領域中具有通常知識者仍無動機由乙證7揭露的兩個氣體群組中，選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物，相較上開先前技術證據，系爭專利1藉此具有達成增進離子源壽命與性能之功效（參系爭專利1 說明書第8、9頁，本院卷一第72至73頁）。是以乙證7 及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6 之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性。 ⑹更正後系爭專利1請求項15之摻質組成物，其全部技術特徵見於請求項1。則如前述乙證7與更正後系爭專利1請求項1之比對，乙證7之化學反應氣體、未反應氣體固然可對應於更正後系爭專利1請求項15之摻質氣體、稀釋氣體，但通常知識者並無動機由乙證7前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物；且不論系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】，均未提及如何選擇特定的摻質氣體組成物，亦未提及可藉此達成增進離子源壽命與性能之功效。是以縱將系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】，各與乙證7內容予以組合，所屬技術領域中具有通常知識者仍無動機由乙證7揭露的兩個氣體群組中，選擇系爭專利1請求項1所界定之特定摻質組成物，遑論達成相同功效，故乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性。 ⑺系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，請求項16至18則為請求項15之直接或間接附屬項。既乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項1 、15不具進步性。則乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，自不足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。　　⒌乙證7、8及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證 7、9及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7、 8及6之組合，或乙證7、9及6之組合，不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性 ⑴乙證8為ATMI公司「DS-336b VAC GeF4 Isotopically En riched」產品說明書，被告敘明乙證8係存檔於「網站時光回溯器Wayback Machine」(見民事答辯二狀第8頁第3至4行，本院卷一第502頁)，可認乙證8已於2006年2 月26日公開，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。　　　　①乙證8技術內容　乙證8揭露分子(GeF4)之主要應用是預非晶化離子植入 (PAI)，以實現超淺接面硼植入。72Ge的濃化同位素(50%)可顯著增強束電流和靈活性(2X)。植入72Ge 以代天然的74Ge，有助於隔離砷、氟化鐵和其他污染物之潛在污染；亦已證實可顯著延長離子源之壽命。（參乙證8-1，本院卷一第633至634頁）。　　　　②乙證8之產品外觀及其內含氣體純度分析，如附圖6所示。 ⑵乙證9為Trace Sciences公司「GermaniumIsotopes」（鍺同位素）網頁，被告敘明乙證9於2008年8月28日公開於網路上（民事答辯二狀第8頁第19至20行，本院卷一第50 2頁），經確認乙證9存檔於「網站時光回溯器Wayback M achine」之日期為2008年8月28日，早於系爭專利1、2之申請日。　　　　①乙證9技術內容乙證9記載天然GeF4用於半導體預非晶化植入製程。使用GeF4型態的鍺72可改善製程，同時減少污染。（參乙證9-1，本院卷一第637頁）。 ②乙證9之濃化穩定Ge同位素表，如附圖7所示。　　　⑶乙證7、系爭專利1說明書【先前技術】及乙證6，與更正後系爭專利1請求項1、15之比對，俱如前述。由前述各證據內容，所屬技術領域中具有通常知識者並無動機由乙證7揭露的兩個氣體群組中選擇特定「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物。再者，乙證7之混合物包含有離子性液體，不同於更正後系爭專利1請求項1、15界定摻質組成物係由摻質氣體及稀釋氣體所組成，且儲存於單一氣體供應容器之技術特徵。　　　⑷經查乙證8第一頁左上部揭露一種用於離子植入之摻質氣體運送容器，且該容器所含之摻質組成物，包含「同位素濃化的四氟化鍺(GeF4)」為摻質氣體，且乙證8第1頁左上部第4段教示「鍺72的濃化同位素(50%)可顯著增強束電流/靈活性(2X)。植入鍺72以代天然的鍺74，有助於隔離砷、氟化鐵和其他污染物之潛在污染。亦已證實可顯著延長離子源之壽命」；乙證8另就「純度分析」欄位，記載同位素濃化量為「Ge-72 50-52%」（本院卷一第631、632頁，中譯內容參乙證8-1即本院卷一第6 33、634頁）。是以乙證8已對應揭露更正後系爭專利1 請求項1之1D中之「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」及1E之「條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」等技術特徵。 ⑸另查乙證9揭示「天然GeF4用於半導體預晶化植入製程。使用GeF4型態的Ge-72可改善製程，同時減少污染」以及鍺72同位素濃化量為82-98%等（參本院卷一第635頁，中譯內容參乙證9-1即本院卷一第637頁），亦揭露更正後系爭專利1請求項1之1D中的「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」及1E之「條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵。 ⑹乙證8或乙證9雖均揭示更正後系爭專利1請求項1之1D中的「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」，且乙證8揭露將該等氣體儲存於單一儲存容器(VAC)中，惟乙證8或乙證9並未揭露更正後系爭專利1請求項1、15有關同位素濃化之摻質氣體與含氫氣之稀釋氣體混合為摻質組成物，且一併儲存於單一容器中之技術特徵。而前述乙證7、系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6之技術內容，亦無任何教示或建議由乙證7揭露的兩個氣體群組中選擇特定「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物。是以即便將乙證8或乙證9，與乙證7、系爭專利1說明書【先前技術】及乙證6予以組合，仍無法輕易完成更正後系爭專利1請求項1、15之發明。故乙證7、8及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7、9及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7、8及6之組合，或乙證7、9及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性。　 ⑺更正後系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，包含請求項1之全部技術特徵。請求項16至1 8係請求項15之直接或間接附屬項，包含請求項15之全部技術特徵。因前述各證據組合均不足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性，自亦不足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。㈤其餘證據組合可證明更正後系爭專利1請求項具應撤銷事由　　　⒈乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性 ⑴乙證10為我國第200849309號「具氣體混合之離子源的效能改良與生命期延長的技術」專利公開案，其公告日為 97年12月16日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 ①乙證10技術內容乙證10揭露具氣體混合之離子源的效能改良與生命期延長的技術。在一特定例示性實施例中，所述技術可實現為離子植入機中之離子源的效能改良與生命期延長的方法。所述方法可包含將預定量之摻雜氣體導入離子源腔室內。所述摻雜氣體可包含摻雜物質。所述方法亦可包含將預定量之稀釋氣體導入離子源腔室內。所述稀釋氣體可稀釋摻雜氣體以改良離子源之效能並延長離子源之生命期。所述稀釋氣體可進一步包含與摻雜物質相同的協同物質（參乙證10摘要，本院卷二第63頁）。　　　　②乙證10之圖1習知離子植入機系統及圖3A離子源組態示意圖，如附圖8所示。　 ⑵乙證13為我國第201005806號「在半導體處理系統中離子源之清洗」專利公開案，其公告日為99年2月1日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21 日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 ①乙證13技術內容乙證13揭露一種改進離子植入系統性能並且延長其壽命之方法，該方法包括將該陰極與由至少一種清洗氣以及至少一種沉積氣的組成的一氣體混合物進行接觸，其中所述氣體混合物平衡了材料在該陰極上的沉積和該材料或其他材料從該陰極上的剝離。氣體混合物的清洗氣去除了沉積在該陰極上的摻雜劑以及陰極的材料，而氣體混合物的沉積氣直接或間接地引起摻雜劑沉積在該陰極上。此氣體混合物保持了在該陰極上摻雜材料的累積以及它或其他材料的剝離之間的一平衡，並且因此延長了離子源的壽命。該氣體混合物在離子源植入機中的存儲和分配可以利用SDS、VAC等系統（參乙證13說明書第37頁末段至第38頁第1段，本院卷五第445至446頁）。　　　　②乙證13圖1顯示引入原位清洗處理後對離子源壽命延長，如附圖9所示。　 ⑶查乙證10說明書第6頁第2段（見本院卷二第66頁）記載「離子植入為藉由用賦能離子直接轟擊基材而使化學物質沈積至基材內的方法…」，第11頁末段至第12頁第1段（見本院卷二第71、72頁）記載「本發明揭露具氣體混合之離子源的效能改良與生命期延長的技術…所述方法可包含將預定量之摻雜氣體釋放至離子源腔室內。所述摻雜氣體可包含摻雜物質。所述方法亦可包含將預定量之稀釋氣體釋放至離子源腔室內。所述稀釋氣體可稀釋摻雜氣體以改良離子源之效能並延長離子源之生命期」，前述乙證10之技術內容業已揭露更正後系爭專利1請求項1之1A、1C及部分1D「一種離子植入製程，包含以下步驟(1A)：…使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中(1C)，其中該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成(部分1D)」技術特徵，且乙證10之摻雜氣體、稀釋氣體即分別對應於系爭專利1之摻質氣體、稀釋氣體；又乙證10說明書第15頁表一（見本院卷二第75頁）揭露多種鹵化形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4（或見第14頁末段記載「在一實施例中，摻雜氣體可以含鹵素氣體之形式自摻雜氣體源260 中釋放」，本院卷二第74頁)，對應揭露更正後系爭專利1請求項1之「該摻質氣體包含摻質之鹵化物」技術特徵；乙證10說明書第16頁第2段（見本院卷二第76頁）記載「稀釋氣體可包括氫氣(H2)或含氫氣體」，對應揭露更正後系爭專利1請求項1之1D中之「該稀釋氣體包含氫」技術特徵，再者，乙證10說明書第17頁第7至10行（見本院卷二第77頁）記載「藉由將預定量之一或多種氣體，諸如含氫稀釋氣體(或惰性氣體) ，以及預定量之摻雜氣體釋放至電弧室206內，可減少金屬成長速率或鎢堆積速率」，上開段落已揭示鹵化形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4加入氫氣可改良離子源之效能並延長離子源之生命期，其中氫氣的作用可以減少金屬成長速率或鎢堆積速度。綜上，乙證10前揭技術內容與更正後系爭專利1請求項1之差異在於，乙證10未揭露更正後系爭專利1請求項1之1B之「提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應容器」及1D中之摻質氣體「經同位素濃化」技術特徵。 ⑷另查乙證13說明書第4頁第6至14行(見本院卷五第412頁) 記載「離子植入被用於積體電路的製造以便精確地向半導體晶圓中引入受控制量的摻雜雜質並且是微電子/半導體生產中之重要方法。在此類植入系統中，一離子源使一所希望的摻雜元素氣體電離成離子並且該等離子以具有所希望能量的一離子束的形式從源中引出。引出係籍由施用一高的電壓跨過合適成型的引出電極而實現，該等電極將多個孔合併成了引出束的通道。離子束然後在工作件的表面，例如一半導體晶圓上進行定向，以便向該工作件植入摻雜元素」，乙證13說明書第37頁末段至第38頁第1段見（見本院卷五第445至446頁）記載「… 本發明涉及改進具有一陰極的一離子植入系統的性能並且延長其壽命之方法，該方法包括將該陰極與由至少一種清洗氣以及至少一種沉積氣的組成的一氣體混合物進行接觸…延長了離子源的壽命。該氣體混合物在離子源植入機中的存儲和分配可以籍由使用以下各項來完成：一吸附-解吸設備(被稱為SDS-安全遞送源)，它描述於美國專利號5,518,528中，並且其內容籍由引用結合在此；一流體存儲和分配系統(被稱為VAC真空致動氣瓶) ，該系統包括用於保持一流體在所希望的一壓力下的一容器，描述於美國專利號6,101,816中並且其內容籍由引用結合在此；或一SDS與VAC的混合流體存儲和分配系統(被稱為VAC-Sorb)，它描述於美國專利號6,089,027 中並且其內容籍由引用結合在此。該等流體存儲和分配系統提供了氣體在低於大氣壓下的遞送，並且由此比高壓流體存儲和分配系統更安全並且更有效。此外，該氣體混合物中的一些氣體可以一起在SDS、VAC或VAC-Sorb 系統中存儲和分配…」。由前述乙證13之技術內容即對應揭露更正後系爭專利1請求項1之「一種離子植入製程，包含以下步驟：提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應容器；使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中，其中該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成」技術特徵。進而言之，乙證13之沉積氣、清洗氣，即分別對應系爭專利1請求項1 之摻質氣體、稀釋氣體。且乙證13揭露沉積氣與清洗氣之氣體混合物可存儲於SDS或VAC單一容器中，另乙證13 說明書第39頁第2至4行（見本院卷五第447頁）揭露氣體混合物（清洗氣與沉積氣）為「H2/GeF4」、「H2/BF 3」，對應揭露更正後系爭專利1請求項1之「該摻質氣體包含摻質之鹵化物…，該稀釋氣體包含氫」技術特徵，亦即乙證13揭示更正後系爭專利1請求項1之1A至1C及部分1D。綜上，乙證13與更正後系爭專利1請求項1之差異僅在於乙證13並未揭露1D中之摻質氣體「經同位素濃化」技術特徵。（註：因乙證13揭露之摻雜氣體並非以鍺72同位素進行濃化的四氟化鍺所組成，故無需考慮更正後系爭專利1請求項1之「條件為，當摻質氣體由以鍺 72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72 同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵）。　　 ⑸如前述，乙證8或乙證9均已揭露更正後系爭專利1請求項 1之1D中之「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」及1E「條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵。換言之，不論乙證8或乙證9，均揭露乙證13與更正後系爭專利1請求項1間之差異技術特徵。 ⑹因乙證8、9、13之技術內容均關於半導體離子植入系統或其使用之摻雜氣體，屬於相同技術領域；又乙證8、9 、13之目的或所欲解決之問題，均為改善離子源效能或延長其生命期（參乙證8第1頁、乙證9第1頁、乙證13說明書第37頁，本院卷一第631、635頁、本院卷五第445 頁）；且乙證8或乙證9教示採用經同位素濃化之四氟化鍺作為摻質氣體，可延長離子源壽命或改善製程等，亦與乙證13所欲解決的問題相同；則所屬技術領域中具有通常知識者基於乙證13揭示摻質氣體包含四氟化鍺與稀釋氣體包含氫氣等技術內容，為進一步延長離子源壽命，當有合理動機依乙證8或乙證9之建議或教示，採用經同位素濃化之四氟化鍺為摻質氣體，進而輕易完成更正後系爭專利1請求項1之發明，即乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證明更正後系爭專利1請求項1 不具進步性，故乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及 13之組合自足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性。 ⑺更正後系爭專利1請求項7依附於請求項1，並界定「該摻質組成物包含一或多個鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或76之至少一個鍺同位素之天然含量」附屬技術特徵。更正後系爭專利1請求項9依附於請求項7，並界定「該摻質組成物包含經同位素濃化的四氟化鍺」附屬技術特徵；更正後系爭專利 1請求項13依附於請求項1，並界定「該摻質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼、和四氟化矽所組成之群組」附屬技術特徵。如前所述，乙證8或乙證9揭示經同位素濃化的四氟化鍺，且以鍺72同位素濃化至50%高於天然含量，即揭露前述請求項7、9、13之附屬技術特徵。又乙證 10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性，俱如前述，故乙證 10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13不具進步性。 ⑻更正後系爭專利1請求項15之全部技術特徵見於請求項1 ，是既乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性，俱如前述，自亦足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，則乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合亦足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性。 ⑼更正後系爭專利1請求項16依附於請求項15，並界定「包含一或多個鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或76之至少一個鍺同位素之天然含量」附屬技術特徵。更正後系爭專利1請求項17依附於請求項16，並界定「包含經同位素濃化的四氟化鍺」附屬技術特徵。更正後系爭專利1請求項18依附於請求項15，並界定「該摻質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼、和四氟化矽所組成之群組」之附屬技術特徵。如前所述，乙證8或乙證9揭示經同位素濃化的四氟化鍺為摻質氣體，且以鍺72同位素濃化至高於天然含量，即已揭露前述請求項16至18之附屬技術特徵。又乙證10、8及13 之組合，或乙證10、9及13之組合足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，俱如前述，則前述證據組合自當足以證明更正後系爭專利1請求項16至18不具進步性。 ⒉乙證10、8、11及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18 不具進步性 ⑴乙證11為「使用濃化同位素SDS 72GeF4來減少砷對鍺的交叉污染」論文，其公開日為95年2月26日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。乙證11揭露隨著接面深度減低，預非晶化（PA）植入在 CMOS 加工製程中愈來愈普遍。鍺作為矽的等電子體已展現出在矽中進行預非晶化植入的能力。液態GeF4的氣態蒸氣是鍺離子束的常見來源，通常會選用原子量74的同位素進行植入，因為其具有較高的天然濃度。然而，可能出現與類似質量的摻雜劑（例如砷）交叉污染的問題。使用同位素濃化量50%以上的Ge72可改善可用的束電流，同時減少潛在的交叉污染。透過Eaton GSD200E高電流植入機評估同位素濃化的Ge72安全輸送系統(SDS)源之下，已實證此高電流植入機中的質量解離度。乙證11以SIMS（二次離子質譜分析儀(Secondary Ion Mass Spectrometer )）比對使用天然濃度之GeF4與使用SDS濃化GeF4作為植入源的表面及能量交叉污染程度，並介紹了以物種間潔淨法（between species purge）減少高能砷污染物之有效性（參乙證11摘要，本院卷二第93頁）。　 ⑵乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性，詳如前述，故乙證10、8、11及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合，自當足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性。 ⑶更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18係請求項1、1 5之直接或間接附屬項，前述各請求項之附屬技術特徵均為乙證8或乙證9所揭露，已如前述，故乙證10、8、1 1及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。　　⒊乙證10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性　　　⑴乙證10與更正後系爭專利1請求項1、15之比對，詳如前述。乙證10業已揭露更正後系爭專利1請求項1之「一種離子植入製程，包含以下步驟：…使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中，其中該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質之鹵化物…該稀釋氣體包含氫；…」技術特徵，以及更正後系爭專利1請求項15「一種摻質組成物，其由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物…，該稀釋氣體包含氫… 」技術特徵。惟乙證10並未揭露更正後系爭專利1請求項1、15有關「摻質組成物儲存於單一氣體供應容器」，以及「摻質氣體『經同位素濃化』」之技術特徵。 ⑵乙證7與更正後系爭專利1請求項1、15之比對，亦如前述，乙證7雖揭露「化學反應氣體」可選自三氟化硼、四氟化鍺等多種氣體中，並可經同位素濃化（即同位素富集之同型物），並另揭露「未反應氣體」可選自包含氫氣之多種惰性氣體中；然通常知識者並無動機由前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體，共同組成為氣體組成物。 ⑶乙證8或乙證9雖均揭露摻質氣體為經同位素濃化之四氟化鍺，且乙證8揭露將其儲存於單一儲存容器(VAC)中。惟乙證8或乙證9仍未揭露更正後系爭專利1請求項1、15 有關同位素濃化之摻質氣體與含氫氣之稀釋氣體混合為摻質組成物，且一併儲存於單一容器中之技術特徵。 ⑷綜上，乙證10及乙證8（或乙證9）之技術內容均為離子植入製程所使用之氣體，屬相同技術領域；二者之目的均在提高離子源效能，就所欲解決之問題具有共通性；並均藉由摻雜氣體提供離子植入所需之摻質，就功能與作用，亦具共通性；乙證10揭示鹵化形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4加入氫氣可改良離子源之效能並延長離子源之生命期，其中氫氣的作用可以減少金屬成長速率或鎢堆積速度，乙證8（或乙證9）教示經同位素濃化之四氟化鍺，可減少污染或增加離子源壽命，則所屬技術領域中具有通常知識者基於乙證10揭露之摻雜氣體及稀釋氣體，為改良離子源之效能並延長離子源之生命期，自有動機選擇經同位濃化之四氟化鍺作為摻雜氣體，並與氫氣等稀釋氣體相互混合為摻質組成物。乙證10及乙證8（或乙證9）雖未揭露將經同位素濃化之四氟化鍺與氫氣所組成之氣體混合物儲存於單一容器中；然乙證10 已教示將稀釋氣體與摻雜氣體相混合，具有改善離子源效能及生命期之功效，且乙證10實施例業揭露混合氣體不僅可在電弧室中混合，亦可在進入電弧室前混合（對於改善離子源效能及生命期並未產生實質效果），則所屬技術領域中具有通常知識者當能輕易思及將摻雜氣體與稀釋氣體先行混合並封裝於單一容器中，亦即其僅為乙證10將摻雜氣體與稀釋氣體個別封裝於不同容器之簡單變更。另查系爭專利1圖1及說明書第28頁最後一段至第29頁（見本院卷一第92至93頁）記載之內容可知，離子植入處理系統中關於氣體提供至離子植入前，摻雜氣體（裝置於容器304）與稀釋氣體（裝置於容器362，見本院卷一第93頁第10行）分別裝置於不同之容器（氣瓶），之後經管線（366，370）將氣體輸送至混合室360 ，以將氣體混合物通往植入機的離子源，系爭專利1說明書第31頁第2至8行（見本院卷一第95頁）記載「摻雜氣體可含一或多種補充氣體（即稀釋氣體及/或共種氣體）的混合，…例如，在第1圖系統中，容器302可構成含有摻植氣體與補充氣體混合物的單一氣體供應容器（無補充容器362、634）」。由上開系爭專利1說明書內容可證，反應氣體不論以單一容器提供混合氣體，或以兩個容器分別提供摻雜氣體與稀釋氣體再予混合，均能達成改良離子源效能或生命期之功效，另查系爭專利1 說明書通篇亦未記載以「單一」氣體供應容器，對於發明所欲改善離子源效能及生命期之功效具有何無法預期之功效，是對所屬技術領域中具通常知識者而言，更正後系爭專利1請求項1、15之發明，係將乙證10與乙證8 （或乙證9）組合後予以簡單變更所能輕易完成者，故乙證10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性。 ⑸更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18，係請求項1 、15之直接或間接附屬項，且其附屬技術特徵已為乙證 8或乙證9所揭露，詳如前述；故乙證10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。 ⒋乙證14、13、11及8之組合，或乙證14、13、11及9之組合，或乙證15、13、11及8之組合，或乙證15、13、11及9之組合，或乙證16、13、11及8之組合，或乙證16、13、11 及9之組合，或乙證17、13、11及8之組合，或乙證17、13 、11及9之組合，均足以證明更正後系爭專利1請求項1、7 、9、13、15至18不具進步性 ⑴乙證14為我國第200836229號「具氣體稀釋之離子源的改善效能與延長生命期的技術」專利公開案，其公告日為 97年9月1日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。　　　　①乙證14技術內容乙證14揭露一種具氣體稀釋之離子源改善效能並延長生命期之技術。在一特定例示性實施例中，該技術可被實現為一種具氣體稀釋之離子植入機中之離子源改善效能並延長生命期的方法，該方法包含：將預定量之摻雜氣體釋放至離子源腔室中，及將預定量之稀釋氣體釋放至離子源腔室中。稀釋氣體可包含用於稀釋摻雜氣體以改善離子源之效能並延長其生命期的含氙氣體與含氫氣體之混合物（參乙證14摘要，本院卷五第475頁）。 ②乙證14圖3A為離子源組態示意圖，如附圖10所示。　　 ⑵乙證15為美國第7592212號「用於確定植入半導體基板中雜質劑量的方法」專利公開案，其公告日為2009(98)年 9月1日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之 103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 ①乙證15技術內容乙證15揭露一種用於確定電漿摻雜過程中雜質總劑量的方法及其裝置，其係直接測量植入半導體基板中的總離子劑量，例如使用法拉第杯，並以離子質譜直接測量電漿摻雜過程所產生電漿中雜質離子種與非雜質離子種的比例，以及每種雜質離子種與電漿中總雜質離子種的比例，最後以總離子劑量和比例來確定雜質總劑量（參乙證15摘要，本院卷五第599頁）。　　　　②乙證15圖1為確定植入半導體基板雜質總劑量之方法示意圖，如附圖11所示。　　 ⑶乙證16為美國第7534628號「半導體裝置的形成方法及光電裝置的形成方法」專利公開案，其公告日為2009(98) 年5月19日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利 2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 ①乙證16技術內容乙證16揭露一種形成半導體裝置的方法，該半導體裝置包括一個含有由電漿增強化學氣相沉積法（CVD）形成的晶體之矽基沉積半導體層，該方法包括以下步驟：在形成該半導體層時，於高頻電極與基板之間施加偏壓，且使高頻電極為負極；檢測在高頻電極或基板上產生的火花；並根據檢測結果控制至少一個條件，該條件從高頻功率、偏壓電壓、偏壓電流、壓力、氣體流量和電極間距離所構成的組合中選擇，以使持續時間100毫秒或以上的火花數量保持在每分鐘不超過1次（參乙證16摘要，本院卷五第521頁）。 ②乙證16圖11為形成半導體裝置之流程步驟示意圖，如附圖12所示。　 ⑷乙證17為我國第58963號「使用微波能量製造不定形半導體合金及裝置之方法」專利案，其公告日為73年6月1日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年1 2月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。乙證17技術內容：乙證17揭露一種用以將不定形半導體合金膜澱積於基底上之方法，包括：供給微波能源；使該微波能配合入裝有該基底之實質上封閉之反應器內；及將包括至少一種含半導體化合物之氣體導入該反應器內以於該器中形成輝光放電漿質及使得自該等反應氣體之不定形半導體膜澱積於該基底上者（參乙證17請求項 1，本院卷五第553頁）。　 ⑸乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性，詳如前述，故乙證14、13、11及8之組合，或乙證14、13、11及9之組合，或乙證15、13、11及8之組合，或乙證15、13、11及9 之組合，或乙證16、13、11及8之組合，或乙證16、13 、11及9之組合，或乙證17、13、11及8之組合，或乙證 17、13、11及9之組合，自當足以證明更正後系爭專利1 請求項1、15不具進步性。 ⑹更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18之附屬技術特徵均為乙證8或乙證9所揭露，已如前述，故前述各證據組合亦足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16 至18不具進步性。 ⒌乙證7、8及13之組合，或乙證7、9及13之組合，均足以證明更正後系爭專利1請求項15至18不具進步性　　　⑴乙證7之技術內容雖可對應於系爭專利1請求項15之技術特徵。但所屬技術領域中具有通常知識者單憑乙證7尚無動機由反應氣體及未反應氣體二個群組中，選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物，以達成系爭專利1增進離子源壽命與性能之功效，俱如前述。　　　⑵惟乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合，業已揭露更正後系爭專利1請求項15之全部技術特徵，足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，以及請求項16至1 8之附屬技術特徵為乙證8或乙證9所揭露，均詳如前述。是以乙證7、8及13之組合，或乙證7、9及13之組合足以證明更正後系爭專利1請求項15至18不具進步性。　㈥乙證7等證組合不足以證明系爭專利2更正後請求項　　⒈乙證7不足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、10不具新穎性或不具進步性 ⑴更正後系爭專利2請求項1之全部技術特徵，實質上已見於更正後系爭專利1請求項15之內容；且更正後系爭專利2請求項2、10之附屬技術特徵，同更正後系爭專利1 請求項16、17。被告乃主張乙證7既足以證明更正後系爭專利1請求項15至17不具新穎性及不具進步性，此即足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、10不具新穎性及不具進步性云云（見被告民事答辯七狀第71至74頁，本院卷五第397至404頁）。 ⑵惟如前述，乙證7並不足以證明更正後系爭專利1請求項1 5至17不具新穎性或不具進步性，被告之主張即非可採。詳言之，乙證7雖揭露「化學反應氣體」可選自三氟化硼、四氟化鍺等多種氣體之群組，並可經同位素濃化（即同位素富集之同型物），並揭露「未反應氣體」可選自包含氫氣等多種惰性氣體之群組；然更正後系爭專利2請求項1所界定之發明，係由乙證7揭露的二個群組個別選出多個或一個成分所組成的選擇發明，並非乙證 7已特定揭露者，故乙證7不足以證明更正後系爭專利2 請求項1不具新穎性。再者，通常知識者由乙證7所揭露之技術內容，並無動機由前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體，以共同組成為摻質氣體組成物，相較於乙證7，系爭專利2具有可達成增進離子源壽命與性能之功效（參系爭專利2說明書第【0026】段，本院卷一第119頁），由乙證7之技術內容尚無法預期，故乙證7不足以證明更正後系爭專利2請求項1不具進步性。又更正後系爭專利2請求項2、10係依附於請求項1，包含請求項1之全部技術特徵，則乙證7既不足以證明更正後系爭專利2請求項1不具新穎性及進步性，自不足以證明更正後系爭專利2請求項2、10不具新穎性及進步性。 ⒉乙證7及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7及 6之組合，不足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、10不具進步性 ⑴更正後系爭專利2請求項1之全部技術特徵，實質上已見於更正後系爭專利1請求項15之內容，故乙證7技術內容與更正後系爭專利2請求項1間之比對，略同於前述乙證 7與更正後系爭專利1請求項15間之比對，不另贅述。 ⑵被告並未具體指出系爭專利2說明書【先前技術】或乙證 6記載之技術內容，何處對應於更正後系爭專利2請求項 1、2、10之技術特徵。被告係以更正後系爭專利2請求項1、2、10之內容，實質上同於更正後系爭專利1請求項15至17，乃援引其主張更正後系爭專利1請求項15至1 7不具進步性之證據組合，而包含有系爭專利2說明書【先前技術】（註：相同於系爭專利1說明書【先前技術】）及乙證6。惟參照被告抗辯更正後系爭專利1無效之理由（見被告民事答辯七狀第19、20頁，本院卷五第34 5至346頁），可知系爭專利2說明書【先前技術】與乙證6，係被告用來主張對應更正後系爭專利1請求項1有關離子植入之相關步驟。然更正後系爭專利2請求項1並無記載任何離子植入步驟，顯見系爭專利2說明書【先前技術】或乙證6並未揭露系爭專利2請求項1之技術特徵。 ⑶既系爭專利2說明書【先前技術】或乙證6，均未提及如何選擇特定的摻質氣體組成物，是以縱使將系爭專利2 說明書【先前技術】或乙證6，各與乙證7內容予以組合，所屬技術領域中具有通常知識者仍無動機由乙證7揭露的兩個氣體群組中，選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物，且系爭專利2藉此達成增進離子源壽命與性能之功效，由乙證7、系爭專利2說明書【先前技術】、乙證6均無法預期。故乙證7及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利2請求項1不具進步性。 ⑷系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，請求項16至18則為請求項15之直接或間接附屬項。既乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，均不足以證明系爭專利1請求項1、15不具進步性，則乙證7及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，自不足以證明更正後系爭專利2請求項7、9、13、16至18不具進步性。 ⒊乙證7、8及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7、9及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7 　　　、8及6之組合，或乙證7、9及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12、13不具進步性 ⑴被告抗辯：更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12 、13之實質內容，同於更正後系爭專利1請求項15至17 ，是既前述各證據組合足以證明更正後系爭專利1請求項15至17不具進步性，即足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12、13不具進步性云云。 ⑵惟如前述，乙證7、8及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7、9及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7、8及6之組合，或乙證7、9及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項15至17不具進步性，故被告之主張並非可採。㈦其餘證據組合可證明更正後系爭專利2請求項具應撤銷事由　　　乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合，或乙證10 、8、11及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合，或乙證 10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，或乙證7、8及13 之組合，或乙證7、9及13之組合，或乙證14、13、11及8之組合，或乙證14、13、11及9之組合，或乙證15、13、11及8 之組合，或乙證15、13、11及9之組合，或乙證16、13、11 及8之組合，或乙證16、13、11及9之組合，或乙證17、13、 11及8之組合，或乙證17、13、11及9之組合，均足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12、13不具進步性 ⒈更正後系爭專利2請求項1之全部技術特徵，實質上已見於更正後系爭專利1請求項15。是既前述各證據組合足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，自亦足以證明更正後系爭專利2請求項1不具進步性。 ⒉更正後系爭專利2請求項2係依附於請求項1，並界定「該摻質氣體是選自由多種鍺化合物所構成的群組，該等鍺化合物經同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或76之至少一種鍺同位素的天然含量」之附屬技術特徵。系爭專利2 請求項4、5均依附於請求項2，並分別界定「該摻質氣體包含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至其鍺72同位素含量為高於27.3%」、「該摻質氣體包含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至其鍺72同位素含量為高於51.6 %」之附屬技術特徵。如前所述，乙證8揭示經同位素濃化的四氟化鍺，且以鍺72同位素濃化至50-52%高於天然含量；另乙證9記載經同位素濃化的四氟化鍺，以及鍺70、72 、73、74或76之同位素濃化量分別為84-99%、82-98%、72 -99%、94-98%、85-99%等內容，是以乙證8或乙證9之技術內容，均已揭露前述更正後系爭專利2請求項2、4、5之附屬技術特徵。又前述各證據組合足以證明更正後系爭專利 2請求項1不具進步性，俱如前述，是以前述各證據組合亦足以證明更正後系爭專利2請求項2、4、5不具進步性。 ⒊更正後系爭專利2請求項10係依附於請求項1，並界定「該摻質組成物包含四氟化鍺」之附屬技術特徵。更正後系爭專利2請求項12、13均依附於請求項10，並分別界定「該四氟化鍺中的鍺具有高於27.3%的鍺72同位素的同位素濃化量」、「該四氟化鍺中的鍺具有高於51.6%的鍺72同位素的同位素濃化量」之附屬技術特徵。如前所述，乙證8 揭示經同位素濃化的四氟化鍺，且以鍺72同位素濃化至50 -52%高於天然含量；另乙證9揭示經同位素濃化的四氟化鍺，以及鍺72之同位素濃化量為82-98%；是以乙證8或乙證9之技術內容，均已揭露前述請求項10、12、13之附屬技術特徵。又前述各證據組合足以證明更正後系爭專利2 請求項1不具進步性，俱如前述，故前述各證據組合亦足以證明更正後系爭專利2請求項10、12、13不具進步性。　㈧對原告陳述意見之回應　 ⒈原告於言詞辯論時主張：更正後之系爭專利摻質組成物之重要特徵，特徵1：摻質組成物係儲存於一單一氣體供應容器中；特徵2：氣體供應容器所儲存之摻質組成物僅含「摻質氣體」及「稀釋氣體」，而不含其他成分；特徵3: 稀釋氣體經同位素濃化(見114年2月17日庭期簡報第9頁，本院卷六第225頁)，並陳述：　　　⑴系爭專利之功效(1)系爭專利之摻質組成物可增進離子源壽命和性能具有功效(依據系爭專利2說明書之[0022]、 [0026]、[0029]之段落)，並提出相關研究甲證38、39 之論文佐證eBF3與H2、eGeF4與H2可增進離子源壽命且可維持甚至增進「離子束電流」之離子源性能⑵系爭專利之摻質組成物可儲放於單一供應容器且具安全性(見簡報第10至13頁，本院卷六第225至227頁)，並於民事準備六狀第41頁（見本院卷五第91頁）第7至10行主張「系爭專利1/2出乎意外地發現：相較於不含稀釋氣體者，將同位素濃化的摻質氣體與稀釋氣體(氫)組合，所得離子源壽命和性能較佳（系爭專利1第9頁第4至7行，本院卷一第73頁），且該氣體組合不會實質影響離子束電流，甚至額外地增進離子束電流(甲證38及甲證39參照」（見本院卷五第173至185頁）。　　　⑵乙證10揭示使用摻雜氣體源會使電弧室外殼202材料沉積於陰極208而呈現對離子源102效能及生命期造成不利影響，使用「稀釋氣體」（含氫氣體）延長離子源之生命期，亦即採用GeF4（摻雜氣體）+AsH3（稀釋氣體）或G eH4（摻雜氣體）+H2（稀釋氣體）可延長離子源之生命期，但可能衍生「離子束電流減小」之問題，必須選擇特定的「稀釋氣體」(共種氣體)，以避免此問題，且乙證10使用時的「預先混合」不等於安全穩定的儲存，乙證7、8、9、11及13未教示或建議: eBF3/H2、eGeF4/H2 可安全、穩定地儲存於單一容器，故以乙證10為主要證據之相關證據組合，不足以證明系爭專利欠缺進步性（見簡報第17至20頁，本院卷六第229至230頁)。　　　⑶原告另稱：被告稱乙證13可證明「三氟化硼（或四氟化鍺）與氫氣儲存在單一容器」乃習知技術，進而將乙證 13引用於本件前案證據組合中，此係被告自行拼湊乙證 13技術內容所得之錯誤認知（見本院卷六第12頁）。　　　⑷系爭專利具肯定進步性因素（見114年2月17日庭期簡報第44至56頁）：①系爭專利1/2之摻雜組合物顯著提升離子源壽命且不會實質影響片電阻及離子束電流、甚至反而可增加離子束電流（離子源性能之一）（見簡報第45 頁）；②系爭專利1/2將三氟化硼( BF3)或四氟化鍺(GeF 4）與氫氣儲存在單一容器」克服習知將BF3、GeF4及H2 屬於危害物質應隔離分開儲存之技術偏見（見原告簡報第46至48頁，本院卷六第243至244頁)；③系爭專利1/2 產品在短短數年內取得40%以上銷售比例，展現出強勁成長趨勢，故獲得商業成功云云(見簡報第51頁，本院卷六第246頁)。　　⒉惟由系爭專利2（甲證7）與系爭專利1（甲證6）之內容與系爭專利2大致相同，故以系爭專利2為例說明。其說明書第[0002]段記載「本發明係關於使用摻質和摻質氣體混合物進行離子植入，以增進離子植入系統中的離子源壽命及性能」，說明書第[0006]段記載「離子源失效可歸咎許多原因，包括沉積物積聚在陰極表面，其對離子的熱離子發射有負面影響，以致減低電弧電流、降低性能及縮短離子源壽命，及因電弧室中產生游離氟，引發摻質氣體進行有害蝕刻反應而產生四氟化鍺，並因陰極材料剝離或濺射，造成陰極失去物理完整性而縮減離子源性能和壽命」；說明書第[0026]段記載「相較於未使用同位素濃化摻質及/ 或補充材料的離子植入系統和製程，本發明使用同位素濃化摻質及/或補充材料的離子植入系統和製程可增進離子源壽命與性能」；另系爭專利2說明書第[0067]~[0073]段記載內容，可知採用具同位素之鍺、硼摻質之摻質氣體時，其中鍺包含同位素(70、72、73、74、76），因74Ge於離子植入過程中會與砷殘餘物產生及電弧室之不鏽鋼產生交叉汙染，若不採用鍺為摻質且氣體輸送管與電弧室介面採用石墨、鎢或其他材料的植入系統沒有交叉汙染問題，則可採用含74Ge之摻質氣體，故在同一植入機亦用於植入砷的情況下，使用天然含量之鍺摻質氣體，為解決施行砷摻雜之離子植入系統植入鍺時的砷汙染問題，採用天然含量較少的鍺72同位素係有利的，然如四氟化鍺中鍺72同位素的天然含量為24.3%，鍺74同位素則為37.1%（見系爭專利2說明書第14至15頁及表I，本院卷一第127至128頁）。是以使用天然含量之鍺勢必降低可用射束電流，可能減少產量及增加植入成本。系爭專利使用同位素濃化鍺72同位素之四氟化鍺或者鍺烷能有效提高可用射束電流，進而增加離子植入系統產量。使用同位素濃化之摻質組成物，例如同位素濃化70Ge之四氟化鍺或鍺烷，也可達成類似提高射束電流、產量和整體性能的好處，相較於未依天然含量濃度同位素調整之摻質及/或共種氣體的對應系統，有益的同位素濃度係相對其在摻質及/或共種氣體中之天然含量增加成能增進離子植入系統中離子源性能與壽命的程度。上開內容揭示系爭專利提出以經同位素濃化之摻質鹵化物作為摻質氣體可提高射束電流、增加增進離子植入系統中離子源性能與壽命的技術及其原理。　　⒊再系爭專利2說明書第[0029]段記載「稀釋氣體為不含摻質物種且與摻質氣體有效混合的氣體，相較於處理不含稀釋氣體之摻質氣體的相對應離子源壽命和性能，處理具摻質氣體之含稀釋氣體混合物的離子源壽命和性能較佳。稀釋氣體實例包括氫氣、氬氣、氟氣和氙氣。」，另查第[001 12]段記載「本發明係關於使用氨氣做為共流氣體和四氟化鍺，以增進離子植入系統的源壽命，其中四氟化鍺做為摻質氣體，且四氟化鍺可選擇性同位素濃化至少一Ge同位素。當使用氨氣做為補充氣體並與四氟化鍺混合來植入鍺時，氨氣(NH3)的氮與氫分子將有效清除四氟化鍺中的氟。清除氟的結果，將使GeF4/NH3混合物至少部分抑制鹵素在離子源內循環，鹵素循環會因鎢鬚晶生長在弧形槽縫及 /或鎢沉積在陰極及/或對陰極上而造成源壽命不佳」，由上開說明書內容可知，系爭專利係提出以氨氣作為補充氣體，因氨氣(NH3)的氮與氫分子將有效清除四氟化鍺中的氟，抑制鹵素在離子源內循環，抑制鎢鬚晶生長在弧形槽縫及/或鎢沉積在陰極及/或對陰極上而造成離子源壽命不佳，由系爭專利之發明說明雖揭示摻雜氣體含稀釋氣體混合物較不含稀釋氣體之摻質氣體的離子源壽命和性能佳，並舉出稀釋氣體實例包括氫氣、氬氣、氟氣和氙氣。但於第[00112]段記載之具體實施態樣僅係以四氟化鍺做為摻質氣體，以氨氣作為補充氣體，並說明氨氣在解決離子源壽命不佳問題上之作用，系爭專利說明書雖揭示加入稀釋氣體可解決離子源壽命不佳問題，惟說明書通篇並未揭示明確以e-GeF4/H2或e-BF3/H2混合氣體的具體實施態樣，亦未於說明書中提出相關實驗數據以資佐證該二氣體混合物可增進「離子束電流」之離子源性能。經查原證38為原告公司於2018年發表之期刊論文、原證39係於2014年發表之期刊論文，其中一位作者Joseph Sweeney為系爭專利之第二發明人。經查上開二論文係於系爭專利1公告日（201 3年2月21日）之後相當時日始發表，距離系爭專利1、2申請日（優先權日）2010年更長達4、8年之久，原告以此欲證明系爭專利於申請當時以e-GeF4/H2或e-BF3/H2之氣體組合中之氫氣具有增進「離子束電流」之功效，究屬系爭專利申請當時即已知悉（發現）？抑或為系爭專利申請之後甚至公告之後，始由申請人（或發明人）經由實驗試驗始得知者，自非無疑。 ⒋乙證10說明書第11頁末段至第12頁第1段（見本院卷二第71 、72頁）記載「本發明揭露具氣體混合之離子源的效能改良與生命期延長的技術…所述方法可包含將預定量之摻雜氣體釋放至離子源腔室內。所述摻雜氣體可包含摻雜物質。所述方法亦可包含將預定量之稀釋氣體釋放至離子源腔室內。所述稀釋氣體可稀釋摻雜氣體以改良離子源之效能並延長離子源之生命期」；又乙證10說明書第15頁表一（見本院卷二第75頁）揭露多種鹵化物形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4；乙證10說明書第16頁第2段（本院卷二第76 頁）記載「稀釋氣體可包括氫氣(H2)或含氫氣體」，另乙證10說明書第17頁第7至10行（見本院卷二第77頁）記載「藉由將預定量之一或多種氣體，諸如含氫稀釋氣體（或惰性氣體），以及預定量之摻雜氣體釋放至電弧室206內，可減少金屬成長速率或鎢堆積速率」，上開段落已揭示鹵化形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4加入氫氣可改良離子源之效能並延長離子源之生命期，其中氫氣的作用可以減少金屬成長速率或鎢堆積速度，此與前述系爭專利2說明書第[00112]段記載氨氣(含氫分子)對於改良離子源之效能並延長離子源之生命期所扮演的功能及作用相同。亦即乙證10已揭示離子植入製程採用鹵化形式之摻雜物質氣體中加入氫氣可以減少鎢堆積速度。另查乙證10說明書第 18頁第2段（見本院卷二第78頁）進一步揭示當AsH3（協同氣體）與GeF4（摻雜氣體）混合時，自由氫與自由氟分子組合雖可延長離子源生命期，然而，所需摻雜物質（Ge ）因電漿中之協同物質(As)缺乏摻雜劑(Ge)而減小，乙證 10第18頁第3段進一步揭示在離子植入期間使用摻雜氣體- 稀釋氣體之互補性組合，以防止Ge離子束電流減少…如GeH 4(稀釋氣體)+GeF4(摻雜氣體)之混合氣體，不僅自由氫與自由氟組合以改良離子源之生命期，而且來自摻雜氣體與稀釋氣體(補充反應之Ge來源)之Ge物質存在可防止任何離子束電流損失，相較系爭專利係採用經同位素濃化之鹵化物(e-GeF4)以增加有益摻質(72Ge同位素)濃度(來源)以維持或增加離子束電流。再乙證10說明書第19頁第14至16行（見本院卷二第79頁）記載「氫氣(H2)可做為額外稀釋氣體與任何摻雜劑-稀釋劑混合物一起(此時Gｅ摻質充足)釋放以便延長離子束電流」。相較於乙證10所揭示以「GeH4 (稀釋氣體)+GeF4(摻雜氣體)之混合氣體」(其中GeH4係為補充並維持Ge摻雜劑量)而系爭專利係以(e-GeF4)或(e-BF 3)之同位素濃化(增加有益的摻雜劑之濃度)來防止任何離子束電流損失(乙證8或乙證9揭示該技術特徵即可達成之功效)前提下，氫氣的作用均可減少鎢堆積進而維持離子束電流，故乙證10已揭示加入氫氣混合後具有延長離子束電流達成功效及原理。乙證8(或乙證9)及乙證10已分別揭示系爭專利1請求項1於離子植入製程中以經同位素濃化之摻質之鹵化物，或摻質之鹵化物加入氫氣作為摻質組成物可防止(Ge)離子束電流損失，以增進離子源壽命和性能之技術手段。至於摻質組成物之摻質氣體及稀釋氣體兩者係分開儲存不同容器或是一起混合儲存在單一容器，對於系爭專利所欲解決增進離子源壽命和性能之問題及功效並未產生實質的影響。 ⒌至於原告主張乙證10使用時的「預先混合」不等於安全、穩定的儲存，系爭專利係在「混合後儲存」於容器中且「涉及長期（例如1至3年或更久）之安全性/穩定性」(114 年2月17日簡報第20頁，本院卷六第230頁)，惟該功效於系爭專利申請時之說明書並未記載，亦未提出將該兩特定氣體混合之實施態樣，故該功效尚難作為系爭專利具進步性之論斷依據（退而言之，該技術亦見於乙證13），故系爭專利請求項中之摻質組成物僅為乙證10及乙證8（或乙證9）之結合，非原告所稱係於系爭專利申請時之意外發現。 ⒍另查甲證38係顯示以單獨使用11BF3、與使用11BF3/H2混合物可增進離子源壽命至兩倍以上（見甲證38第241頁左欄第16至20行與右欄第20至22行、圖5，本院卷五第175頁），再甲證39顯示使用eGeF4可以得到增進離子束電流，增進離子源壽命，使用eGeF4+H2可獲得額外的離子束電流增進（見甲證39第5頁右欄結論第1至5行，本院卷五第183頁），原告主張以該二證據為證明加入氫氣(H2)對於系爭專利具有顯著之功效，惟是否達成該功效應與兩者氣體混合物之特定比例有關，此部分於系爭專利說明書中均未揭示，且上開二文獻並未針對eGeF4/H2（或11BF3/H2）與習知以未經濃化之GeF4/H2（或BF3/H2）做比對。由於乙證8（或乙證9）及乙證10分別揭示e GeF4及H2具有增進離子源壽命之功能及作用，故原告欲以甲證38或甲證39證明系爭專利具有無法預期之功效，實屬牽強，故原告主張並非可採。　 ⒎另查系爭專利2說明書第[00108]段記載之內容可知，系爭專利之摻質氣體與補充氣體係分開儲存在不同容器(304,3 62,364)，透過管線(312,366,368)輸送至植入室後混合，另於說明書第[00109]至[00110]段可將摻雜氣體與補充氣體裝於單一供應容器(co-package共裝混合物)中，並將該混合氣體傳送至植入室，該方式可用於提供鍺烷(GeH4)混合含氫氣、鈍氣或其他稀釋氣體之混合物中，相較於高壓之100%鍺烷，此係較安全的包裝方式，第[00114]段記載「或者可提供含氨氣與四氟化鍺混合物且呈任何適當相對比例之單一供應容器」，系爭專利說明書對於摻質氣體及稀釋氣體混合於單一供應容器的發明，並未揭露eGeF4+H2 及eBF3+H2之實施態樣，更未提出兩者係以該適當比例混合始達成安全、穩定包裝之效果？故將上開二氣體混合於單一容器之方式可達「長期(例如1至3年或更久)之安全性穩定性」究屬系爭專利申請當時即已知悉(發現)？抑或申請人(發明人)於系爭專利申請之後始經由實驗試驗始得知者，自非無疑。 ⒏另查乙證13第37至38頁（見本院卷五第445至446頁）揭示一種氣體混合物，其包含清洗氣及沉積氣，該氣體混合物保持了在離子植入系統之陰極上摻雜材料的累積以及它或其他材料的剝離之間的平衡，並且因此延長離子源的壽命（見乙證13第37頁第14至20行，本院卷五第445頁）。該氣體混合物在離子源植入機中的存儲分配可以藉由一吸附 -解吸設備(被稱為SDS-安全遞送源)；一流體存儲和分配系統(被稱為VAC真空致動氣瓶)；或一SDS與VAC的混合流體存儲和分配系統(被稱為VAC-Sorb)。該等流體存儲和分配系統提供了氣體在低於大氣壓(負壓)下的遞送，並且由此比高壓流體存儲和分配系統更安全並且更有效。乙證13 第38頁第8至10行並載明:「該氣體混合物中的一些氣體可以一起在SDS、VAC或VAC-Sorb系統中存儲和分配，該等氣體在高壓流體存儲和分配系統中的共存係不相容的（參乙證13第37頁第20行至38頁第10行，本院卷五第446頁），該段原申請時之外文說明書為「Moreover, some of the gases of the gas mixture, which are not compatible to co-exist under high pressure fluid storage andd ispensing system, can be stored and dispensed toge ther under the SDS, VAC or VAC-Sorb systems.」（見本院卷六第309至311頁)；又乙證13除了揭示「在以上方法的另一實施方式中，氣體混合物的多種氣體順序地流動以便接觸該陰極」（見乙證13第38頁第13至14行，本院卷五第446頁）外，乙證13說明書第38頁第11至12行亦揭示「在以上方法的一實施方式中，氣體混合物的多種氣體同時地流動以便接觸該陰極」，該段內容意謂氣體混合物係一起在SDS、VAC或VAC-Sorb系統中儲存和分配始可同時地流動。再者，乙證13亦揭示氣體混合物之實例(但不限於) :…H2/GeF4…H2/BF3（見乙證13第39頁第2至6行，本院卷五第447頁），由上開內容，所屬技術領域中具通常知識者應可理解，乙證13揭示氣體混合物(見乙證13第39頁第2至 6行所例示，本院卷五第447頁)可藉由VAC、SDS或VAC-Sor b系統於低於大氣壓下(負壓)的遞送，這樣的傳送方式比以高壓流體存儲和分配系統更安全並且更有效，而且在這些氣體混合物中，一些原本以高壓流體存儲和分配系統中不相容共存的混合氣體，可以SDS、VAC或VAC-Sorb系統( 以低於大氣壓下 (負壓))一起被存儲和分配，故乙證13並未僅限定可一起儲存和分配的氣體係指「在高壓流體存儲和分配系統中的共存不相容」的某些氣體，且未排除原本以高壓流體或低壓流體(負壓)儲存和分配系統中的共存相容的混合氣體（此由乙證13之請求項44及45項所記載之內容並未限定氣體混合物為某些特定氣體可證)。故所屬技術領域中具通常知識者在閱讀乙證13後可得知，乙證13該例示之氣體混合物可透過VAC、SDS或VAC-Sorb等系統以低於大氣壓(負壓)下的遞送將該混合氣體一起儲存、運送之技術教示，故乙證13確實已揭示更正後系爭專利將「四氟化鍺及氫氣」或「三氟化硼及氫氣」混合而安全、穩定地儲放於單一容器中之技術特徵，未有原告所稱「被告自行拼湊乙證13技術內容所得之錯誤認知」，亦無所謂系爭專利克服了習知「四氟化鍺」或「三氟化硼」及「氫氣」分別為具腐蝕性物質或屬易燃氣體應有效隔離分開儲存之技術偏見，故原告主張尚不足採。 ⒐至於原告主張依據甲證38可證明將eGeF4+H2及eBF3+H2儲放於單一容器且具儲存穩定性及安全性係因兩者化學穩定性，熱力學計算顯示在室溫或高溫下，11BF3+H2之間並未產生反應（見甲證38第242頁左欄第37至41行，本院卷五第17 6頁)，該摻質組成物能穩定且安全地存於同一容器中，並能達到至少三年的穩定儲存壽命(甲證38第242頁右欄第1至 2行)；甲證39顯示eGeF4+H2混合物可穩定地儲存於單一容器在高溫的加速安全性測試中，長達25天沒有變化發生(參 114年2月17日簡報第12至13頁，本院卷六第226至227頁）云云。由於乙證13已明確揭示可將GeF4+H2或BF3+H2之混合氣體一起儲存並運送即可達成安全性之問題，其非系爭專利申請時始為之創見，該結果及功效亦為所屬技術領域中具通常知識者所能預期，原告以上開證據主張系爭專利具有之功效，並不可採。 ⒑原告另主張系爭專利之產品在短短數年內，取得40%以上的銷售比例，展現出強勁的成長趨勢，故系爭專利已獲商業上成功（見113年9月5日民事準備六狀第25至27頁，本院卷五第75至77頁）云云。所謂發明是否具商業上成功係指申請專利之發明於商業上獲得成功，且其係由該發明之技術特徵所直接導致，而非因其他因素如銷售技巧或廣告宣傳所造成者，則可判斷具有肯定進步性之因素（參照智慧局發明專利審查基準第3.4.2.3.4節)。經查原告僅概略性提出該公司販售純三氟化硼，以及系爭專利產品所占總銷售額相對比例，尚無從得知該類產品或競爭公司相類似產品於整體市場，特別是我國之銷售情形與市占比例，況且系爭專利產品歷經近10年之銷售，其總銷售額雖有成長，但總銷售額仍未達純三氟化硼產品一半，自難認已獲商業上成功，再者，系爭專利產品進入消費市場上的銷售業績及比例，更可能會因為廠商的品牌形象、銷售策略等因素所致，非係由系爭專利發明之技術特徵所直接導致，故原告以此銷售比例據此主張系爭專利獲得商業上的成功，並非正確。　 ⒒依上述，由於證據8、9、10、13已分別揭露更正後系爭專利之所有技術特徵，且證據間具有結合之動機，系爭專利具有否定進步性因素之理由，原告雖主張系爭專利具有有利功效、克服習知技術偏見及具商業成功之肯定進步性之輔助性判斷因素，惟經審酌後認為上開主張並無理由，綜合考量「否定進步性之因素」及「肯定進步性之因素」後，認為更正後系爭專利之發明為所屬技術領域中具有通常知識者參酌該相關先前技術所揭露之內容及申請時之通常知識所能輕易完成，故不具進步性。六、綜上所述，被告提出之乙證7與其餘證據組合，雖不足以證明系爭專利更正後請求項不具新穎性及進步性，但乙證10、 8及13之組合、或乙證10、9及13之組合，乙證10、8、11及1 3之組合、或乙證10、9、11及13之組合，乙證10、8及7之組合、或乙證10、9及7之組合，乙證14、13、11及8之組合、或乙證14、13、11及9之組合、或乙證15、13、11及8之組合、或乙證15、13、11及9之組合、或乙證16、13、11及8之組合、或乙證16、13、11及9之組合、或乙證17、13、11及8之組合、或乙證17、13、11及9之組合，均足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性；乙證7、8 及13之組合、或乙證7、9及13之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項15至18不具進步性；乙證10、8及13之組合、或乙證10、9及13之組合、或乙證10、8、11及13之組合、或乙證10、9、11及13之組合、或乙證10、8及7之組合、或乙證1 0、9及7之組合、或乙證7、8及13之組合、或乙證7、9及13 之組合、或乙證14、13、11及8之組合、或乙證14、13、11 及9之組合、或乙證15、13、11及8之組合、或乙證15、13、 11及9之組合、或乙證16、13、11及8之組合、或乙證16、13 、11及9之組合、或乙證17、13、11及8之組合、或乙證17、 13、11及9之組合，均足以證明更正後系爭專利2請求項1、2 、4、5、10、12、13不具進步性。系爭專利有應撤銷之事由，依智慧財產案件審理法第41條第2項規定，原告不得對被告主張專利權。從而，原告依專利法第96條第1 項至第3 項、民法第184條第1項前段、第185條、第179條及公司法第23 條第2項規定請求排除及防止被告等繼續侵害系爭專利，並請求被告二人連帶賠償損害，為無理由，應予駁回。原告之訴即經駁回，其假執行之聲請失其依據，併予駁回。七、本件其餘爭點（系爭產品有無落入系爭專利之專利權範圍、被告應否銷毀系爭產品及負損害賠償責任、損害賠償金額應如何計算及排除、防止侵害系爭專利有無理由部分），經本院審酌後認與判決結果不生影響，爰不一一論列。本件無為中間判決之必要，爰為終局判決，併此敘明。　　八、據上論結，本件原告之訴無理由，依智慧財產案件審理法第 2條、民事訴訟法第78條，判決如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日智慧財產第二庭法官　李維心以上正本係照原本作成。如不服本判決，應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，上訴時應提出委任律師或具有智慧財產案件審理法第10條第1項但書、第5項所定資格之人之委任狀；委任有前開資格者，應另附具各該資格證書及釋明委任人與受任人有上開規定（詳附註）所定關係之釋明文書影本。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日　　　　　　　　　　　　　書記官　林佳蘋附註：智慧財產案件審理法第10條第1項、第5項智慧財產民事事件，有下列各款情形之一者，當事人應委任律師為訴訟代理人。但當事人或其法定代理人具有法官、檢察官、律師資格者，不在此限：一、第一審民事訴訟事件，其訴訟標的金額或價額，逾民事訴訟法第四百六十六條所定得上訴第三審之數額。二、因專利權、電腦程式著作權、營業秘密涉訟之第一審民事訴訟事件。三、第二審民事訴訟事件。四、起訴前聲請證據保全、保全程序及前三款訴訟事件所生其他事件之聲請或抗告。五、前四款之再審事件。六、第三審法院之事件。七、其他司法院所定應委任律師為訴訟代理人之事件。當事人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親，或當事人為法人、中央或地方機關時，其所屬專任人員具有律師資格，並經法院認為適當者，亦得為第一項訴訟代理人。

2025-03-28

IPCV-112-民專訴-66-20250328-3

國貿更一

臺灣桃園地方法院

返還價金

臺灣桃園地方法院民事裁定 113年度國貿更一字第1號原告奇倫國際有限公司法定代理人陳盈蓁訴訟代理人黃郁淳律師賴以祥律師絲漢德律師上列原告與被告Dexter Mould Technology B.V等間請求返還價金事件，本院裁定如下：　　主　　文原告應於本裁定送達後30日內，具狀補正如附表所列事項，並應提出繕本，逾期未補正，即駁回原告之訴。　　理　　由一、按原告之訴有被告無當事人能力或起訴不合程式或不備其他要件之情形者，依其情形可以補正經審判長定期間命其補正而不補正者，法院應以裁定駁回之，民事訴訟法第249 條第 1 項第3款、第6款定有明文。又按未經認許其成立之外國法人，雖不能認其為法人，然仍不失為非法人之團體，苟該非法人團體設有代表人或管理人者，依民事訴訟法第40條第3 項規定，自有當事人能力（最高法院50年台上字第1898號判例參照）。復按訴訟文書應用中國文字。但有供參考之必要時，應附記所用之方言或外國語文，法院組織法第99條亦有明文。又囑託外國管轄機關或駐在該國之中華民國大使、公使、領事或其他機構、團體為送達者，應由囑託法院函請外交部辦理。前項送達，受送達人為外國人時，其送達之通知及裁判書類，仍應以我國文字製作，惟如囑託外國管轄機關為送達者，應備有關訴訟文書之譯本。囑託駐在該國之中華民國大使、公使、領事或其他機構、團體為送達者，除民事訴狀可由當事人附譯本外，關於法院之裁判書類得附主文譯本。依民事訴訟法第145 條第2 項為送達者，受送達人為外國人時，亦應備相關訴訟文書之譯本，辦理民事訴訟事件應行注意事項第139 條亦定有明文。二、經查，本件原告追加備位被告名稱為Dexter Mould Technol ogy B.V，法定代理人為Thomas Froon，然該被告是否如原告所主張係登記於荷蘭之外國公司，究是否係未經我國認許之外國法人，該被告目前法定代理人為何人，及該被告在我國有無財產及事務所等，因涉及該被告是否有當事人能力及合法代理與否之調查，均有不明，自應定期間命原告補正。又原告起訴之備位被告既為外國公司，因須囑託外國管轄機關或我國駐外單位為送達，依前揭規定，原告自應提出被告所在國使用文字即英文之訴訟文書（含所有證據資料）譯本，惟有所欠缺，是就此亦應定期間命原告補正。從而，依首揭規定，限原告於收受本裁定送達後30日內補正如附表所列事項，逾期未補正，即駁回其訴。三、爰依民事訴訟法第249 條第1 項但書規定，裁定如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日　　　　　　　　　民事第一庭　　法　官呂如琦正本係照原本作成。如對本裁定抗告須於裁定送達後10日內向本院提出抗告狀，並應繳納抗告費新臺幣1,500元整。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日　　　　　　　　　　　　　　　　書記官楊晟佑附表：一、原告應補正備位被告Dexter Mould Technology B.V在荷蘭合法設立之法人資格證明文件，及其法定代理人Thomas Fro on為被告合法登記之代表人或管理人之證明文件，倘原告所提出上開有關於當事人能力之證據資料非中國文字，並應一併提出完整中文譯本暨經我國駐外管處或授權代表處或授權代表機構之驗證或證明；另並應陳報被告在國內有無財產及事務所，以及被告有無經我國認許之相關證明文件。二、原告應補正112年10月3日起訴狀、112年12月4日準備狀及11 3年12月2日追加備位被告暨變更訴之聲明狀、114年2月26日準備狀繕本之英文譯本，並應提出英文翻譯之函文內容：「被告應於收受本通知後，於30日內提出答辯狀到院，答辯狀應就原告於台灣桃園地方法院對被告提起返還價金訴訟之實體爭執、不爭執事項、證物形式真正等表示意見，並應使用中國文字，但有供參考必要時，應附記所用之外國語文到院以利送達」。

2025-03-28

TYDV-113-國貿更一-1-20250328-1

民專訴

智慧財產及商業法院

侵害專利權有關財產權爭議

智慧財產及商業法院民事判決 113年度民專訴字第14號原告東聿企業有限公司法定代理人賴志成住同上訴訟代理人張家瑋律師被告宥晉企業有限公司弄1之6號1樓兼法定代理人張宇均住同上上二人共同訴訟代理人陳豐裕律師複代理人湯其瑋律師薛祐珽律師上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議事件，本院於民國114 年3月3日言詞辯論終結，判決如下：主文原告之訴及假執行之聲請均駁回。訴訟費用由原告負擔。　　事實及理由一、原告主張：　㈠原告為我國第M355774號「雷射焊接機之構造」新型專利（下稱系爭專利1）、第M479173號「雷射焊接機之構造」新型專利（下稱系爭專利2，以下合稱系爭專利）之專利權人。被告張宇均前於民國97年1月1日至100年6月29日任職於原告公司，於離職後設立被告宥晉企業有限公司(下稱被告公司)，因未經原告同意或授權，重製原告所有之「移動式現場雷射焊補機」、「精巧型雷射焊補機」等照片違反著作權法，於 103年10月17日經臺灣臺南地院檢察署（下稱臺南地檢署）以103年度偵字第9401號提起公訴，經臺灣臺南地方法院（下稱臺南地院）103年度智易字第20號審理。原告與被告公司及被告張宇均於前開案件審理期間，於104年3月26日以臺南地院104年度司南調字第129號調解成立，並簽立和解書（下稱系爭和解書）。　㈡詎被告在系爭專利之專利權期間內，於107年間出售「雷射焊補機」（下稱系爭產品）予第三人仲誼企業有限公司（下稱仲誼公司），供仲誼公司履行其所得標「國防部軍備局生產製造中心第二０五廠」（下稱二０五廠）之「雷射焊補機乙台（JE07037P014PE）」標案（下稱系爭標案）侵害系爭專利權。原告於112年間始知悉上情，爰依專利法第120條準用第 96條第2項、民法第184條第1項前段；或系爭和解書第二點、專利法第97條第1項第2款、第2項；公司法第23條第2項提起本件訴訟。　㈢並聲明：　　⒈被告公司與被告張宇均應連帶給付原告新臺幣（下同）100 萬元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息。　　⒉願供擔保，請准宣告假執行。二、被告答辯：　㈠系爭專利1之專利權期間係自98年5月1日起至107年9月24日止，系爭專利2之專利權期間係自103年6月1日起至112年11月2 8日止；惟系爭專利於本件112年12月22日起訴時已消滅。　㈡由原告所提供的原證5可知，其為系爭標案之投標公司之一，至少在該標案投標時已然知悉上述標案中之技術內容；原告於接獲二０五廠107年1月12日備二五物字第0000000000號函時，便知悉仲誼公司為系爭標案之得標公司。㈢原告如認為依據系爭標案規格開發之系爭產品有侵害系爭專利，在當時便應該主張其權利，其在5年後，於112年12月22 日才提起本件訴訟，明顯已逾得請求損害賠償之請求權行使之2年時效。又系爭產品係依被告於105年4月21日取得之第M 520429號「三軸雷射加工裝置」新型專利所實施之產品，此在仲誼公司訂購前開機器即107年1月16日之前。被告售予仲誼公司之新型WTL-3100S雷射焊補機，依被告自己之專利實施即可，無須仿造系爭專利之技術。　㈣系爭產品未設置第一轉軸組、橫軸桿；第二轉軸組等相關組件，不具有系爭專利1之「轉動座上的縱軸桿沿X軸左、右擺動、結合於縱軸桿上的橫軸桿沿Y軸上、下擺動」的特徵，其控制單元亦不具有「分別與該座體、第一轉軸組以及第二轉軸組電性連接，並由該控制單元得控制該第一轉軸組與第二轉軸組之擺動」特徵，系爭產品確實未落入系爭專利1的專利權範圍。系爭產品既依據被告所有之新型專利實施，顯然與系爭專利2之結構設計不同，相較之下也已具備功效增進。因之，原告稱被告侵害其所有之系爭專利，確實無理由。　㈤原告提出之臺南地檢署103年度偵字第9401號對被告提起公訴之起訴書及臺南地院臺南簡易庭104年度司南調字第129號調解筆錄，其內容係因原告提起告訴，檢察官認被告在網站上使用原告「移動式現場雷射焊補機」、「精巧型雷射焊補機」之照片違反著作權法提起公訴，雙方達成和解後結案，原告並未舉證被告有違反上開調解筆錄之相關事證，該案與本件侵害專利權爭議事件無涉。㈥並聲明：原告之訴駁回，如受不利判決願供擔保請准宣告免為假執行。三、兩造不爭執事實(本院卷第168、179至180、208頁) ㈠原告為系爭專利1、2之專利權人。　㈡被告對原告提出之系爭專利說明書、專利證書、臺南地檢署起訴書；臺南地院臺南簡易庭調解筆錄、第二０五廠107年1 月12日決標通知函暨系統品項規格表等證據（原證1至原證7 ）形式真正不爭執。　　四、爭執事項(本院卷第168、180、208頁) ㈠原告提起本件訴訟，是否已罹於時效？　㈡原告主張被告製造系爭產品供訴外人仲誼公司投標，侵害系爭專利，是否有理由？㈢被告之系爭產品如侵害系爭專利，原告得請求被告連帶負損害賠償責任，是否有理由？五、原告之請求權已罹消滅時效　　　㈠按專利法第96條第2項專利侵害損害賠償請求權及同條第5項發明人姓名受侵害之回復請求權，自請求權人知有損害及賠償義務人時起，二年間不行使而消滅，同法第96條第6項定有明文。次按消滅時效係權利人就已發生並得行使之請求權，長時間的不行使，在一定期間經過後，發生權利人因此喪失或不得行使該請求權之法律效果，其規範目的，一方面在於維持法的和平與安定，另方面則在於避免債務人長時間陷入法律關係不安定的窘境，此種債務人利益優先於債權人保護之思想，乃以債權人遲未主張其已知悉之請求權，違反自己利益，為其正當化之基礎（最高法院106年度台上字第174 0號判決參照）。又按關於侵權行為損害賠償請求權之消滅時效，應以請求權人實際知悉損害及賠償義務人時起算，非以知悉賠償義務人因侵權行為所構成之犯罪行為經檢察官起訴，或法院判決有罪為準（最高法院97年度台上字第343號判決參照）。㈡經查系爭標案係二０五廠於107年1月8日開標，由訴外人仲誼公司以總價決標，有原告提出二０五廠107年1月12日函知原告公文，該函文對象包括本件原告及其他三家競標公司可稽（見原證5，本院卷第77頁）。嗣本院函請仲誼公司就其於1 07年間標得二０五廠之系爭標案，是否向被告公購買雷射焊補機？該公司回覆表示：其於107年1月收到二０五廠決標通知函，之後即收到原告公司來電告知其與被告張宇鈞有「智慧財產權爭議」；原告公司當時即知悉系爭標案係其委由被告公司製造提供，當時該產品有無侵權疑慮，即請被告公司提出相關證明文件以進行確認，被告公司即提出相關專利說明文件（第M520429號「三軸雷射加工裝置」新型專利，於1 06/03/10即獲舉發不成立審定)，其確認該產品並無侵權問題後，才進行後續之交貨程序等語（見本院卷第215、227頁）；之後本院再函詢上開回覆函所稱「智慧財產權爭議」具體內容為何？被告公司第M520429號新型專利技術內容是否與系爭標案內容相同？所稱確認被告公司產品無侵權問題部分，是否指有將該產品與他人之同一類產品對比？抑或是被告公司提出舉發不成立審定即直接認為該產品無侵權問題？該公司回覆表示：其不了解兩造爭議詳細內容，只大概知道是被告張宇鈞使用舊設備的面板照片而有爭議，此事與其產品設備無關，未予瞭解詳細內容；又因時間久遠，未保留文件，僅能回覆重點事項等語（見本院卷第375至376、381頁）。　㈢原告雖稱其於112年11月1日進出二０五廠時始知悉被告公司提供仲誼公司系爭產品之外觀、構造，尤其「整合式控制盒」之設計有侵害系爭專利情形云云，並提出二０五廠械彈出廠放行證明單為證（見原證8，本院卷第343頁）。然本院向二０五廠函查，請該廠對原告公司負責人賴志成於2023(112)年 11月1日進出二０五廠攜出彈匣殼品項時，有無接觸系爭標案所採購之「雷射焊補機」產品？若然，其接觸程度為何？予以查明，二０五廠回覆表示：經查賴志成並無接觸到系爭標案設備等語（見本院卷第423至425、433至435頁）。　㈣由上開事證觀之，原告於107年1月12日收到二０五廠通知得知系爭標案由仲誼公司得標，隨即該公司接到原告通知函告知，表示原告與被告張宇鈞有智慧財產權爭議，而系爭標案為雷射焊補機設備，所稱「智慧財產權爭議」應指與原告之系爭專利技術內容相關，可能涉及系爭專利，仲誼公司並稱原告於當時知悉其得標提供之設備為被告公司製造，因之，本件侵害系爭專利損害賠償請求權之消滅時效，應以原告於10 7年1月間起算，原告於112年12月22日始提起本件訴訟，已逾專利法第96條第6項所定二年期間，其損害賠償請求權時效業已消滅。六、綜上所述，原告主張被告公司之系爭產品侵害系爭專利，因已逾二年時效期間，其損害賠償請求權已為消滅。被告抗辯原告請求權時效消滅，為有理由。從而原告依專利法第96條第2項規定請求損害賠償，為無理由，應予駁回。原告之訴既經駁回，其假執行之聲請失所附麗，併予駁回。七、本件其餘爭點（系爭產品有無落入系爭專利之專利權範圍、被告應否負損害賠償責任及損害賠償金額應如何計算部分），即無逐一論駁之必要，附此敘明。　　八、據上論結，本件原告之訴無理由，依智慧財產案件審理法第 2條、民事訴訟法第78條，判決如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日智慧財產第三庭法官李維心以上正本係照原本作成。如不服本判決，應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，上訴時應提出委任律師或具有智慧財產案件審理法第10條第1項但書、第5項所定資格之人之委任狀；委任有前開資格者，應另附具各該資格證書及釋明委任人與受任人有上開規定（詳附註）所定關係之釋明文書影本。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日　　　　　　　　　　　　　書記官林佳蘋附註：智慧財產案件審理法第10條第1項、第5項智慧財產民事事件，有下列各款情形之一者，當事人應委任律師為訴訟代理人。但當事人或其法定代理人具有法官、檢察官、律師資格者，不在此限：一、第一審民事訴訟事件，其訴訟標的金額或價額，逾民事訴訟法第四百六十六條所定得上訴第三審之數額。二、因專利權、電腦程式著作權、營業秘密涉訟之第一審民事訴訟事件。三、第二審民事訴訟事件。四、起訴前聲請證據保全、保全程序及前三款訴訟事件所生其他事件之聲請或抗告。五、前四款之再審事件。六、第三審法院之事件。七、其他司法院所定應委任律師為訴訟代理人之事件。當事人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親，或當事人為法人、中央或地方機關時，其所屬專任人員具有律師資格，並經法院認為適當者，亦得為第一項訴訟代理人。

2025-03-28

IPCV-113-民專訴-14-20250328-2