Know99判決書

搜尋結果：林瑋

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損害賠償等

臺灣臺北地方法院民事裁定 114年度補字第9號原告陳惠玲訴訟代理人李後政律師被告大台北華城華城特區管理委員會法定代理人劉邦能上列當事人間請求損害賠償等事件，本院裁定如下：　　主　文本件應由劉邦能為被告大台北華城華城特區管理委員會法定代理人之承受訴訟人，續行訴訟。　　理　由一、按當事人喪失訴訟能力或法定代理人死亡或其代理權消滅者，訴訟程序在有法定代理人或取得訴訟能力之本人，承受其訴訟以前當然停止；當事人不聲明承受訴訟時，法院亦得依職權，以裁定命其續行訴訟，民事訴訟法第170條、第178條規定分別定有明文。二、經查，原告於民國113年12月17日提起本件訴訟，惟被告之法定代理人原為葉慶元嗣於114年1月1日變更為劉邦能，有新北市新店區公所113年12月20日新北店工字第1132380490 號函、被告第36屆第1次臨時會議簽到表、會議紀錄、大台北華城華城特區規約在卷可稽，然劉邦能迄未聲明承受訴訟，本院爰依職權裁定命劉邦能為被告法定代理人之承受訴訟人，續行本件訴訟程序。三、爰裁定如主文。　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日　　　　　　　　　民事第六庭　審判長法　官　林瑋桓　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　石珉千　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　余沛潔以上正本係照原本作成。如不服本裁定應於送達後10日內向本院提出抗告狀，並繳納抗告費新臺幣1,500元。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日　　　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　李云馨

2025-02-13

TPDV-114-補-9-20250213-1

訴

臺灣臺北地方法院

清償借款

臺灣臺北地方法院民事裁定 114年度訴字第556號原告第一商業銀行股份有限公司法定代理人邱月琴訴訟代理人林依璇吳雅君被告陳宮萍上列當事人間請求清償借款事件，本院裁定如下：　　主　文本件移送臺灣臺南地方法院。　　理　由一、按當事人得以合意定第一審管轄法院；訴訟之全部或一部，法院認為無管轄權者，依原告聲請或依職權以裁定移送於其管轄法院；合意管轄，如當事人之一造為法人或商人，依其預定用於同類契約之條款而成立，按其情形顯失公平者，他造於為本案之言詞辯論前，得聲請移送於其管轄法院。民事訴訟法第24條第1項前段、第28條第1項、第2項前段分別定有明文。又在無其他特別審判籍管轄法院之適用時，法院受理此種移轉管轄之聲請，應依民事訴訟法第1條「以原就被」原則定管轄法院。二、查原告據以起訴請求之借據第27條固約定：本借款契約涉訟時，甲乙雙方同意以本院為第一審管轄法院等語（見本院卷第14、21頁），惟被告現住所係在臺南市北區，此有被告所提出民事移轉管轄聲請狀、被告身分證正反面影本在卷可稽（見本院卷第53至57頁），因被告之現住所地離本院甚遠，如強令被告前來本院應訴，實係加以過重之負擔，顯失公平。是以，本件自應排除該合意管轄條款之適用，從而，被告聲請將本件移送於其現住所地之臺灣臺南地方法院管轄，於法有據，應予准許。三、爰裁定如主文。　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日　　　　　　　　　民事第六庭　審判長法　官　林瑋桓　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　石珉千　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　余沛潔以上正本係照原本作成。如不服本裁定應於送達後10日內向本院提出抗告狀，並繳納抗告費新臺幣1,500元。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日　　　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　李云馨

2025-02-13

TPDV-114-訴-556-20250213-1

重訴

臺灣臺北地方法院

返還借款

臺灣臺北地方法院民事裁定 114年度重訴字第160號原告范春燃送達處所：新北市○○區○○路0段00巷0號00之0號被告全興工程股份有限公司法定代理人詹志偉上列當事人間返還借款事件，本院裁定如下：　　主　文原告之訴駁回。訴訟費用由原告負擔。　　理　由一、按提起民事訴訟，應依民事訴訟法第77條之13規定繳納裁判費，此為必須具備之程式。又原告之訴，有民事訴訟法第24 9 條第1 項所列各款情形之一，依其情形可以補正，經審判長定期間命其補正而不補正者，法院應以裁定駁回之，亦為同法條第1項所明文。二、本件原告聲請對被告核發支付命令，已繳納督促程序費用新臺幣500元，惟被告已於法定期間內對支付命令提出異議，應以支付命令之聲請視為起訴。又原告未據繳納足額裁判費，經本院於民國113年1月15日裁定命原告於裁定送達翌日起 5日內補正，此項裁定已於同年月17日送達原告，有送達回證在卷可稽。然原告逾期迄今仍未補正，有本院繳費狀況答詢表及案件繳費狀況查詢結果附卷可查，其訴尚非合法，應予駁回。三、依民事訴訟法第249條第1項第6款、第95條第1項、第78條，裁定如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日　　　　　　　　　民事第六庭　　法　官　林瑋桓以上正本係照原本作成。如不服本裁定應於送達後10日內向本院提出抗告狀，並繳納抗告費新臺幣1,500元。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　林宜霈

2025-02-13

TPDV-114-重訴-160-20250213-1

訴

臺灣臺北地方法院

不動產所有權移轉登記等

臺灣臺北地方法院民事裁定 114年度訴字第367號抗告人即被告楊勝煌相對人即原告黃安琪上列當事人間請求不動產所有權移轉登記等事件，抗告人對於民國114年1月22日本院114年度訴字第367號裁定提起抗告，本院裁定如下：　　主　文抗告人應於本裁定送達翌日起5日內，補繳抗告裁判費新臺幣1,5 00元，如逾期未繳，即駁回其抗告。　　理　由一、按提起抗告，應依民事訴訟法第77條之18規定，徵收裁判費新臺幣（下同）1,000元，此為抗告必備之程式。又按於民國113年12月30日修正發布、114年1月1日生效之「臺灣高等法院民事訴訟與非訟事件及強制執行費用提高徵收額數標準」第4條第2項規定，提起抗告，裁判費依民事訴訟法第77條之18原定額數，加徵10分之5。又抗告人有應繳而未繳裁判費者，原第一審法院應定期間命其補正，如不於期間內補正，即為抗告不合法，應以裁定駁回之，民事訴訟法第495條之1第1項準用同法第442條第2項亦有明文規定。二、經查，抗告人不服原裁定提出抗告，未據繳納抗告費1,500 元。茲依上開規定及說明，命抗告人於本裁定送達翌日起5 日內，逕向本院補繳1,500元，如逾期未繳，即駁回其抗告。三、爰裁定如主文。　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日　　　　　　　　　民事第六庭　審判長法　官　林瑋桓　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　石珉千　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　余沛潔以上正本係照原本作成。本裁定不得抗告。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日　　　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　李云馨

2025-02-13

TPDV-114-訴-367-20250213-2

重訴

臺灣臺北地方法院

不動產所有權移轉登記等

臺灣臺北地方法院民事裁定 114年度重訴字第42號原告劉明麗訴訟代理人蔡宗釗律師被告劉明勇上列當事人間請求不動產所有權移轉登記等事件，本院裁定如下：　　主　文本件訴訟標的價額核定為新臺幣24,228,068元。原告應於本裁定送達翌日起5日內，補繳第一審裁判費新臺幣160 ,567元，如逾期未繳，即駁回其訴。　　理　由一、按提起民事訴訟應依民事訴訟法第77條之13、第77條之14規定繳納裁判費，此為法定必備之程式。次按訴訟標的之價額，由法院核定；核定訴訟標的之價額，以起訴時之交易價額為準；無交易價額者，以原告就訴訟標的所有之利益為準；以一訴主張數項標的者，其價額合併計算之。但所主張之數項標的互相競合或應為選擇者，其訴訟標的價額，應依其中價額最高者定之，同法第77條之1第1、2項、第77條之2第1 項定有明文。二、經查，本件原告訴請被告將如附表編號㈠至㈡所示房地（下稱系爭房地）所有權移轉登記予原告，及返還共計新臺幣（下同）1,120,242元之存款予原告，就系爭房地所有權移轉登記之訴訟標的價額，即應以系爭房地於原告起訴時之交易價額計算之，本院復審酌與系爭房地地段、屋齡、房型及面積相近之不動產實價登錄交易價格，於原告起訴日即民國113 年12月26日前3個月內之實價登錄所載每平方公尺交易單價為529,753元，有不動產交易實價查詢服務網查詢結果可稽，另參以系爭房地面積為43.62平方公尺【計算式：14.48平方公尺＋6.49平方公尺＋6.25平方公尺＋（139.01平方公尺×權利範圍1143/10000）＋（70.71平方公尺×權利範圍72/10000 ）＝43.62平方公尺，小數點以下第二位四捨五入】，亦有原告所提建物所有權狀可佐，是系爭房地之交易價額即為23,1 07,826元【計算式：529,753元×43.62平方公尺＝23,107,826 元，元以下四捨五入】。又原告訴請被告返還存款部分，即應以返還存款總額即1,120,242元計算訴訟標的價額，而原告請求返還系爭房地、存款，核屬以一訴主張數項標的，揆諸上開說明，上開價額自應併計之，是本件訴訟標的價額核定為24,228,068元【計算式：23,107,826元＋1,120,242元＝2 4,228,068元】，應徵第一審裁判費225,224元，原告僅繳納 64,657元，尚有160,567元未繳。茲依民事訴訟法第249條第 1項第6款規定，命原告於本裁定送達翌日起5日內，逕向本院補繳160,567元，如逾期未繳，即駁回其訴。三、爰裁定如主文。　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日　　　　　　　　　民事第六庭　審判長法　官　林瑋桓　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　石珉千　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　余沛潔　以上正本係照原本作成。如不服本裁定關於核定訴訟標的價額部分，應於送達後10日內向本院提出抗告狀，並繳納抗告費新臺幣1,500元（若經合法抗告，命補繳裁判費之裁定，併受抗告法院之裁判）。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日　　　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　李云馨附表：編號不動產項目面積（平方公尺）㈠臺北市○○區○○段○○段0000○號建物（權利範圍：全部，門牌號碼：臺北市○○區○○○路0段000巷00號6樓） ⒈總面積：14.48 ⒉附屬建物： ⑴陽台面積：6.49 ⑵雨遮面積：6.25 ⒊共用部分： ⑴臺北市○○區○○段○○段0000○號建物：139.01（權利範圍：10000分之1143） ⑵臺北市○○區○○段○○段0000○號建物：70.71（權利範圍：10000分之72）㈡臺北市○○區○○段○○段000地號土地（權利範圍：10000分之1035） 100

2025-02-13

TPDV-114-重訴-42-20250213-1

訴

臺灣臺北地方法院

損害賠償

臺灣臺北地方法院民事裁定 113年度訴字第1663號上訴人即被告楊嘉琪上列上訴人因與被上訴人林柏齡間請求損害賠償事件，對於民國 114年1月15日本院第一審判決提起上訴，本院裁定如下：　　主　文上訴人應於本裁定送達翌日起5日內，補繳第二審裁判費新臺幣5 ,175元，逾期不繳，即駁回其上訴。　　理　由一、按提起第二審上訴，應依民事訴訟法第77條之16第1項規定繳納裁判費，此為必須具備之程式。復按上訴不合程式或有其他不合法之情形而可以補正者，原第一審法院應定期間命其補正，如不於期間內補正，應以裁定駁回之，同法第442 條第2項亦有明文。二、經查，被上訴人於本院訴請上訴人給付損害賠償新臺幣（下同）100萬元本息，本院於民國114年1月15日判命上訴人應給付25萬元予被上訴人，並駁回被上訴人其餘請求，上訴人不服，並就其敗訴部分提起全部上訴，是上訴人之上訴利益即為25萬元，應徵第二審裁判費5,175元而未據繳納。茲命上訴人應於本裁定送達翌日起5日內如數補繳，逾期不繳，即駁回其上訴。三、依民事訴訟法第442條第2項規定，裁定如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日　　　　　　　　　民事第六庭　審判長法　官　林瑋桓　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　林春鈴　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　余沛潔以上正本係照原本作成。本裁定不得抗告。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日　　　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　李云馨

2025-02-13

TPDV-113-訴-1663-20250213-2

訴

臺灣臺北地方法院

清償借款

臺灣臺北地方法院民事裁定 114年度訴字第968號原告仲信資融股份有限公司法定代理人陳鳳龍訴訟代理人王筑萱被告張紋財上列當事人間請求清償借款事件，本院裁定如下：　　主　文本件移送臺灣新北地方法院。　　理　由一、按訴訟，由被告住所地之法院管轄；定法院之管轄，以起訴時為準；訴訟之全部或一部，法院認為無管轄權者，依原告聲請或依職權以裁定移送其管轄法院，民事訴訟法第1條第1 項前段、第27條及第28條第1項分別定有明文。又當事人得以合意定第一審管轄法院，民事訴訟法第24條第1項雖定有明文，但此合意管轄之約束力，僅及於合意管轄約定之當事人，而不及於第三者（最高法院97年度台抗字第110號裁定意旨參照）。二、經查，本件原告起訴主張被告前向訴外人安泰商業銀行股份有限公司借款，然被告積欠款項未還，嗣上開銀行將對被告之債權輾轉讓與原告，故原告依上開銀行與被告間之消費借貸契約及債權讓與之法律關係，請求被告為給付等語。原告固主張依信用借款契約書第20條約定，雙方合意以本院為第一審管轄法院。惟該合意管轄條款係被告與「安泰商業銀行股份有限公司」間之約定，而原告固自上開銀行輾轉受讓債權，然此係債權讓與之性質，並非契約承擔，原告並非契約之當事人，其與被告間即無合意管轄之約定存在，前開合意管轄約定之拘束力自不及於兩造間。又被告之住所地位在新北市板橋區，此有被告之戶役政資訊查詢結果附卷可稽，是依首揭民事訴訟法之規定，本件自應由被告住所地法院即臺灣新北地方法院管轄。茲原告向無管轄權之本院起訴，顯有違誤，爰依職權將本件移送於該管轄法院。三、爰裁定如主文。　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日　　　　　　　　　民事第六庭　審判長法　官　林瑋桓　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　石珉千　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　余沛潔以上正本係照原本作成。如不服本裁定應於送達後10日內向本院提出抗告狀，並繳納抗告費新臺幣1,500元。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日　　　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　李云馨

2025-02-13

TPDV-114-訴-968-20250213-1

審易

臺灣臺北地方法院

妨害名譽

臺灣臺北地方法院刑事判決 113年度審易字第1316號公訴人臺灣臺北地方檢察署檢察官被告陳俊宏指定辯護人本院公設辯護人沈芳萍上列被告因妨害名譽案件，經檢察官提起公訴（113年度偵字第1 4005號），本院判決如下：　　主　文陳俊宏無罪。　　理　由一、公訴意旨略以：被告陳俊宏意圖散布於眾，而基於妨害名譽之犯意，於民國112年12月27日上午9時許前某日時許，利用網路連接設備連線至所申用之臉書個人網頁（實際網址：ht tps://www.facebook.com/profile.php?id=00000000000000 0，下稱本案臉書帳號，），而以自己之名義公開發表：「天生ai康樂天皇老子武則天辭職退黨民眾黨網軍出征」等語，並張貼其臺灣民眾黨（下稱民眾黨）黨證翻拍照片（下稱黨證翻拍照片）及虛構由戰國策國際顧問股份有限公司（下稱戰國策公司）名義製作之內部工作文件3頁（下稱指導網軍工作文件）之翻拍照片（下稱指導網軍工作文件），藉此指稱戰國策公司受民眾黨委託進行網軍工作乙節，以供不特定人瀏覽點閱，足以貶損戰國策公司名譽。因認被告所為，係犯刑法第310條第2項之加重誹謗罪嫌等語。二、按有罪之判決書應於理由內記載認定犯罪事實所憑之證據及其認定之理由。刑事訴訟法第310條第1款定有明文。又犯罪事實之認定，係據以確定具體的刑罰權之基礎，自須經嚴格之證明，故其所憑之證據不僅應具有證據能力，且須經合法之調查程序，否則即不得作為有罪認定之依據。倘法院審理之結果，認為不能證明被告犯罪，而為無罪之諭知，即無前揭第154條第2項所謂「應依證據認定」之犯罪事實之存在。因此，同法第308條前段規定，無罪之判決書只須記載主文及理由。而其理由之論敘，僅須與卷存證據資料相符，且與經驗法則、論理法則無違即可，所使用之證據亦不以具有證據能力者為限，即使不具證據能力之傳聞證據，亦非不得資為彈劾證據使用。故無罪之判決書，就傳聞證據是否例外具有證據能力，本無須於理由內論敘說明（最高法院100年度台上字第2980號判決同此意旨）。從而，本案就傳聞證據是否例外具有證據能力，無論述之必要，合先敘明。三、按檢察官就被告犯罪事實，應負舉證責任，並指出證明之方法；犯罪事實應依證據認定之，無證據不得認定犯罪事實；不能證明被告犯罪者，應諭知無罪之判決，刑事訴訟法第16 1條第1項、第154條第2項、第301條第1項分別定有明文。又事實之認定，應憑證據，如未能發現相當證據，或證據不足以證明，自不能以推測或擬制之方法，為裁判之基礎。且認定不利於被告之事實，須依積極證據，苟積極證據不足為不利於被告事實之認定時，即應為有利於被告之認定；又刑事訴訟法上所謂認定犯罪事實之積極證據，係指適合於被告犯罪事實之認定之積極證據而言，雖不以直接證據為限，間接證據亦包括在內，然而無論直接或間接證據，其為訴訟上之證明，須於通常一般之人均不致有所懷疑，而得確信其為真實之程度者，始得據為有罪之認定，倘其證明尚未達到此一程度，而有合理之懷疑存在，無從使事實審法院得有罪之確信時，即應由法院諭知被告無罪之判決。四、本件公訴人認被告涉犯首揭加重誹謗罪嫌，無非以被告於警詢及偵訊之供述、告訴人即戰國策公司代理人於警詢之指述、本案臉書個人網頁暨相關言論擷圖為主要論據。訊據被告固坦承其為臺灣民眾黨黨員，且本案臉書帳戶為其所申辦且曾一度使用，然堅詞否認有何公訴意旨所指之加重誹謗犯行，辯稱：我臉書帳號遭盜用，首揭貼文及翻拍照片都不是我張貼上傳的，當初是因為喜歡「學姐」（指民眾黨現任臺北市議員黃瀞瑩）才加入民眾黨，但我真實學歷只有國小畢業，一直因為精神疾病在松德醫院治療，根本看不懂首開指導網軍工作文件內容，至於我民眾黨黨證翻拍照片，應該是我之前張貼在臉書上的，我常會把身分證、健保卡等證件貼在臉書上等語。經查：　㈠本案臉書帳號於112年12月27日上午9時前稍早某時，公開發布內容為：「天生ai康樂天皇老子武則天辭職退黨民眾黨網軍出征」等語之文章，其下並張貼被告民眾黨黨證翻拍照片及戰國策公司指導網軍工作文件之翻拍照片等情，除經告訴人即戰國策公司代理人陳玉揚於警詢之指述（見他卷第 225頁至第227頁）明確，並有陳玉揚所提本案被告臉書帳戶及上開貼文之翻拍照片（見他卷第21頁至第22頁）與被告民眾黨黨證翻拍照片及戰國策公司指導網軍工作文件之翻拍照片在卷可稽（見他卷第23頁至第27頁、第29頁），堪以認定。觀之上開指導網軍工作文件翻拍照片，可見其標題為「戰國策傳播集團十一月份工作檢討及修正規劃」，內容則係述及指派旗下成員擔任俗稱之「網軍」，區分為「反串組」、「假中立組」、「純發文組」、「臉書社團組」，透過不斷在PTT網路公眾論壇（下稱PTT）發推文，抑或在所屬側翼臉書粉絲專業張貼文章，藉此拉抬民眾黨聲勢並吵熱民進黨負面消息等情，佐以同時張貼被告民眾黨黨證之翻拍照片，及貼文「辭職退黨民眾黨網軍出征」等文字，欲傳達民眾黨黨員並為戰國策公司員工之被告，因見不慣民眾黨透過該公司成立網軍攻擊政敵，乃辭職爆料並將內部工作文件公告之訊息。然被告並非戰國策公司員工，該指導網軍工作文件也非戰國策公司製作，此經證人陳玉揚指述明確在卷，加以被告於警詢、偵訊及本院審理時亦不否認本案臉書帳號為其所申辦且曾使用乙節，資可懷疑被告透過上開貼文及張貼翻拍照片，不實指控戰國策公司擔任民眾黨網軍、側翼，以上述方式哄抬民眾黨聲勢並攻擊政敵民進黨。確實，基於利益考量而為特定政黨擔任「網軍」或「側翼」，以類似「虛構親身經歷」（捏造自己經歷之具體情節而強化己方說服力或搧動他人攻擊對立方，如某地阿嬤也鼓勵某政治人物出來競選、用餐時聽老闆說看某電視頻道才可獲報酬）、「反串對方炒熱」（故意扮演立場對立方支持者，並為幼稚不理性發言而凝聚己方之仇恨值，如PTT「林瑋豐事件」）、「假中立真帶風向」（佯稱為無特定政治立場之平凡百姓，尤以N個小孩爸媽或我是從業N年某某師類型為多，實則夾帶應該挺特定政黨或政治人物之風向）等手法炒熱話題，實則嚴重破壞公眾議題理性思辯能力並造成社會不必要對立，此等下流行徑在一般社會通念皆可被認為無恥至極，自應認本案臉書帳號之貼文及所張貼之翻拍照片，確足詆毀戰國策公司及其旗下員工之名譽。　㈡然被告否認本案臉書帳號之貼文及所張貼翻拍照片係其所為，本院予以採信，理由如下：　1.被告辯稱本案臉書帳號遭人盜用，陳稱其除本案臉書帳號外，還申辦過許多個臉書帳號，現在密碼也記不得，不是我的電話號碼就是出生年月日等語。而本案臉書帳號發表首揭貼文後，旋關閉帳號迄今，無從看出嗣後有無被告本人之貼文，公訴意旨亦未提出被告嗣仍有使用本案臉書帳號之證據。實則，臉書社群軟體帳號極易遭人盜用，早非罕見之事，幾乎任何臉書使用者都遇過聯絡人親友發文提醒某臉書帳號遭不明人士盜用甚藉此詐騙財物之情形。警政機關也見怪不怪，甚還不斷宣導臉書帳號遭盜用後要如何保全澄清之手續，有新北市政府警察局刑事警察大隊網站公布資料可憑。被告除本案臉書帳號外，另申辦其他臉書帳號（https://www.fa cebook.com/profile.php?id=000000000000000，下稱現行臉書帳號），被告迄今仍持續使用。觀之被告現行臉書帳號，不時會將其個人身分證件、電話、門牌號碼或其他個人資料公開張貼於臉書頁面上，諸如其於本案發生半年前之112 年7月26日，在現行臉書帳號上張貼未遮掩任何資訊之個人身分證、健保卡正反面翻拍照片並打卡「台東專科學校」；於112年2月5日、6日均曾張貼民眾黨終身黨員黨證翻拍照片，並各留言「天生台灣民眾黨陳俊宏終身黨員證」、「天生台灣民眾黨陳俊宏終身黨員證在台灣最後一個家東方不敗我陳俊宏與老婆武則天不容侵犯的生活天生a康樂平凡生活我在地球台灣天生a銀貨兩『乾』（應為「迄」誤植）童叟無欺a康樂很久了」，再註明心情為「戀愛ing」，有現行臉書帳號列印頁面在卷可憑（見審易卷第435頁至第451頁）。職是，被告對網路安全之防範意識甚差，復依其自陳其各臉書帳號均使用生日或電話號碼作為密碼（見審易卷第50 0頁），從而有心人士透過被告公開之個人資料盜用其臉書帳號，絕非難事，因此被告所辯，確存在不低之可能性。　2.被告約從15歲起即因濫用毒品導致腦部神經受損，從94年起就因幻聽、胡言亂語、抽蓄等狀況送往臺北市立聯合醫院松德院區（下稱松德醫院）住院治療並持續回診迄今，不時因病情嚴重，如情緒激動、將食物潑灑地上、對鄰居吼叫、表示要去國父紀念館找老婆等脫序行為而多次經松德醫院收治住院治療，於距本案甚近之110年8月至10月間，又因幻聽且思覺失調（其自稱為國父紀念館0號正職員工）而須住院。被告欠乏工作能力，僅能於病情穩定時可隨其母親從事資源回收工作，目前仍須由松德醫院指派醫護人員定期前往被告所在社區對被告施打長效針以控制病情，經本院向松德醫院調取被告完整就醫病歷確認無誤（見審易卷第71頁以下）。此外，被告因上開精神狀態異常，於96年11月13日經本院囑託松德醫院鑑定，鑑定結果為：被告為「疑似精神分裂症」患者，目前精神狀態呈現聲聽幻覺、被害妄想且不適切之情感表露，並有言語表達及思考流程障礙，社會及職業功能亦顯著下降，精神狀況已達精神耗弱而不能處理自己事務之程度等語，本院乃依當時民法規定，以96年度禁字第146號裁定宣告被告為禁治產人，有本院調取該案卷宗內鑑定報告及禁治產裁定可憑。又觀之被告現行臉書帳號，可見其從本案發生多年前即持續以每日數篇之頻率發文，發文內容或是張貼女星、女性政治人物照片，或是轉貼他人臉書文章，地點則常打卡「臺東專科學校」、「乾陵無字碑」、「國父紀念館」等地點，所留文字脫離一般語法且無法得其真意，諸如最常見之「天生ai女兒老婆純粹女生老婆武則天」等語，幾乎每篇文章為「天生ai」做起頭，此等怪異行徑，顯非正常人所為。反觀首揭指導網軍工作文件翻拍照片，其內所述內容條理分明，撰打形式編排整齊，用詞則跳脫口語且抽象艱澀，諸如「滿足網路世界對於政治領域的窺視感」、「用於 PTT供防、擴充論述及筆戰能量」等用語，加以完整呈現政治網軍、側翼之實際運作模式，並對案發時熱門政治議題掌握明確，若未曾從事政黨事務或政治公關相關行業之人，恐縱高學歷者也無法撰寫出此類專業文件。據此以論，從15歲起即因藥物濫用致腦神經受損，並於96年間經本院為禁治產宣告之被告，殊難想像其具足夠智識能力而得撰寫出本件指導網軍工作文件。　3.又檢察官提出三立新聞網於112年12月27日下午1時6分許於網站發布標題為「文件曝光！前黨員控柯文哲11月270萬找戰國策買網軍辦柯黑增聲量」之新聞，內容提及被告具名指控上述本件指導網軍工作文件所載內容，並於新聞中記載：「『三立新聞網』聯繫陳俊宏後，陳還點名戰國策創辦人吳春城」等語，欲證明本案臉書帳號之貼文確為被告所為。然證人即上開新聞撰稿記者並為三立新聞網政治組主管黎冠志到庭證稱：該篇報導為我撰寫，起因於有媒體同業傳給我訊息，說有人要具名指控民眾黨養網軍，並且提供EMAIL帳號為「jc00000000000il.com」電子郵件讓我聯絡消息來源，我基於記者本能必須要求證，所以我才透過該電子郵件與「陳俊宏」聯絡，我也相信同業都有默契，不會捏造訊息給我們，但該消息來源我必須保護不能透露；我的報導是根據我和「陳俊宏」電子郵件往來，不是臉書，我是後來看到聯合報有類似報導後，才發現本案被告臉書帳號上貼文，內容與同業給我的消息類似，而我報導中所使用之指導網軍工作文件是同業傳給我，不是我從本案臉書帳號上下載，到今天作證之前，我沒有跟「陳俊宏」見過面或聽過他聲音等語（見審易卷第459頁至第464頁），足見縱依證人黎冠志之證詞，其僅以電子郵件與該自稱「陳俊宏」之人聯繫，且未曾與「陳俊宏」見面或進行語音通話。而該EMAIL帳號「jc0000000 0000il.com」，經被告陳稱：我不會使用電子郵件，我只有申請，但不會使用，是用G什麼M的去申請，jc0000000我不記得是不是我申請的電子郵件帳戶等語（見審易卷第464頁至第465頁），未明確坦承為其所申辦，加以被告欠乏網路安全維護意識，各網路帳戶極易遭人盜用，是縱為被告申辦，也難排除遭人盜用之可能性。職是，依上開三立新聞網報導及記者黎冠志之結證，仍難證明本案臉書帳號之貼文確為被告所為。　4.依上開三立新聞網於112年12月27日下午1時6分張貼新聞所檢附之指導網軍工作文件翻拍照片（見他卷第36頁、第38頁至第39頁），與本案臉書帳號所張貼指導網軍工作文件照片（見他卷第245頁至第249頁）互相參照，從文件擺放角度、疊放情形及螢光筆圈化文字及位置均相同以觀，可認係相同照片。證人黎冠志證稱其發布新聞照片係從消息來源所傳送，並非從本案臉書帳號頁面下載或截圖等情，業如前述，由此可認實際於本案臉書帳號發文之人及與黎冠志透過電子郵件聯繫之「陳俊宏」應為相同之人（或團體）。而本案臉書帳號至晚於112年12月27日上午9時前即以被告真實姓名公開發布首揭貼文並張貼被告黨證照片，然觀之證人黎冠志所提其與EMAIL帳號為「jc00000000000il.com」之電子郵件翻印資料（見審易卷第第469頁至第472頁），可見該電子郵件帳號於同日上午10時許、10時19分許聯繫黎冠志時，尚央求黎冠志於報導時切勿公布其真實姓名，嗣於同日上午11時27分許，才回信稱「太囂張了他們，我就怕戰國策不承認所以才給出我身『份』（應為「分」誤植）證，你也直接露我名字吧，他們這樣我不怕他們告了，拜託曝光出來，你這邊是獨家，我相信民主和正義在我們這邊」等情（見審易卷第471頁）。首先，本案以被告名義所為之爆料，確可於第一時間造成戰國策公司及民眾黨形象重創，然稍加求證被告真實身分即可確認出虛偽，立馬需面對不實爆料之民刑事責任及民眾黨支持者聲討，殊難想像縱被告真欲為此不實爆料，會以其真實身分對外發布。再者，如本案臉書帳號上貼文真係被告所為，其既已自行公開真實身分，又何需於稍後聯絡三立新聞網記者時，特別要求報導時務須隱藏其身分，由此反可疑正係有心人士欲攻訐戰國策公司及民眾黨形象，假借被告名義對外散布「養網軍」之不實訊息，並藉盜用本案臉書帳號及取得被告黨證翻拍照片之機會對外發布，但即擔心被告臉書受關注度極低，全部貼文內容不知所云顯非正常人所為，突然為本案具條理邏輯之爆料性認真發言，可信度偏低且無法形成可觀聲量，遂再以獨家為餌吸引三立新聞網記者上鉤，並於聯繫過程之初以擔心遭報復為由要求隱藏其身分，藉此故佈疑陣之方式強化記者黎冠志之信任，進而達成媒體報導之目的。　　　5.又本案臉書帳號貼文檢附被告民眾黨黨證翻拍照片，被告於本院審理時亦不否認其因愛慕「學姐」而加入成為民眾黨終身黨員乙情，資容疑若非被告本人之貼文，貼文者又何以提出翻拍被告黨證之照片為憑。然前即述及，被告早於本件案發10個月前之112年2月5日、6日，在現行臉書帳號上張貼其民眾黨終身黨員黨證翻拍照片，經本院當庭將該翻拍照片（見審易卷第437頁、第439頁）及卷內戰國策公司報案所提從本案臉書帳號截取之黨證翻拍照片（見他卷第29頁）互核以觀，可見均係將黨證擺放桌面翻拍之拍攝情形，而各照片所呈現背面桌面之凹痕、髒污及陰影位置完全相同，資可認定為相同照片等情，有本院勘驗筆錄可憑（見審易卷第457頁至第458頁）。準此，本案臉書帳號張貼之被告民眾黨黨證翻拍照片係被告至少於案發前10個月前即拍攝，衡諸現代社會人手1支具照相上網功能智慧型手機，如欲翻拍資料或證件，應可隨時拍攝旋上傳網路，實無必要花費時間從照片圖庫翻找舊照片再上傳，由此反可高度起疑係有心人士希望藉被告民眾黨員之身分強化「爆料」之可信，而欲同時張貼被告黨證，但因無被告黨證本身，乃從被告現行臉書帳號下載使用。　㈢準此，公訴意旨所舉證據，固可證明本案臉書帳號發布首揭不實指控戰國策公司受民眾黨委託以有償方式培養、訓練「網軍」之貼文及所附翻拍照片乙節，然被告所辯本案臉書帳號遭盜用乙情具高度可能性，而公訴意旨又無法證明該貼文確係被告所為，加以卷內亦無其他積極證據足以證明被告確有首揭公訴意旨所指之犯行，自無從令其等負公訴意旨所指之罪責。　　五、綜上所述，公訴人所指被告所犯加重誹謗罪嫌，其所為訴訟上之證明，均尚未達到通常一般人均不致有所懷疑而得確信其為真實之程度，無從說服本院形成有罪之心證。揆諸前揭說明，即屬不能證明被告犯罪，自應為其等無罪之諭知。六、初聞某位已逝政治名人之名言：「政治是最高明的騙術」，其實不太懂真意，一直要看多那些位列高堂的政治明星們打打殺殺又摟摟抱抱，才知道打殺摟抱皆假，只有背後名、利、權才是真。可惜的是，政治人物搬來弄去後，拍拍屁股光速抽離再回去享受名、利、權，看戲民眾卻往往深陷其中而無法自拔，整個社會往往因政治人物一句話、一場戲，隨之動蕩對立。是的，這恐怕才是最赤裸的政治現實，思辯性民主的偉大共和，大概就是永遠躺在政治哲學課本裡。只是，政治再怎麼玩，也該有人性的底線，本院不敢說被告是好人，但可以認定被告精神明顯有問題，一個每月被松德醫院追著打長效針且高職都念不完拾荒者，應該是寫不出指導網軍文件的，政治有心人士為了搧動社會對立之惡質目的，竟然連精神病患者也不放過，冒用被告名義炮製出本案大劇，讓被告經歷司法追訴風險，此人（或一群人）恐怕連「泯滅人性」一詞都不足以評價所為。職是，本院深切期待檢警能持續追查，務使此人（或一群人）浮出水面。據上論斷，應依刑事訴訟法第301條第1項前段，判決如主文。本案經檢察官陳建宏提起公訴，檢察官黃惠欣到庭執行職務。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日　　　　　　　　　刑事第二十庭　法　官　宋恩同　　以上正本證明與原本無異。　　　　　　　　　　　如不服本判決應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，並應敘述具體理由；其未敘述上訴理由者，應於上訴期間屆滿後20日內向本院補提理由書（均須按他造當事人之人數附繕本）「切勿逕送上級法院」。告訴人或被害人如對於本判決不服者，應具備理由請求檢察官上訴，其上訴期間之計算係以檢察官收受判決正本之日期為準。　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　林鼎嵐中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　14　　日

2025-02-13

TPDM-113-審易-1316-20250213-1

家訴

臺灣高雄少年及家事法院

返還代墊費用

臺灣高雄少年及家事法院民事判決 113年度家訴字第27號原告徐○○ 訴訟代理人林瑋庭律師被告林○○ 訴訟代理人廖威斯法扶律師上列當事人間請求返還代墊扶養費事件，本院裁定如下：　　主　　文原告之訴駁回。訴訟費用由原告負擔。　　理　　由壹、程序方面：一、按家事事件法第3條第5項第12款明定為戊類事件之扶養事件，係指受扶養權利人請求扶養義務人履行義務，扶養義務人請求減輕、免除扶養義務，變更扶養之程度、方法，及共同扶養義務人間義務分擔、墊付費用返還等其他與法定扶養義務之履行有關之事件，此觀家事事件審理細則第128條規定自明。無扶養義務之人，為他人墊付日常生活費用後依無因管理或不當得利法律關係請求給付者，既無涉其法定扶養義務之履行、分擔，即與一般財產權事件無殊。無論墊付、受墊付者間是否有親屬關係，均非前開法條所定扶養事件，尚無依家事事件法第74條規定，適用同法第四編所定家事非訟程序之餘地，法院應依訴訟程序為審理，俾保障程序參與者之權利（最高法院112年度台簡抗字第210號裁定意旨參照）。次按訴訟之全部或一部，法院認為無管轄權者，依原告聲請或依職權以裁定移送於其管轄法院；移送訴訟之裁定確定時，受移送之法院受其羈束；前項法院，不得以該訴訟更移送於他法院，但專屬於他法院管轄者，不在此限，民事訴訟法第28條第1 項及第30條分別規定甚明。本件原告並非未成年子女林○○之扶養義務人，其請求返還代墊扶養費，核非家事事件法第3條第5項第12款所規定之扶養事件，依上開裁定意旨，固應屬一般民事訴訟事件；惟本件係經臺灣高雄地方法院裁定移送而來，且兩造均居住於高雄市，復無專屬於他院管轄之情形，依上揭規定，本院應受上開移轉管轄裁定之拘束，合先敘明。二、按訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴，但擴張或減縮應受判決事項之聲明者，不在此限，民事訴訟法第255 條第1項第3款定有明文。本件原告原聲明：被告應給付原告新臺幣（下同）120萬元，及自聲請狀繕本送達翌日起按年息百分之5計算之利息；嗣於113年1月25日具狀變更聲明為：被告應給付原告60萬元，及自聲請狀繕本送達翌日起按年息百分之5計算之利息（本院卷第261頁），原告所為變更，核屬單純減縮聲明，應予准許。貳、實體部分　　一、原告主張：原告之前配偶甲○○與被告原為夫妻，該2人於民國107年4月9日離婚，育有未成年子女林○○。又原告自107年 2月29日起即與甲○○及林○○同居，甲○○與被告離婚後，原告亦與甲○○於110年1月13日結婚，嗣雖又於111年6月13日離婚，但原告仍持續照顧至甲○○攜同林○○離去時即112年2月28日為止。原告自107年2月29日起至112年2月28日止（下稱系爭期間）並無工作，為照顧林○○耗費畢生積蓄，並為此辦理信用貸款以支付林○○之生活費及學費，而為被告代墊林○○之扶養費每月1萬元，合計60萬元，自得依民法第179條前段不當得利規定，請求被告返還。並聲明：被告應給付原告60萬元，及自聲請狀繕本送達翌日起按年息5％計算之利息。二、被告則以：被告與甲○○離婚時，業已協議共同擔任林○○之親權人，並協議另一名未成年子女林顏與被告同住，林○○則與甲○○同住，兩人各自負擔同住子女之扶養費，不再互相請求子女扶養費用。再者，甲○○與原告同住期間，林○○之扶養費用均係由甲○○負擔，原告主張其無工作收入，卻代墊其等之扶養費長達五年，顯不合常理，且亦未提出任何證據以實其說，自無可採等語置辯。並聲明：原告之訴駁回。三、按父母對於未成年之子女，有保護及教養之權利義務，民法第1084條第2項定有明文。又無法律上之原因而受利益，致他人受損害者，應返還其利益，民法第179條前段亦有明文。再按當事人主張有利於己之事實者，就其事實有舉證之責任，民事訴訟法第277條前段亦有明文。末按非扶養義務人代墊之扶養費，雖得向扶養義務人本於不當得利之規定請求返還，但對此過往已發生之給付，自應為實質舉證，證明確實給付之事實。四、本院之判斷：　㈠原告與甲○○係前配偶，甲○○在與原告結婚前則曾與被告有婚姻關係，並育有兩人之未成年子女林○○，嗣被告與甲○○於10 7年4月9日協議離婚，約定共同擔任林○○之親權人，並由甲○ ○擔任主要照顧者等情，有戶籍資料、高雄○○○○○○○○112年6 月13日高市小戶字第11270342000號函暨所附未成年子女權利義務行使負擔登記申請書、兩願離婚協議書可稽（本院卷第41-45、49、55-61頁），堪信為真實。　㈡原告主張林○○於系爭期間均與其同住由其扶養照顧，依不當得利之法律關係請求被告返還其所代墊林○○之扶養費，依上開說明，自應就其確受有損害，亦即其確有墊付林○○扶養費之事實負舉證責任。本院衡酌如下：　1.參諸證人甲○○於本院審理時證稱：伊與被告離婚時有約定林 ○○親權由伊與被告共同任之，但由伊主責照顧，並單獨負擔林○○之扶養費；嗣因伊常工作至三更半夜，原告表示願幫伊照顧林○○，伊則支付生活費給原告，原告每月要支付貸款及其自己與母親、女兒之生活費，並無餘力給付林○○之生活費等語（本院卷第147-155頁）。從證人甲○○之證述，固顯示原告於系爭期間有與林○○同住，然亦指出原告僅係因甲○○工作忙碌，受甲○○所託代為照料林○○，扶養費用則仍由甲○○負責。是由此已難遽認原告主張可採。原告雖又主張證人甲○○ 並未提出其支付生活費之證明，可見其所證不實云云(詳本院卷第299頁)；惟參以原告於起訴狀自承其於系爭期間並無工作，甲○○則因工作日日早出晚歸、往返高雄屏東兩地等語 (詳雄院卷第10-11頁)，可見原告並無工作收入，而係由甲○ ○負責在外工作，且甲○○亦不斷與原告保持聯繫(此從原告與甲○○之對話紀錄，甲○○提及：「明天早上回去」、「本來想回去看你，你都在睡覺」、「你早點睡覺，小孩麻煩你」等語，即可得知，詳本院卷第209、221頁)，則依其等之生活及分工模式觀之，毋寧應係由負責在外工作之甲○○支付包含林○○扶養費在內之生活開銷，較為合理，益徵原告之主張難認有據。　2.原告雖另提出高雄市私立皇冠幼兒園收費證明、中國信託銀行存款交易明細、其與甲○○之對話紀錄為其佐證（臺灣高雄地方法院112年度補字第447號卷，下稱雄院卷，第15-25頁；本院卷第191-223頁），主張其曾依甲○○所託，為照顧林○ ○而辦理信用貸款，亦負責林○○生活教育費用之支出云云。然衡酌上開幼兒園收費證明，充其量僅得證明林○○之幼兒園學費業經繳清，但無從證明該費用為原告以自己之財產支付。至於上開金融機構交易明細固顯示原告於系爭期間曾有貸款紀錄，然從證人甲○○之上開證述可知，原告尚有其個人之其他子女(此觀原告之個人戶籍資料亦可得知，詳本院卷第4 1頁)、其母親以及其本身之生活開銷須負擔，是亦無從證明原告之貸款原因及款項之流向係與林○○之扶養費用有關。何況觀諸原告所提出上開與甲○○之對話紀錄，顯示原告於貸款清償期屆至時，均會通知甲○○，原告更具狀自承甲○○確有協助貸款清償等語(詳本院卷第190頁)，可見原告之貸款係由甲○○實際負責繳納。是本件顯無從以原告之貸款情形認定林 ○○之扶養費用係由原告負責支出。　3.最後，原告固又主張其既有實際照顧林○○，付出之心力亦得評價為金錢云云(詳本院卷第299頁)。惟按民法第179條規定不當得利之成立要件，必須無法律上之原因而受利益，致他人受損害，且該受利益與受損害之間，應有因果關係之存在。苟未有受利益；或所受利益與他人之受損害，顯非屬同一原因事實，而難認該損益之間有因果關係存在，即無該他人依不當得利之法律關係，請求返還利益之餘地（最高法院97年度台上字第1319號判決參照）。參諸證人甲○○之上開證述，顯示原告協助照顧林○○，係因與甲○○有所約定，是縱使原告因實際照顧林○○受有損害，亦係為履行其與甲○○間之約定之故，據此已難認其所受損害與被告所受利益間有因果關係。何況，甲○○在原告與林○○共同生活期間，即曾為原告繳付貸款，此業如前述；且原告並未舉證其申貸之目的及款項之用途與林○○之生活開銷有關，亦經本院說明如前。由此可見，原告個人之開銷及資金需求，極有可能係由甲○○實際負擔或補助部分，益徵原告之所以負責照顧林○○，係與甲○○有所約定，互為分工，換取由甲○○在外工作補助其個人之生活開銷或資金需求。是原告就照顧林○○所為之付出，與被告是否受有免除其扶養義務之利益，顯非屬同一原因事實，難認損益之間有因果關係存在。依上開說明，原告自無從依不當得利之法律關係，請求被告返還毋庸扶養林○○所受之利益。　㈢準此，原告所提出之各該證據及卷內之其他事證，尚無法證明原告確有實際代被告墊付林○○扶養費乙事，縱使其受有損害，亦無法證明與被告所受利益屬同一原因事實。其依不當得利之法律關係請求被告返還代墊之扶養費，自屬無據，應予駁回。五、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊防禦方法及舉證資料，於裁定結果不生影響，爰不予一一論列，附此敘明。六、爰裁定如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日　　　　　　　　　家事第三庭　法　　官　彭志崴以上正本係照原本作成。如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。　中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日　　　　　　　　　　　　　　　書記官　　林佑盈

2025-02-13

KSYV-113-家訴-27-20250213-1

行專訴

智慧財產及商業法院

發明專利申請

智慧財產及商業法院行政判決 113年度行專訴字第30號民國114年1月2日辯論終結原告日商TDK股份有限公司代表人齋藤昇訴訟代理人翁林瑋律師何婉菁律師王大緯專利師被告經濟部智慧財產局代表人廖承威訴訟代理人陳俊宏上列當事人間因發明專利申請事件，原告不服經濟部中華民國11 3年4月1日經法字第11317300770號訴願決定，提起行政訴訟，本院判決如下：　　主文一、原處分及訴願決定均撤銷。二、被告應就第109141322號「磁化旋轉元件、磁阻效應元件、半導體元件、磁記錄陣列及磁阻效應元件的製造方法」發明專利申請案做成准予專利之審定。三、訴訟費用由被告負擔。　　事實及理由一、爭訟概要：　　原告前於民國109年11月25日以「磁化旋轉元件、磁阻效應元件、半導體元件、磁記錄陣列及磁阻效應元件的製造方法　　」向被告申請發明專利，並聲明以西元2019年11月26日申請之日本第2019-212835號及西元2020年10月14日申請之日本第2020-173445號專利案主張優先權，經被告編為第1091413 22號審查（下稱系爭申請案），不予專利；民國111年5月17 日原告申請再審查並修正申請專利範圍，復於被告112年4月 18日發給審查意見通知函後之同年7月18日提出申請專利範圍修正本。嗣被告依專利法第43條第4項規定，以112年8月4 日(112)智專三㈡04457字第11220757890號審查意見最後通知函，通知原告112年7月18日修正本之部分請求項未克服前揭審查意見通知函之不准專利事由，且有違專利法第22條第2 項規定；原告乃於112年11月2日提出申請專利範圍修正本及申復理由。案經被告審查，核認系爭申請案修正後仍有違前揭專利法規定，而以112年11月8日(112)智專議㈡04457字第1 1221127320號專利再審查核駁審定書為「不予專利」之處分（下稱原處分）。原告提起訴願後，經經濟部以113年4月1 日經法字第11317300770號為訴願駁回之決定（下稱訴願決定），原告仍未甘服，遂依法提起本件行政訴訟。二、原告主張及聲明： (一)原告於110年3月19日、111年1月28日、111年5月17日、112 年7月18日、112年11月2日提出系爭案申請專利範圍修正本　　，上開修正內容未超出申請時原說明書或圖式所揭露之範圍　　，修正後請求項共16項，其中第1、9、10、11、13、14、15 　　、16項為獨立項，其餘為附屬項。又請求項2至8是直接或間接依附至請求項1之附屬項，請求項10、11、13是以附屬形式包括請求項9全部特徵在內之獨立項，請求項12是直接依附至請求項11之附屬項，而請求項15、16並未發現不予專利之理由。是以系爭申請案專利範圍係指112年11月2日修正後之內容，先予敘明。 (二)系爭申請案相對附表之引證1（甲證3）、引證2（甲證4）之組合，或引證1、引證2、引證3（甲證5）之組合，具有進步性要件：　⒈引證1、2均未揭露請求項1之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」技術特徵，且該技術特徵相對於插入層只有1層之情況及超過6層之情況，可明確降低系爭申請案磁阻效應元件的寫入功率，此由圖17、18關於實施例1 的磁阻效應元件的寫入電流圖、寫入電壓圖及對應實驗數據可得知，而為該發明所屬技術領域中具有通常知識者依系爭專利申請案說明書及圖式的記載可直接且無歧異得知，且相對於插入層只有1層及7層的邊界值，所產生功效的顯著提升（量的變化），並非為插入層數量之簡單變更，而是產生無法預期之功效。況所屬領域具通常知識者並無動機結合引證 1、2，無法藉由引證2補足引證1所未揭露請求項1之「沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大」以及「上述插入層的厚度，為構成上述插入層的材料之自旋擴散長度以下」之技術特徵，故無否定進步性之因素。又引證1、2對於系爭申請案之專利發明具有反向教示（teach away），將引證2揭露的技術應用於引證1，而將引證2使電流有效集中或有效率流動的第二非磁性層14應用於引證1的金屬插入層2C，反而會使電流高度集中，無法達成引證1所欲避免電流集中於金屬插入層2C，目的完全相反且將會被勸阻而不會將引證2之技術應用於引證1 　　，故有肯定進步性之因素。因此，綜合考量後並無法建立不具進步性之論理，得判斷系爭申請案請求項1所載之發明具有進步性。準此，引證1、2並不足以揭露或教示系爭申請案請求項1所載發明的所有限制條件，符合專利法第22條第2項之進步性規定。　⒉系爭申請案請求項2至6、8係直接或間接依附於請求項1之附屬項，故請求項2至6、8具備請求項1的全部限制條件，因此　　，根據前述請求項1的相同理由，引證1、2之組合並不足以揭露或教示請求項2至6、8各自所有限制條件，故請求項2至 6、8的確符合專利法第22條第2項之規定。又系爭申請案請求項7係直接依附於請求項1之附屬項，故請求項7具備請求項1的限制條件，根據前述請求項1的相同理由，引證1、2之組合並不足以揭露或教示請求項7之限制條件。另引證3並未揭露系爭申請案請求項7之技術特徵，且非簡單變更，而是產生無法預期之功效，所屬技術領域具通常知識者亦無動機結合引證1、2及引證3，是引證1至3之組合並不足以揭露或教示請求項7之技術特徵。　⒊系爭申請案請求項9之「上述第2層有複數層，上述第2層的層數，在6層以下」，並未揭露於引證1、2，且非為第2層數量之簡單變更，而是產生無法預期之功效，所屬技術領域具通常知識者無動機結合引證1與引證2，無法藉由引證2補足引證1未揭露請求項9之「沿著上述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大，上述第2層的厚度，為構成上述第2層的材料之自旋擴散長度以下」之技術特徵　　，故無否定進步性之因素。又請求項9之「上述第2層有複數層，上述第2層的層數，在6層以下」具有無法預期之功效，且引證1及2對於系爭申請案之專利發明具有反向教示，故有肯定進步性之因素。因此，系爭申請案請求項9所載之發明具有進步性。　⒋系爭申請案請求項10、11、13係包括請求項9的全部技術特徵在內之獨立項，請求項12為請求項11的附屬項，故請求項10 至13具備請求項9之全部限制條件，根據前述請求項9之相同理由，引證1、2並不足以揭露或教示請求項10至13各自所有限制條件，故請求項10至13符合專利法第22條第2項之進步性規定。　⒌請求項14之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6 層以下」未揭露於引證1或2，且非為插入層數量之簡單變更，而是產生無法預期之功效，所屬技術領域具通常知識者無動機結合引證1與引證2，而無法藉由引證1補足引證2未揭露請求項14之「且上述第1自旋產生層的厚度，比上述自旋產生層更厚…上述插入層，包含從Mg(鎂)、Al(鋁)、Si(矽　　)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu(銅)、Ga(鎵)、　　Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素」、「依序積層第2強磁性層、非磁性層、第1強磁性層以及第1自旋產生層的積層體…複數個插入層與複數個自旋產生層」之技術特徵　　，故無否定進步性之因素。又請求項14之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」具有無法預期之功效，且引證1及引證2對於系爭申請案之專利發明具有反向教示，故有肯定進步性之因素。因此，系爭申請案請求項14所載之發明具有進步性。此外，請求項15、16具進步性，此為原處分所是認。　⒍綜上，引證1、2之組合不足以證明系爭申請案請求項1至6、8 至14不具進步性；引證1至3之組合不足以證明系爭申請案請求項7不具進步性，系爭申請案符合專利法第22條第2項之進步性要件，原處分與訴願決定駁回本件專利申請，顯然違法且有錯誤，爰請求撤銷原處分及訴願決定，並命被告應作成准予專利之審定等語。 (三)並聲明：　⒈訴願決定及原處分均撤銷。　⒉被告應就系爭申請案做成准予專利之審定。三、被告答辯及聲明： (一)系爭申請案請求項並未限定「間隔開」的複數插入層20B，比對引證1（甲證3）圖2所對應第[0051]段内容揭示「根據金屬插入層2C的位置，可能存在原子堆疊為兩層或三層的部分」，已揭示請求項1上開技術特徵。又系爭申請案藉由插入層20B插入自旋產生層20A中，以達成利用界面Rashba效應　　，降低反轉電流密度，依引證1第[0005]段揭示「SOT是由自旋軌道相互作用或異質材料界面處的Rashba效應產生的純自旋電流引起的，在磁阻元件中感應出SOT的電流沿與磁阻元件的層疊方向交叉的方向上流動，換句話說，不需要在磁阻元件的堆疊方向上流動電流，這有望延長磁阻元件的壽命」　　，已揭示上開技術特徵及降低反轉電流密度相同之功效。退步言，引證1圖2、3揭示藉由自旋軌道轉矩配線2插入金屬插入層2C中，據以產生與系爭申請案相同之功效，故請求項1 之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下　　」技術特徵僅係插入層數量之簡單變更，原告主張並不足採　　。 (二)系爭申請案明確指出在自旋軌道轉矩配線中設置插入層之效果，亦即比較插入層層數為0與層數為1至6之效果，而非比較插入層層數為1與層數為2至6之效果，且說明書及圖17、1 8並未記載當插入層為7層後之寫入電流、電壓，亦非所屬技術領域中具有通常知識者能直接且無歧異得知（例如圖17中寫入電流在插入層為3層時最低，但無法預測7層後為最高、最低或持平；圖18中寫入電壓在插入層為4層後持平，但無法預測7層後會開始變高、變低或持續持平）。原告以不存在内容推定插入層層數超過7層時之寫入功率高於僅有1層之寫入功率乃主觀臆測，並不可採。又關於原告所提寫入功率 -寫入層數量關係圖（本院卷第22頁），未曾揭示於系爭申請案之說明書、申請專利範圍或圖式中，無法由系爭申請案圖17、18得到相同之結果，以銀(Ag)為例，原告主張依關係圖顯示功率（P）約為0.39mW，惟圖17、18中，Ag電流約　　570μA、電壓約0.62V，P=I*V=0.3534mW，兩者顯有落差，並不可採。 (三)原告主張將引證2之第一非磁性層12應用於引證1之自旋軌道轉矩配線2將不產生自旋流，係原告主觀臆測，引證2之　　first nonmagnetic layer12、third nonmagnetic layer16 a對應本案自旋產生層20A，引證2之second nonmagnetic 　　layer14對應本案插入層20B，且依引證2第〔0025~0029〕段揭示内容清楚說明圖1之first nonmagnetic layer12實施方式有其背景與目的，且引證1未教示不可使用相反扭矩之材料，以組成本案之自旋產生層20A與插入層20B，並未構成反向教示。又引證1、2同屬「STT-MRAM」相同技術領域，均同樣藉由「插入層的電阻率（導電率的倒數）比自旋產生層的電阻率更低」，進而改善自旋軌道轉矩配線之電流流動，兩者在「磁阻效應元件」作用或功能、解決「自旋執道轉矩配線之導電率」之問題皆具共通性，該發明所屬技術領域中具有通常知識者有動機結合引證1、2之技術内容，原告上開主張並不足採。 (四)原告所提寫入功率-寫入層數量關係圖並非系爭申請案圖17 　　、18所能直接無歧異得知，原告稱插入層的數量為1時，其實驗數據電壓Cu=0.915、Ag=0.658，惟圖18中並無任何數據，由圖18僅能得知Cu的電壓介於0.8~1之間，Ag的電壓介於0 .6~0.8之間，且原告所稱數值精確到小數點第3位似有臨訟製作之嫌。又系爭申請案說明書第[0120]段揭示設置插入層之效果（亦即比較插入層層數為0與層數為1至6之效果）　　，僅於寫入電流、寫入電壓在定性方面之功效，說明書從未揭示在寫入功率上產生「量」的功效（定量方面之功效）。另原告在審查階段既不爭執引證1揭示請求項1之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」、請求項9之「上述第2層有複數層，上述第2層的層數，在6層以下」、請求項14之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在 6層以下」技術特徵，於訴訟階段卻又以從未揭露之實驗數據主張具有有利功效，其臨訟製作之數據應不可採。再者，有利功效必須是對照先前技術之差異技術特徵所直接產生的技術效果，因前開爭執技術特徵在2層插入層均為Cu或2層插入層均為Ag之情形已揭露於引證1第[0051]段，可知該爭執技術特徵非是對照先前技術之差異特徵，而是先前技術已揭露。縱考量原告補充之實驗數據，該數據顯示之功效亦非是對照先前技術之功效，而是先前技術已揭露的功效，是以，原告對該爭執技術特徵所補充說明有利功效之理由，並不足採。 (五)系爭申請案界定「插入層有複數層，上述插入層的層數，在 6層以下」不是厚度，也不是「不同材料界面」的數量，因插入層係界定「包含從Mg(鎂）…構成的群中選擇之『任何元素』」，不排除各插入層均選擇為相同元素之情形，例如2層插入層均為Cu或2層插入層均為Ag之情形，亦不限制厚度　　。而引證1第[0051]段内容揭示「金屬插入層2C有些部分是原子積層2~3層份量的部分」，已揭露2至3層插入層均為Ag 　　、Cu、Co、Fe、A1、Cr之文義内容。縱認是界定「間隔開的插入層」，引證2亦揭示上開技術特徵，亦即引證2具有間隔開的第二非磁性層14（相當於「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」）。又依引證2第0027、0031段內容、圖2揭示，可知其藉由第一非磁性層12（相當於系爭申請案自旋產生層）、第二非磁性層14（相當於系爭申請案插入層）之堆疊，改善較低的寫入電流，與系爭申請案第[0 120]段所述藉由自旋產生層、插入層之堆疊，改善較低的寫入電流，具有利用相同之方法，改善相同之功效。　　 (六)並聲明：原告之訴駁回。　　四、本件爭點： (一)引證1、2（甲證3、4）之組合，是否足以證明系爭申請案請求項1至6、8至14不具進步性？ (二)引證1至3（甲證3至5）之組合，是否足以證明系爭申請案請求項7不具進步性？　五、本院判斷： (一)應適用之法令：　⒈按系爭申請案申請日為109年11月25日，主張優先權日為西元 2019年11月26日、2020年10月14日，再審查核駁審定日為11 2年11月8日，本件於114年1月2日言詞辯論終結，故系爭專利申請案是否符合專利要件，應以111年5月4日修正公布　　、同年7月1日施行之專利法（下逕稱專利法）為斷。又原處分及訴願決定均係依系爭申請案112年11月2日申請專利範圍修正本進行審查，且於訴訟中原告亦未再申請更正，是本件系爭申請案專利申請範圍即依該次修正內容進行審理。 ⒉按「申請專利之發明經審查認無不予專利之情事者，應予專利，並應將申請專利範圍及圖式公告之。」專利法第47條第 1項定有明文。 (二)系爭申請案之申請專利範圍（主要圖式如附圖）：　　系爭申請案請求項共16項，其中第1、9、10、11、13、14、 15、16項為獨立項，其餘為附屬項。而兩造並未爭執請求項 15、16具有進步性，故僅列請求項1至14如下：　　請求項1：一種磁化旋轉元件，包括：自旋軌道轉矩配線；以及第1強磁性層，相對於上述自旋軌道轉矩配線在第1方向，從上述自旋軌道轉矩配線注入自旋；（1A）　　　　　　其中，上述自旋軌道轉矩配線，在上述第1方向上具有複數自旋產生層、以及在上述複數自旋產生層之間的插入層；上述插入層的電阻率比上述自旋產生層的電阻率更低；上述插入層的厚度，比上述自旋產生層的分別厚度薄；（1B）　　　　　　沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1 強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大；（1C）　　　　　　上述插入層，包含從Mg(鎂)、Al(鋁)、Si(矽)、　　　　　　 Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu(銅)、Ga( 鎵)、Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素；（1D）　　　　　　上述自旋產生層，包含從Mo(鉬)、Ru(釕)、Rh(銠 )、Pd(鈀)、Ta(鉭)、W(鎢)、Ir(銥)、Pt(鉑)、A u(金)、Bi(鉍)構成的群中選擇之任何元素；（1E ）　　　　　　上述插入層的厚度，為構成上述插入層的材料之自旋擴散長度以下；上述插入層有複數層；上述插入層的層數，在6層以下。（1F）　　請求項2：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述自旋軌道轉矩配線，從上述第1方向的平面視中，具有與上述第1強磁性層重疊的重疊區域以及不重疊的非重疊區域；上述插入層，夾住上述重疊區域並涵蓋延伸至上述非重疊區域。　　請求項3：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述插入層的厚度，為構成上述插入層的元素之鍵半徑的5 倍以下。　　請求項4：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述插入層的厚度，為10Å以下。　　請求項5：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述自旋產生層的厚度，分別在8Å以上20Å以下。　　請求項6：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述插入層，包含構成上述自旋產生層的元素。　　請求項7：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述自旋軌道轉矩配線的厚度，在20nm(毫微米)以下。　　請求項8：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述複數自旋產生層中離上述第1強磁性層最近的第1自旋產生層之膜厚，比其它自旋產生層之膜厚更厚。　　請求項9：一種磁化旋轉元件，包括：配線；以及第1強磁性層，相對於上述配線在第1方向；其中，上述配線　　　　　　，包括：第1層，包含從Mo(鉬)、Ru(釘)、Rh(銠) 、Pd(鈀)、Ta(鉭)、W(鎢)、Ir(銥)、Pt(鉑)、Au (金)、Bi(鉍)構成的群中選擇之任何元素；以及第2層，包含從Mg(鎂)、Al(鋁)、Si(矽)、Ti(鈦) 、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu(銅)、Ga(鎵)、G e(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素；上述第1層，在上述第1方向上夾住上述第2層；上述第 2層的厚度，比上述第1層的分別厚度薄；沿著上述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大；上述第2層的厚度，為構成上述第2層的材料之自旋擴散長度以下；上述第2層有複數層；上述第2層的層數，在6層以下。　　請求項10：一種磁阻效應元件，包括：如請求項1~9中任一項所述之磁化旋轉元件；第2強磁性層，相對於上述磁化旋轉元件的上述第1強磁性層，在上述第1方向；以及非磁性層，夾在上述第1強磁性層與上述第2強磁性層之間。　　請求項11：一種半導體元件，包括：如請求項10所述之磁阻效應元件；以及開關元件，與上述磁阻效應元件電氣連接。　　請求項12：如請求項11所述之半導體元件，其中，上述開關元件是場效型電晶體；上述場效型電晶體的源極與汲極之間的距離在30nm以下。　　請求項13：一種磁記錄陣列，具有：複數如請求項10所述之磁阻效應元件。　　請求項14：一種磁阻效應元件的製造方法，包括：成膜步驟　　　　　　　，形成依序積層第2強磁性層、非磁性層、第1強磁性層以及第1自旋產生層的積層體；加工步驟　　　　　　　，蝕刻上述積層體形成柱狀體；配線形成步驟，在上述柱狀體的第1面上依序成膜複數個插入層與複數個自旋產生層，形成自旋軌道轉矩配線；其中，上述插入層的電阻率比上述第1自旋產生層以及上述自旋產生層的電阻率更低，且上述第 1自旋產生層的厚度，比上述自旋產生層更厚，沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大；上述插入層，包含從Mg(鎂)、Al( 鋁)、Si(矽)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷 )、Cu(銅)、Ga(鎵)、Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素；上述自旋產生層，包含從Mo (鉬)、Ru(釘)、Rh(銠)、Pd(鈀)、Ta(鉭)、W(鎢 )、Ir(銥)、Pt(鉑)、Au(金)、Bi(鉍)構成的群中選擇之任何元素；上述插入層的厚度，為構成上述插入層的材料之自旋擴散長度以下；上述插入層有複數層；上述插入層的層數，在6層以下。 (三)被告核駁系爭申請案之引證：　　附表所示引證1至3（即甲證3至5）之公開或公告日，皆早於系爭申請案主張最早優先權日（西元2019年11月26日），故皆可作為認定系爭申請案是否不具進步性之適格證據。 (四)引證1、2之組合，不足以證明系爭申請案請求項1不具進步性：　⒈引證1說明書第[0048]段及圖2揭露「…在自旋軌道轉矩配線2 內亦可設有金屬插入層2C。就算是金屬氧化物具有導電性　　，但導電性劣於金屬。金屬插入層2C能夠調整自旋軌道轉矩配線2的電阻值並抑制自旋軌道轉矩磁化旋轉元件11的耗電的增加、焦耳熱的增加」。第[0049]段揭露「金屬插入層2C 　　，在自旋軌道轉矩配線2的厚度方向的任意位置皆可。圖3是本實施形態相關之自旋軌道轉矩磁化旋轉元件的其他例的剖面示意圖。示於圖3的自旋軌道轉矩磁化旋轉元件12，是以在比自旋軌道轉矩配線2的基準線C離第1強磁性層1還遠的位置具有金屬插入層2C為佳。金屬插入層2C有時會成為阻礙自旋往z方向的移動的散亂起因。在金屬插入層2C在遠離第1強磁性層1的位置之下，使第1強磁性層1近處產生的自旋的移動順暢，能夠提高往第1強磁性層1的自旋的注入效率」。說明書第[0031]段揭露「一旦在自旋軌道轉矩配線2的x方向的兩端賦予電位差則電流I沿著x方向流動。一旦電流I流動，則配向於y方向的第1自旋S1與配向於-y方向的第2自旋S2分別往與電流直交的方向彎曲」。其中「自旋軌道轉矩磁化旋轉元件11」可對應系爭申請案請求項1要件編號1A「一種磁化旋轉元件」，其中「自旋軌道轉矩配線2」可對應系爭申請案請求項1要件編號1A「自旋軌道轉矩配線」，其中「第1 強磁性層1」可對應系爭申請案請求項1要件編號1A「第1強磁性層」，其中圖2之電流垂直的方向（即Z軸方向）可對應系爭申請案請求項1要件編號1A「相對於上述自旋軌道轉矩配線在第1方向」，其中「電流I沿著X方向流動」可對應系爭申請案請求項1要件編號1A「從上述自旋軌道轉矩配線注入自旋」。綜上，引證1已揭露系爭申請案請求項1要件編號 1A「一種磁化旋轉元件，包括:自旋軌道轉矩配線;以及第1 強磁性層，相對於上述自旋軌道轉矩配線在第1方向，從上述自旋軌道轉矩配線注入自旋；」之技術特徵。　⒉引證1說明書第[0048]段及圖2揭露「…在自旋軌道轉矩配線2 內亦可設有金屬插入層2C。說明書第[0052]段揭露：金屬插入層2C的電阻值，如上述低於自旋軌道轉矩配線2的電阻值… 」。說明書第[0051]段揭露「…金屬插入層2C的厚度，是以不到構成金屬插入層的金屬原子的離子半徑的2倍為佳　　。金屬插入層2C的厚度為平均厚度。金屬原子的離子半徑的 2倍，是指原子一層份量的厚度」。其中圖2揭露之「金屬插入層2C」插入後造成自旋軌道轉矩配線2在Z方向上分為間隔之兩層，可對應系爭申請案請求項1要件編號1B「其中，上述自旋軌道轉矩配線，在上述第1方向上具有複數自旋產生層」、「以及在上述複數自旋產生層之間的插入層」；其中「金屬插入層2C的電阻值，如上述低於自旋軌道轉矩配線2 的電阻值」，可對應系爭申請案請求項1要件編號1B「上述插入層的電阻率比上述自旋產生層的電阻率更低」；其中「　　金屬插入層2C的厚度，是以不到構成金屬插入層的金屬原子的離子半徑的2倍為佳」，對所屬技術領域具通常知識者而言，金屬插入層的金屬原子的離子半徑的兩倍（即直徑）相當於金屬插入層的原子單層的厚度，該厚度極薄(為0.1nm尺度)，而自旋產生層需要足夠的厚度才能產生足夠的霍爾自旋電子，故可輕易得知前開段落已實質隱含系爭申請案請求項1要件編號1B「上述插入層的厚度，比上述自旋產生層的分別厚度薄」之技術特徵。綜上，引證1已揭露系爭申請案請求項1要件編號1B「其中，上述自旋軌道轉矩配線，在上述第1方向上具有複數自旋產生層、以及在上述複數自旋產生層之間的插入層;上述插入層的電阻率比上述自旋產生層的電阻率更低，上述插入層的厚度，比上述自旋產生層的分別厚度薄」之技術特徵。　⒊引證1說明書第[0051]段揭露「…金屬插入層2C的厚度，是以不到構成金屬插入層的金屬原子的離子半徑的2倍為佳。金屬插入層2C的厚度為平均厚度。金屬原子的離子半徑的2倍，是指原子一層份量的厚度」。說明書第[0069]段揭露「　　設置於自旋軌道轉矩配線2與第1強磁性層1之間的層，是以不將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋散逸為佳。例如，銀　　、銅、鎂及鋁等，自旋擴散長度達100nm以上，已知自旋不容易散逸。又，此層的厚度，是以構成層的物質的自旋擴散長以下為佳。層的厚度若為自旋擴散長以下，則可以將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋充分傳遞至第1強磁性層1」，對所屬技術領域具通常知識者而言，其中「金屬插入層2C的厚度，是以不到構成金屬插入層的金屬原子的離子半徑的2 倍為佳」，相當於構成金屬插入層2C之原子單層的厚度（銀大約為0.28nm），實質隱含較自旋擴散長度（銀大約為10nm 　　）為短，此為銀金屬之固有特性，且說明書第[0069]段亦已揭露「如果該層的厚度小於自旋擴散長度，則可以將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋充分地傳遞至第1強磁性層1」，是以，前開揭露內容可對應系爭申請案請求項1要件編號1F 「上述插入層的厚度，為構成上述插入層的材料之自旋擴散長度以下，」之部分技術特徵。　⒋引證1說明書第[0050]段揭露「構成金屬插入層2C的金屬，是以使用與構成自旋軌道轉矩配線2的金屬氧化物的金屬元素不同的元素為佳。根據氧的擴散係數依插入不同元素的金屬而不同，可以較能賦予濃度梯度，可以高效率使自旋流產生。構成金屬插入層2C的金屬，例如為選自由金、銀、銅、鎳、鈷、鐵、釕、鋁、鎢、鉻、鉭所組成之族群的金屬或其合金」。其中「金、銀、銅、鎳、鈷、鐵、釕、鋁、鎢、鉻　　、鉭所組成之族群的金屬或其合金」，可對應系爭申請案請求項1要件編號1D「上述插入層，包含從Mg(鎂)、Al(鋁)、　　Si(矽)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu(銅)、Ga( 鎵)、Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素」之技術特徵。　⒌依此，引證1與系爭申請案請求項1之差異在於其並未揭露以下技術特徵：(1)要件1C「且沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大，」；( 2)要件1E「上述自旋產生層，包含從Mo(鉬)、Ru(釕)、Rh( 銠)、Pd(鈀)、Ta(鉭)、W(鎢)、Ir(銥)、Pt(鉑)、Au(金)、 Bi(鉍)構成的群中選擇之任何元素，」；以及(3)要件1F之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」之部分技術特徵。　⒍引證2說明書第[0053]至[0057]、[0099]至[0102]段及圖式4 　　、11揭露「一種磁化旋轉元件1A、1G包含磁阻元件20，該磁阻元件20係由第一磁層22、第二磁層26包夾一間隔層24形成　　，用以儲存磁化資訊。磁化旋轉元件1A及1G又包含一非磁層 10A(圖式4)或10F(圖式11)係由第一非磁層12、第三非磁層1 6(圖式4)或16a(圖式11)包夾一第二非磁層14所形成，用以寫入或抹除儲存於磁阻元件20之磁資訊」。說明書第[0028] 段揭露「第一非磁層12的作用是防止第二非磁層14斷裂和抑制第二非磁層14中的電遷移。通過確保σ1<σ2，電流主要流入第二非磁層14，而不是第一非磁層12，因此可以使用低電流有效地將自旋扭矩施加到磁阻元件20的第一磁層22」，第 [0053]段揭露「非磁性層10A是透過在圖1所示的非磁性層10 的第二非磁性層14上設置第三非磁性層16而獲得，第三非磁性層的導電率低於第二非磁性層14的導電率」，且第[0054] 段揭露第三非磁性層16或16a之功效為「第三非磁層16的作用是保護第二非磁層14，當磁阻元件20被蝕刻時，可以防止自旋霍爾角因第二非磁層14的損壞而劣化。還可以抑制電遷移的發生」，第[0028]段揭露「第二非磁層14具有高自旋霍爾角，以有效地將自旋扭矩施加到磁阻元件20的第一磁層22 」。其中說明書第[0028]段揭露「第二非磁性層14」之功效在於「具有高自旋霍爾角，以有效地將自旋扭矩施加到磁阻元件20的第一磁層22」，對照系爭申請案說明書揭露「插入層20B的自旋霍爾角，比自旋產生層20A的自旋霍爾角更小　　，相較於自旋產生層20A，難以產生自旋軌道交互作用」(參系爭申請案說明書第14頁第[0073]段，原處分卷第46頁)，可知引證2揭露之「第二非磁性層14」與系爭申請案說明書所載「自旋產生層20A」之功效相符，而與「插入層20B」之功效不符，故原處分將引證2之「第二非磁性層14」對應為系爭申請案所載「插入層20B」即有違誤。　⒎又引證2說明書第[0028]段揭露「第一非磁層12的作用是防止第二非磁層14斷裂和抑制第二非磁層14中的電遷移。通過確保σ1<σ2，電流主要流入第二非磁層14，而不是第一非磁層1 2」，表示其揭露「第一非磁性層12」之電阻率必然高於「第二非磁性層14」（註：導電率與電阻率互為倒數，導電率越高則電阻率越低），對照系爭申請案說明書第[0071]段記載「插入層20B的電阻率比自旋產生層20A更低」，可得知引證2所示「第一非磁性層12」與「第二非磁性層14」電阻率之關係，與系爭申請案所載「插入層20B」與「自旋產生層2 0A」之關係顯不相同，故原處分將引證2揭露之「第一非磁性層12」對應為系爭申請案所載「自旋產生層20A」亦有違誤。再者，引證2說明書第[0053]段揭露「第三非磁性層16 的導電率低於第二非磁性層14的導電率」，表示「第三非磁性層16」之電阻率大於「第二非磁性層14」，是以承其電阻率關係，亦難將其揭露之「第三非磁性層16」對應為系爭申請案所載「插入層20B」(參下列對照表)。準此，引證2所揭露「第二非磁性層14」、「第一非磁性層12」、「第三非磁性16或16a」之功效及其電阻率之關係，均與系爭申請案所載「插入層20B」不符，故未實質揭露系爭申請案請求項1要件1C及1F之「插入層」。　　引證2（甲證4）　第一非磁層12 第二非磁層14 第三非磁層16 自旋霍爾角低高(用以寫入) - 電阻率高低高系爭申請案　插入層20B 自旋產生層20A 　自旋霍爾角低高(用以寫入) 　電阻率低高　　⒏綜上，引證1、2均未揭露系爭申請案請求項1要件1C「且沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大，」，以及1F之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」部分技術特徵，且該特徵為系爭申請案請求項1為達成「藉由以位於離第1強磁性層 1遠的自旋產生層20A產生很多自旋，至第1強磁性層1的自旋量增加，可以降低使第1強磁性層1的磁化反轉所需的反轉電流密度」（參說明書第[0070]段）以及「降低資料寫入電壓」（參說明書第[0120]、[0121]段）、「降低使第1強磁性層1的磁化Ml反轉所需的反轉電流密度」（參說明書第[0098 ]段）之發明目的所不可或缺的必要技術特徵。是以，引證1 、2之組合並未揭露系爭申請案請求項1之全部技術特徵　　，不足以證明請求項1不具進步性。　⒐被告之抗辯並不足採：　　⑴按系爭申請案說明書是否已充分揭露使該發明所屬技術領域中具有通常知識者可據以實現核屬專利法第26條第1項所規定之範疇，不應與專利法第22條第2項所規定進步性之概念混淆並一概而論，即被告於審查過程中若認為系爭申請案說明書僅揭露「定性」特性，未揭露「定量」特性致說明書揭露不充分而無法據以實現，應依發明專利審查基準相關規定提供明確且充足的理由，具體指出說明書中缺陷，或以公開文獻支持其理由通知申請人申復或修正。經查，原告於最後一次申復理由中已主張「…上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」之技術特徵　　　，並未揭示或建議於引證文件，也非先前技術之簡單變更或單純拼湊…此外，根據本案說明書【0033】段，本發明的磁阻效應元件可以進一步降低資料的寫入電壓」（參原告112年11月2日申復理由書第4至5頁），並非如被告所述原告在審查階段未爭執插入層在6層以下具有利功效，或不爭執引證1（甲證3）已揭露爭執技術特徵。　　⑵又被告雖以系爭申請案之圖17、18僅於寫入電流、寫入電壓在定性方面之功效，無法判斷寫入功率產生「量」之功效（本院卷第264頁），即圖17、18僅揭露「定性」特性　　　，並未揭露「定量」特性，而認此有利功效揭露不充分，相對於先前技術已揭露而不可採云云；惟觀諸系爭申請案申請歷程，被告均未曾引用專利法第26條第1項敘明系爭申請案說明書有揭露不充分之理由，即逕以系爭申請案違反專利法第22條第2項不具進步性為由作成核駁處分，亦未在原處分作成前通知原告申復、修正。是原處分已違背發明專利審查基準審理原則，即未提供明確且充足的理由　　　，具體指出說明書中缺陷或以公開文獻支持其理由，通知申請人申復或修正之缺失。況系爭申請案圖式17、18係用以說明插入層的數量對寫入電流、電壓有實質影響，且有一使電流或電壓達到最小值的最佳值，對所屬技術領域具通常知識者，記憶體之寫入與讀取通常均以直流電源驅動　　　，在直流電場下，其耗用功率係電流與電壓之乘積屬習知之通常知識，故圖式17、18本身已可表達系爭申請案請求項1「插入層的層數，在6層以下」之技術特徵具有「降低資料之寫入電壓、電流或功率」之有利功效。再者，原告於本院審理中亦提出西元2019年11月25日針對系爭申請案之日本先申請案相關電子郵件所含實驗數據等資料（參甲證6，本院卷第396頁），以說明圖式17、18係基於真實的實驗數值製成，經核該實驗數據與系爭申請案圖式17、18 所載點狀圖均能合理對應，益徵原告之主張為真。而無論專利法、專利法施行細則及發明專利審查基準通篇均未規定發明專利申請案之說明書需以揭露相關技術之實驗數值為必要，實驗數據僅作為參考性質，原告亦無將該實驗數值補充入說明書內之義務。是以，被告逕以系爭申請案有前揭未充分揭露有利功效而不應准予專利之情形，難謂可採。　　⑶觀諸系爭申請案請求項1之要件1B記載內容「…在上述第1方向上具有複數自旋產生層、以及在上述複數自旋產生層之間的插入層…」，可得知在第一方向有複數自旋產生層，而插入層位於該複數自旋產生層之間，故將插入層與自旋產生層之排列關係，解釋為「插入層為複數層且在第一方向上被包夾於該複數自旋產生層之間」係為最合理之解釋；併考量系爭申請案圖式5（如下圖所示）　　　其中20A為自旋產生層，20B為插入層，兩者在Z方向上呈2 0A/20B/20A/20B之順序交互堆疊，益徵前開解釋為最合理之解釋，是被告主張系爭申請案之爭執技術特徵界定「插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」，不是厚度，也不是不同材料界面的數量（即不是「不同材料間隔開的插入層」）」，即不可採。又依引證1說明書揭露「例如，金屬插入層2C有些部分是原子積層2~3層份量的部分」（參甲證3中譯本第[0051]段，本院卷第290頁），所指「金屬插入層2C有些部分是原子積層2~3層份量的部分」係指單一插入層2C之厚度為2至3層原子厚度，參照上開說明書內容，實難謂引證1已揭露複數自旋產生層與複數插入層2C相互交疊之技術特徵，且依引證1說明書所揭露之實施例亦均無自旋產生層與複數插入層2C相互交疊之樣態，故被告辯稱引證1第〔0051〕段內容已揭露上開爭執技術特徵云云，顯然有誤。再者，引證2並未實質揭露系爭申請案請求項1要件1C、1F之「插入層」之理由，已如前述，故被告稱引證2與系爭申請案第〔0120〕段所述藉由自旋產生層、插入層之堆疊，改善較低的寫入電流，具有利用相同之方法，改善相同之功效云云，核屬無據，並不可採。 (五)系爭申請案請求項2至6、8為請求項1之附屬項，包含請求項 1之全部技術特徵，由於引證1、2之組合並不足以證明系爭申請案請求項1不具進步性之理由，已如前述，故其組合自當不足以證明系爭申請案請求項2至6、8不具進步性。 (六)引證1、2之組合，不足以證明系爭申請案請求項9不具進步性：　⒈引證1說明書第[0048]段及圖2揭露「…在自旋軌道轉矩配線2 內亦可設有金屬插入層2C。就算是金屬氧化物具有導電性，但導電性劣於金屬。金屬插入層2C能夠調整自旋軌道轉矩配線2的電阻值並抑制自旋軌道轉矩磁化旋轉元件11的耗電的增加、焦耳熱的增加」。說明書第[0049]段揭露「金屬插入層2C，在自旋軌道轉矩配線2的厚度方向的任意位置皆可。圖3是本實施形態相關之自旋軌道轉矩磁化旋轉元件的其他例的剖面示意圖。示於圖3的自旋軌道轉矩磁化旋轉元件12 ，是以在比自旋軌道轉矩配線2的基準線C離第1強磁性層1還遠的位置具有金屬插入層2C為佳。金屬插入層2C有時會成為阻礙自旋往z方向的移動的散亂起因。在金屬插入層2C在遠離第1強磁性層1的位置之下，使第1強磁性層1近處產生的自旋的移動順暢，能夠提高往第1強磁性層1的自旋的注入效率」。其中「自旋軌道轉矩磁化旋轉元件11」可對應系爭申請案請求項9「一種磁化旋轉元件」；其中「自旋軌道轉矩配線2」整體可對應系爭申請案請求項9之「配線」；其中「第 1強磁性層1」可對應系爭申請案請求項9之「第1強磁性層」；其中圖2之電流垂直的方向（即Z軸方向）可對應系爭申請案請求項9之「相對於上述配線在第1方向」；其中圖3所顯示被夾在「第1強磁性層1」與「插入層2C」之間的「　　自旋軌道轉矩配線2」之一部，可對應為系爭申請案請求項9 之「第1層」；其中「插入層2C」可對應為系爭申請案請求項9之「第2層」；其中「插入層2C」厚度較被夾在「第1強磁性層1」與「插入層2C」之間的「自旋軌道轉矩配線2」之一部還薄，可對應為系爭申請案請求項9「上述第2層的厚度　　，比上述第1層的分別厚度薄」。準此，引證1已揭露系爭申請案請求項9「一種磁化旋轉元件，包括：配線；以及第1強磁性層，相對於上述配線在第1方向；」、「第1層」、「第 2層」及「上述第1層，在上述第1方向上夾住上述第2層；上述第2層的厚度，比上述第1層的分別厚度薄」之技術特徵。　⒉引證1說明書第[0069]段揭露「設置於自旋軌道轉矩配線2與第1強磁性層1之間的層，是以不將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋散逸為佳。例如，銀、銅、鎂及鋁等，自旋擴散長度達100nm以上，已知自旋不容易散逸。又，此層的厚度，是以構成層的物質的自旋擴散長以下為佳。層的厚度若為自旋擴散長以下，則可以將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋充分傳遞至第1強磁性層1」，對所屬技術領域具通常知識者而言，其中「金屬插入層2C的厚度，是以不到構成金屬插入層的金屬原子的離子半徑的2倍為佳」相當於構成金屬插入層之原子單層的厚度（銀大約為0.28nm），實質隱含較自旋擴散長度（銀大約為10nm）為短，此為銀金屬之固有特性，且說明書第[0069]段亦揭露「如果該層的厚度小於自旋擴散長度，則可以將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋充分地傳遞至第1強磁性層1」，是以前開揭露內容可對應系爭申請案請求項9「上述第2層的厚度，為構成上述第2層的材料之自旋擴散長度以下」之技術特徵。　⒊引證1與系爭申請案請求項9之差異，在於其並未揭露以下技術特徵：(1)第1層，包含從Mo(鉬)、Ru(釘)、Rh(銠)、Pd( 鈀)、Ta(鉭)、W(鎢)、Ir(銥)、Pt(鉑)、Au(金)、Bi(鉍)構成的群中選擇之任何元素；以及第2層，包含從Mg(鎂)、　　Al(鋁)、Si(矽)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu( 銅)、Ga(鎵)、Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素　　；(2)沿著上述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大；及(3)上述第2層有複數層；上述第2層的層數，在6層以下。　⒋又引證2未實質揭露系爭申請案之「插入層(即第2層)」之理由，已如前述，故引證2並未揭露系爭申請案請求項9之(2) 「沿著上述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面中　　，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大」以及(3)「上述第2層有複數層；上述第2層的層數，在6層以下」之差異技術特徵。　⒌綜上，引證1、2均未揭露系爭申請案請求項9之(2)「沿著上述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大」及(3)「上述第2層有複數層；上述第2層的層數，在6 層以下」之差異技術特徵，且該特徵為系爭申請案請求項9 為達成「藉由以位於離第1強磁性層1遠的自旋產生層20A產生很多自旋，至第1強磁性層1的自旋量增加，可以降低使第 1強磁性層1的磁化反轉所需的反轉電流密度」(參說明書第[ 0070]段）以及「降低資料寫入電壓」(參說明書第[0120] 　　、[0121]段)、「降低使第1強磁性層1的磁化Ml反轉所需的反轉電流密度」(參說明書第[0098]段及本院卷第21頁）之發明目的所不可或缺的必要技術特徵。是以，引證1、2之組合並未揭露系爭申請案請求項9之全部技術特徵，不足以證明系爭申請案請求項9不具進步性。 (七)系爭申請案請求項10至13係直接或間接引用請求項1、9之內容，包含請求項1、9之全部技術特徵，由於引證1、2之組合不足以證明系爭申請案請求項1、9不具進步性，已如前述，故其組合自當不足以證明系爭申請案請求項10至13不具進步性。 (八)引證1、2組合，不足以證明系爭申請案請求項14不具進步性　　：　　系爭申請案請求項14與請求項1所請之磁阻效應元件均具相同自旋產生層及插入層之堆疊結構，由於引證1、2之組合均未揭露系爭申請案請求項1要件1C「且沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大，」，以及1F「上述插入層有複數層，上述插入層的層數　　，在6層以下」之部分技術特徵，已如前述，故引證1、2之組合亦未揭露系爭申請案請求項14之前開技術特徵。又該特徵為系爭申請案請求項14為達成「藉由以位於離第1強磁性層1遠的自旋產生層20A產生很多自旋，至第1強磁性層1的自旋量增加，可以降低使第1強磁性層1的磁化反轉所需的反轉電流密度」（參說明書第[0070]段）以及「降低資料寫入電壓」（參說明書第[0120]、[0121]段）、「降低使第1強磁性層1的磁化Ml反轉所需的反轉電流密度」（參說明書第[00 98]段及本院卷第21頁）之發明目的所不可或缺的必要技術特徵。是以，引證1、2之組合並未揭露系爭申請案請求項14 之全部技術特徵，不足以證明系爭申請案請求項14不具進步性。 (九)引證1至3之組合，不足以證明系爭申請案請求項7不具進步性：　⒈系爭申請案請求項7依附於請求項1，包含請求項1全部技術特徵，而引證1、2之組合無法證明系爭申請案請求項1不具進步性之理由，已如前述。　⒉引證3說明書第[0077]段揭露「優選以作為這些層的疊層體的自旋軌道轉矩配線2的厚度成為20nm以下的方式設定」，其中「自旋軌道轉矩配線2的厚度成為20nm以下」雖可對應系爭申請案請求項7「其中，上述自旋軌道轉矩配線的厚度　　，在20nm（毫微米）以下」，惟對於請求項7中有關組成自旋軌道轉矩配線之自旋產生層及插入層堆疊結構之處（即請求項1所請範圍），因引證1、2之組合既無法證明系爭申請案請求項1不具進步性，故引證1至3之組合，並不足以證明系爭申請案請求項7不具進步性。六、綜上所述，本件引證1、2之組合不足以證明系爭申請案請求項1至6、8至14不具進步性；引證1至3之組合不足以證明系爭申請案請求項7不具進步性，是以系爭申請案請求項1至14 並未違反核駁時專利法第22條第2項之規定，且無其他不准核予專利之事由，此經被告陳明在卷（本院卷第362頁），兩造復不爭執請求項15、16具有進步性（同上卷第234頁）　　，故本案事證明確，依同法第47條第1項規定即應核予專利　　。從而，被告以系爭申請案違反同法第22條第2項之規定，為不予專利審定之原處分，於法未合，訴願決定予以維持，亦有違誤，原告訴請如主文所示，為有理由，應予准許。七、本件判決基礎已經明確，兩造其餘主張或答辯及訴訟資料經本院斟酌後，核與判決結果不生影響，並無一一論述的必要　　。八、結論：本件原告之訴為有理由，爰依智慧財產案件審理法第 2條、行政訴訟法第98條第1項前段、第200條第3款，判決如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日智慧財產第一庭審判長法官汪漢卿法官曾啓謀法官吳俊龍以上正本係照原本作成。一、如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示或公告後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。二、上訴未表明上訴理由且未於前述20日內補提上訴理由書者，逕以裁定駁回。三、上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第49條之1第1項第3款）。但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第3項、第4項）。得不委任律師為訴訟代理人之情形所需要件㈠符合右列情形之一者，得不委任律師為訴訟代理人 1.上訴人或其代表人、管理人、法定代理人具備法官、檢察官、律師資格或為教育部審定合格之大學或獨立學院公法學教授、副教授者。 2.稅務行政事件，上訴人或其代表人、管理人、法定代理人具備會計師資格者。 3.專利行政事件，上訴人或其代表人、管理人、法定代理人具備專利師資格或依法得為專利代理人者。㈡非律師具有右列情形之一，經最高行政法院認為適當者，亦得為上訴審訴訟代理人 1.上訴人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親具備律師資格者。 2.稅務行政事件，具備會計師資格者。 3.專利行政事件，具備專利師資格或依法得為專利代理人者。 4.上訴人為公法人、中央或地方機關、公法上之非法人團體時，其所屬專任人員辦理法制、法務、訴願業務或與訴訟事件相關業務者。是否符合㈠、㈡之情形，而得為強制律師代理之例外，上訴人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出㈡所示關係之釋明文書影本及委任書。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　21　　日書記官蔣淑君附表證據系爭專利與引證所在頁碼備註引證1 (甲證3) 2019年9月6日世界智慧財產組織公開案第WO 2019/167575A1號專利說明書乙證2第250至264頁/本院卷第277至303頁（中譯本） (1) 技術摘要：甲證3揭露一種自旋軌道轉矩型磁化反轉元件，具備朝向第一方向延伸的自旋軌道轉矩配線，以及層疊於上述自旋軌道轉矩配線上的第一鐵磁層，上述自旋軌道轉矩配線包含電導特性對溫度呈現金屬性行為的金屬氧化物，以上述自旋軌道轉矩配線的厚度方向中央為基準，第一鐵磁層側的氧濃度與和第一鐵磁層相反側的氧濃度呈現不對稱(參甲證3之摘要，本院卷第82頁)。 (2) 先前技術：強磁性層與非磁性層的多層膜構成的巨大磁阻 (GMR) 元件以及非磁性層中使用的絕緣層（隧道阻障層、阻障層）的隧道磁阻 (TMR) 元件，眾所周知為磁阻效應元件。磁阻效應元件，可以應用至磁感應器、高頻元件、磁頭及非揮發性隨機存取記憶體 (MRAM)。MRAM，係集積磁阻效應元件的記憶元件。MRAM，當磁阻效應元件中夾住非磁性層之兩個強磁性層互相磁化的方向改變時，利用磁阻效應元件的電阻改變的特性，讀寫資料。強磁性層的磁化方向，例如，利用並控制電流產生的磁場。還有例如，強磁性層的磁化方向，利用並控制往磁阻效應元件的積層方向流入電流產生的自旋轉移轉矩 (Spin Transfer Torque(STT))。近年來，集中注目於寫入時不往磁阻效應元件的積層方向流入電流也可以的方法。其中之一的方法，係利用自旋軌道轉矩 (SOT) 的寫入方法。SOT，由根據自旋軌道交互作用產生的自旋流或異種材料的界面的Rashba效應所誘發。磁阻效應元件內用以誘發SOT的電流，流往與磁阻效應元件的積層方向垂直的方向(參甲證3說明書第[0002]至[0005]段，本院卷第83至84頁) (3) 實施方式：甲證3之發明為了解決上述問題，提供以下方案：第一種實施方案的旋轉磁化元件包含：沿著第一方向延展的旋轉磁化配線；以及一層沉積在旋轉磁化配線上的第一強磁性層。旋轉磁化配線的電氣傳導特性對於溫度變化具有金屬般的行為，並且包含金屬氧化物。旋轉磁化配線的厚度方向中央作為基準，第一強磁性層側的氧氣濃度與第一強磁性層對側的氧氣濃度呈現非對稱。上述實施方案的旋轉磁化元件中，旋轉磁化配線的厚度方向可以有氧氣濃度單調上升或單調下降的區域。上述實施方案的旋轉磁化元件中，旋轉磁化配線可以包含選自以下元素氧化物的至少一種：Cr、Fe、Ir、W、Mo 、Re、Ti、V、Nb、Pd、Ru、及Sn。上述實施方案的旋轉磁化元件中，旋轉磁化配線可以包含選自以下元素氧化物的至少一種：Ir、W、Pd、Mo、Nb、及Re。上述實施方案的旋轉磁化元件中，旋轉磁化配線可以具有金屬插入層，且金屬插入層可以位於旋轉磁化配線厚度方向的任何位置。上述實施方案的旋轉磁化元件中，金屬插入層可以位於旋轉磁化配線厚度方向中央與第一強磁性層之間的更遠側位置。上述實施方案的旋轉磁化元件中，金屬插入層的構成元素可以與旋轉磁化配線中金屬氧化物的構成元素不同。上述實施方案的旋轉磁化元件中，金屬插入層的厚度可以小於構成金屬插入層的元素的離子半徑的兩倍。上述實施方案的旋轉磁化元件中，從厚度方向觀察，旋轉磁化配線與第一強磁性層重疊的區域的氧氣濃度可以比旋轉磁化配線與第一強磁性層不重疊的區域的氧氣濃度更低。第三種實施方案的磁性記憶體包含上述實施方案的旋轉磁化元件(參甲證3說明書第[0010]至[0021]頁，本院卷第85至86頁)。 (4) 主要圖式： a.甲證3圖式2係第一實施例中的旋轉磁化配線型磁化旋轉元件另一例的截面示意圖 (甲證3圖式2) b.甲證3圖式5係第二實施例中的旋轉磁化配線型磁阻效應元件的截面示意圖。 (甲證3圖式5) 引證2 (甲證4) 2017年3月16日美國公開案第US 2017/0076769A1號專利說明書乙證2第249至241頁/本院卷第305至343頁（中譯本） (1) 技術摘要：甲證4揭露一種磁性記憶體包含：第一至第三端子；一個磁阻元件，包括第一磁性層、第二磁性層以及第一非磁性層；第二非磁性層，包括第一至第三部分，第一部分位於第二部分和第三部分之間，第二部分和第三部分分別與第二端子和第三端子連接，第一磁性層設置於第一部分和第一非磁性層之間；以及第三非磁性層，包括第四至第六部分，第四部分位於第五部分和第六部分之間，第四部分位於第一部分和第一磁性層之間，第五部分包括從磁阻元件延伸至第二端子的第一區域，第六部分包括從磁阻元件延伸至第三端子的第二區域，且第三非磁性層的電導率比第二非磁性層的電導率高(參甲證4摘要，本院卷第111頁)。 (2) 先前技術：對於磁性隨機存取記憶體（MRAM），人們非常感興趣於其優勢，例如快速讀取速度、快速寫入速度、優異的耐用性、非揮發性以及低功耗。磁性隨機存取記憶體（MRAM）是一種非揮發性記憶體，其包括作為記憶元件的巨磁阻抗（GMR）元件或隧道磁阻抗（TMR）元件，將資訊儲存在記憶元件中。自旋傳輸扭矩磁性隨機存取記憶體（STT-MRAM）是一種MRAM，其中透過使電流流入磁性材料來切換磁性材料的磁化。當使用自旋傳輸扭矩方法時，奈米尺寸的磁性材料的磁化很容易在局部磁場中進行控制。由於磁性材料縮減，用於切換磁化的電流預期也會很低。在STT-MRAM中，透過使用大的寫入電流和小的讀取電流來控制由讀取電流引起的磁化切換，並且使用相同的端子。磁性材料的熱穩定性由指數A(=KV/kBT)給出，其中K₁₁代表磁性材料的磁各向異性，V代表磁性材料的體積，k代表波茲曼常數，T代表絕對溫度。為了在縮小磁性材料的同時維持指數A，必須增加磁各向異性K₁₁。磁各向異性K₁₁的增加需要更大的寫入電流。因此，維持磁各向異性K₁₁是縮小尺寸（高密度）與降低寫入電流之間的權衡。此外，磁性材料的寫入錯誤率會因讀取電流引起的磁性材料的磁化切換而增加。因此，提出了一種使用自旋霍爾效應或自旋軌道交互作用的方法，其中寫入電流端子和讀取電流端子彼此分離，以降低寫入錯誤率。該方法改進了寫入錯誤率。然而，眾所周知，自旋霍爾角 OSH會隨具有自旋軌道交互作用（以下也稱為SOL（自旋軌道層））的層的膜厚而變化。自旋霍爾角代表自旋傳輸與電傳導率的比率。當SOL中的電流密度恆定時，電流值會隨著SOL的厚度而增加。因此，抑制SOL的厚度很重要。然而，當SOL很薄時，在製造磁阻元件的過程中會發生損壞，由於過度蝕刻而導致線路斷裂，並且在施加電流時會發生電遷移。當抑制損壞或過度蝕刻時，磁阻元件部分的蝕刻不足，並且磁阻元件的側壁呈現錐形。結果，元件尺寸增加或尺寸變異增加。因此，在低寫入電流（由於較薄的SOL）與SOL的低特性之間存在權衡。(參甲證4說明書第[0003]至[0007]段，本院卷第118頁)。 (3) 實施方式：甲證4揭露一種磁性記憶體包括：第一至第三端子；第一磁阻元件，包括第一磁層、第二磁層以及電氣連接至第一端子的第二磁層，以及位於第一磁層和第二磁層之間的第一非磁層；第二非磁層，包括第一至第三部分，第一部分位於第二部分和第三部分之間，第二部分電氣連接至第二端子，第三部分電氣連接至第三端子，第一磁層位於第一部分和第一非磁層之間；以及第三非磁層，包括第四至第六部分，第四部分位於第五部分和第六部分之間，第四部分位於第一部分和第一磁層之間，第五部分包括從第一磁阻元件延伸至第二端子的第一區域，第六部分包括從第一磁阻元件延伸至第三端子的第二區域，並且第三非磁層具有比第二非磁層更高的電導率(參甲證4說明書第[0021]段，本院卷第118到119頁)。 (4) 甲證4之主要圖式：甲證4圖式11一個橫截面圖，顯示了根據第七實施例的第二修改的磁性記憶體的記憶元件 (甲證4圖式11) 引證3 (甲證5) 2018年11月23日中國公開案第CN 108886061A號專利說明書乙證2第240至230頁 (1) 技術摘要：甲證5揭露一種自旋流磁化旋轉元件，其具有第一鐵磁性金屬層和自旋軌道轉矩配線，該自旋軌道轉矩配線為自旋傳導層和界面自旋生成層交替疊層的結構，該界面自旋生成層的層數為兩層以上，該自旋軌道轉矩配線中，該界面自旋生成層中的一層最接近於該第一鐵磁性金屬層(參甲證5摘要，本院卷第129頁)。 (2) 先前技術：已知有由鐵磁性層和非磁性層的多層膜構成的巨磁阻 (GMR) 元件，以及將絕緣層（隧道勢壘層、勢壘層）用作非磁性層的隧道磁阻 (TMR) 元件。一般而言，與 GMR 元件相比，TMR 元件的元件電阻較高，但磁阻 (MR) 比比 GMR 元件的 MR 比大。因此，作為磁感測器、高頻元件、磁頭以及非易失性隨機存取記憶體 (MRAM) 用的元件，TMR 元件備受關注。在 MRAM 中，當夾持絕緣層的兩個鐵磁性層彼此的磁化方向變化時，利用 TMR 元件的元件電阻變化的特性，讀寫數據。作為 MRAM 的寫入方式，已知有利用電流製作的磁場進行寫入（磁化反轉）的方式，以及利用沿磁阻效應元件的層疊方向流通電流而產生的自旋傳移轉矩（STT）進行寫入（磁化反轉）的方式。從能量效率的角度考慮時，使用 STT 的 TMR 元件的磁化反轉是有效率的，但用於進行磁化反轉的反轉電流密度較高。這點對於GMR 元件也一樣。因此，近年來，作為通過與 STT 不同的機制降低反轉電流的手段，利用通過自旋霍爾效應生成的純自旋流的磁化反轉方式備受關注（例如，非專利文獻 1）。通過自旋霍爾效應產生的純自旋流感應自旋軌道轉矩（SOT），通過 SOT 引發磁化反轉。純自旋流通過向上自旋的電子和向下自旋電子以相同數目相互逆向地流通而產生，電荷的流通相抵。因此，流通於磁阻效應元件的電流為零，期待反轉電流密度較小的磁阻效應元件的實現。根據非專利文獻 2，報告了通過 SOT 方式的反轉電流密度與通過 STT 方式的反轉電流密度為相同程度。但是，目前以 SOT 方式報告的反轉電流密度為了實現高集成化以及低能耗化是不充分的，存在改善的餘地。另外，作為SOT 方式的磁阻效應元件的自旋軌道轉矩配線（感應 SOT 產生純自旋流的配線）所使用的材料，可舉出如非專利文獻 2 中所使用的以 Ta 為代表的重金屬材料。這樣的重金屬材料的電阻率較高，因此，在做成薄膜或細線的情況下，耗電量高也成為問題。 (3) 實施方式：甲證5揭露一種自旋流磁化旋轉元件，其具備：第一鐵磁性金屬層，其磁化方向變化；自旋軌道轉矩配線，其沿著相對於作為該第一鐵磁性金屬層的法線方向的第一方向交叉的第二方向延伸，且該第一鐵磁性金屬層位於其一個面上，該自旋軌道轉矩配線為自旋傳導層和界面自旋生成層沿該第一方向交替疊層的結構，該界面自旋生成層的層數為兩層以上，該自旋軌道轉矩配線中，該界面自旋生成層中的一層最接近於該第一鐵磁性金屬層。本發明的一個方式還可以提供一種自旋流磁化旋轉元件，其具備：第一鐵磁性金屬層，其磁化方向變化；自旋軌道轉矩配線，其沿著相對於第一鐵磁性金屬層的法線方向的第一方向交叉的第二方向延伸，且與第一鐵磁性金屬層接合，自旋軌道轉矩配線為自旋傳導層和界面自旋生成層沿第一方向交替疊層的結構，界面自旋生成層的層數為兩層以上，界面自旋生成層中的一層與第一鐵磁性金屬層接合(參甲證5第2頁創作說明)。 (4) 甲證5之主要圖式： a.圖式4B一種實施方式的自旋流磁化旋轉元件的示意圖，是圖4A 的自旋流磁化旋轉元件的截面圖。 (甲證5圖式4B) b.圖式5係示意性地表示一個實施方式所涉及的磁阻效應元件的立體圖。 (甲證5圖式5)

2025-02-13

IPCA-113-行專訴-30-20250213-2