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排除侵害專利權等

智慧財產及商業法院民事判決 112年度民專訴字第66號原告 ENTEGRIS, INC.（美國安堤格里斯公司）法定代理人 Joseph Colella 訴訟代理人張哲倫律師羅秀培律師複代理人蔡昀廷律師訴訟代理人許文亭專利師林蘭君專利師複代理人古乃任專利師被告兆捷科技國際股份有限公司兼法定代理人高啓全上二人共同訴訟代理人賴安國律師楊啓元律師黃秀禎律師蔡祁芳律師上列當事人間排除侵害專利權等事件，本院於民國114年2月17日言詞辯論終結，判決如下：主文原告之訴及假執行之聲請均駁回。訴訟費用由原告負擔。　　事實及理由壹、程序部分一、按民事事件涉及外國人或外國地者，為涉外民事事件，內國法院應先確定有國際管轄權，始得受理，次依內國法之規定或概念，就爭執之法律關係予以定性後，決定應適用之法律（即準據法），而涉外民事法律適用法並無明文規定國際管轄權，應類推適用民事訴訟法之規定（最高法院98年度台上字第2259號判決意旨參照）。本件原告美商ENTEGRIS, INC. 為依外國法設立之外國法人，具有涉外因素，為涉外民事事件。原告主張被告在我國境內，侵害其所有第I386983號（下稱系爭專利1）、第I466179號（下稱系爭專利2，與系爭專利1合稱系爭專利）「用以增進離子植入系統中之離子源的壽命及性能之方法與設備」專利權，乃依專利法、民法及公司法規定，起訴請求排除防止被告侵害系爭專利及賠償損害，是應定性為專利侵權事件，應類推民事訴訟法第1條前段及第15條第1項因侵權行為涉訟之特別審判籍規定，以行為地之我國法院有國際管轄權。再者，依專利法所保護之智慧財產權益所生之第一、二審民事訴訟事件，智慧財產及商業法院有專屬管轄權，智慧財產及商業法院組織法第3條第1 款、智慧財產案件審理法第9條第1項定有明文。是以本院對本件涉外民事事件具有管轄權，並適用涉外民事法律適用法以定本件涉外民事事件之準據法。二、準據法之選定：　　按關於由侵權行為而生之債，依侵權行為地法；以智慧財產為標的之權利，依該權利應受保護地之法律，涉外民事法律適用法第25條第1項及第42條第1項分別定有明文。依上開規定，本件自應適用我國法為準據法。三、當事人能力：　　按公司法於民國107年8月1日修正、同年11月1日公布施行之第4 條規定：「本法所稱外國公司，謂以營利為目的，依照外國法律組織登記之公司。外國公司，於法令限制內，與中華民國公司有同一之權利能力。」，即廢除外國公司認許制度，尊重依外國法設立之外國公司於其本國取得法人人格之既存事實，而認與我國公司具有相同權利能力。又按有權利能力者，有當事人能力，民事訴訟法第40條第1項定有明文。本件原告為依外國法律設立之外國法人，與我國公司有同一之權利能力，有當事人能力，自得為本件原告。貳、實體部分一、原告主張略以：　㈠原告為系爭專利1、2之專利權人，專利權間至120年2月24日。被告兆捷科技國際股份有限公司（下稱被告公司，與被告高啟全合稱為被告）為公開發行公司，登錄為興櫃股票，主要經營業務為產銷電子化學特殊氣體，其於公開說明書表示，原告與其均通過台灣積體電路製造股份有限公司供應認證，為電子植入氣體可量產之生產廠家等情，可證兩造為競爭同業。　㈡被告公司產銷之離子植入氣體產品「11B Enriched Boron Tr ifluoride (11BF3/H2) - SAG II (同位素濃化之三氟化硼及氫氣之氣體混合物SAGII機械式負壓鋼瓶）」（下稱系爭產品1），經原告發現至少直接侵害系爭專利1之更正後請求項15、18及19，直接或間接侵害系爭專利1之更正後請求項1 、7、9、13、15至18。　㈢被告公司另產銷之「Enriched 72Germanium Tetrafluoride 2 (72GeF4/H2) - SAGII(同位素濃化之四氟化鍺及氫氣之氣體混合物SAGII機械式負壓鋼瓶）」（下稱系爭產品2），經原告發現直接侵害系爭專利1之更正後請求項15至19，間接侵害系爭專利1之請求項1、6、11及13。又原告發現系爭產品2侵害系爭專利2之更正後請求項1、2、4、5、10、12、13 。㈣被告高啟全為被告兆捷公司之負責人，而原告因上開侵害行為受有損害，依專利法第96條第1 項至第3 項、民法第184 條第1項前段、第185條、第179條及公司法第23條第2項規定，請求排除及防止被告等繼續侵害系爭專利，並請被告二人連帶賠償損害。　㈤並聲明：　　⒈被告公司不得直接或間接、自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用、或為上述目的而進口系爭產品1、2 及其他侵害原告系爭專利1、2發明專利權之產品。　　⒉被告兆捷公司應回收並銷毁前項聲明之侵權產品。 ⒊被告等應連帶給付原告新臺幣（下同）2,000萬元整暨自起訴狀繕送達翌日起至清償日止，按年息5%計算之利息。　　⒋第1項及第3項之聲明，原告願以現金或同額之兆豐國際商業銀行安和分行之無記名可轉讓定期存單供擔保，請准宣告假執行。二、被告答辯略以：　㈠系爭專利1 申請時係以「專利審查高速公路」方式，以全部請求項皆與美國對應案第US8237134號完全相同，該對應案業已核准為由申請專利，由經濟部智慧財產局（下稱智慧局）審查後，於101年12月20日核准專利。除專利權人業於申請案中自認全部請求項皆與美國對應案完全相同外，本件原告所主張之系爭專利1 請求項1 、6、7、9、11、13、15至1 9 ，與美國對應案第US8237134號完全相同，而該美國對應案經美國專利商標局（USPTO) 專利複審委員會於西元2018 年(107年)3月29日，就系爭專利1美國對應案US8237134之有效性，作出第IPR2016-01845 號最終書面決定（參乙證4），認定全部請求項皆有一種以上無效證據組合，足以證明其具有應撤銷之原因；並於西元2020年(109年）1月29日公告該美國對應案全部請求項撤銷之公告。原告為乙證4 最終書面決定之當事人，對於乙證4認定系爭專利1請求項1、6、7 、9 、11、13、15至19(本件原告所主張系爭專利1請求項）具有應撤銷原因之事實，自屬明知。原告在本件中所主張之系爭專利2 所有請求項之所有技術特徵，完全涵蓋在系爭專利1 請求項15及請求項11。因此，系爭專利1請求項15及請求項11之應撤銷原因(「Rendon,ATMI VAC,and Gupta」之組合，以及「Rendon,Trace,and Gupta」之組合即為系爭專利 2 請求項1、2、4、5、9、10、12、13、24、26之應撤銷原因。原告明知系爭專利有應撤銷之原因，竟提起本件訴訟，顯非為維護其權利，而係干擾被告公司合法商業活動，具惡意之商業競爭，其起訴不合法，法院應依民事訴訟法第249 條第1項第8款、第2項規定駁回原告之訴訟。　㈡被告提出乙證7及其他證據組合，主張系爭專利1及系爭專利2 皆有應撤銷之原因，對原告不得行使權利，即：　　⒈乙證7足證更正後系爭專利1請求項1不具新穎性或不具進步性；乙證7與自認習知技術之組合，或乙證7與乙證6之組合，或乙證7與乙證8及自認習知技術之組合，或乙證7與乙證9及自認習知技術之組合，或乙證7與乙證8及乙證6 之組合，或乙證7與乙證9 及乙證6 之組合，分別皆足證更正後系爭專利1請求項1不具進步性。　　⒉乙證7足證更正後系爭專利1請求項6、7、9、11、13不具新穎性或不具進步性；乙證7與自認習知技術之組合，或乙證7與乙證6之組合，或乙證7與乙證8及自認習知技術之組合，或乙證7與乙證9及自認習知技術之組合，或乙證7 與乙證8及乙證6之組合，或乙證7與乙證9及乙證6之組合，分別皆足證更正後系爭專利1請求項6、7、9、11、13不具進步性。　　⒊乙證7足證更正後系爭專利1請求項15不具新穎性或不具進步性；乙證7與乙證8之組合，或乙證7與乙證9之組合，分別皆足證更正後系爭專利1請求項15不具進步性。　　⒋乙證7足證更正後系爭專利1請求項16、17、18、19不具新穎性或不具進步性；乙證7與乙證8之組合，或乙證7與乙證9之組合，分別皆足證更正後系爭專利1請求項16、17、 18、19不具進步性。　　⒌乙證7足證更正後系爭專利2請求項1、2、9、10、24、25、 26不具新穎性或不具進步性。　　⒍乙證7與乙證8之組合，或乙證7與乙證9之組合，分別皆足證更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、9、10、12、13、 24、25、26不具進步性。㈢並聲明：　　原告之訴及假執行之聲請均駁回；如受不利判決，請准供擔保免為假執行。三、兩造不爭執事項（見本院卷六第36至37頁）：　㈠原告為系爭專利之專利權人。系爭專利1之專利權期間為102 年2月21日至120年2月24日，原告於104年11月1日因受讓而取得專利權。系爭專利2 之專利權期間為103年12月21日至1 20年2月24日，原告於104年11月1日因受讓而取得專利權。㈡被告製造及販賣系爭產品1，以氣體混合物形式自鋼瓶供給至離子佈植機，供離子植入製程使用。㈢被告為販賣之要約系爭產品2，以氣體混合物形式自鋼瓶供給至離子佈植機，供離子植入製程使用。㈣原告於113年2月2日申請系爭專利第一次更正，智慧局於113 年5月20日准予更正（見甲證24、25，本院卷二第347至350 頁）。㈤原告於113年8月21日申請系爭專利第二次更正，並經智慧局於113年11月8日准予更正（見甲證45、46，本院卷五第567 至570頁）。四、兩造所爭執之處，經協議簡化如下（見本院卷六第36至38頁）：　㈠系爭專利1之第二次更正是否違反專利法第67條第2、4項規定，而有應撤銷之事由？㈡系爭專利2之第二次更正是否違反專利法第67條第2、4項規定，而有應撤銷之事由？㈢系爭專利1是否有應撤銷之事由？ ⒈乙證7是否足以證明系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18 不具新穎性或進步性？ ⒉乙證7及系爭專利1說明書先前技術之組合；或乙證7、6之組合；或乙證7、8及系爭專利1說明書先前技術之組合；或乙證7、9及系爭專利1說明書先前技術之組合；或乙證7 、8及6之組合；或乙證7、9及6之組合；或乙證10、8及13 之組合；或乙證10、9及13之組合；或乙證10、8、11及13 之組合；或乙證10、9、11及13之組合；或乙證10、8及7 之組合；或乙證10、9及7之組合；或乙證14、13、11及8 之組合；或乙證14、13、11及9之組合；或乙證15、13、1 1及8之組合；或乙證15、13、11及9之組合；或乙證16、1 3、11及8之組合；或乙證16、13、11及9 之組合；或乙證 17、13、11及8之組合；或乙證17、13、11及9之組合，是否足以證明系爭專利1更正後請求項1、7、9、13、15至18 不具進步性？ ⒊乙證7、8及13之組合；或乙證7、9及13之組合，是否足以證明系爭專利1 更正後請求項15至18不具進步性？㈣系爭專利2 是否有應撤銷之事由？ ⒈乙證7是否足以證明系爭專利2更正後請求項1、2、10不具新穎性或進步性？ ⒉乙證7及系爭專利2說明書先前技術之組合；或乙證7及6之組合，是否足以證明系爭專利2更正後請求項1、2、10不具進步性？ ⒊乙證7、8及系爭專利2 說明書先前技術之組合；或乙證7、 9及系爭專利2說明書先前技術之組合；或乙證7、8及6之組合；或乙證7、9及6之組合；或乙證10、8及13之組合；或乙證10、9及13之組合；或乙證10、8、11及13之組合；或乙證10、9 、11及13之組合；或乙證10、8、7之組合；或乙證10、9、7之組合；或乙證7、8及13之組合；或乙證 7、9及13之組合；或乙證14、13、11及8之組合；或乙證1 4、13、11及9之組合；或乙證15、13、11及8 之組合；或乙證15、13、11及9之組合；或乙證16、13、11及8之組合；或乙證16、13、11及9之組合；或乙證17、13、11及8之組合；或乙證17、13、11及9之組合，是否足以證明系爭專利2更正後請求項1、2 、4、5、10、12、13不具進步性？㈤專利侵權部分 ⒈系爭產品1是否直接侵害系爭專利1之第二次更正後請求項1 5及18，間接侵害系爭專利1之請求項1及13？ ⒉系爭產品2是否直接侵害系爭專利1之第二次更正後請求項1 5至18，間接侵害請求項1、7、9及13？ ⒊系爭產品2是否侵害系爭專利2之第二次更正後請求項1、2 、4、5、10 12及13？㈥原告依專利法第96條第1 項，請求排除或防止侵害，是否有理由？㈦原告依專利法第96條第3 項，請求回收並銷毁系爭產品，是否有理由？㈧原告依專利法第96條第2項、第97條第1項第2及3款、同條第2 項、民法第184條第1項前段、第185條及第179 條、公司法第23條第2項，請求被告等連帶給付2,000萬元暨自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年息百分之5計算之利息，是否有理由？五、得心證之理由㈠系爭專利技術分析　　⒈系爭專利所欲解決之問題製造半導體時的離子植入步驟，係將摻質氣體（如包含摻質物種之鹵化物或氫化物）由離子源產生並萃取出離子束，再將離子束加速後以使化學物種之高能離子撞擊基板，以將這些物種植入晶圓。離子源失效可歸咎許多原因，包括沉積物積聚在陰極表面，及因電弧室中產生游離氟，引發摻質氣體進行有害蝕刻反應而產生四氟化鍺，導致陰極材料剝離或濺射，使陰極失去物理完整性而縮減離子源性能和壽命（參系爭專利1、2說明書【先前技術】，見本院卷一第68、115頁）。　　⒉系爭專利技術內容　　　為解決前述問題，系爭專利1採取的技術手段係使用「同位素濃化」摻質組成物，其中摻質組成物選自以下所組成之群組：(i)鍺化合物，經同位素濃化成高於原子量70、7 2、73、74或76之至少一鍺同位素的天然含量，其中至少一鍺同位素的同位素濃化量為：就鍺70同位素而言高於21 .2%、就鍺72同位素而言高於27.3%、就鍺73同位素而言高於7.9%、就鍺74同位素而言高於37.1%、及就鍺76同位素而言高於7.4%，且當摻質組成物係由同位素濃化鍺72同位素的四氟化鍺組成時，鍺72同位素的同位素濃化量高於51 .6%；以及(ii)摻質氣體配方，包含摻質氣體和補充氣體，其中補充氣體包括稀釋氣體和共種氣體的至少其一，其中摻質氣體和共種氣體（若有）的至少其一係經同位素濃化（參系爭專利1、2說明書【發明內容】，見本院卷一第 69、116頁）。　　⒊系爭專利1、2圖式，以系爭專利2代表，如附圖1所示。　　⒋系爭專利1申請專利範圍　　　系爭專利1原公告申請專利範圍共20項，其中請求項1、15 為獨立項。原告先後主張二次更正再抗辯，第一次更正內容（見甲證18，本院卷二第105至122頁）經智慧局於113 年5月20日准予更正（見甲證24，本院卷二第347至348頁）。第二次更正內容（見甲證31，本院卷五第31至40頁）經智慧局於同年11月8日准予更正（見甲證45，本院卷五第567至568頁）。原告主張第二次更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18受侵害（見原告民事準備五狀，本院卷五第7至23頁），其內容如下： ⑴請求項1：一種離子植入製程，包含以下步驟：提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應容器；使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中，其中該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋氣體包含氫；條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%。 ⑵請求項7：如申請專利範圍第1項之製程，其中該摻質組　　　　成物包含一或多個鍺化合物，該鍺化合物經　　　　同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或7 　　　　 6之至少一個鍺同位素之天然含量。 ⑶請求項9：如申請專利範圍第7項之製程，其中該摻質組　　　　成物包含經同位素濃化的四氟化鍺。 ⑷請求項13：如申請專利範圍第1項之製程，其中該摻質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼、和四氟化　　　　矽所組成之群組。 ⑸請求項15：一種摻質組成物，其由一摻質氣體及一稀釋　　　　氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋氣體包含氫；條件為，當該摻質組成物的經同位素濃化的該摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%，其中該摻質組成物係儲存於一單一氣體供應容器中。　　　⑹請求項16：如申請專利範圍第15項之組成物，包含一或　　　　多個鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化成　　　　高於原子量70、72、73、74或76之至少一個　　　　鍺同位素之天然含量。 ⑺請求項17：如申請專利範圍第16項之組成物，包含經同　　　　位素濃化之四氟化鍺。 ⑻請求項18：如申請專利範圍第15項之組成物，其中該摻　　　　質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼與四氟化　　　　矽所組成之群組。 ⒌系爭專利2申請專利範圍系爭專利2原公告申請專利範圍共29項，其中請求項1、28 、29為獨立項。原告先後主張二次更正再抗辯，第一次更正（見甲證19，本院卷二第123至141頁）經智慧局於113 年5月20日准予更正（見甲證25，本院卷二第349至350頁）。第二次更正（見甲證32，本院卷五第43至49頁）經智慧局於同年11月8日准予更正（見甲證46，本院卷五第569 至570頁）。原告主張第二次更正後系爭專利1請求項1、2 、4、5、10、12及13受侵害（見原告民事準備五狀，本院卷五第23至28頁），其內容如下：　　　⑴請求項1：一種摻質氣體組成物，其由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物，該稀釋氣體包含氫，且其中　　　　該摻質氣體經同位素濃化(isotopically enr 　　　　 iched)至超過至少一種鍺同位素的天然含量( 　　　　 natural abundance level)，其中該摻質氣　　　　體組成物係儲存於一單一氣體供應容器中。 ⑵請求項2：如請求項1所述之組成物，其中該摻質氣體是　　　　選自由多種鍺化合物所構成的群組，該等鍺　　　　化合物經同位素濃化成高於原子量70、72、7 　　　　 3、74或76之至少一種鍺同位素的天然含量。 ⑶請求項4：如請求項2所述之組成物，其中該摻質氣體包　　　　含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至　　　　其鍺72同位素含量為高於27.3%。 ⑷請求項5：如請求項2所述之組成物，其中該摻質氣體包　　　　含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至　　　　其鍺72同位素含量為高於51.6%。 ⑸請求項10：如請求項1所述之組成物，其中該摻質組成　　　　物包含四氟化鍺。 ⑹請求項12：如請求項10所述之組成物，其中在該四氟化　　　　鍺中的鍺具有高於27.3%的鍺72同位素的同　　　　位素濃化量。 ⑺請求項13：如請求項10所述之組成物，其中在該四氟化　　　　鍺中的鍺具有高於51.6%的鍺72同位素的同　　　　位素濃化量。㈡系爭產品技術分析系爭產品1、2係被告所產銷之離子植入氣體產品（儲存有離子植入氣體之SAG II機械式負壓鋼瓶）：　　⒈系爭產品1：同位素濃化之三氟化硼及氫氣之氣體混合物　　（11B Enriched BoronTrifluoride (11BF3)/Hydrogen 　　 Gas Mixture）SAG II機械式負壓鋼瓶。　 ⒉系爭產品1主要圖示如附圖2所示。　　⒊系爭產品2：同位素濃化之四氟化鍺及氫氣之氣體混合物（ Enriched 72Germanium Tetrafluoride (72GeF4) /Hydro gen Gas Mixture）SAG II機械式負壓鋼瓶。　　⒋系爭產品2主要圖示如附圖3所示。　㈢系爭專利申請專利範圍應以第二次核准更正內容為據　　⒈被告抗辯：原告就系爭專利向智慧局申請兩次更正，其更正內容違反專利法第67條第2項超出申請專利所揭露範圍及同條第4項實質擴大申請專利範圍規定，違反上開規定係專利法第71條第1項第1款提起舉發事項規定，其第二次更正不合法，依智慧財產案件審理法第41條第1項規定請法院自為判斷該更正申請之合法性等語。　　⒉按發明專利權有違反第67條第2至4項申請更正規定者，任何人得向專利專責機關提起舉發，專利法第71條第1項第1 款定有明文。次按當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷之原因者，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不適用民事訴訟法停止訴訟規定，智慧財產案件審理法第41 條第1項設有規定。立法理由略以：有關智慧財產之民事訴訟中，被告主張智慧財產權不存在，而提起行政爭訟時，或有第三人對智慧財產權之有效性提出評定、舉發及行政爭訟時，民事訴訟如依首揭規定停止審判，其權利之有效性與權利之侵害事實無法於同一訴訟程序一次解決；當事人每以此拖延民事訴訟程序，致智慧財產權人無法獲得即時的保障；是審理智慧財產民事訟訟之民事法院，於訴訟中就專利權有無應撤銷或廢止原因之爭點為實質判斷，並排除各訴訟法關於停止訴訟規定等語。依此，本條係針對專利權有效性爭點由民事法院自為判斷，而專利權人申請更正，目的是為修正專利權範圍之瑕疵或錯誤，避免專利權無效，以之調整專利權保護範圍，其申請更正範圍須明確，使公眾知悉其界限，應由專利專責機關專責行使審查權限，是以專利權更正申請合法與否應非本條所定專利權有效性爭點判斷事項。　　⒊再按第41條第1項規定主張或抗辯專利權有應撤銷之原因，專利權人已向專利專責機關申請更正專利權範圍者，應向法院陳明依更正後之專利權範圍為請求或主張；第1項情形，法院得就更正專利權範圍之合法性自為判斷，並於裁判前表明其法律上見解及適度開示心證，智慧財產案件審理法第41條第1項、第43條第1項及第4項分別設有規定。上開第43條規定之立法理由略以：法院於民事訴訟程序就專利權之權利有效性，有判斷權限。伴隨著專利權有效性判斷，必須認定之更正合法性爭點；且基於舉重以明輕之法理，及迅速解決紛爭之精神，參酌日本實務見解，應肯定法院具有更正合法性之判斷權限；關於更正專利權範圍之合法性，既採行司法審理與行政審查之雙軌制架構，法院於專利專責機關作成更正案之審定前，於無礙訴訟之終結者，法院亦得暫不自為判斷專利權人依更正主張之合法性。依此，專利權人為更正再抗辯之主張，如專利專責機關作成更正案審定，法院亦得不自為判斷專利權人更正主張之合法性，而以該機關更正審定之申請專利範圍為據。因之，如依上開第43條之專利權人之更正再抗辯，法院得等待專利專責機關之更正審定結果，則就上述同法第41條專利權有效性判斷，法院亦得依專利專責機關已作成之更正審定處分為據，毋庸自為判斷。　　⒋復按行政處分未經撤銷、廢止，或未因其他事由而失效者，其效力繼續存在。無效之行政處分自始不生效力，行政程序法第110條第3項定有明文；有效之先前行政處分成為後行政處分之構成要件事實之一部分時，則該先前之行政處分因其存續力而產生構成要件效力（最高行政法院108 年度判字第445號判決意旨參照）。又按「前後二程序互有關聯，先前程序所作成之行政處分（尤其是授益處分）未被撤銷前，於事實及法律狀態不變下，對同一處分機關於後續程序作成後續處分具有拘束力，避免兩相矛盾之行政處分同時出現，暨防範原處分機關藉新作處分之便，以達規避撤銷與廢止授益處分之要件規定目的，而為更不利於相對人的決定，此即「行政處分之跨程序拘束力」（最高行政法院108年度判字第376號判決參照）。準此，行政處分具有構成要件效力，其「規制內容」（即行政處分之主旨或主文部分）對處分機關以外其他國家機關有拘束力。本件原告兩次申請系爭專利之更正，其第二次更正已獲得智慧局作成專利更正核准審定書（見甲證45、46），該准予更正審定書為行政處分，具構成要件效力，拘束本院，本件以第二次更正處分作為系爭專利申請專利範圍判斷。　㈣乙證7等證據組合不足以證明系爭專利1更正後請求項不具新穎性或進步性：　　⒈乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、　　　15至18不具新穎性或不具進步性　　　⑴乙證7為我國第I290731號「用於氣體儲存及輸送的離子性液體基礎混合物」發明專利，其公告日為96年12月1 日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103 年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。　　　⑵乙證7技術內容　　　　①乙證7揭露一種用於儲存和輸送氣體的混合物和方法。一方面，提供了一種混合物，其包含：含有陰離子和陽離子的離子性液體；分佈於離子性液體中並可與離子性液體發生可逆化學反應的至少部分氣體；以及任選的未反應氣體。另一方面，提供了一種從含有離子性液體和一種或多種氣體的混合物中輸送氣體的方法，其包括：使至少部分氣體與離子性液體反應以提供含有化學反應氣體和離子性液體的混合物，並從混合物中分離出化學反應氣體，其中經分離步驟後的化學反應氣體與反應步驟之前的化學反應氣體具有基本相同的化學成分（參乙證7摘要，本院卷一第618頁）。　　　　②乙證7圖2係各種混合物的三氟化硼(BF3)容量圖，如附圖4所示。　　 ⒉乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13 　　　　、15至18不具新穎性： ⑴更正後系爭專利1請求項1之技術特徵如下: 1A:一種離子植入製程，包含以下步驟：　　 1B:提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應容器; 1C:使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中， 1D:該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成　，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物且經同　位素濃化，該稀釋氣體包含氫； 1E:條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同　　　　　　位素濃化量高於51.6%。 ⑵經查乙證7說明書第5頁（見本院卷一第579頁）記載「 …半導體生產工業例如要使用許多危險的專用氣體，如磷化氫(PH3)、砷化氫(AsH3)和三氟化硼(BF3)，用以進行摻雜…」，對應揭露（第二次更正，下同）系爭專利1請求項1之1A「一種離子植入製程…」；乙證7 說明書第28頁（見本院卷一第602頁）記載「…用於儲存和分配來自混合物的一種或多種化學反應氣體、任選的未反應氣體，或者上述兩者的體系包括『儲存和分配容器』…」，對應揭露系爭專利1請求項1之1B:「提供儲存有一摻質組成物之單一氣體供應容器」技術特徵；另乙證7請求項21（見本院卷一第622頁）記載用於儲存和輸送氣體的混合物，其包含有可與離子性液體發生可逆的化學反應以提供化學反應氣體，以及未反應氣體，而該化學反應氣體具有路易士酸性並選自「…三氟化硼、…、四氟化鍺、…、同位素富集的同型物及其混合物」，前述乙證7之化學反應氣體、未反應氣體即分別對應於系爭專利1請求項1之1D中的: 摻質氣體、稀釋氣體，且乙證7揭露之三氟化硼、四氟化鍺等均為包含摻質物種（硼或鍺）之鹵化物（氟化物），並可經同位素濃化（即同位素富集之同型物）；又乙證7請求項24記載「該未反應氣體包含惰性氣體，其選自…、氫、…及其混合物」（見本院卷一第 622頁），對應於系爭專利1請求項1之1D「該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋氣體包含氫」技術特徵。　　　　⑶惟乙證7並未明確揭露系爭專利1請求項1之1C「使一摻質組成物流入一離子源」、「從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種」及「將該等離子摻質物種植入一基板中」技術特徵；又乙證7雖揭露四氟化鍺及其同位素富集之同型物作為化學反應氣體，但並未揭露系爭專利1請求項1之「當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵。再者，更正後系爭專利1請求項1，係界定單一氣體供應容器中之摻質組成物係由摻質氣體及稀釋氣體所組成，表示摻質組成物並未包含前述兩種氣體以外之物質，而乙證7所揭露儲存於容器中之混合物，則包含離子性液體、與該離子性液體發生化學反應之氣體，以及未反應氣體（參乙證7請求項21、24，本院卷一第622 頁）。是以乙證7揭露之技術內容與更正後系爭專利1 請求項1間存有前述差異，故乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具新穎性。更正後系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，包含請求項1之全部技術特徵，乙證7既不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具新穎性，則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13不具新穎性。 ⑷更正後系爭專利1請求項15之標的名稱係「摻質組成物」，其全部技術特徵見於請求項1記載之內容。則如同前述乙證7與更正後系爭專利1請求項1之比對，乙證7之化學反應氣體、未反應氣體分別對應於更正後系爭專利1請求項15之摻質氣體、稀釋氣體，即乙證7 揭露更正後系爭專利1請求項15之「一種摻質組成物，其由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋氣體包含氫」技術特徵。另乙證7已揭露摻質氣體為「非」四氟化鍺者，如三氟化硼，即無需考量更正後系爭專利1請求項15以四氟化鍺之摻質氣體為前提條件之「條件為，當該摻質組成物的經同位素濃化的該摻質氣體或該共種氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵。 ⑸由更正後系爭專利1請求項1、15界定摻質氣體係「包含摻質物種之鹵化物」，以及稀釋氣體係「包含氫」等技術特徵；乙證7則揭露化學反應氣體（對應系爭專利1之摻質氣體）係「選自乙硼烷、三氟化硼、三氟化硼、三氟化磷、四氟化磷、四氟化矽、鍺烷、四氟化鍺、氰化氫、同位素富集的同型物及其混合物」（乙證7請求項21），未反應氣體（對應系爭專利1之稀釋氣體）係「選自氮、氦、氖、氫、氬、氪、氙、氡及其混合物」（乙證7請求項24，本院卷一第622頁），亦即更正後系爭專利1請求項1、15所界定之發明，相較於乙證7之技術內容，係由乙證7揭露的二個群組個別選出多個或一個成分所組成的選擇發明，並非乙證7已特定揭露者（參見專利審查基準第2篇第3章第2.5.4節「選擇發明」[1]），故乙證7尚不足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具新穎性。更正後系爭專利1請求項16至18係請求項15直接或間接之附屬項，包含請求項15之全部技術特徵，乙證7既不足以證明更正後系爭專利1請求項15不具新穎性，則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項16至18不具新穎性。 ⑹被告辯稱：所屬技術領域中具通常知識者，可直接且無歧異得知乙證7所揭混合物所使用之離子植入製程，參原告起訴狀第10頁於系爭產品1與系爭專利1請求項1之侵權比對自承「使用者在使用此離子植入氣體時，必然實施此等步驟」即明；既屬「必然」，豈有不能「直接且無歧異得知」，因此，應認乙證7亦已隱含要件1C技術特徵(見民事答辯七狀第10頁第10至1 5行，本院卷五第336頁)；另系爭專利1請求項1要件1 E為條件式，僅在「應同位素濃化的摻質氣體由以鍺7 2同位素進行同位素濃化的四氟化鍺為組成時」條件成就時方有適用。乙證7已揭露更正後系爭專利1請求項1E條件未滿足之情況，亦即乙證7揭示有關以「四氟化鍺」為摻質氣體下所需符合條件以外的全部技術特徵，足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具新穎性(見民事答辯七狀第14頁第11至17行，本院卷五第340頁)云云。 ⑺惟查原告於系爭產品1與系爭專利1請求項1之侵權比對自承「使用者在使用此離子植入氣體時，必然實施此等步驟(即1C技術特徵)」(參原告起訴狀第10頁，本院卷一第22頁及民事準備五狀，本院卷五第15至16頁 )，並提出甲證14及甲證15佐證該製程步驟為業界已知之技術，由甲證14第1頁圖1(本院卷一第291頁)及甲證15說明書第[004]段(見本院卷一第299至300頁) 確實可證明更正後系爭專利1請求項1之步驟1C為離子植入製程所必然使用之已知步驟技術，故由乙證7所揭示之內容，即便所屬技術領域中具有通常知識者，可知使用離子植入氣體進行離子植入時必然會使用1C 之步驟，該技術特徵為乙證7實質隱含揭露者，但乙證7與更正後系爭專利1請求項1存在如前述理由所述之差異，故乙證7尚難證明更正後系爭專利請求項1不具新穎性。 ⒊乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13 、15至18不具進步性： ⑴如前述更正後與更正後系爭專利1請求項1之比對，乙證7未明確揭露更正後系爭專利1請求項1之1C「使一摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；將該等離子摻質物種植入一基板中」技術特徵，退而言之，即便該步驟為離子植入所必然之步驟而為乙證7實質隱含揭露者，惟乙證7請求項21揭露「化學反應氣體」可選自三氟化硼、四氟化鍺等多種氣體中，並可經同位素濃化（即同位素富集之同型物），且乙證7請求項24揭露「未反應氣體」可選自包含氫氣之多種惰性氣體中；然通常知識者並無動機由前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體，共同組成為氣體組成物，相較於乙證7，系爭專利1可達成增進離子源壽命與性能之功效（參系爭專利1說明書第8、9頁，本院卷一第72 至73頁），此由乙證7之技術內容尚無法預期，是以乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性。 ⑵更正後系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，均包含請求項1之全部技術特徵，是既乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性，則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項7 、9、13不具進步性。 ⑶更正後系爭專利1請求項15與乙證7技術內容之比對，詳如前述，乙證7請求項21、24之化學反應氣體、未反應氣體固然可對應於更正後系爭專利1請求項15之摻質氣體、稀釋氣體，但通常知識者並無動機由乙證 7前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物，相較於乙證7，系爭專利1可達成增進離子源壽命與性能之功效（參系爭專利1說明書第8、9頁，本院卷一第72至73頁），由乙證7之技術內容尚無法預期，是以乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性。 ⑷更正後系爭專利1請求項16至18係請求項15之直接或間接附屬項，均包含請求項15之全部技術特徵，是既乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項16至 18不具進步性。 ⒋乙證7及系爭專利1說明書先前技術之組合，或乙證7及6之組合，不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、 15至18不具進步性　　 ⑴乙證6為我國第I267910號「離子植入的方法及其裝置」發明專利，其公告日為95年12月1日，早於系爭專利1之 102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。　　　⑵乙證6技術內容乙證6揭露習知離子植入裝置(100)之結構大致上包括用以產生離子束(102)的離子源(104)，用以分離主要摻質的質量分析器(106)，用來加速離子束(102)的加速器(1 08)，以及用以讓離子束(102)可以掃描晶圓(112)的掃描裝置(110)等（參乙證6【先前技術】，本院卷一第55 6至558頁）。 ⑶乙證6圖1係習知離子植入裝置的剖面示意圖，如附圖5所示。　　　⑷乙證7技術內容與更正後系爭專利1請求項1間之比對，詳如前述。查系爭專利1說明書【先前技術】記載「用於半導體製造的離子植入涉及藉由使化學物種之高能離子撞擊基板，以將這些物種沉積進入基板(例如微電子裝置晶圓)。為產生離子植入物種，摻質氣體(如包含摻質物種之鹵化物或氫化物)遭離子化。離子化係使用離子源來產生離子束而施行」（見本院卷一第68頁）。另查乙證6說明書【先前技術】記載「離子植入法則是藉由將摻質先解離成離子，經過加速與選擇後，將特定的離子直接打入主材質(host material)中來達到摻雜的目的」（見本院卷一第556頁）。前述系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】所載，均揭露更正後系爭專利1請求項1之1C「使一摻質組成物流入一離子源」、「從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；將該等離子摻質物種植入一基板中」技術特徵。 ⑸惟不論系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】，均未提及如何選擇特定的摻質氣體組成物；是以縱使將系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】，各與乙證7內容予以組合，所屬技術領域中具有通常知識者仍無動機由乙證7揭露的兩個氣體群組中，選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物，相較上開先前技術證據，系爭專利1藉此具有達成增進離子源壽命與性能之功效（參系爭專利1 說明書第8、9頁，本院卷一第72至73頁）。是以乙證7 及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6 之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性。 ⑹更正後系爭專利1請求項15之摻質組成物，其全部技術特徵見於請求項1。則如前述乙證7與更正後系爭專利1請求項1之比對，乙證7之化學反應氣體、未反應氣體固然可對應於更正後系爭專利1請求項15之摻質氣體、稀釋氣體，但通常知識者並無動機由乙證7前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物；且不論系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】，均未提及如何選擇特定的摻質氣體組成物，亦未提及可藉此達成增進離子源壽命與性能之功效。是以縱將系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】，各與乙證7內容予以組合，所屬技術領域中具有通常知識者仍無動機由乙證7揭露的兩個氣體群組中，選擇系爭專利1請求項1所界定之特定摻質組成物，遑論達成相同功效，故乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性。 ⑺系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，請求項16至18則為請求項15之直接或間接附屬項。既乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項1 、15不具進步性。則乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，自不足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。　　⒌乙證7、8及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證 7、9及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7、 8及6之組合，或乙證7、9及6之組合，不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性 ⑴乙證8為ATMI公司「DS-336b VAC GeF4 Isotopically En riched」產品說明書，被告敘明乙證8係存檔於「網站時光回溯器Wayback Machine」(見民事答辯二狀第8頁第3至4行，本院卷一第502頁)，可認乙證8已於2006年2 月26日公開，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。　　　　①乙證8技術內容　乙證8揭露分子(GeF4)之主要應用是預非晶化離子植入 (PAI)，以實現超淺接面硼植入。72Ge的濃化同位素(50%)可顯著增強束電流和靈活性(2X)。植入72Ge 以代天然的74Ge，有助於隔離砷、氟化鐵和其他污染物之潛在污染；亦已證實可顯著延長離子源之壽命。（參乙證8-1，本院卷一第633至634頁）。　　　　②乙證8之產品外觀及其內含氣體純度分析，如附圖6所示。 ⑵乙證9為Trace Sciences公司「GermaniumIsotopes」（鍺同位素）網頁，被告敘明乙證9於2008年8月28日公開於網路上（民事答辯二狀第8頁第19至20行，本院卷一第50 2頁），經確認乙證9存檔於「網站時光回溯器Wayback M achine」之日期為2008年8月28日，早於系爭專利1、2之申請日。　　　　①乙證9技術內容乙證9記載天然GeF4用於半導體預非晶化植入製程。使用GeF4型態的鍺72可改善製程，同時減少污染。（參乙證9-1，本院卷一第637頁）。 ②乙證9之濃化穩定Ge同位素表，如附圖7所示。　　　⑶乙證7、系爭專利1說明書【先前技術】及乙證6，與更正後系爭專利1請求項1、15之比對，俱如前述。由前述各證據內容，所屬技術領域中具有通常知識者並無動機由乙證7揭露的兩個氣體群組中選擇特定「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物。再者，乙證7之混合物包含有離子性液體，不同於更正後系爭專利1請求項1、15界定摻質組成物係由摻質氣體及稀釋氣體所組成，且儲存於單一氣體供應容器之技術特徵。　　　⑷經查乙證8第一頁左上部揭露一種用於離子植入之摻質氣體運送容器，且該容器所含之摻質組成物，包含「同位素濃化的四氟化鍺(GeF4)」為摻質氣體，且乙證8第1頁左上部第4段教示「鍺72的濃化同位素(50%)可顯著增強束電流/靈活性(2X)。植入鍺72以代天然的鍺74，有助於隔離砷、氟化鐵和其他污染物之潛在污染。亦已證實可顯著延長離子源之壽命」；乙證8另就「純度分析」欄位，記載同位素濃化量為「Ge-72 50-52%」（本院卷一第631、632頁，中譯內容參乙證8-1即本院卷一第6 33、634頁）。是以乙證8已對應揭露更正後系爭專利1 請求項1之1D中之「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」及1E之「條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」等技術特徵。 ⑸另查乙證9揭示「天然GeF4用於半導體預晶化植入製程。使用GeF4型態的Ge-72可改善製程，同時減少污染」以及鍺72同位素濃化量為82-98%等（參本院卷一第635頁，中譯內容參乙證9-1即本院卷一第637頁），亦揭露更正後系爭專利1請求項1之1D中的「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」及1E之「條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵。 ⑹乙證8或乙證9雖均揭示更正後系爭專利1請求項1之1D中的「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」，且乙證8揭露將該等氣體儲存於單一儲存容器(VAC)中，惟乙證8或乙證9並未揭露更正後系爭專利1請求項1、15有關同位素濃化之摻質氣體與含氫氣之稀釋氣體混合為摻質組成物，且一併儲存於單一容器中之技術特徵。而前述乙證7、系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6之技術內容，亦無任何教示或建議由乙證7揭露的兩個氣體群組中選擇特定「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物。是以即便將乙證8或乙證9，與乙證7、系爭專利1說明書【先前技術】及乙證6予以組合，仍無法輕易完成更正後系爭專利1請求項1、15之發明。故乙證7、8及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7、9及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7、8及6之組合，或乙證7、9及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性。　 ⑺更正後系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，包含請求項1之全部技術特徵。請求項16至1 8係請求項15之直接或間接附屬項，包含請求項15之全部技術特徵。因前述各證據組合均不足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性，自亦不足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。㈤其餘證據組合可證明更正後系爭專利1請求項具應撤銷事由　　　⒈乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性 ⑴乙證10為我國第200849309號「具氣體混合之離子源的效能改良與生命期延長的技術」專利公開案，其公告日為 97年12月16日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 ①乙證10技術內容乙證10揭露具氣體混合之離子源的效能改良與生命期延長的技術。在一特定例示性實施例中，所述技術可實現為離子植入機中之離子源的效能改良與生命期延長的方法。所述方法可包含將預定量之摻雜氣體導入離子源腔室內。所述摻雜氣體可包含摻雜物質。所述方法亦可包含將預定量之稀釋氣體導入離子源腔室內。所述稀釋氣體可稀釋摻雜氣體以改良離子源之效能並延長離子源之生命期。所述稀釋氣體可進一步包含與摻雜物質相同的協同物質（參乙證10摘要，本院卷二第63頁）。　　　　②乙證10之圖1習知離子植入機系統及圖3A離子源組態示意圖，如附圖8所示。　 ⑵乙證13為我國第201005806號「在半導體處理系統中離子源之清洗」專利公開案，其公告日為99年2月1日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21 日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 ①乙證13技術內容乙證13揭露一種改進離子植入系統性能並且延長其壽命之方法，該方法包括將該陰極與由至少一種清洗氣以及至少一種沉積氣的組成的一氣體混合物進行接觸，其中所述氣體混合物平衡了材料在該陰極上的沉積和該材料或其他材料從該陰極上的剝離。氣體混合物的清洗氣去除了沉積在該陰極上的摻雜劑以及陰極的材料，而氣體混合物的沉積氣直接或間接地引起摻雜劑沉積在該陰極上。此氣體混合物保持了在該陰極上摻雜材料的累積以及它或其他材料的剝離之間的一平衡，並且因此延長了離子源的壽命。該氣體混合物在離子源植入機中的存儲和分配可以利用SDS、VAC等系統（參乙證13說明書第37頁末段至第38頁第1段，本院卷五第445至446頁）。　　　　②乙證13圖1顯示引入原位清洗處理後對離子源壽命延長，如附圖9所示。　 ⑶查乙證10說明書第6頁第2段（見本院卷二第66頁）記載「離子植入為藉由用賦能離子直接轟擊基材而使化學物質沈積至基材內的方法…」，第11頁末段至第12頁第1段（見本院卷二第71、72頁）記載「本發明揭露具氣體混合之離子源的效能改良與生命期延長的技術…所述方法可包含將預定量之摻雜氣體釋放至離子源腔室內。所述摻雜氣體可包含摻雜物質。所述方法亦可包含將預定量之稀釋氣體釋放至離子源腔室內。所述稀釋氣體可稀釋摻雜氣體以改良離子源之效能並延長離子源之生命期」，前述乙證10之技術內容業已揭露更正後系爭專利1請求項1之1A、1C及部分1D「一種離子植入製程，包含以下步驟(1A)：…使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中(1C)，其中該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成(部分1D)」技術特徵，且乙證10之摻雜氣體、稀釋氣體即分別對應於系爭專利1之摻質氣體、稀釋氣體；又乙證10說明書第15頁表一（見本院卷二第75頁）揭露多種鹵化形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4（或見第14頁末段記載「在一實施例中，摻雜氣體可以含鹵素氣體之形式自摻雜氣體源260 中釋放」，本院卷二第74頁)，對應揭露更正後系爭專利1請求項1之「該摻質氣體包含摻質之鹵化物」技術特徵；乙證10說明書第16頁第2段（見本院卷二第76頁）記載「稀釋氣體可包括氫氣(H2)或含氫氣體」，對應揭露更正後系爭專利1請求項1之1D中之「該稀釋氣體包含氫」技術特徵，再者，乙證10說明書第17頁第7至10行（見本院卷二第77頁）記載「藉由將預定量之一或多種氣體，諸如含氫稀釋氣體(或惰性氣體) ，以及預定量之摻雜氣體釋放至電弧室206內，可減少金屬成長速率或鎢堆積速率」，上開段落已揭示鹵化形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4加入氫氣可改良離子源之效能並延長離子源之生命期，其中氫氣的作用可以減少金屬成長速率或鎢堆積速度。綜上，乙證10前揭技術內容與更正後系爭專利1請求項1之差異在於，乙證10未揭露更正後系爭專利1請求項1之1B之「提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應容器」及1D中之摻質氣體「經同位素濃化」技術特徵。 ⑷另查乙證13說明書第4頁第6至14行(見本院卷五第412頁) 記載「離子植入被用於積體電路的製造以便精確地向半導體晶圓中引入受控制量的摻雜雜質並且是微電子/半導體生產中之重要方法。在此類植入系統中，一離子源使一所希望的摻雜元素氣體電離成離子並且該等離子以具有所希望能量的一離子束的形式從源中引出。引出係籍由施用一高的電壓跨過合適成型的引出電極而實現，該等電極將多個孔合併成了引出束的通道。離子束然後在工作件的表面，例如一半導體晶圓上進行定向，以便向該工作件植入摻雜元素」，乙證13說明書第37頁末段至第38頁第1段見（見本院卷五第445至446頁）記載「… 本發明涉及改進具有一陰極的一離子植入系統的性能並且延長其壽命之方法，該方法包括將該陰極與由至少一種清洗氣以及至少一種沉積氣的組成的一氣體混合物進行接觸…延長了離子源的壽命。該氣體混合物在離子源植入機中的存儲和分配可以籍由使用以下各項來完成：一吸附-解吸設備(被稱為SDS-安全遞送源)，它描述於美國專利號5,518,528中，並且其內容籍由引用結合在此；一流體存儲和分配系統(被稱為VAC真空致動氣瓶) ，該系統包括用於保持一流體在所希望的一壓力下的一容器，描述於美國專利號6,101,816中並且其內容籍由引用結合在此；或一SDS與VAC的混合流體存儲和分配系統(被稱為VAC-Sorb)，它描述於美國專利號6,089,027 中並且其內容籍由引用結合在此。該等流體存儲和分配系統提供了氣體在低於大氣壓下的遞送，並且由此比高壓流體存儲和分配系統更安全並且更有效。此外，該氣體混合物中的一些氣體可以一起在SDS、VAC或VAC-Sorb 系統中存儲和分配…」。由前述乙證13之技術內容即對應揭露更正後系爭專利1請求項1之「一種離子植入製程，包含以下步驟：提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應容器；使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中，其中該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成」技術特徵。進而言之，乙證13之沉積氣、清洗氣，即分別對應系爭專利1請求項1 之摻質氣體、稀釋氣體。且乙證13揭露沉積氣與清洗氣之氣體混合物可存儲於SDS或VAC單一容器中，另乙證13 說明書第39頁第2至4行（見本院卷五第447頁）揭露氣體混合物（清洗氣與沉積氣）為「H2/GeF4」、「H2/BF 3」，對應揭露更正後系爭專利1請求項1之「該摻質氣體包含摻質之鹵化物…，該稀釋氣體包含氫」技術特徵，亦即乙證13揭示更正後系爭專利1請求項1之1A至1C及部分1D。綜上，乙證13與更正後系爭專利1請求項1之差異僅在於乙證13並未揭露1D中之摻質氣體「經同位素濃化」技術特徵。（註：因乙證13揭露之摻雜氣體並非以鍺72同位素進行濃化的四氟化鍺所組成，故無需考慮更正後系爭專利1請求項1之「條件為，當摻質氣體由以鍺 72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72 同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵）。　　 ⑸如前述，乙證8或乙證9均已揭露更正後系爭專利1請求項 1之1D中之「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」及1E「條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵。換言之，不論乙證8或乙證9，均揭露乙證13與更正後系爭專利1請求項1間之差異技術特徵。 ⑹因乙證8、9、13之技術內容均關於半導體離子植入系統或其使用之摻雜氣體，屬於相同技術領域；又乙證8、9 、13之目的或所欲解決之問題，均為改善離子源效能或延長其生命期（參乙證8第1頁、乙證9第1頁、乙證13說明書第37頁，本院卷一第631、635頁、本院卷五第445 頁）；且乙證8或乙證9教示採用經同位素濃化之四氟化鍺作為摻質氣體，可延長離子源壽命或改善製程等，亦與乙證13所欲解決的問題相同；則所屬技術領域中具有通常知識者基於乙證13揭示摻質氣體包含四氟化鍺與稀釋氣體包含氫氣等技術內容，為進一步延長離子源壽命，當有合理動機依乙證8或乙證9之建議或教示，採用經同位素濃化之四氟化鍺為摻質氣體，進而輕易完成更正後系爭專利1請求項1之發明，即乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證明更正後系爭專利1請求項1 不具進步性，故乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及 13之組合自足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性。 ⑺更正後系爭專利1請求項7依附於請求項1，並界定「該摻質組成物包含一或多個鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或76之至少一個鍺同位素之天然含量」附屬技術特徵。更正後系爭專利1請求項9依附於請求項7，並界定「該摻質組成物包含經同位素濃化的四氟化鍺」附屬技術特徵；更正後系爭專利 1請求項13依附於請求項1，並界定「該摻質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼、和四氟化矽所組成之群組」附屬技術特徵。如前所述，乙證8或乙證9揭示經同位素濃化的四氟化鍺，且以鍺72同位素濃化至50%高於天然含量，即揭露前述請求項7、9、13之附屬技術特徵。又乙證 10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性，俱如前述，故乙證 10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13不具進步性。 ⑻更正後系爭專利1請求項15之全部技術特徵見於請求項1 ，是既乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性，俱如前述，自亦足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，則乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合亦足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性。 ⑼更正後系爭專利1請求項16依附於請求項15，並界定「包含一或多個鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或76之至少一個鍺同位素之天然含量」附屬技術特徵。更正後系爭專利1請求項17依附於請求項16，並界定「包含經同位素濃化的四氟化鍺」附屬技術特徵。更正後系爭專利1請求項18依附於請求項15，並界定「該摻質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼、和四氟化矽所組成之群組」之附屬技術特徵。如前所述，乙證8或乙證9揭示經同位素濃化的四氟化鍺為摻質氣體，且以鍺72同位素濃化至高於天然含量，即已揭露前述請求項16至18之附屬技術特徵。又乙證10、8及13 之組合，或乙證10、9及13之組合足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，俱如前述，則前述證據組合自當足以證明更正後系爭專利1請求項16至18不具進步性。 ⒉乙證10、8、11及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18 不具進步性 ⑴乙證11為「使用濃化同位素SDS 72GeF4來減少砷對鍺的交叉污染」論文，其公開日為95年2月26日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。乙證11揭露隨著接面深度減低，預非晶化（PA）植入在 CMOS 加工製程中愈來愈普遍。鍺作為矽的等電子體已展現出在矽中進行預非晶化植入的能力。液態GeF4的氣態蒸氣是鍺離子束的常見來源，通常會選用原子量74的同位素進行植入，因為其具有較高的天然濃度。然而，可能出現與類似質量的摻雜劑（例如砷）交叉污染的問題。使用同位素濃化量50%以上的Ge72可改善可用的束電流，同時減少潛在的交叉污染。透過Eaton GSD200E高電流植入機評估同位素濃化的Ge72安全輸送系統(SDS)源之下，已實證此高電流植入機中的質量解離度。乙證11以SIMS（二次離子質譜分析儀(Secondary Ion Mass Spectrometer )）比對使用天然濃度之GeF4與使用SDS濃化GeF4作為植入源的表面及能量交叉污染程度，並介紹了以物種間潔淨法（between species purge）減少高能砷污染物之有效性（參乙證11摘要，本院卷二第93頁）。　 ⑵乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性，詳如前述，故乙證10、8、11及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合，自當足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性。 ⑶更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18係請求項1、1 5之直接或間接附屬項，前述各請求項之附屬技術特徵均為乙證8或乙證9所揭露，已如前述，故乙證10、8、1 1及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。　　⒊乙證10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性　　　⑴乙證10與更正後系爭專利1請求項1、15之比對，詳如前述。乙證10業已揭露更正後系爭專利1請求項1之「一種離子植入製程，包含以下步驟：…使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中，其中該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質之鹵化物…該稀釋氣體包含氫；…」技術特徵，以及更正後系爭專利1請求項15「一種摻質組成物，其由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物…，該稀釋氣體包含氫… 」技術特徵。惟乙證10並未揭露更正後系爭專利1請求項1、15有關「摻質組成物儲存於單一氣體供應容器」，以及「摻質氣體『經同位素濃化』」之技術特徵。 ⑵乙證7與更正後系爭專利1請求項1、15之比對，亦如前述，乙證7雖揭露「化學反應氣體」可選自三氟化硼、四氟化鍺等多種氣體中，並可經同位素濃化（即同位素富集之同型物），並另揭露「未反應氣體」可選自包含氫氣之多種惰性氣體中；然通常知識者並無動機由前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體，共同組成為氣體組成物。 ⑶乙證8或乙證9雖均揭露摻質氣體為經同位素濃化之四氟化鍺，且乙證8揭露將其儲存於單一儲存容器(VAC)中。惟乙證8或乙證9仍未揭露更正後系爭專利1請求項1、15 有關同位素濃化之摻質氣體與含氫氣之稀釋氣體混合為摻質組成物，且一併儲存於單一容器中之技術特徵。 ⑷綜上，乙證10及乙證8（或乙證9）之技術內容均為離子植入製程所使用之氣體，屬相同技術領域；二者之目的均在提高離子源效能，就所欲解決之問題具有共通性；並均藉由摻雜氣體提供離子植入所需之摻質，就功能與作用，亦具共通性；乙證10揭示鹵化形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4加入氫氣可改良離子源之效能並延長離子源之生命期，其中氫氣的作用可以減少金屬成長速率或鎢堆積速度，乙證8（或乙證9）教示經同位素濃化之四氟化鍺，可減少污染或增加離子源壽命，則所屬技術領域中具有通常知識者基於乙證10揭露之摻雜氣體及稀釋氣體，為改良離子源之效能並延長離子源之生命期，自有動機選擇經同位濃化之四氟化鍺作為摻雜氣體，並與氫氣等稀釋氣體相互混合為摻質組成物。乙證10及乙證8（或乙證9）雖未揭露將經同位素濃化之四氟化鍺與氫氣所組成之氣體混合物儲存於單一容器中；然乙證10 已教示將稀釋氣體與摻雜氣體相混合，具有改善離子源效能及生命期之功效，且乙證10實施例業揭露混合氣體不僅可在電弧室中混合，亦可在進入電弧室前混合（對於改善離子源效能及生命期並未產生實質效果），則所屬技術領域中具有通常知識者當能輕易思及將摻雜氣體與稀釋氣體先行混合並封裝於單一容器中，亦即其僅為乙證10將摻雜氣體與稀釋氣體個別封裝於不同容器之簡單變更。另查系爭專利1圖1及說明書第28頁最後一段至第29頁（見本院卷一第92至93頁）記載之內容可知，離子植入處理系統中關於氣體提供至離子植入前，摻雜氣體（裝置於容器304）與稀釋氣體（裝置於容器362，見本院卷一第93頁第10行）分別裝置於不同之容器（氣瓶），之後經管線（366，370）將氣體輸送至混合室360 ，以將氣體混合物通往植入機的離子源，系爭專利1說明書第31頁第2至8行（見本院卷一第95頁）記載「摻雜氣體可含一或多種補充氣體（即稀釋氣體及/或共種氣體）的混合，…例如，在第1圖系統中，容器302可構成含有摻植氣體與補充氣體混合物的單一氣體供應容器（無補充容器362、634）」。由上開系爭專利1說明書內容可證，反應氣體不論以單一容器提供混合氣體，或以兩個容器分別提供摻雜氣體與稀釋氣體再予混合，均能達成改良離子源效能或生命期之功效，另查系爭專利1 說明書通篇亦未記載以「單一」氣體供應容器，對於發明所欲改善離子源效能及生命期之功效具有何無法預期之功效，是對所屬技術領域中具通常知識者而言，更正後系爭專利1請求項1、15之發明，係將乙證10與乙證8 （或乙證9）組合後予以簡單變更所能輕易完成者，故乙證10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性。 ⑸更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18，係請求項1 、15之直接或間接附屬項，且其附屬技術特徵已為乙證 8或乙證9所揭露，詳如前述；故乙證10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。 ⒋乙證14、13、11及8之組合，或乙證14、13、11及9之組合，或乙證15、13、11及8之組合，或乙證15、13、11及9之組合，或乙證16、13、11及8之組合，或乙證16、13、11 及9之組合，或乙證17、13、11及8之組合，或乙證17、13 、11及9之組合，均足以證明更正後系爭專利1請求項1、7 、9、13、15至18不具進步性 ⑴乙證14為我國第200836229號「具氣體稀釋之離子源的改善效能與延長生命期的技術」專利公開案，其公告日為 97年9月1日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。　　　　①乙證14技術內容乙證14揭露一種具氣體稀釋之離子源改善效能並延長生命期之技術。在一特定例示性實施例中，該技術可被實現為一種具氣體稀釋之離子植入機中之離子源改善效能並延長生命期的方法，該方法包含：將預定量之摻雜氣體釋放至離子源腔室中，及將預定量之稀釋氣體釋放至離子源腔室中。稀釋氣體可包含用於稀釋摻雜氣體以改善離子源之效能並延長其生命期的含氙氣體與含氫氣體之混合物（參乙證14摘要，本院卷五第475頁）。 ②乙證14圖3A為離子源組態示意圖，如附圖10所示。　　 ⑵乙證15為美國第7592212號「用於確定植入半導體基板中雜質劑量的方法」專利公開案，其公告日為2009(98)年 9月1日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之 103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 ①乙證15技術內容乙證15揭露一種用於確定電漿摻雜過程中雜質總劑量的方法及其裝置，其係直接測量植入半導體基板中的總離子劑量，例如使用法拉第杯，並以離子質譜直接測量電漿摻雜過程所產生電漿中雜質離子種與非雜質離子種的比例，以及每種雜質離子種與電漿中總雜質離子種的比例，最後以總離子劑量和比例來確定雜質總劑量（參乙證15摘要，本院卷五第599頁）。　　　　②乙證15圖1為確定植入半導體基板雜質總劑量之方法示意圖，如附圖11所示。　　 ⑶乙證16為美國第7534628號「半導體裝置的形成方法及光電裝置的形成方法」專利公開案，其公告日為2009(98) 年5月19日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利 2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 ①乙證16技術內容乙證16揭露一種形成半導體裝置的方法，該半導體裝置包括一個含有由電漿增強化學氣相沉積法（CVD）形成的晶體之矽基沉積半導體層，該方法包括以下步驟：在形成該半導體層時，於高頻電極與基板之間施加偏壓，且使高頻電極為負極；檢測在高頻電極或基板上產生的火花；並根據檢測結果控制至少一個條件，該條件從高頻功率、偏壓電壓、偏壓電流、壓力、氣體流量和電極間距離所構成的組合中選擇，以使持續時間100毫秒或以上的火花數量保持在每分鐘不超過1次（參乙證16摘要，本院卷五第521頁）。 ②乙證16圖11為形成半導體裝置之流程步驟示意圖，如附圖12所示。　 ⑷乙證17為我國第58963號「使用微波能量製造不定形半導體合金及裝置之方法」專利案，其公告日為73年6月1日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年1 2月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。乙證17技術內容：乙證17揭露一種用以將不定形半導體合金膜澱積於基底上之方法，包括：供給微波能源；使該微波能配合入裝有該基底之實質上封閉之反應器內；及將包括至少一種含半導體化合物之氣體導入該反應器內以於該器中形成輝光放電漿質及使得自該等反應氣體之不定形半導體膜澱積於該基底上者（參乙證17請求項 1，本院卷五第553頁）。　 ⑸乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性，詳如前述，故乙證14、13、11及8之組合，或乙證14、13、11及9之組合，或乙證15、13、11及8之組合，或乙證15、13、11及9 之組合，或乙證16、13、11及8之組合，或乙證16、13 、11及9之組合，或乙證17、13、11及8之組合，或乙證 17、13、11及9之組合，自當足以證明更正後系爭專利1 請求項1、15不具進步性。 ⑹更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18之附屬技術特徵均為乙證8或乙證9所揭露，已如前述，故前述各證據組合亦足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16 至18不具進步性。 ⒌乙證7、8及13之組合，或乙證7、9及13之組合，均足以證明更正後系爭專利1請求項15至18不具進步性　　　⑴乙證7之技術內容雖可對應於系爭專利1請求項15之技術特徵。但所屬技術領域中具有通常知識者單憑乙證7尚無動機由反應氣體及未反應氣體二個群組中，選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物，以達成系爭專利1增進離子源壽命與性能之功效，俱如前述。　　　⑵惟乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合，業已揭露更正後系爭專利1請求項15之全部技術特徵，足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，以及請求項16至1 8之附屬技術特徵為乙證8或乙證9所揭露，均詳如前述。是以乙證7、8及13之組合，或乙證7、9及13之組合足以證明更正後系爭專利1請求項15至18不具進步性。　㈥乙證7等證組合不足以證明系爭專利2更正後請求項　　⒈乙證7不足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、10不具新穎性或不具進步性 ⑴更正後系爭專利2請求項1之全部技術特徵，實質上已見於更正後系爭專利1請求項15之內容；且更正後系爭專利2請求項2、10之附屬技術特徵，同更正後系爭專利1 請求項16、17。被告乃主張乙證7既足以證明更正後系爭專利1請求項15至17不具新穎性及不具進步性，此即足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、10不具新穎性及不具進步性云云（見被告民事答辯七狀第71至74頁，本院卷五第397至404頁）。 ⑵惟如前述，乙證7並不足以證明更正後系爭專利1請求項1 5至17不具新穎性或不具進步性，被告之主張即非可採。詳言之，乙證7雖揭露「化學反應氣體」可選自三氟化硼、四氟化鍺等多種氣體之群組，並可經同位素濃化（即同位素富集之同型物），並揭露「未反應氣體」可選自包含氫氣等多種惰性氣體之群組；然更正後系爭專利2請求項1所界定之發明，係由乙證7揭露的二個群組個別選出多個或一個成分所組成的選擇發明，並非乙證 7已特定揭露者，故乙證7不足以證明更正後系爭專利2 請求項1不具新穎性。再者，通常知識者由乙證7所揭露之技術內容，並無動機由前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體，以共同組成為摻質氣體組成物，相較於乙證7，系爭專利2具有可達成增進離子源壽命與性能之功效（參系爭專利2說明書第【0026】段，本院卷一第119頁），由乙證7之技術內容尚無法預期，故乙證7不足以證明更正後系爭專利2請求項1不具進步性。又更正後系爭專利2請求項2、10係依附於請求項1，包含請求項1之全部技術特徵，則乙證7既不足以證明更正後系爭專利2請求項1不具新穎性及進步性，自不足以證明更正後系爭專利2請求項2、10不具新穎性及進步性。 ⒉乙證7及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7及 6之組合，不足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、10不具進步性 ⑴更正後系爭專利2請求項1之全部技術特徵，實質上已見於更正後系爭專利1請求項15之內容，故乙證7技術內容與更正後系爭專利2請求項1間之比對，略同於前述乙證 7與更正後系爭專利1請求項15間之比對，不另贅述。 ⑵被告並未具體指出系爭專利2說明書【先前技術】或乙證 6記載之技術內容，何處對應於更正後系爭專利2請求項 1、2、10之技術特徵。被告係以更正後系爭專利2請求項1、2、10之內容，實質上同於更正後系爭專利1請求項15至17，乃援引其主張更正後系爭專利1請求項15至1 7不具進步性之證據組合，而包含有系爭專利2說明書【先前技術】（註：相同於系爭專利1說明書【先前技術】）及乙證6。惟參照被告抗辯更正後系爭專利1無效之理由（見被告民事答辯七狀第19、20頁，本院卷五第34 5至346頁），可知系爭專利2說明書【先前技術】與乙證6，係被告用來主張對應更正後系爭專利1請求項1有關離子植入之相關步驟。然更正後系爭專利2請求項1並無記載任何離子植入步驟，顯見系爭專利2說明書【先前技術】或乙證6並未揭露系爭專利2請求項1之技術特徵。 ⑶既系爭專利2說明書【先前技術】或乙證6，均未提及如何選擇特定的摻質氣體組成物，是以縱使將系爭專利2 說明書【先前技術】或乙證6，各與乙證7內容予以組合，所屬技術領域中具有通常知識者仍無動機由乙證7揭露的兩個氣體群組中，選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物，且系爭專利2藉此達成增進離子源壽命與性能之功效，由乙證7、系爭專利2說明書【先前技術】、乙證6均無法預期。故乙證7及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利2請求項1不具進步性。 ⑷系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，請求項16至18則為請求項15之直接或間接附屬項。既乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，均不足以證明系爭專利1請求項1、15不具進步性，則乙證7及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，自不足以證明更正後系爭專利2請求項7、9、13、16至18不具進步性。 ⒊乙證7、8及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7、9及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7 　　　、8及6之組合，或乙證7、9及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12、13不具進步性 ⑴被告抗辯：更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12 、13之實質內容，同於更正後系爭專利1請求項15至17 ，是既前述各證據組合足以證明更正後系爭專利1請求項15至17不具進步性，即足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12、13不具進步性云云。 ⑵惟如前述，乙證7、8及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7、9及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7、8及6之組合，或乙證7、9及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項15至17不具進步性，故被告之主張並非可採。㈦其餘證據組合可證明更正後系爭專利2請求項具應撤銷事由　　　乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合，或乙證10 、8、11及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合，或乙證 10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，或乙證7、8及13 之組合，或乙證7、9及13之組合，或乙證14、13、11及8之組合，或乙證14、13、11及9之組合，或乙證15、13、11及8 之組合，或乙證15、13、11及9之組合，或乙證16、13、11 及8之組合，或乙證16、13、11及9之組合，或乙證17、13、 11及8之組合，或乙證17、13、11及9之組合，均足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12、13不具進步性 ⒈更正後系爭專利2請求項1之全部技術特徵，實質上已見於更正後系爭專利1請求項15。是既前述各證據組合足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，自亦足以證明更正後系爭專利2請求項1不具進步性。 ⒉更正後系爭專利2請求項2係依附於請求項1，並界定「該摻質氣體是選自由多種鍺化合物所構成的群組，該等鍺化合物經同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或76之至少一種鍺同位素的天然含量」之附屬技術特徵。系爭專利2 請求項4、5均依附於請求項2，並分別界定「該摻質氣體包含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至其鍺72同位素含量為高於27.3%」、「該摻質氣體包含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至其鍺72同位素含量為高於51.6 %」之附屬技術特徵。如前所述，乙證8揭示經同位素濃化的四氟化鍺，且以鍺72同位素濃化至50-52%高於天然含量；另乙證9記載經同位素濃化的四氟化鍺，以及鍺70、72 、73、74或76之同位素濃化量分別為84-99%、82-98%、72 -99%、94-98%、85-99%等內容，是以乙證8或乙證9之技術內容，均已揭露前述更正後系爭專利2請求項2、4、5之附屬技術特徵。又前述各證據組合足以證明更正後系爭專利 2請求項1不具進步性，俱如前述，是以前述各證據組合亦足以證明更正後系爭專利2請求項2、4、5不具進步性。 ⒊更正後系爭專利2請求項10係依附於請求項1，並界定「該摻質組成物包含四氟化鍺」之附屬技術特徵。更正後系爭專利2請求項12、13均依附於請求項10，並分別界定「該四氟化鍺中的鍺具有高於27.3%的鍺72同位素的同位素濃化量」、「該四氟化鍺中的鍺具有高於51.6%的鍺72同位素的同位素濃化量」之附屬技術特徵。如前所述，乙證8 揭示經同位素濃化的四氟化鍺，且以鍺72同位素濃化至50 -52%高於天然含量；另乙證9揭示經同位素濃化的四氟化鍺，以及鍺72之同位素濃化量為82-98%；是以乙證8或乙證9之技術內容，均已揭露前述請求項10、12、13之附屬技術特徵。又前述各證據組合足以證明更正後系爭專利2 請求項1不具進步性，俱如前述，故前述各證據組合亦足以證明更正後系爭專利2請求項10、12、13不具進步性。　㈧對原告陳述意見之回應　 ⒈原告於言詞辯論時主張：更正後之系爭專利摻質組成物之重要特徵，特徵1：摻質組成物係儲存於一單一氣體供應容器中；特徵2：氣體供應容器所儲存之摻質組成物僅含「摻質氣體」及「稀釋氣體」，而不含其他成分；特徵3: 稀釋氣體經同位素濃化(見114年2月17日庭期簡報第9頁，本院卷六第225頁)，並陳述：　　　⑴系爭專利之功效(1)系爭專利之摻質組成物可增進離子源壽命和性能具有功效(依據系爭專利2說明書之[0022]、 [0026]、[0029]之段落)，並提出相關研究甲證38、39 之論文佐證eBF3與H2、eGeF4與H2可增進離子源壽命且可維持甚至增進「離子束電流」之離子源性能⑵系爭專利之摻質組成物可儲放於單一供應容器且具安全性(見簡報第10至13頁，本院卷六第225至227頁)，並於民事準備六狀第41頁（見本院卷五第91頁）第7至10行主張「系爭專利1/2出乎意外地發現：相較於不含稀釋氣體者，將同位素濃化的摻質氣體與稀釋氣體(氫)組合，所得離子源壽命和性能較佳（系爭專利1第9頁第4至7行，本院卷一第73頁），且該氣體組合不會實質影響離子束電流，甚至額外地增進離子束電流(甲證38及甲證39參照」（見本院卷五第173至185頁）。　　　⑵乙證10揭示使用摻雜氣體源會使電弧室外殼202材料沉積於陰極208而呈現對離子源102效能及生命期造成不利影響，使用「稀釋氣體」（含氫氣體）延長離子源之生命期，亦即採用GeF4（摻雜氣體）+AsH3（稀釋氣體）或G eH4（摻雜氣體）+H2（稀釋氣體）可延長離子源之生命期，但可能衍生「離子束電流減小」之問題，必須選擇特定的「稀釋氣體」(共種氣體)，以避免此問題，且乙證10使用時的「預先混合」不等於安全穩定的儲存，乙證7、8、9、11及13未教示或建議: eBF3/H2、eGeF4/H2 可安全、穩定地儲存於單一容器，故以乙證10為主要證據之相關證據組合，不足以證明系爭專利欠缺進步性（見簡報第17至20頁，本院卷六第229至230頁)。　　　⑶原告另稱：被告稱乙證13可證明「三氟化硼（或四氟化鍺）與氫氣儲存在單一容器」乃習知技術，進而將乙證 13引用於本件前案證據組合中，此係被告自行拼湊乙證 13技術內容所得之錯誤認知（見本院卷六第12頁）。　　　⑷系爭專利具肯定進步性因素（見114年2月17日庭期簡報第44至56頁）：①系爭專利1/2之摻雜組合物顯著提升離子源壽命且不會實質影響片電阻及離子束電流、甚至反而可增加離子束電流（離子源性能之一）（見簡報第45 頁）；②系爭專利1/2將三氟化硼( BF3)或四氟化鍺(GeF 4）與氫氣儲存在單一容器」克服習知將BF3、GeF4及H2 屬於危害物質應隔離分開儲存之技術偏見（見原告簡報第46至48頁，本院卷六第243至244頁)；③系爭專利1/2 產品在短短數年內取得40%以上銷售比例，展現出強勁成長趨勢，故獲得商業成功云云(見簡報第51頁，本院卷六第246頁)。　　⒉惟由系爭專利2（甲證7）與系爭專利1（甲證6）之內容與系爭專利2大致相同，故以系爭專利2為例說明。其說明書第[0002]段記載「本發明係關於使用摻質和摻質氣體混合物進行離子植入，以增進離子植入系統中的離子源壽命及性能」，說明書第[0006]段記載「離子源失效可歸咎許多原因，包括沉積物積聚在陰極表面，其對離子的熱離子發射有負面影響，以致減低電弧電流、降低性能及縮短離子源壽命，及因電弧室中產生游離氟，引發摻質氣體進行有害蝕刻反應而產生四氟化鍺，並因陰極材料剝離或濺射，造成陰極失去物理完整性而縮減離子源性能和壽命」；說明書第[0026]段記載「相較於未使用同位素濃化摻質及/ 或補充材料的離子植入系統和製程，本發明使用同位素濃化摻質及/或補充材料的離子植入系統和製程可增進離子源壽命與性能」；另系爭專利2說明書第[0067]~[0073]段記載內容，可知採用具同位素之鍺、硼摻質之摻質氣體時，其中鍺包含同位素(70、72、73、74、76），因74Ge於離子植入過程中會與砷殘餘物產生及電弧室之不鏽鋼產生交叉汙染，若不採用鍺為摻質且氣體輸送管與電弧室介面採用石墨、鎢或其他材料的植入系統沒有交叉汙染問題，則可採用含74Ge之摻質氣體，故在同一植入機亦用於植入砷的情況下，使用天然含量之鍺摻質氣體，為解決施行砷摻雜之離子植入系統植入鍺時的砷汙染問題，採用天然含量較少的鍺72同位素係有利的，然如四氟化鍺中鍺72同位素的天然含量為24.3%，鍺74同位素則為37.1%（見系爭專利2說明書第14至15頁及表I，本院卷一第127至128頁）。是以使用天然含量之鍺勢必降低可用射束電流，可能減少產量及增加植入成本。系爭專利使用同位素濃化鍺72同位素之四氟化鍺或者鍺烷能有效提高可用射束電流，進而增加離子植入系統產量。使用同位素濃化之摻質組成物，例如同位素濃化70Ge之四氟化鍺或鍺烷，也可達成類似提高射束電流、產量和整體性能的好處，相較於未依天然含量濃度同位素調整之摻質及/或共種氣體的對應系統，有益的同位素濃度係相對其在摻質及/或共種氣體中之天然含量增加成能增進離子植入系統中離子源性能與壽命的程度。上開內容揭示系爭專利提出以經同位素濃化之摻質鹵化物作為摻質氣體可提高射束電流、增加增進離子植入系統中離子源性能與壽命的技術及其原理。　　⒊再系爭專利2說明書第[0029]段記載「稀釋氣體為不含摻質物種且與摻質氣體有效混合的氣體，相較於處理不含稀釋氣體之摻質氣體的相對應離子源壽命和性能，處理具摻質氣體之含稀釋氣體混合物的離子源壽命和性能較佳。稀釋氣體實例包括氫氣、氬氣、氟氣和氙氣。」，另查第[001 12]段記載「本發明係關於使用氨氣做為共流氣體和四氟化鍺，以增進離子植入系統的源壽命，其中四氟化鍺做為摻質氣體，且四氟化鍺可選擇性同位素濃化至少一Ge同位素。當使用氨氣做為補充氣體並與四氟化鍺混合來植入鍺時，氨氣(NH3)的氮與氫分子將有效清除四氟化鍺中的氟。清除氟的結果，將使GeF4/NH3混合物至少部分抑制鹵素在離子源內循環，鹵素循環會因鎢鬚晶生長在弧形槽縫及 /或鎢沉積在陰極及/或對陰極上而造成源壽命不佳」，由上開說明書內容可知，系爭專利係提出以氨氣作為補充氣體，因氨氣(NH3)的氮與氫分子將有效清除四氟化鍺中的氟，抑制鹵素在離子源內循環，抑制鎢鬚晶生長在弧形槽縫及/或鎢沉積在陰極及/或對陰極上而造成離子源壽命不佳，由系爭專利之發明說明雖揭示摻雜氣體含稀釋氣體混合物較不含稀釋氣體之摻質氣體的離子源壽命和性能佳，並舉出稀釋氣體實例包括氫氣、氬氣、氟氣和氙氣。但於第[00112]段記載之具體實施態樣僅係以四氟化鍺做為摻質氣體，以氨氣作為補充氣體，並說明氨氣在解決離子源壽命不佳問題上之作用，系爭專利說明書雖揭示加入稀釋氣體可解決離子源壽命不佳問題，惟說明書通篇並未揭示明確以e-GeF4/H2或e-BF3/H2混合氣體的具體實施態樣，亦未於說明書中提出相關實驗數據以資佐證該二氣體混合物可增進「離子束電流」之離子源性能。經查原證38為原告公司於2018年發表之期刊論文、原證39係於2014年發表之期刊論文，其中一位作者Joseph Sweeney為系爭專利之第二發明人。經查上開二論文係於系爭專利1公告日（201 3年2月21日）之後相當時日始發表，距離系爭專利1、2申請日（優先權日）2010年更長達4、8年之久，原告以此欲證明系爭專利於申請當時以e-GeF4/H2或e-BF3/H2之氣體組合中之氫氣具有增進「離子束電流」之功效，究屬系爭專利申請當時即已知悉（發現）？抑或為系爭專利申請之後甚至公告之後，始由申請人（或發明人）經由實驗試驗始得知者，自非無疑。 ⒋乙證10說明書第11頁末段至第12頁第1段（見本院卷二第71 、72頁）記載「本發明揭露具氣體混合之離子源的效能改良與生命期延長的技術…所述方法可包含將預定量之摻雜氣體釋放至離子源腔室內。所述摻雜氣體可包含摻雜物質。所述方法亦可包含將預定量之稀釋氣體釋放至離子源腔室內。所述稀釋氣體可稀釋摻雜氣體以改良離子源之效能並延長離子源之生命期」；又乙證10說明書第15頁表一（見本院卷二第75頁）揭露多種鹵化物形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4；乙證10說明書第16頁第2段（本院卷二第76 頁）記載「稀釋氣體可包括氫氣(H2)或含氫氣體」，另乙證10說明書第17頁第7至10行（見本院卷二第77頁）記載「藉由將預定量之一或多種氣體，諸如含氫稀釋氣體（或惰性氣體），以及預定量之摻雜氣體釋放至電弧室206內，可減少金屬成長速率或鎢堆積速率」，上開段落已揭示鹵化形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4加入氫氣可改良離子源之效能並延長離子源之生命期，其中氫氣的作用可以減少金屬成長速率或鎢堆積速度，此與前述系爭專利2說明書第[00112]段記載氨氣(含氫分子)對於改良離子源之效能並延長離子源之生命期所扮演的功能及作用相同。亦即乙證10已揭示離子植入製程採用鹵化形式之摻雜物質氣體中加入氫氣可以減少鎢堆積速度。另查乙證10說明書第 18頁第2段（見本院卷二第78頁）進一步揭示當AsH3（協同氣體）與GeF4（摻雜氣體）混合時，自由氫與自由氟分子組合雖可延長離子源生命期，然而，所需摻雜物質（Ge ）因電漿中之協同物質(As)缺乏摻雜劑(Ge)而減小，乙證 10第18頁第3段進一步揭示在離子植入期間使用摻雜氣體- 稀釋氣體之互補性組合，以防止Ge離子束電流減少…如GeH 4(稀釋氣體)+GeF4(摻雜氣體)之混合氣體，不僅自由氫與自由氟組合以改良離子源之生命期，而且來自摻雜氣體與稀釋氣體(補充反應之Ge來源)之Ge物質存在可防止任何離子束電流損失，相較系爭專利係採用經同位素濃化之鹵化物(e-GeF4)以增加有益摻質(72Ge同位素)濃度(來源)以維持或增加離子束電流。再乙證10說明書第19頁第14至16行（見本院卷二第79頁）記載「氫氣(H2)可做為額外稀釋氣體與任何摻雜劑-稀釋劑混合物一起(此時Gｅ摻質充足)釋放以便延長離子束電流」。相較於乙證10所揭示以「GeH4 (稀釋氣體)+GeF4(摻雜氣體)之混合氣體」(其中GeH4係為補充並維持Ge摻雜劑量)而系爭專利係以(e-GeF4)或(e-BF 3)之同位素濃化(增加有益的摻雜劑之濃度)來防止任何離子束電流損失(乙證8或乙證9揭示該技術特徵即可達成之功效)前提下，氫氣的作用均可減少鎢堆積進而維持離子束電流，故乙證10已揭示加入氫氣混合後具有延長離子束電流達成功效及原理。乙證8(或乙證9)及乙證10已分別揭示系爭專利1請求項1於離子植入製程中以經同位素濃化之摻質之鹵化物，或摻質之鹵化物加入氫氣作為摻質組成物可防止(Ge)離子束電流損失，以增進離子源壽命和性能之技術手段。至於摻質組成物之摻質氣體及稀釋氣體兩者係分開儲存不同容器或是一起混合儲存在單一容器，對於系爭專利所欲解決增進離子源壽命和性能之問題及功效並未產生實質的影響。 ⒌至於原告主張乙證10使用時的「預先混合」不等於安全、穩定的儲存，系爭專利係在「混合後儲存」於容器中且「涉及長期（例如1至3年或更久）之安全性/穩定性」(114 年2月17日簡報第20頁，本院卷六第230頁)，惟該功效於系爭專利申請時之說明書並未記載，亦未提出將該兩特定氣體混合之實施態樣，故該功效尚難作為系爭專利具進步性之論斷依據（退而言之，該技術亦見於乙證13），故系爭專利請求項中之摻質組成物僅為乙證10及乙證8（或乙證9）之結合，非原告所稱係於系爭專利申請時之意外發現。 ⒍另查甲證38係顯示以單獨使用11BF3、與使用11BF3/H2混合物可增進離子源壽命至兩倍以上（見甲證38第241頁左欄第16至20行與右欄第20至22行、圖5，本院卷五第175頁），再甲證39顯示使用eGeF4可以得到增進離子束電流，增進離子源壽命，使用eGeF4+H2可獲得額外的離子束電流增進（見甲證39第5頁右欄結論第1至5行，本院卷五第183頁），原告主張以該二證據為證明加入氫氣(H2)對於系爭專利具有顯著之功效，惟是否達成該功效應與兩者氣體混合物之特定比例有關，此部分於系爭專利說明書中均未揭示，且上開二文獻並未針對eGeF4/H2（或11BF3/H2）與習知以未經濃化之GeF4/H2（或BF3/H2）做比對。由於乙證8（或乙證9）及乙證10分別揭示e GeF4及H2具有增進離子源壽命之功能及作用，故原告欲以甲證38或甲證39證明系爭專利具有無法預期之功效，實屬牽強，故原告主張並非可採。　 ⒎另查系爭專利2說明書第[00108]段記載之內容可知，系爭專利之摻質氣體與補充氣體係分開儲存在不同容器(304,3 62,364)，透過管線(312,366,368)輸送至植入室後混合，另於說明書第[00109]至[00110]段可將摻雜氣體與補充氣體裝於單一供應容器(co-package共裝混合物)中，並將該混合氣體傳送至植入室，該方式可用於提供鍺烷(GeH4)混合含氫氣、鈍氣或其他稀釋氣體之混合物中，相較於高壓之100%鍺烷，此係較安全的包裝方式，第[00114]段記載「或者可提供含氨氣與四氟化鍺混合物且呈任何適當相對比例之單一供應容器」，系爭專利說明書對於摻質氣體及稀釋氣體混合於單一供應容器的發明，並未揭露eGeF4+H2 及eBF3+H2之實施態樣，更未提出兩者係以該適當比例混合始達成安全、穩定包裝之效果？故將上開二氣體混合於單一容器之方式可達「長期(例如1至3年或更久)之安全性穩定性」究屬系爭專利申請當時即已知悉(發現)？抑或申請人(發明人)於系爭專利申請之後始經由實驗試驗始得知者，自非無疑。 ⒏另查乙證13第37至38頁（見本院卷五第445至446頁）揭示一種氣體混合物，其包含清洗氣及沉積氣，該氣體混合物保持了在離子植入系統之陰極上摻雜材料的累積以及它或其他材料的剝離之間的平衡，並且因此延長離子源的壽命（見乙證13第37頁第14至20行，本院卷五第445頁）。該氣體混合物在離子源植入機中的存儲分配可以藉由一吸附 -解吸設備(被稱為SDS-安全遞送源)；一流體存儲和分配系統(被稱為VAC真空致動氣瓶)；或一SDS與VAC的混合流體存儲和分配系統(被稱為VAC-Sorb)。該等流體存儲和分配系統提供了氣體在低於大氣壓(負壓)下的遞送，並且由此比高壓流體存儲和分配系統更安全並且更有效。乙證13 第38頁第8至10行並載明:「該氣體混合物中的一些氣體可以一起在SDS、VAC或VAC-Sorb系統中存儲和分配，該等氣體在高壓流體存儲和分配系統中的共存係不相容的（參乙證13第37頁第20行至38頁第10行，本院卷五第446頁），該段原申請時之外文說明書為「Moreover, some of the gases of the gas mixture, which are not compatible to co-exist under high pressure fluid storage andd ispensing system, can be stored and dispensed toge ther under the SDS, VAC or VAC-Sorb systems.」（見本院卷六第309至311頁)；又乙證13除了揭示「在以上方法的另一實施方式中，氣體混合物的多種氣體順序地流動以便接觸該陰極」（見乙證13第38頁第13至14行，本院卷五第446頁）外，乙證13說明書第38頁第11至12行亦揭示「在以上方法的一實施方式中，氣體混合物的多種氣體同時地流動以便接觸該陰極」，該段內容意謂氣體混合物係一起在SDS、VAC或VAC-Sorb系統中儲存和分配始可同時地流動。再者，乙證13亦揭示氣體混合物之實例(但不限於) :…H2/GeF4…H2/BF3（見乙證13第39頁第2至6行，本院卷五第447頁），由上開內容，所屬技術領域中具通常知識者應可理解，乙證13揭示氣體混合物(見乙證13第39頁第2至 6行所例示，本院卷五第447頁)可藉由VAC、SDS或VAC-Sor b系統於低於大氣壓下(負壓)的遞送，這樣的傳送方式比以高壓流體存儲和分配系統更安全並且更有效，而且在這些氣體混合物中，一些原本以高壓流體存儲和分配系統中不相容共存的混合氣體，可以SDS、VAC或VAC-Sorb系統( 以低於大氣壓下 (負壓))一起被存儲和分配，故乙證13並未僅限定可一起儲存和分配的氣體係指「在高壓流體存儲和分配系統中的共存不相容」的某些氣體，且未排除原本以高壓流體或低壓流體(負壓)儲存和分配系統中的共存相容的混合氣體（此由乙證13之請求項44及45項所記載之內容並未限定氣體混合物為某些特定氣體可證)。故所屬技術領域中具通常知識者在閱讀乙證13後可得知，乙證13該例示之氣體混合物可透過VAC、SDS或VAC-Sorb等系統以低於大氣壓(負壓)下的遞送將該混合氣體一起儲存、運送之技術教示，故乙證13確實已揭示更正後系爭專利將「四氟化鍺及氫氣」或「三氟化硼及氫氣」混合而安全、穩定地儲放於單一容器中之技術特徵，未有原告所稱「被告自行拼湊乙證13技術內容所得之錯誤認知」，亦無所謂系爭專利克服了習知「四氟化鍺」或「三氟化硼」及「氫氣」分別為具腐蝕性物質或屬易燃氣體應有效隔離分開儲存之技術偏見，故原告主張尚不足採。 ⒐至於原告主張依據甲證38可證明將eGeF4+H2及eBF3+H2儲放於單一容器且具儲存穩定性及安全性係因兩者化學穩定性，熱力學計算顯示在室溫或高溫下，11BF3+H2之間並未產生反應（見甲證38第242頁左欄第37至41行，本院卷五第17 6頁)，該摻質組成物能穩定且安全地存於同一容器中，並能達到至少三年的穩定儲存壽命(甲證38第242頁右欄第1至 2行)；甲證39顯示eGeF4+H2混合物可穩定地儲存於單一容器在高溫的加速安全性測試中，長達25天沒有變化發生(參 114年2月17日簡報第12至13頁，本院卷六第226至227頁）云云。由於乙證13已明確揭示可將GeF4+H2或BF3+H2之混合氣體一起儲存並運送即可達成安全性之問題，其非系爭專利申請時始為之創見，該結果及功效亦為所屬技術領域中具通常知識者所能預期，原告以上開證據主張系爭專利具有之功效，並不可採。 ⒑原告另主張系爭專利之產品在短短數年內，取得40%以上的銷售比例，展現出強勁的成長趨勢，故系爭專利已獲商業上成功（見113年9月5日民事準備六狀第25至27頁，本院卷五第75至77頁）云云。所謂發明是否具商業上成功係指申請專利之發明於商業上獲得成功，且其係由該發明之技術特徵所直接導致，而非因其他因素如銷售技巧或廣告宣傳所造成者，則可判斷具有肯定進步性之因素（參照智慧局發明專利審查基準第3.4.2.3.4節)。經查原告僅概略性提出該公司販售純三氟化硼，以及系爭專利產品所占總銷售額相對比例，尚無從得知該類產品或競爭公司相類似產品於整體市場，特別是我國之銷售情形與市占比例，況且系爭專利產品歷經近10年之銷售，其總銷售額雖有成長，但總銷售額仍未達純三氟化硼產品一半，自難認已獲商業上成功，再者，系爭專利產品進入消費市場上的銷售業績及比例，更可能會因為廠商的品牌形象、銷售策略等因素所致，非係由系爭專利發明之技術特徵所直接導致，故原告以此銷售比例據此主張系爭專利獲得商業上的成功，並非正確。　 ⒒依上述，由於證據8、9、10、13已分別揭露更正後系爭專利之所有技術特徵，且證據間具有結合之動機，系爭專利具有否定進步性因素之理由，原告雖主張系爭專利具有有利功效、克服習知技術偏見及具商業成功之肯定進步性之輔助性判斷因素，惟經審酌後認為上開主張並無理由，綜合考量「否定進步性之因素」及「肯定進步性之因素」後，認為更正後系爭專利之發明為所屬技術領域中具有通常知識者參酌該相關先前技術所揭露之內容及申請時之通常知識所能輕易完成，故不具進步性。六、綜上所述，被告提出之乙證7與其餘證據組合，雖不足以證明系爭專利更正後請求項不具新穎性及進步性，但乙證10、 8及13之組合、或乙證10、9及13之組合，乙證10、8、11及1 3之組合、或乙證10、9、11及13之組合，乙證10、8及7之組合、或乙證10、9及7之組合，乙證14、13、11及8之組合、或乙證14、13、11及9之組合、或乙證15、13、11及8之組合、或乙證15、13、11及9之組合、或乙證16、13、11及8之組合、或乙證16、13、11及9之組合、或乙證17、13、11及8之組合、或乙證17、13、11及9之組合，均足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性；乙證7、8 及13之組合、或乙證7、9及13之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項15至18不具進步性；乙證10、8及13之組合、或乙證10、9及13之組合、或乙證10、8、11及13之組合、或乙證10、9、11及13之組合、或乙證10、8及7之組合、或乙證1 0、9及7之組合、或乙證7、8及13之組合、或乙證7、9及13 之組合、或乙證14、13、11及8之組合、或乙證14、13、11 及9之組合、或乙證15、13、11及8之組合、或乙證15、13、 11及9之組合、或乙證16、13、11及8之組合、或乙證16、13 、11及9之組合、或乙證17、13、11及8之組合、或乙證17、 13、11及9之組合，均足以證明更正後系爭專利2請求項1、2 、4、5、10、12、13不具進步性。系爭專利有應撤銷之事由，依智慧財產案件審理法第41條第2項規定，原告不得對被告主張專利權。從而，原告依專利法第96條第1 項至第3 項、民法第184條第1項前段、第185條、第179條及公司法第23 條第2項規定請求排除及防止被告等繼續侵害系爭專利，並請求被告二人連帶賠償損害，為無理由，應予駁回。原告之訴即經駁回，其假執行之聲請失其依據，併予駁回。七、本件其餘爭點（系爭產品有無落入系爭專利之專利權範圍、被告應否銷毀系爭產品及負損害賠償責任、損害賠償金額應如何計算及排除、防止侵害系爭專利有無理由部分），經本院審酌後認與判決結果不生影響，爰不一一論列。本件無為中間判決之必要，爰為終局判決，併此敘明。　　八、據上論結，本件原告之訴無理由，依智慧財產案件審理法第 2條、民事訴訟法第78條，判決如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日智慧財產第二庭法官　李維心以上正本係照原本作成。如不服本判決，應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，上訴時應提出委任律師或具有智慧財產案件審理法第10條第1項但書、第5項所定資格之人之委任狀；委任有前開資格者，應另附具各該資格證書及釋明委任人與受任人有上開規定（詳附註）所定關係之釋明文書影本。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日　　　　　　　　　　　　　書記官　林佳蘋附註：智慧財產案件審理法第10條第1項、第5項智慧財產民事事件，有下列各款情形之一者，當事人應委任律師為訴訟代理人。但當事人或其法定代理人具有法官、檢察官、律師資格者，不在此限：一、第一審民事訴訟事件，其訴訟標的金額或價額，逾民事訴訟法第四百六十六條所定得上訴第三審之數額。二、因專利權、電腦程式著作權、營業秘密涉訟之第一審民事訴訟事件。三、第二審民事訴訟事件。四、起訴前聲請證據保全、保全程序及前三款訴訟事件所生其他事件之聲請或抗告。五、前四款之再審事件。六、第三審法院之事件。七、其他司法院所定應委任律師為訴訟代理人之事件。當事人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親，或當事人為法人、中央或地方機關時，其所屬專任人員具有律師資格，並經法院認為適當者，亦得為第一項訴訟代理人。

2025-03-28

IPCV-112-民專訴-66-20250328-3

橋簡

橋頭簡易庭

侵權行為損害賠償(交通)

臺灣橋頭地方法院民事裁定 114年度橋簡字第223號原告富邦產物保險股份有限公司法定代理人賴榮崇訴訟代理人周俊堯被告李勝華上列當事人間侵權行為損害賠償(交通)事件，本院裁定如下：　　主　文本件移送臺灣高雄地方法院。　　事實及理由一、按訴訟，由被告住所地之法院管轄；因侵權行為涉訟者，得由行為地之法院管轄。訴訟之全部或一部，法院認為無管轄權者，依原告聲請或依職權以裁定移送於其管轄法院，民事訴訟法第1條第1項前段、第15條第1項、第28條第1項分別定有明文。二、本件原告係依侵權行為及保險代位之法律關係向被告求償，惟查被告之戶籍地在新北市新店區，有依本院職權調閱之個人戶籍資料查詢結果在卷可稽，而本件侵權行為（車禍）發生地點在高雄市○○區○道0號369公里700公尺處北側向內側，有國道公路警察局道路交通事故初步分析研判表可參，上開區域均非本院管轄區域，本件得由被告住所地（臺灣臺北地方法院）或侵權行為地（臺灣高雄地方法院）管轄，原告誤向無管轄權之本院提起訴訟，係有違誤，本院自應依職權移轉管轄。本院考量本件訴訟係因侵權行為涉訟，移由侵權行為地法院管轄較有利於證據蒐集及調查，爰依職權將本件訴訟移送臺灣高雄地方法院。三、依民事訴訟法第28條第1項，裁定如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日　　　　　　　　　橋頭簡易庭　法　　　官蔡凌宇以上正本係照原本作成。如對本裁定抗告須於裁定送達後10日內向本院提出抗告狀，並繳納裁判費新台幣1,500元。　　　　　　　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日　　　　　　　　　　　　　　　書　記　官　郭力瑋

2025-03-28

CDEV-114-橋簡-223-20250328-1

北小

臺北簡易庭

侵權行為損害賠償(交通)

臺灣臺北地方法院民事小額判決 114年度北小字第602號原告臺灣產物保險股份有限公司法定代理人李泰宏訴訟代理人楊承堯被告陳光隆上列當事人間請求侵權行為損害賠償（交通）事件，本院於民國 114年3月13日言詞辯論終結，判決如下：　　主　文被告應給付原告新臺幣13,975元，及自民國113年12月10日起至清償日止，按週年利率百分之5計算之利息。訴訟費用新臺幣1,000元由被告負擔，並給付原告自裁判確定之翌日起至訴訟費用清償日止，按週年利率百分之5計算之利息。本判決得假執行。但被告以新臺幣13,975元為原告預供擔保，得免為假執行。　　理由要領壹、程序部分：一、按因侵權行為涉訟者，得由行為地之法院管轄。民事訴訟法第15條第1項定有明文。查本件侵權行為地為臺北市萬華區，依上開規定，本院自有管轄權。二、本件被告經合法通知，未於言詞辯論期日到場，核無民事訴訟法第386條所列各款情事，爰依原告之聲請，准由其一造辯論而為判決。貳、實體部分：一、原告起訴主張：被告於民國112年2月26日10時40分許，駕駛車牌號碼000-0000號自用小客車（下稱被告車輛），於行經臺北市萬華區萬大路與長泰街口時，因未保持行車安全間隔之過失，進而碰撞由原告承保、訴外人林建輝所有、並由訴外人劉冠勤駕駛之車牌號碼000-0000號自用小客車（下稱系爭車輛），造成系爭車輛受損（下稱系爭事故）。嗣系爭車輛經送修復後，原告本於保險責任賠付維修費用新臺幣（下同）13,975元（包含：工資3,100元、烤漆費用10,875元），並依保險法第53條第1項規定取得代位求償之權利等情，爰依保險法第53條第1項、民法第184條、第191條之2等規定提起本件訴訟等語。並聲明：被告應給付原告13,975元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按週年利率5％計算之利息。二、被告未於言詞辯論期日到庭，惟以書狀辯稱：系爭車輛在接近路口紅燈處未達紅燈口時突然緊急剎車，被告見狀後緊急右打方向盤停下，幸未撞擊；被告與系爭車輛駕駛人均停車查看後，發現被告車輛左前保桿有一片摩擦痕跡，而系爭車輛右後保桿同樣高度也有一片摩擦痕跡，經雙方討論後，認為僅是摩擦痕跡而未造成板金變形，是雙方即同意無須聯絡警察，而由被告負擔部分烤漆費用；被告持續等待系爭車輛駕駛人聯繫告知烤漆費用，卻於系爭事故3天後接到警局來電要求要去做筆錄，才知道系爭車輛駕駛人於系爭事故當日下午即去警局事後報案；被告無法接受系爭車輛駕駛人想利用這次機會將保桿一次出險換新，且被告車輛事後局部烤漆僅花費1,500元，保桿完好如初；在調解庭時，原告當場建議可用10,000元和解，請原告解釋若請求有理，為何願意降低賠償費用，此在在顯示系爭車輛車主根本利用此次事故機會出險換保桿，形成惡意勒索，而原告自知理虧所以降低請求金額，整體一連串行為根本趁機換零件、軟性勒索，甚不可取等語，資為抗辯。並聲明：㈠原告之訴駁回；㈡如受不利之判決，願供擔保請准宣告免為假執行。三、得心證之理由：　㈠按汽車行駛時，駕駛人應注意車前狀況及兩車並行之間隔，並隨時採取必要之安全措施，不得在道路上蛇行，或以其他危險方式駕車。道路交通安全規則第94條第3項定有明文。復按因故意或過失，不法侵害他人之權利者，負損害賠償責任。汽車、機車或其他非依軌道行駛之動力車輛，在使用中加損害於他人者，駕駛人應賠償因此所生之損害。但於防止損害之發生，已盡相當之注意者，不在此限。被保險人因保險人應負保險責任之損失發生，而對於第三人有損失賠償請求權者，保險人得於給付賠償金額後，代位行使被保險人對於第三人之請求權。民法第184條第1項前段、第191條之2、保險法第53條第1項本文分別定有明文。再按當事人主張有利於己之事實者，就其事實有舉證之責任。民事訴訟法第27 7條前段定有明文。又按各當事人就其所主張有利於己之事實，均應負舉證之責，故一方已有適當之證明者，相對人欲否認其主張，即不得不更舉反證。　㈡經查，原告主張被告有於上揭時、地，因未保持行車安全間隔之過失行為致系爭事故發生，系爭車輛因而受損，原告已依約賠付系爭車輛維修費用等情，業據提出道路交通事故當事人登記聯單、道路交通事故現場圖、估價單、照片、發票等件為證（見本院卷第15至17、21至31頁），並有本院職權調閱之道路交通事故照片黏貼紀錄表等件附卷可參（見本院卷第41至48頁）。被告雖辯稱因為沒有碰撞所以當下沒有報警等語，然未提出任何證據以佐其言。而查，系爭車輛右後車尾及被告車輛之左前車頭有因系爭事故受損乙情，有道路交通事故照片黏貼紀錄表附卷可參（見本院卷第44至47頁）；復被告於同一答辯書狀中，即另自陳被告與系爭車輛駕駛人於系爭事故後停車查看，發現被告車輛左前保桿有摩擦痕跡，而系爭車輛右後保桿同樣高度也有摩擦痕跡，認為僅是摩擦痕跡而未造成板金變形等語，其自陳兩造車輛之受損位置亦與卷內事證相符，所言則與前開所辯相悖。是以，被告抗辯兩造車輛沒有碰撞等語，應屬無憑。　㈢而就系爭事故之發生原因，經勘驗被告車輛行車紀錄器影像，勘驗結果為「（0：10至0：22）畫面可見被告車輛行駛於第1車道，其同一車道之前方另有1輛黑色車輛（即系爭車輛）。18秒時，畫面中藍色廣告帆布下方之號誌燈為綠燈（如截圖一紅色圈圈所示）。19秒處，可見畫面中藍色廣告帆布下方之號誌燈變換為黃燈（如截圖二紅色圈圈所示）。此時被告車輛處於系爭車輛同一車道後側。於20秒處，可見系爭車輛剎車燈亮起；被告車輛於同秒處向右側第2車道處切。於21秒處，可見系爭車輛停止在第1車道機車停等區下方。於22秒處，可見畫面中藍色廣告帆布下方之號誌燈變換為紅燈，並於同秒聽到聲響。此時被告車輛停止在第2車道機車停等區下方。勘驗結束。」等情，有勘驗筆錄、截圖在卷可參（見本院卷第115至116、119至120頁）。由上開勘驗內容，可知系爭車輛係因前方號誌轉為黃燈始為減速、煞停，並非被告所稱屬任意驟然減速之情事，而在系爭車輛因前方號誌轉為黃燈而為減速時，原處在系爭車輛後側之被告車輛即向右切換車道，然卻疏未注意與前方車輛即系爭車輛之間隔距離，兩車因而發生碰撞，從而，被告就系爭事故之發生自具有過失，且與系爭車輛所受之損害間有相當因果關係。是以，原告主張被告應負侵權行為之損害賠償責任，並依保險法第53條代位行使求償權，自屬有據；被告前開辯稱，尚屬無憑。　㈣再按不法毀損他人之物者，應向被害人賠償其物因毀損所減少之價值，為民法第196條所明定。而所謂請求賠償物被毀損所減少之價額，得以修復費用為估定標準，但以必要者為限，例如修理材料以新品換舊品，應予折舊（參見最高法院 77年度第9次民事庭會議決議）。經查，原告主張系爭車輛必要修繕費用包含工資3,100元、烤漆費用10,875元等情，業據提出估價單、發票為證（見本院卷第21、31頁），依前揭說明，系爭車輛之修復費用既無零件材料費用，自無須折舊，是原告請求賠償必要修復費用13,975元，洵屬有據。至被告雖以原告若請求有理，為何願意降低賠償費用，系爭車輛車主根本利用此次事故機會出險換保桿，形成惡意勒索，整體一連串行為根本趁機換零件、軟性勒索，甚不可取等語置辯，然未提出任何證據舉證證明原告請求之修復費用有明顯逾越合理範疇之情形，其餘抗辯亦屬臆測而無提出任何證據以佐其言；另兼衡原告所提出之估價單所載之修復項目，核與系爭車輛於系爭事故時遭撞擊之受損部位大致相符，且無被告所稱更換保險桿即零件費用支出之情事。從而，本件自無從以被告所辯，為對被告有利之認定，是被告上述所辯，尚非有據，應不足採。　㈤末按給付無確定期限者，債務人於債權人得請求給付時，經其催告而未為給付，自受催告時起，負遲延責任。其經債權人起訴而送達訴狀，或依督促程序送達支付命令，或為其他相類之行為者，與催告有同一之效力；遲延之債務，以支付金錢為標的者，債權人得請求依法定利率計算之遲延利息；應付利息之債務，其利率未經約定，亦無法律可據者，週年利率為5％，民法第229條第2項、第233條第1項前段及第203 條定有明文。本件原告對被告之侵權行為損害賠償債權，為無確定給付期限之債權，揆諸前揭說明，原告主張以本件起訴狀繕本送達之翌日即113年12月10日（見本院卷第53頁）起至清償日止，按週年利率5％計算之利息，亦屬有據。四、綜上所述，原告依民法第184條第1項前段、第191條之2及保險法第53條第1項規定請求被告賠償13,975元，及自113年12 月10日起至清償日止，按週年利率5％計算之利息，為有理由，應予准許。五、本件係就民事訴訟法第436條之8適用小額訴訟程序所為被告敗訴之判決，依民事訴訟法第436條之20規定，應依職權宣告假執行。並依同法第436條之23準用第436條第2項，適用同法第392條第2項規定，依職權宣告被告如預供擔保，得免為假執行。六、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊、防禦方法及所提證據，經審酌均於判決結果無影響，爰不予逐一論駁，併此敘明。七、訴訟費用負擔之依據：民事訴訟法第78條、第91條第3項。並依職權以附錄計算書確定本件訴訟費用額如主文第2項所示。　中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日　　　　　　　　　臺北簡易庭　法　官　戴于茜得上訴（20日）（計算書）：項　　　　目　　　　　　金　額（新臺幣）　　　備　註第一審裁判費　　　　　 1,000元　　　　　　　　原告預付合　　　　計　　　　　　 1,000元附錄：一、民事訴訟法第436條之24第2項：　　對於小額程序之第一審裁判上訴或抗告，非以其違背法令為理由，不得為之。二、民事訴訟法第436條之25：　　上訴狀內應記載上訴理由，表明下列各款事項：　　(一)原判決所違背之法令及其具體內容。　　(二)依訴訟資料可認為原判決有違背法令之具體事實。三、民事訴訟法第436條之32第2項:第438條至第445條、第448條至第450條、第454條、第455條、第459條、第462條、第463 條、第468條、第469條第1款至第5款、第471條至第473條及第475條之規定，於小額事件之上訴程序準用之。

2025-03-27

TPEV-114-北小-602-20250327-1

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損害賠償(交通)

臺灣臺北地方法院民事簡易判決 113年度店簡字第1070號原告羅騎瑩訴訟代理人林于舜律師陳靖怡律師被告曾映捷訴訟代理人林榮華律師複代理人施銘權律師上列當事人間請求損害賠償(交通)事件，本院於民國114年3月6 日言詞辯論終結，判決如下：　　主　　　文一、被告應給付原告新臺幣25,730元，及自民國113年6月14日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息。二、原告其餘之訴駁回。三、訴訟費用新臺幣4,190元，由被告負擔新臺幣279元及自本判決確定之翌日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息，餘由原告負擔。四、本判決原告勝訴部分得假執行。但被告如以新臺幣25,730元為原告預供擔保，得免為假執行。五、原告其餘假執行之聲請駁回。　　　　事實及理由一、按因侵權行為涉訟者，得由行為地之法院管轄，民事訴訟法第15條第1項定有明文。查本件侵權行為地為臺北市文山區（見本院卷第93頁），本院自有管轄權。二、原告起訴主張：原告於民國111年5月17日上午6時50分許駕駛車牌號碼000-0000號自用小客車（下稱A車）由南往北行經臺北市文山區指南路3段40巷岐山幹39處時，已於轉彎處透過路段東側外緣之反光鏡看見對向來車，而A車係行駛於山路之道路外緣且為上坡路段，考量路面濕滑且影響視線，而於道路右側停下觀察來車，適被告駕駛由訴外人詹皇志向 iRent承租之車牌號碼000-2073號自用小客車（下稱B車）， B車本應於會車時，依法禮讓行駛於上坡道路外緣之A車先行，詎疏未注意道路反光鏡而未發現A車已於對向車道停止等待會車，竟未禮讓、減速而直接撞上A車，致A車毀損，而為附表所示之修復，支出修復費用新臺幣（下同）386,900元（含零件301,600元、工資85,300元）。雖本件車禍經臺北市政府交通局行車事故鑑定覆議會之覆議意見（下稱系爭覆議意見）認定A車「不在未劃分標線道路之中央右側部分駕車」為肇事主因，惟系爭覆議意見顯有瑕疵，僅憑不精確之事故現場圖為認定，現場圖之長度比例尺及車輛距離路緣之相對位置顯有錯誤，亦漏未審酌重要事證，隻字未提推論過程，並未考量A車係因受撞擊而偏移，且於撞擊後仍位於道路中央右側，A車於車禍前實已行駛於道路中央右側，B車方為未靠道路右側行駛之車輛，被告亦有疲勞駕駛、未於下雨後濕滑之路面減速慢行、自道路反光鏡觀察對向來車並注意車前狀況、禮讓沿道路外緣行駛之上坡車輛即A車通過之情事，自應由被告負擔本件車禍之全部肇事責任，爰依民法第 184條第1項前段、第2項、第191條之2等規定提起本件訴訟等語，並聲明：㈠被告應給付原告386,900元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息。㈡如受有利判決，請依職權宣告假執行。三、被告答辯略以：原告稱其於車禍發生前已於道路右側停車一事並無相關證據佐證，且原告亦於警方調查中表示A車於車禍發生時靠左行駛，其僅以臆測認定A車行駛於道路右側而無提出客觀事證。就被告之過失責任方面，有無疲勞駕駛應考量駕駛人之精神狀態、個人體質及反應等具體因素綜合考量，難以一概而論，事發路段亦非山路，依系爭覆議意見被告並無禮讓上坡車輛即A車先行駛之義務，就本件車禍同意採本院113年度簡上字第435號判決認定之兩造過失責任比例，應有爭點效適用。就A車之修復費用部分，原告並未說明部分修復項目與本件車禍之關聯性，且依證人即A車維修人員呂學昌於本院審理程序所述，A車維修費用實際為30萬元，其所述項目亦與原告提出之車禍照片不符，相關破損情形亦未出現於證人提供之A車維修前照片，引擎電腦、剎車輔助汞浦依證人所稱亦不知毀壞原因，縱原告所提出如附表所示之修復費用均屬必要，亦應計算折舊等語，並聲明：㈠原告之訴駁回。㈡如受不利判決，願供擔保請准宣告免為假執行。四、法院得心證之理由：　㈠按因故意或過失，不法侵害他人之權利者，負損害賠償責任；汽車、機車或其他非依軌道行駛之動力車輛，在使用中加損害於他人者，駕駛人應賠償因此所生之損害，民法第184 條第1項前段、第191條之2前段分別定有明文。經查，本件A 車於111年5月17日上午6時50分許由原告駕駛，行經臺北市文山區指南路3段40巷岐山幹39處，與駕駛B車之被告發生碰撞等情，已據原告提出道路交通事故現場圖、車禍現場照片為證，並經本院調取警方車禍案卷資料核閱無誤，堪信為真實。　㈡而學說上所謂爭點效，係指法院於確定判決理由中，就訴訟標的以外當事人所主張之重要爭點，本於當事人辯論之結果已為判斷時，於前後兩訴利益相當或前訴大於後訴，除有顯然違背法令，或當事人已提出新訴訟資料足以推翻原判斷之情形外，於同一當事人就與該重要爭點有關所提起之他訴訟，不得再為相反之主張，法院亦不得作相反之判斷，其法理係立基於程序權保障、當事人訴訟地位平等及訴訟經濟，亦係民事訴訟法上普遍被承認之一般性誠信原則（參見最高法院108年度台上字第82號判決意旨）。又爭點效理論，因其並非法院就訴訟標的所為之判斷，不具有判決實質之確定力（既判力），自須判決理由之判斷具備「同一當事人間」、「非顯然違背法令」、「當事人未提出新訴訟資料足以推翻原判斷」、「該重要爭點，在前訴訟程序已列為足以影響判決結果之主要爭點，並經兩造各為充分之舉證及攻防，使當事人為適當完全之辯論，由法院為實質審理判斷」及「兩造所受之程序保障非顯有差異」者，即足當之（參見最高法院 108年度台上字第1225號判決意旨）。查被告前就其於本件車禍所受損害對原告提起損害賠償訴訟，經本院113年度簡上字第435號判決（下稱前案判決）判決確定，而法院審理該案時，已審酌警方製作之道路交通事故談話紀錄表之談話內容，並依據警方道路交通事故現場圖、道路交通事故照片等跡證，認定原告就本件車禍有「在未劃分向線之道路上未靠右行駛」之過失，被告則有「未注意車前狀況並隨時採取必要之安全措施」之過失，各應負擔70%、30%之過失責任，有前案判決在卷足稽（見本院卷第295至313頁），前案判決既已將雙方就本件車禍之過失責任列為足以影響判決結果之主要爭點，經兩造各為充分之舉證，且核無顯然違背法令情事，前案判決並基於該事件雙方當事人即本件兩造之辯論結果，進行實質審理判斷，據以認定兩造之肇事原因，兩造於本件就此爭點，復未提出足以推翻原判斷之新訴訟資料，依前揭說明，前案判決就前開爭點之認定對本件，業已產生爭點效，亦即法院及兩造當事人對前案判決就該爭點所為之判斷，不得再作相反之判斷或主張。是認本件原告駕駛A車有「在未劃分向線之道路上未靠右行駛」之過失，被告駕駛B 車則有「未注意車前狀況並隨時採取必要之安全措施」之過失，被告過失行為與車禍之發生具相當因果關係，原告依民法第184條第1項前段、第191條之2請求被告負損害賠償責任，即屬有據。　㈢按不法毀損他人之物者，被害人得請求賠償其物因毀損所減少之價額，民法第196條定有明文；依民法第196條請求賠償物被毀損所減少之價額，得以修復費用為估定之標準，但以必要者為限（例如︰修理材料以新品換舊品，應予折舊），有最高法院77年度第9次民事庭會議決議可資參照。故原告得以修理費用作為其物因毀損所減少價額之計算依據，但其中以新品更換舊品，且因此提高該物整體價值者，該更換之新品即非屬損害發生前物之原狀，則該更換新品所支出之費用，應予計算其折舊。茲就原告請求之A車修復費用，審酌如下：　⒈查A車因本件車禍受損，需花費386,900元（含零件301,600元、工資85,300元）修繕，固據原告提出榮光電機行111年5月 23日估價單3張為憑（見本院卷第147-151頁），惟依證人即榮光電機行老闆呂學昌於本院證稱：維修費金額30萬元左右，後來有打折，實收30萬元等語（見本院卷第341頁），是零件及工資亦應分別按比例減少至233,859元（計算式：301 ,600×300,000/386,900≒233,859，元以下四捨五入，下同）及66,141元（85,300×300,000/386,900≒66,141）。　⒉除實際維修費用與估價單所載費用不同外，被告就估價單所載修復項目亦有所爭執。經查：　⑴觀諸原告提供之兩車碰撞照片（見本院卷第153-155頁），A 車係左前車身與B車發生碰撞，而附表編號1-4、7-8、11、1 4、20、21、25-28、30-31、33-37之修復，均與A車碰撞位置相符，堪認屬必要之修復項目。　⑵而就附表編號5之水箱護罩、6之水箱護罩(上)、9之大燈清洗器、10之水箱架、12之噴水馬達、13之噴水桶、15之大燈噴水管、16之內規蓋板、17之加冷媒、18之大燈放大器、19之 HID燈泡、22之水扇馬達、29之前內龜座校正、32之水箱架拆裝、38之冷卻液等修復項目，證人亦有如附表「證人說明」欄位所示解釋此些修復項目與A車毀損間之關聯與修復目的，並提出修復前後之照片以為其佐證（見本院卷第342頁、第347-361頁），亦屬A車修復所必要。　⑶惟就附表編號23之剎車輔助汞浦、24之引擎電腦，經證人於本院證稱：剎車輔助汞浦是因為塑膠卡榫斷裂，我不知道這個為何會斷，他來的時候就是斷的；引擎電腦是控制引擎發動，我不知道為何會壞掉等語（見本院卷第342頁），且經被告詢問此二修復項目是否可能因撞擊而損壞後，證人亦僅表示不一定（見本院卷第343頁），而原告復未提出證據說明剎車輔助汞浦、引擎電腦之損壞與本件車禍之關聯性，是難認剎車輔助汞浦、引擎電腦屬A車之必要修復費用，自應予以扣除。又剎車輔助汞浦、引擎電腦均為零件，依估價單所載，其費用分別為10,500元及38,000元，共計48,500元（見本院卷第34-35頁、第149頁），依估價單所載費用與證人所稱修車實收費用之比例減少後，為37,607元（計算式：48 ,500×300,000/386,900≒37,607）。扣除剎車輔助汞浦、引擎電腦此二項之費用後，A車因本件車禍受損之修復費用中，零件費用為196,252元（計算式：233,859-37,607=196,25 2），工資費用為66,141元。　⒊又以新零件更換舊零件之零件折舊部分亦非必要，應予扣除。依行政院所頒固定資產耐用年數表及固定資產折舊率規定，非運輸業用客車、貨車之耐用年數為5年，依定率遞減法每年折舊1000分之369，且其最後1年之折舊額，加歷年折舊累計額，其總和不得超過該資產成本原額之9/10，並參酌營利事業所得稅查核準則第95條第6項規定「固定資產提列折舊採用定率遞減法者，以1年為計算單位，其使用期間未滿1 年者，按實際使用之月數相當於全年之比例計算之，不滿1 月者，以1月計」，A車之出廠日為99年3月15日（公路監理電子閘門記載出廠年月，未載明出廠日，依法推定為該月15 日），有原告行車執照、公路監理電子閘門查詢表可稽（見本院限制閱覽卷、本院卷第145頁），迄本件車禍發生時即1 11年5月17日，A車實際已使用逾5年，則零件再扣除折舊後之修復費用估定為19,625元（計算式：196,252×0.1≒19,625 ），加上其餘非屬零件之工資66,141元，合計為85,766元。　　　　㈣按損害之發生或擴大，被害人與有過失者，法院得減輕賠償金額，或免除之，民法第217條第1項定有明文。本件原告駕駛A車經前案判決認定亦有「在未劃分向線之道路上未靠右行駛」之過失，應負擔70%之過失責任，已如前述（有關肇責比例之認定，亦為前案判決爭點效之效力所及，依誠信原則應與前案判決結果為相同認定），是A車所受損害應再扣除70%之賠償責任，扣除後原告得請求之金額為25,730元（計算式：85,766×30%≒25,730元，小數點以下四捨五入），於此範圍內，原告請求為有理由，應予准許，逾此範圍則為無理由，應予駁回。　　　㈤末按給付無確定期限者，債務人於債權人得請求給付時，經其催告而未為給付，自受催告時起，負遲延責任；其經債權人起訴而送達訴狀，或依督促程序送達支付命令，或為其他相類之行為者，與催告有同一之效力；遲延之債務，以支付金錢為標的者，債權人得請求依法定利率計算之遲延利息；應付利息之債務，其利率未經約定，亦無法律可據者，週年利率為5％，民法第229條第2項、第233條第1項前段、第203 條分別定有明文。本件原告請求被告損害賠償屬未定期限債務，則依前述規定，原告得請求自本件起訴狀繕本送達被告翌日即113年6月14日（見本院卷第107頁）起至清償日止，按週年利率5％計算之利息。五、從而，原告依侵權行為法律關係，請求被告給付25,730元及自113年6月14日起至清償日止，按週年利率5％計算之利息為有理由，應予准許，逾此範圍之請求，則無理由，應予駁回。六、本件原告勝訴部分，係就民事訴訟法第427條第1項訴訟適用簡易程序所為被告敗訴之判決，依同法第389條第1項第3款規定，應依職權宣告假執行，原告聲請假執行部分不另准駁，並依同法第392條第2項規定宣告被告如預供擔保，得免為假執行，至於敗訴部分，其假執行聲請失所附麗，併予駁回。七、本件事證已臻明確，兩造其餘主張陳述及所提之證據，經本院斟酌後，認與判決結果不生影響，均毋庸再予論述。至於原告聲請本件再送肇事責任鑑定，亦已無必要，併此說明。八、訴訟費用負擔之依據：民事訴訟法第79條、第91條第3項。依職權確定本件訴訟費用額為4,190元（即第一審裁判費），由被告負擔279元，餘由原告負擔。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日　　　　　　　　　臺灣臺北地方法院新店簡易庭　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　陳紹瑜　　以上正本證明與原本無異。如不服本判決，應於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。（須按他造當事人之人數附繕本）。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　凃寰宇附表：編號修復項目修復類型出處證人說明（本院卷第342頁） 1 引擎蓋零件本院卷第147頁 2 前保桿 3 前保桿通風網 4 前保桿下巴 5 水箱護罩有塑膠破損。 6 水箱架(上) 有塑膠破損。 7 左大燈有破損。 8 大燈金框 9 大燈清洗器有破損。 10 水箱架指下層水箱架，有損壞。 11 保桿內鐵 12 噴水馬達被壓到，接管斷掉。 13 噴水桶被擠破而損壞。 14 左霧燈 15 大燈噴水管左前引擎蓋下方、左側大燈下，因擠壓受損。 16 內規蓋板蓋子剩一半。 17 加冷媒換水箱架導致冷媒漏出。 18 大燈放大器大燈上方，因擠壓壞掉。 19 HID燈泡大燈內燈泡，因擠壓壞掉。 20 左前輪弧 21 左前葉本院卷第149頁 22 水扇馬達水箱護罩內，位置偏左側，因擠壓壞掉。 23 剎車輔助汞浦塑膠卡榫斷裂，不知道斷掉原因。 24 引擎電腦控制引擎發動，不知道為何斷掉。 25 左前A柱校正工資本院卷第151頁 26 前擋玻璃拆裝 27 左前門鈑金 28 左前門烤漆 29 前內龜座校正內部擠壓到而變形。 30 引擎蓋拆裝 31 左前葉拆裝 32 水箱架拆裝換水箱架之工錢。 33 左前大樑校正 34 前保桿拆裝 35 引擎蓋內外烤漆 36 前保桿烤漆 37 左前葉烤漆 38 冷卻液即水香精，因拆裝水箱架會導致冷媒、冷卻液流掉。

2025-03-27

STEV-113-店簡-1070-20250327-1

北小

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損害賠償(交通)

臺灣臺北地方法院小額民事判決 114年度北小字第110號原告鄭奕餘訴訟代理人黃絲詩被告張碧華上列當事人間請求損害賠償(交通)事件，本院於民國114年3月13 日言詞辯論終結，判決如下︰　　主　　文被告應給付原告新臺幣柒仟壹佰伍拾柒元。原告其餘之訴駁回。訴訟費用新臺幣壹仟元由被告負擔百分之六十，及自本判決確定之翌日起至清償日止，按週年利率百分之五計算之利息，餘由原告負擔。本判決第一項得假執行。但被告如以新臺幣柒仟壹佰伍拾柒元為原告預供擔保後，得免為假執行。　　理由要領壹、程序部分：一、按因侵權行為涉訟者，得由行為地之法院管轄，民事訴訟法第15條第1項定有明文。經查，本件侵權行為地在臺北市中山區，屬本院轄區，故本院具有管轄權，合先敘明。　　二、按訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴，但擴張或減縮應受判決事項之聲明者，不在此限，民事訴訟法第255 條第1項第3款定有明文；此項規定於小額訴訟程序準用之（民事訴訟法第436條之23、第436條第2項參照）。本件原告起訴聲明原為「被告應給付原告新臺幣（下同）21,106元」，嗣於本院民國114年3月13日言詞辯論程序中減縮聲明如聲明所示，參酌前揭規定，程序並無不合，應予准許。三、本件被告經合法通知，未於言詞辯論期日到場，核無民事訴訟法第386條所列各款情形，爰依原告之聲請，由其一造辯論而為判決。貳、實體部分：一、原告起訴主張：原告於113年9月13日下午2時30分許，駕駛車牌號碼000-0000號計程車，行經臺北市○○區○○路00號處，遭被告騎乘車牌號碼000-0000號普通重型機車由左後方撞擊原告車輛，原告因本件事故支出車輛維修費用及受有營業損失，爰依侵權行為法律關係提起本件訴訟。並聲明：被告應給付原告11,928元。二、被告未於言詞辯論期日到場，亦未提出書狀為任何聲明或陳述。三、原告主張之事實，業據提出臺北市政府警察局中山分局道路交通事故當事人登記聯單、道路交通事故照片黏貼紀錄表、估價單、車資證明、道路交通事故初步分析研判表、訊息紀錄截圖為證（見本院卷第15至25頁），並有本院調取之交通事故肇事資料在卷可稽（見本院卷第29至39頁），而被告經本院合法通知，未於言詞辯論期日到場，復未提出書狀答辯供本院斟酌，依民事訴訟法第280條第3項準用同條第1項規定，視同自認，自堪信原告之主張為真正，是本件原告因被告之過失行為受有損害，依侵權行為規定，得請求被告賠償車輛維修費用及營業損失11,928元。四、惟按損害之發生或擴大，被害人與有過失者，法院得減輕賠償金額或免除之，民法第217條第1項定有明文。此項規定之目的在謀求加害人與被害人間之公平，倘受害人於事故之發生亦有過失時，由加害人負全部賠償責任，未免失諸過酷，是以賦與法院得不待當事人之主張，減輕其賠償金額或免除之職權。換言之，基於過失相抵之責任減輕或免除，非僅為抗辯之一種，亦可使請求權全部或一部為之消滅，故裁判上得以職權斟酌之。本件事故依道路交通事故初步分析研判表記載被告涉及之肇事因素為「⒈未注意車前狀況」，原告涉及之肇事原因為「併排臨時停車。<第55條第1項第4款>」（見本院卷第29頁），本院審酌二造對本件車禍發生之原因力及違反義務之程度，認為被告就本件事故之過失責任比例應為百分之60，原告則為百分之40，爰依首揭規定減輕被告賠償金額，故原告得請求被告賠償之金額為7,157元（計算式：11,928×0.6＝7,156.8，小數點後四捨五入）。五、綜上所述，原告依侵權行為法律關係，請求被告給付7,157 元，為有理由，應予准許，逾此範圍之請求，則無理由，應予駁回。六、本件原告勝訴部分係小額程序為被告敗訴之判決，依民事訴訟法第436條之20規定，應依職權宣告假執行。本院並依同法第392條第2項之規定，依職權宣告被告預供擔保，得免為假執行。　　七、訴訟費用負擔之依據：民事訴訟法第79條。本件訴訟費用額，依後附計算書確定如主文第3項所示之金額。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日　　　　　　　　　臺北簡易庭　　法　官　江宗祐以上正本係照原本作成。如對本判決不服，須於判決送達後20日內向本庭（臺北市○○區○○ ○路0段000巷0號）提出上訴狀，並按他造當事人之人數附繕本。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　高秋芬訴訟費用計算書：項　　　　目　　　　　　金　額（新臺幣）　　　　備　註第一審裁判費　　　　　　　 1,000元合　　　　計　　　　　　　1,000元附錄：一、民事訴訟法第436條之24第2項：　　對於小額程序之第一審裁判上訴或抗告，非以其違背法令為理由，不得為之。二、民事訴訟法第436條之25：　　上訴狀內應記載上訴理由，表明下列各款事項：　　㈠原判決所違背之法令及其具體內容。　　㈡依訴訟資料可認為原判決有違背法令之具體事實。

2025-03-27

TPEV-114-北小-110-20250327-1

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侵權行為損害賠償(交通)

臺灣士林地方法院小額民事判決 114年度士小字第266號原告新安東京海上產物保險股份有限公司法定代理人藤田桂子訴訟代理人蔡志宏被告陳禎騏訴訟代理人李卡特被告藍凰洲上列當事人間請求侵權行為損害賠償事件，本院於民國114年3月 13日言詞辯論終結，判決如下：　　主　文被告應連帶給付原告新臺幣貳萬柒仟貳佰壹拾元，及自民國一百一十三年十二月三十一日起至清償日止，按週年利率百分之五計算之利息。原告其餘之訴駁回。訴訟費用新臺幣壹仟元，由被告連帶負擔其中新臺幣捌佰參拾貳元，及自本判決確定翌日起至清償日止，按週年利率百分之五計算之利息，餘由原告負擔。本判決原告勝訴部分得假執行。　　事實及理由要領壹、程序部分：一、按因侵權行為涉訟者，得由行為地之法院管轄，民事訴訟法第15條第1項定有明文。查本件原告主張之侵權行為地為新北市淡水區，本院自有管轄權，合先敘明。二、按不變更訴訟標的，而補充或更正事實上或法律上之陳述者，非為訴之變更或追加，民事訴訟法第256條定有明文。於訴訟進行中，原告將被告蘭鳳洲變更為被告乙○○，僅係更正被告之姓名，無礙於被告人別同一，屬更正事實上之陳述，依照民事訴訟法第256條之規定，應非訴之變更或追加。三、被告乙○○經合法通知，無正當理由未於言詞辯論期日到場，亦未提出書狀作何聲明、陳述，核無民事訴訟法第386條各款所列情形，爰依原告聲請，由其一造辯論而為判決。貳、實體部分：一、原告起訴主張：民國111年12月27日上午9時39分許，於新北市淡水區關渡橋道路往淡水方向，被告甲○○駕駛車牌號碼00 0-0000號普通重型機車、被告乙○○駕駛車牌號碼000-000普通重型機車，均因未保持行車安全距離，撞損原告所承保之訴外人安維斯汽車租賃股份有限公司所有、由訴外人李冠美為駕駛之車牌號碼000-0000號租賃小客車（下稱系爭車輛），原告因本件交通事故已給付被保險人新臺幣（下同）32,6 93元。爰依民法第184條第1項前段、第185條第1項、第191 條之2、第196條侵權行為損害賠償請求權、保險法第53條第 1項保險代位請求權等規定提起本件訴訟，並聲明：被告應連帶給付原告32,693元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按週年利率百分之5計算之利息。二、被告各自答辯：（一）被告甲○○則以：同意賠償原告，但是應由被告2人各負一半之責任等語，資為抗辯。（二）被告乙○○未於言詞辯論期日到場，亦未以書狀作何聲明或陳述。三、本院得心證之理由：（一）按因故意或過失，不法侵害他人之權利者，負損害賠償責任；數人共同不法侵害他人之權利者，連帶負損害賠償責任；汽車、機車或其他非依軌道行駛之動力車輛，在使用中加損害於他人者，駕駛人應賠償因此所生之損害；不法毀損他人之物者，被害人得請求賠償其物因毀損所減少之價額，民法第184條第1項前段、第185條第1項前段、第19 1條之2前段、第196條分別定有明文。再按物被毀損時，被害人除得依民法第196條請求賠償外，並不排除民法第2 13條至第215條之適用；依民法第196條請求賠償物被毀損所減少之價額，得以修復費用為估定之標準，但以必要者為限（例如：修理材料以新品換舊品，應予折舊）（最高法院77年度第9次民事庭會議決議(一)參照）。末按被保險人因保險人應負保險責任之損失發生，而對於第三人有損失賠償請求權者，保險人得於給付賠償金額後，代位行使被保險人對於第三人之請求權；但其所請求之數額，以不逾賠償金額為限，保險法第53條第1項亦有明文。（二）經查，原告主張之事實，業據提出與其所述相符之行車執照、新北市政府警察局道路交通事故當事人登記聯單、新北市政府警察局道路交通事故初步分析研判表、鈑噴估價單、結帳明細表、系爭車輛照片、統一發票等件為證，並經本院依職權調取本件道路交通事故現場圖、道路交通事故調查報告表（一）（二）、淡水交通分隊道路交通事故談話紀錄表、現場照片等資料查核明確；而被告甲○○表示同意賠償原告，被告乙○○則經合法通知無正當理由未到場，亦未提出任何具體的聲明、陳述及答辯，是本院綜合上開各項證據調查結果及全辯論意旨，堪信原告之主張為真實。從而，原告本於上開法律規定，請求被告連帶賠償系爭車輛修復費用，應屬有據。（三）依原告所提之鈑噴估價單所示，其修復費用為32,693元（其中工資5,680元、塗裝10,804元、材料16,209元），然而以新零件更換舊零件之零件折舊部分非屬必要費用，應予扣除。茲查，系爭車輛係於111年2月15日出廠使用（行車執照僅記載出廠年月，未載明出廠日，依法推定為該月 15日），有行車執照影本附卷可稽，依行政院所頒固定資產耐用年數表及固定資產折舊率表之規定，汽車耐用年數為5年，依定率遞減法每年應折舊千分之369，且參酌營利事業所得稅查核準則第95條第6項規定「固定資產提列折舊採用平均法或定率遞減法者，以1年為計算單位，其使用期間未滿1年者，按實際使用之月數相當於全年之比例計算之，不滿1月者，以1月計」而為計算，則算至本件事故發生時之111年12月27日，系爭車輛已使用11月，是原告就零件部分，所得請求被告賠償之範圍，扣除折舊之後，應以10,726元（計算式詳附表）為限，加上其餘非屬零件之工資5,680元、塗裝10,804元，合計為27,210元。（四）又按數人共同不法侵害他人之權利者，連帶負損害賠償責任；連帶債務之債權人，得對於債務人中之一人或數人或其全體，同時或先後請求全部或一部之給付，民法第185 條第1項前段、第273條第1項，定有明文。次按共同侵權行為之成立，以各加害行為有客觀的共同關連性，亦即各加害行為均為其所生損害之共同原因為已足，不以各行為人間有意思聯絡為必要。經查，系爭車輛因本件事故致受有損害，被告2人之過失行為，就該損害之發生為共同之原因。是依前開規定及說明，被告2人就原告所受損害27, 210元部分，即應負連帶清償之責。至於被告2人間之過失比例輕重，觀諸新北市政府警察局道路交通事故初步分析研判表所載，被告2人均有與前車之間未保持隨時可以煞停之距離之過失，故本院認被告甲○○應負擔50%之過失責任，被告乙○○亦應負擔50%之過失責任，應屬適當，惟該部分核屬連帶債務人即被告2人內部分擔問題，無礙於原告得就其所受27,210元之損害，請求被告2人為全部連帶給付之責，是被告甲○○主張其僅需負擔一半之責任，並無理由。（五）末按給付無確定期限者，債務人於債權人得請求給付時，經其催告而未為給付，自受催告時起，負遲延責任；其經債權人起訴而送達訴狀，或依督促程序送達支付命令，或為其他相類之行為者，與催告有同一之效力；又遲延之債務，以支付金錢為標的者，債權人得請求依法定利率計算之遲延利息；又應付利息之債務，其利率未經約定，亦無法律可據者，週年利率為百分之5，民法第229條第2項、第233條第1項前段、第203條分別定有明文。查本件原告請求被告連帶給付侵權行為損害賠償事件，未經原告舉證證明定有期限，應認屬未定期限債務，依上開規定，被告應自受催告時起始負遲延責任，是原告請求法定遲延利息部分，其得請求自本件起訴狀繕本送達被告翌日即均為11 3年12月31日起至清償日止，按週年利率百分之5計算之利息，自屬有據。（六）從而，原告依上開法律關係，請求被告連帶給付27,210元及均自113年12月31日起至清償日止，按週年利率百分之5 計算之利息，為有理由，應予准許，逾此範圍之請求，則無理由，應予駁回。四、本件原告勝訴部分係就民事訴訟法第436條之8第1項適用小額程序所為被告部分敗訴之判決，依同法第436條之20規定，應就原告勝訴部分依職權宣告假執行。五、訴訟費用負擔之依據：民事訴訟法第79條、第436條第2項、第436條之23。依職權確定訴訟費用額為1,000元（第一審裁判費），其中832元（元以下四捨五入）由被告連帶負擔，及自本判決確定翌日起至清償日止，按週年利率百分之5計算之利息，餘由原告負擔。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日　　　　　　　　　士林簡易庭　法　官　葛名翔以上正本係照原本作成。如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並應記載上訴理由，表明關於原判決所違背之法令及其具體內容與依訴訟資料可認為原判決有違背法令之具體事實，並繳納上訴費新臺幣 2,250元，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（須附繕本）。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日　　　　　　　　　　　　　　書記官　詹禾翊附表：折舊時間　　　　　金額第1年折舊值　　　　16,209×0.369×(11/12)=5,483 第1年折舊後價值　　16,209-5,483=10,726

2025-03-27

SLEV-114-士小-266-20250327-1

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臺灣士林地方法院小額民事判決 114年度士小字第278號原告和泰產物保險股份有限公司法定代理人蔡伯龍訴訟代理人李易其黃于珍被告林淑貞上列當事人間侵權行為損害賠償事件，本院於114年3月13日言詞辯論終結，本院判決如下：　　主　文被告應給付原告新臺幣壹萬零柒拾柒元，及自民國一百一十三年十二月六日起至清償日止，按年息百分之五計算之利息。原告其餘之訴駁回。訴訟費用新臺幣壹仟元，其中新臺幣伍佰零參元由被告負擔，並自本判決確定之翌日起至清償日止，加給按年息百分之五計算之利息，餘由原告負擔。本判決原告勝訴部分得假執行。　　　　理由要領一、查本件原告主張之侵權行為地為臺北市大同區，本院自有管轄權。又被告經合法通知，未於言詞辯論期日到場，核無民事訴訟法第386條所列各款情事，爰依原告之聲請，准由其一造辯論而為判決。二、本件除下列有關賠償金額之判斷外，無其他爭執事項，依同法第436條之18第1項規定，僅記載主文，其餘理由要領省略。三、原告得請求被告賠償金額之判斷：　　按損害賠償以回復原狀為原則，於舊品以新品更換時，應扣除合理之折舊，方屬允當。本件參酌固定資產耐用年數表、固定資產折舊率、營利事業所得稅查核準則第95條第6項等規定，計算系爭車輛修繕費用更換零件應折舊金額及原告得請求被告賠償金額如附表一所示，逾此範圍之請求，為無理由，應予駁回。四、本件係就民事訴訟法第436條之8第1項適用小額訴訟程序所為被告部分敗訴之判決，依同法第436條之20規定，應依職權就原告勝訴部分宣告假執行，另依同法第79條、第91條第 3項之規定職權確定訴訟費用額為新臺幣(下同)1000元（第一審裁判費），其中503元應由被告負擔，並自本判決確定之翌日起至清償日止，加給按年息百分之五計算之利息，餘由原告負擔。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日　　　　　　　　　士林簡易庭　法　官　黃雅君　　　以上正本係照原本作成。如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並應記載上訴理由，表明關於原判決所違背之法令及其具體內容與依訴訟資料可認為原判決有違背法令之具體事實，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（須附繕本）。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　27　　日　　　　　　　　　　　　　　　書記官　吳尚文附表一：（元均為新臺幣）車輛出廠時間事故發生時間使用年限已使用時間 (註1) BAP-6580號自用小客車 108年1月 112年1月8日 5年 4年1月估價單所載零件費用扣除折舊後之零件費用 (註2) 估價單所載其餘費用  原告得請求被告給付之金額 ＋ 11750元 1806元 8271元 10077元註1：未足1月以1月計。註2：折舊累積總和不得超過該資產成本原額之十分之九，計算式詳附表二。附表二：折舊時間　　　　　金額第1年折舊值　　　　11,750×0.369=4,336 第1年折舊後價值　　11,750-4,336=7,414 第2年折舊值　　　　7,414×0.369=2,736 第2年折舊後價值　　7,414-2,736=4,678 第3年折舊值　　　　4,678×0.369=1,726 第3年折舊後價值　　4,678-1,726=2,952 第4年折舊值　　　　2,952×0.369=1,089 第4年折舊後價值　　2,952-1,089=1,863 第5年折舊值　　　　1,863×0.369×(1/12)=57 第5年折舊後價值　　1,863-57=1,806

2025-03-27

SLEV-114-士小-278-20250327-1

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臺灣臺北地方法院民事簡易判決 114年度北簡字第1511號原告凃伊姍訴訟代理人兼送達代收人蕭景方被告張聖忠訴訟代理人林恒緒上列當事人間請求損害賠償(交通)事件，本院於民國114年3月12 日言詞辯論終結，判決如下︰　　主　文被告應給付原告新臺幣陸萬貳仟伍佰元，及自民國一百一十三年十二月二日起至清償日止，按週年利率百分之五計算之利息。原告其餘之訴駁回。訴訟費用由被告負擔十分之九，餘由原告負擔。本判決第一項得假執行。但被告以新臺幣陸萬貳仟伍佰元為原告預供擔保，得免為假執行。原告其餘假執行之聲請駁回。　　事實及理由一、按因侵權行為涉訟者，得由行為地之法院管轄，民事訴訟法第15條第1項定有明文。經查，本件侵權行為地在臺北市○○ 區○○區0段000號處，有道路交通事故現場圖可稽（見本院卷第40頁），本院自有管轄權，合先敘明。次按訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴。但擴張或減縮應受判決事項之聲明者，不在此限，民事訴訟法第255條第1項但書第3 款定有明文。本件原告起訴時，訴之聲明第1項請求被告應給付原告新臺幣（下同）128,000元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息，有民事起訴狀可稽（見本院卷第11頁）；嗣於民國114年3月12日言詞辯論時，減縮聲明第1項為：被告應給付原告68,750元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息，亦有言詞辯論筆錄可按（見本院卷第93頁），參諸前揭規定，應予准許，併予敘明。二、原告主張略以：被告於113年8月2日上午7時46分許，駕駛車牌號碼000-0000號自用小客車(下稱系爭肇事車輛)，行經臺北市○○區○○區0段000號處時，因變換車道未保持行車安全間隔，致撞及原告所有而由訴外人蕭景方駕駛之車牌號碼000- 0000號自用小客車（下稱系爭車輛），造成系爭車輛前後受損，嗣系爭車輛送修後，經另送鑑定認定系爭車輛車價減損達118,000元，並支出鑑定費用10,000元，合計128,000元，爰依侵權行為法律關係，請求被告賠償68,750元，為此提起本件訴訟等語。並聲明：㈠被告應給付原告68,750元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息；㈡願供擔保，請准宣告假執行。三、被告則以：我們認為系爭車輛的車價非235萬元而應以210 萬元來計算，又參照中華民國汽車鑑價協會及實際車價210 萬元，以210萬元乘上2.5％來計算折價，故折價應為52,500 元等語，資為抗辯，並聲明：原告之訴駁回。四、本院得心證之理由：　㈠原告主張被告於上開時、地，駕駛系爭肇事車輛，因未保持行車安全間隔而撞及系爭車輛，造成系爭車輛受損，業據其提出與所述相符之道路交通事故初步分析研判表、道路交通事故照片黏貼紀錄表、中華民國汽車鑑價協會113年10月25 日113年度泰字第616號函、系爭車輛行車執照、系爭車輛照片、權威車訊、車體結構碰撞部位鑑定價格折損表、鑑價費統一發票為證（見本院卷第15-35頁），並經本院依職權向臺北市政府警察局交通警察大隊調閱道路交通事故調查初步分析研判表、道路交通事故現場圖、道路交通事故補充資料表、A3類道路交通事故調查紀錄表、道路交通事故當事人登記聯單、道路交通事故照片黏貼紀錄表為憑（見本院卷第39 -48頁），且被告對於肇事責任亦無爭執，堪認原告之主張應為真實。　㈡按因故意或過失，不法侵害他人之權利者，負損害賠償責任，民法第184條第1項前段定有明文。又汽車行駛時，駕駛人應注意車前狀況及兩車並行之間隔，並隨時採取必要之安全措施，道路交通安全規則第94條第3項前段並定有明文。本件被告駕駛系爭肇事車輛，因未保持行車安全間隔致車禍肇事，且被告對於肇事責任亦無爭執，已如上述，揆諸民法第184條第1項前段規定，被告自應負侵權行為損害賠償責任。茲就原告請求之車價減損及鑑定費部分損害賠償，審核如下：　⒈損害賠償之目的在於填補所生之損害，其應回復者，係損害事故發生前之應有狀態，自應將事故發生後之變動狀況悉數考量在內，故於物被毀損時，被害人除得請求修補或賠償修繕費用，以填補技術性貶值之損失而回復物之物理性原狀外，就其物因毀損所減少之交易價值，亦得請求賠償，以填補交易性貶值之損失而回復物之價值性原狀（最高法院105年度台上字第2320號判決參照）。系爭車輛如因本件車禍事故交易價值有所貶損，等同於使該車輛使用人使用較低財產價值之車輛，而此財產價值上之損害，並非未經出售即未實現，而本件原告係請求「物因毀損所減少之價額」而非「交易上之損害」，故不論系爭車輛有無出售，只要價額減損，即可請求。　⒉原告主張受有車價減損118,000元及鑑定費用10,000元之損害，並提出中華民國汽車鑑價協會113年10月25日113年度泰字第616號函、鑑定費統一發票及債權讓與書等件為證(見本院卷第21-35、107頁)。被告則陳稱：經參考上開資料計算後，車價減損應為52,500元等語，原告亦表示基於訴訟經濟就此不爭執，有本院言詞辯論筆錄可證（見本院卷第94頁），準此，原告主張系爭車輛受有車價減損52,500元，故請求賠償車價減損52,500元及所支出之鑑定費用10,000元，合計62 ,500元，堪認有據；又依原告所提證據，尚難認逾此範圍之請求堪足為據，即無從准許，附予敘明。　㈢末按遲延之債務，以支付金錢為標的者，債權人得請求依法定利率計算之遲延利息；應付利息之債務，其利率未經約定，亦無法律可據者，週年利率為百分之五；給付無確定期限者，債務人於債權人得請求給付時，經其催告而未為給付，自受催告時起，負遲延責任。其經債權人起訴而送達訴狀，或依督促程序送達支付命令，或為其他相類之行為者，與催告有同一之效力，民法第233條第1項前段、第203條、第229 條第2項分別有明文規定。本件原告之請求，核屬無確定期限之給付，自應經原告催告未為給付，被告始負遲延責任。準此，原告請求被告給付自起訴狀繕本送達翌日即113年12 月2日（見本院卷第53頁）起至清償日止，按週年利率5%計算之利息，核無不合，併予准許。　　五、綜上所述，原告據以提起本訴，請求被告給付62,500元，及自113年12月2日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息，為有理由，應予准許，逾此範圍之請求，為無理由，應予駁回。六、本件原告勝訴部分係就民事訴訟法第427條第1項訴訟適用簡易程序所為被告敗訴之判決，依同法第389條第1項第3款規定，應依職權宣告假執行，並依同法第392條第2項規定，依職權宣告被告如預供擔保，得免為假執行。七、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊防禦方法及證據，核與判決之結果不生影響，爰不一一論列，併此敘明。八、訴訟費用負擔之依據：民事訴訟法第79條。　　　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　26 　日　　　　　　　　　臺北簡易庭　法　官　陳仁傑以上正本證明與原本無異。如不服本判決，應於判決送達後20日內向本庭（臺北市○○區○ ○○路0段000巷0號）提出上訴狀。（須按他造當事人之人數附繕本）。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　26 　日　　　　　　　　　　　　　　　書記官　黃進傑

2025-03-26

TPEV-114-北簡-1511-20250326-1

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損害賠償(交通)

臺灣臺北地方法院簡易民事判決 113年度北簡字第13057號原告第一產物保險股份有限公司法定代理人李正漢訴訟代理人楊勝凱江文儒被告鄭向恩上列當事人間請求損害賠償(交通)事件，本院於民國114年3月12 日言詞辯論終結，判決如下︰　　主　　文被告應給付原告新臺幣貳拾參萬肆仟捌佰貳拾貳元，及自民國一百一十四年二月二十七日起至清償日止，按週年利率百分之五計算之利息。原告其餘之訴駁回。訴訟費用新臺幣肆仟參佰元，由被告負擔百分之六十，及自本判決確定之翌日起至清償日止，按週年利率百分之五計算之利息，餘由原告負擔。本判決第一項得假執行。但被告如以新臺幣貳拾參萬肆仟捌佰貳拾貳元為原告預供擔保後，得免為假執行。　　事實及理由壹、程序部分：一、按因侵權行為涉訟者，得由行為地之法院管轄，民事訴訟法第15條第1項定有明文。經查，本件侵權行為地在臺北市中山區，屬本院轄區，故本院具有管轄權，合先敘明。二、本件被告經合法通知，未於言詞辯論期日到場，核無民事訴訟法第386條所列各款情形，爰依原告之聲請，由其一造辯論而為判決。貳、實體部分：一、原告起訴主張：被告於民國111年9月29日晚間9時許，駕駛車牌號碼0000-00號自用小客車，行經臺北市市民大道3段與新生北路1段路口處，因未注意車前狀況之過失，致撞擊原告所承保訴外人和運租車股份有限公司所有、何佳蓉駕駛之車牌號碼000-0000號租賃小客車，原告已依保險契約賠付車輛修復費用新臺幣（下同）392,401元，爰依民法第191條之 2、保險法第53條規定提起本訴等語。並聲明：被告應給付原告392,401元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按週年利率5％計算之利息。二、被告未於言詞辯論期日到場，亦未提出書狀為任何聲明或陳述。三、原告主張之事實，業據提出汽車保險計算書、電子發票證明聯、臺北市政府警察局中山分局道路交通事故當事人登記聯單、道路交通事故初步分析研判表、行車執照、估價單、車損照片為證（見本院卷第13至47頁），並有本院調取之交通事故肇事資料在卷可稽（見本院卷第51至61頁），而被告經本院合法通知，未於言詞辯論期日到場，復未提出書狀答辯供本院斟酌，依民事訴訟法第280條第3項準用同條第1項規定，視同自認，自堪信原告之主張為真正。四、按汽車、機車或其他非依軌道行駛之動力車輛，在使用中加損害於他人者，駕駛人應賠償因此所生之損害。負損害賠償責任者，除法律另有規定或契約另有訂定外，應回復他方損害發生前之原狀。債權人得請求支付回復原狀所必要之費用，以代回復原狀，民法第191條之2、第213條第1項、第3項分別定有明文。原告車輛於110年6月出廠，有行車執照足憑（見本院卷第21頁），迄111年9月29日事故發生時止，已出廠1年4個月，該車因本件事故支出修復費用392,401元（鈑金21,570元、塗裝18,000元、材料352,831元），有估價單、電子發票證明聯可證（見本院卷第15、23至29頁），其修復方式係以新零件更換被毀損之舊零件，則計算損害賠償額時，自應將零件折舊部分予以扣除（最高法院77年5月17日第9次民事庭會議決議參照），而依行政院所發布之固定資產耐用年數表及固定資產折舊率表，自小客車之耐用年數為 5年，依定率遞減法每年應折舊369/1000，且採用定率遞減法者，其最後一年之折舊額，加歷年折舊累計額，其總和不得超過該資產成本原額之10分之9。參以修正前所得稅法第5 4條第3項規定「採用定率遞減法者，其最後一年度之未折減餘額，以等於成本十分之一為合度」，並參酌營利事業所得稅查核準則第95條第6項規定「固定資產提列折舊採用平均法、定率遞減法或年數合計法者，以1年為計算單位，其使用期間未滿1年者，按實際使用之月數相當於全年之比例計算之，不滿1月者，以1月計」，循此方式計算扣除折舊後之零件費用如附表所示，加計鈑金、塗裝費用後為234,822元，此即原告得請求之修復費用。　　五、綜上所述，原告依代位求償及侵權行為法律關係，請求被告給付234,822元，及自起訴狀繕本送達翌日（即114年2月27日，見本院卷第91頁送達證書）起至清償日止，按週年利率5％計算之利息，為有理由，應予准許，逾此範圍之請求，則無理由，應予駁回。　　　　　　　　　　六、本件原告勝訴部分係就民事訴訟法第427條第1項訴訟適用簡易程序所為被告敗訴之判決，依同法第389條第1項第3款規定，就被告敗訴部分應依職權宣告假執行。並依同法第392 條第2項規定，依職權宣告被告預供擔保，得免為假執行　七、訴訟費用負擔之依據：民事訴訟法第79條。本件訴訟費用額，依後附計算書確定如主文第3項所示之金額。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　26　　日　　　　　　　　　臺北簡易庭　　法　官　江宗祐以上正本係照原本作成。如對本判決不服，須於判決送達後20日內向本庭（臺北市○○區○○ ○路0段000巷0號）提出上訴狀，並按他造當事人之人數附繕本。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　26　　日　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　高秋芬訴訟費用計算書：項　　　　目　　　　　　金　額（新臺幣）　　　　備　註第一審裁判費　　　　　　　 4,300元合　　　　計　　　　　　　4,300元附表：折舊時間　　　　　金額第1年折舊值　　　　352,831×0.369=130,195 第1年折舊後價值　　352,831-130,195=222,636 第2年折舊值　　　　222,636×0.369×(4/12)=27,384 第2年折舊後價值　　222,636-27,384=195,252

2025-03-26

TPEV-113-北簡-13057-20250326-1

北簡

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損害賠償(交通)

臺灣臺北地方法院民事裁定　　　　　　　　　　　　　　　　 114年度北簡字第2566號原告富邦產物保險股份有限公司法定代理人賴榮崇被告梁永能上列當事人間請求損害賠償（交通）事件，本院裁定如下：　　主　　文本件移送臺灣新北地方法院。　　理　　由一、按訴訟，由被告住所地之法院管轄；因侵權行為涉訟者，得由行為地之法院管轄，民事訴訟法第1條第1項前段、第15條第1項定有明文。又依同法第28條第1項規定，訴訟之全部或一部，法院認為無管轄權者，依原告聲請或依職權以裁定移送於其管轄法院。二、查本件被告住所地係在屏東縣高樹鄉；侵權行為地在新北市中和區，有被告個人戶籍資料查詢結果及新北市政府警察局中和分局中原派出所受(處)理案件證明單各1件在卷可稽，依民事訴訟法第1條第1項、第15條第1項之規定，臺灣屏東或新北地方法院俱有管轄權。原告向無管轄權之本院起訴，顯係違誤，審酌兩造應訴及本件證據調查便利性，爰依職權移送於臺灣新北地方法院。三、依民事訴訟法第28條第1項，裁定如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　26　　日　　　　　　　　　　　　　　臺北簡易庭　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　郭麗萍以上正本證明與原本無異。如不服本裁定，應於裁定送達後10日內向本庭提出抗告狀（須按他造當事人人數附繕本），並繳納抗告裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　26　　日　　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　陳怡如

2025-03-26

TPEV-114-北簡-2566-20250326-1