Know99判決書

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確認僱傭關係存在等

臺灣臺北地方法院民事裁定 114年度重勞訴字第26號原告李姿慧訴訟代理人翁林瑋律師王佩絹律師被告睿智科技股份有限公司RIVOS SYSTEMS TAIWAN INC . 法定代理人 PUNEET KUMAR 訴訟代理人呂光律師朱仙莉律師鍾郡律師上列當事人間請求確認僱傭關係存在等事件，原告起訴聲明請求：「㈠確認兩造間僱傭關係存在。㈡被告應自民國113年7月20日起至原告復職日止，按月於每月月底前給付原告新臺幣（下同）41 萬2,963元，及於各期應給付日次日起至清償日止，按年息百分之5計算之利息。㈢被告應自113年7月20日起至原告復職日止，按月提繳9,000元至原告於勞動部勞工保險局設立之勞工退休金個人專戶。㈣被告應給付原告6萬2,984元，及自113年8月1日起至清償日止，按年息百分之5計算之利息。㈤被告應給付原告1元，及自民事起訴狀繕本送達被告翌日起至清償日止，按年息百分之5 計算之利息。」按以一訴主張數項標的者，其價額合併計算之。但所主張之數項標的互相競合或應為選擇者，其訴訟標的價額，應依其中價額最高者定之，民事訴訟法第77條之2第1項有明文。請求確認僱傭關係存在及給付薪資，雖為不同訴訟標的，惟自經濟上觀之，其訴訟目的一致，不超出終局標的範圍，訴訟標的之價額，應擇其中價額較高者定之（最高法院110年度台抗字第897 號裁定要旨參照）。又按因定期給付涉訟，其訴訟標的之價額，以權利存續期間之收入總數為準，期間未確定時，應推定其存續期間，但超過5年者，以5年計算；因確認僱傭關係或給付工資、退休金或資遣費涉訟，勞工起訴暫免徵收裁判費3分之2，勞動事件法第11條、第12條第1項亦有明文。經查： (一)上開訴之聲明第一項請求確認僱傭關係存在與訴之聲明第二、三項請求工資及提繳勞退金部分，雖為不同訴訟標的，惟自經濟上觀之，其訴訟目的一致，不超出終局標的範圍，應認數項標的互相競合，訴訟標的價額應擇其中價額最高者即訴之聲明第一項之價額定之。依據原告之勞保異動查詢、勞工退休金個人專戶明細資料記載，原告為00年0月生（見本院卷第67、101至109頁），距勞動基準法第54條第1項第1款強制退休年齡（滿65歲）止，可工作期間超過5年，依前開規定，該項訴訟標的價額應以原告於兩造僱傭關係存續之5 年間之收入總數計算，以原告主張之每月薪資41萬2,963元，加計被告應按月提繳之勞工退休金9,000元計算，原告5年之工資收入總額合計為新臺幣（下同）2,531萬7,780元【計算式：（41萬2,963元＋9,000元）×12月×5年＝2,531萬7,780 元】，並依修後正之民事訴訟法第77條之2第2項規定併算起訴前之孳息1,075元【第一筆應付日翌日即113年8月1日起算至起訴前一日即113年8月19日計為19日，計算式：41萬2,96 3元×5%×19/365＝1,074.84元，元以下四捨五入】，合計為2, 531萬8,855元（計算式：2,531萬7,780元＋1,075元＝2,531萬 8,855元），原應徵第一審裁判費23萬4,816 元，然此部分請求性質屬於確認僱傭關係或給付工資，依勞動事件法第12 條第1項規定，得暫免徵收裁判費三分之二，即應先徵收7萬 8,272元（計算式：23萬4,816元－23萬4,816元×2/3＝7萬8,27 2元）。 (二)訴之聲明第四項原告請求被告給付出差行程代墊費用6萬2,9 84元，並依修正後之民事訴訟法第77條之2第2項規定併算起訴前之孳息164元【113年8月1日起算至起訴前一日即113年8 月19日計為19日，計算式：6萬2,984×5%×19/365＝163.93元，元以下四捨五入】，是此項訴訟標的金額核為6萬3,148元（計算式：6萬2,984元＋164元＝6萬3,148元）。加計訴之聲明第五項原告請求被告賠償非財產上損害1元，此部分訴訟標的價額核為6萬3,149元（計算式：6萬3,148元＋1元＝6萬3, 149元），應徵第一審裁判費1,000元。 (三)綜上，本件應暫先徵收裁判費7萬9,272元（計算式：7萬8,2 72元＋1,000元＝7萬9,272元），扣除原告起訴時已繳納之7萬 8,477元，尚欠795元。茲依勞動事件法第15條、民事訴訟法第249條第1項但書之規定，限原告於收受本裁定送達後5日內補繳，逾期不繳，即駁回其訴。中華民國 114 年 3 月 28 日勞動法庭法官呂俐雯以上正本係照原本作成。如不服本裁定關於核定訴訟標的價額部分，應於送達後10日內向本院提出抗告狀，並繳納抗告費新臺幣1,500元。中華民國 114 年 3 月 28 日書記官吳芳玉

2025-03-28

TPDV-114-重勞訴-26-20250328-1

民著訴

智慧財產及商業法院

侵害著作權有關財產權爭議

智慧財產及商業法院民事裁定 113年度民著訴字第65號原告華特國際音樂股份有限公司法定代理人柯英高訴訟代理人陳光璞翁林瑋律師王佩絹律師被告林雅雯訴訟代理人石繼志律師江采綸律師參加人群唱企業有限公司法定代理人黃明剛上列當事人間侵害著作權有關財產權爭議，指定技術審查官馮聖原依智慧財產案件審理法第6條第1項規定，執行下列職務：一、為使訴訟關係明確，就事實上及法律上之事項，基於專業知識對當事人為說明或發問; 二、對證人或鑑定人為直接發問; 三、就本案向法官為意見之陳述; 四、於證據保全時協助調查證據; 五、於保全程序或強制執行程序提供協助; 六、於查證人實施查證時提供協助。中華民國 114 年 3 月 24 日智慧財產第二庭法官林惠君以上正本係照原本作成。本件不得抗告。中華民國 114 年 3 月 24 日書記官余巧瑄

2025-03-24

IPCV-113-民著訴-65-20250324-1

補

臺灣士林地方法院

履行契約

臺灣士林地方法院民事裁定 113年度補字第1642號原告潔貝菈國際生技有限公司法定代理人黃于容訴訟代理人翁林瑋律師王佩絹律師被告林語緹上列當事人間履行契約事件，原告起訴僅繳納部分裁判費。按以一訴附帶請求其起訴後之孳息、損害賠償、違約金或費用者，不併算其價額，民事訴訟法第77條之2第2項定有明文。查原告起訴請求被告給付新臺幣（下同）150萬元，及自民國113年12月6日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息。依前揭規定，其利息計算至原告起訴前一日即113年12月12日，故本件訴訟標的價額為1,501,438元（計算式詳如附表），應徵第一審裁判費15,949 元，扣除原告已繳15,850元裁判費後，原告尚應補繳99元。茲依民事訴訟法第249條第1項但書之規定，限原告於收受本裁定送達後7日內補繳，逾期未繳，即駁回原告之訴，特此裁定。中華民國 114 年 3 月 17 日民事第一庭法官蘇錦秀以上正本係照原本作成。核定訴訟標的價額部分，如不服裁定得於裁定送達後10日內向本院提出抗告狀，並繳納抗告裁判費新臺幣1,500元（若經合法抗告，命補繳裁判費之裁定，並受抗告法院之裁判）。中華民國 114 年 3 月 17 日書記官詹欣樺

2025-03-17

SLDV-113-補-1642-20250317-1

行專訴

智慧財產及商業法院

發明專利申請

智慧財產及商業法院行政判決 113年度行專訴字第30號民國114年1月2日辯論終結原告日商TDK股份有限公司代表人齋藤昇訴訟代理人翁林瑋律師何婉菁律師王大緯專利師被告經濟部智慧財產局代表人廖承威訴訟代理人陳俊宏上列當事人間因發明專利申請事件，原告不服經濟部中華民國11 3年4月1日經法字第11317300770號訴願決定，提起行政訴訟，本院判決如下：　　主文一、原處分及訴願決定均撤銷。二、被告應就第109141322號「磁化旋轉元件、磁阻效應元件、半導體元件、磁記錄陣列及磁阻效應元件的製造方法」發明專利申請案做成准予專利之審定。三、訴訟費用由被告負擔。　　事實及理由一、爭訟概要：　　原告前於民國109年11月25日以「磁化旋轉元件、磁阻效應元件、半導體元件、磁記錄陣列及磁阻效應元件的製造方法　　」向被告申請發明專利，並聲明以西元2019年11月26日申請之日本第2019-212835號及西元2020年10月14日申請之日本第2020-173445號專利案主張優先權，經被告編為第1091413 22號審查（下稱系爭申請案），不予專利；民國111年5月17 日原告申請再審查並修正申請專利範圍，復於被告112年4月 18日發給審查意見通知函後之同年7月18日提出申請專利範圍修正本。嗣被告依專利法第43條第4項規定，以112年8月4 日(112)智專三㈡04457字第11220757890號審查意見最後通知函，通知原告112年7月18日修正本之部分請求項未克服前揭審查意見通知函之不准專利事由，且有違專利法第22條第2 項規定；原告乃於112年11月2日提出申請專利範圍修正本及申復理由。案經被告審查，核認系爭申請案修正後仍有違前揭專利法規定，而以112年11月8日(112)智專議㈡04457字第1 1221127320號專利再審查核駁審定書為「不予專利」之處分（下稱原處分）。原告提起訴願後，經經濟部以113年4月1 日經法字第11317300770號為訴願駁回之決定（下稱訴願決定），原告仍未甘服，遂依法提起本件行政訴訟。二、原告主張及聲明： (一)原告於110年3月19日、111年1月28日、111年5月17日、112 年7月18日、112年11月2日提出系爭案申請專利範圍修正本　　，上開修正內容未超出申請時原說明書或圖式所揭露之範圍　　，修正後請求項共16項，其中第1、9、10、11、13、14、15 　　、16項為獨立項，其餘為附屬項。又請求項2至8是直接或間接依附至請求項1之附屬項，請求項10、11、13是以附屬形式包括請求項9全部特徵在內之獨立項，請求項12是直接依附至請求項11之附屬項，而請求項15、16並未發現不予專利之理由。是以系爭申請案專利範圍係指112年11月2日修正後之內容，先予敘明。 (二)系爭申請案相對附表之引證1（甲證3）、引證2（甲證4）之組合，或引證1、引證2、引證3（甲證5）之組合，具有進步性要件：　⒈引證1、2均未揭露請求項1之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」技術特徵，且該技術特徵相對於插入層只有1層之情況及超過6層之情況，可明確降低系爭申請案磁阻效應元件的寫入功率，此由圖17、18關於實施例1 的磁阻效應元件的寫入電流圖、寫入電壓圖及對應實驗數據可得知，而為該發明所屬技術領域中具有通常知識者依系爭專利申請案說明書及圖式的記載可直接且無歧異得知，且相對於插入層只有1層及7層的邊界值，所產生功效的顯著提升（量的變化），並非為插入層數量之簡單變更，而是產生無法預期之功效。況所屬領域具通常知識者並無動機結合引證 1、2，無法藉由引證2補足引證1所未揭露請求項1之「沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大」以及「上述插入層的厚度，為構成上述插入層的材料之自旋擴散長度以下」之技術特徵，故無否定進步性之因素。又引證1、2對於系爭申請案之專利發明具有反向教示（teach away），將引證2揭露的技術應用於引證1，而將引證2使電流有效集中或有效率流動的第二非磁性層14應用於引證1的金屬插入層2C，反而會使電流高度集中，無法達成引證1所欲避免電流集中於金屬插入層2C，目的完全相反且將會被勸阻而不會將引證2之技術應用於引證1 　　，故有肯定進步性之因素。因此，綜合考量後並無法建立不具進步性之論理，得判斷系爭申請案請求項1所載之發明具有進步性。準此，引證1、2並不足以揭露或教示系爭申請案請求項1所載發明的所有限制條件，符合專利法第22條第2項之進步性規定。　⒉系爭申請案請求項2至6、8係直接或間接依附於請求項1之附屬項，故請求項2至6、8具備請求項1的全部限制條件，因此　　，根據前述請求項1的相同理由，引證1、2之組合並不足以揭露或教示請求項2至6、8各自所有限制條件，故請求項2至 6、8的確符合專利法第22條第2項之規定。又系爭申請案請求項7係直接依附於請求項1之附屬項，故請求項7具備請求項1的限制條件，根據前述請求項1的相同理由，引證1、2之組合並不足以揭露或教示請求項7之限制條件。另引證3並未揭露系爭申請案請求項7之技術特徵，且非簡單變更，而是產生無法預期之功效，所屬技術領域具通常知識者亦無動機結合引證1、2及引證3，是引證1至3之組合並不足以揭露或教示請求項7之技術特徵。　⒊系爭申請案請求項9之「上述第2層有複數層，上述第2層的層數，在6層以下」，並未揭露於引證1、2，且非為第2層數量之簡單變更，而是產生無法預期之功效，所屬技術領域具通常知識者無動機結合引證1與引證2，無法藉由引證2補足引證1未揭露請求項9之「沿著上述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大，上述第2層的厚度，為構成上述第2層的材料之自旋擴散長度以下」之技術特徵　　，故無否定進步性之因素。又請求項9之「上述第2層有複數層，上述第2層的層數，在6層以下」具有無法預期之功效，且引證1及2對於系爭申請案之專利發明具有反向教示，故有肯定進步性之因素。因此，系爭申請案請求項9所載之發明具有進步性。　⒋系爭申請案請求項10、11、13係包括請求項9的全部技術特徵在內之獨立項，請求項12為請求項11的附屬項，故請求項10 至13具備請求項9之全部限制條件，根據前述請求項9之相同理由，引證1、2並不足以揭露或教示請求項10至13各自所有限制條件，故請求項10至13符合專利法第22條第2項之進步性規定。　⒌請求項14之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6 層以下」未揭露於引證1或2，且非為插入層數量之簡單變更，而是產生無法預期之功效，所屬技術領域具通常知識者無動機結合引證1與引證2，而無法藉由引證1補足引證2未揭露請求項14之「且上述第1自旋產生層的厚度，比上述自旋產生層更厚…上述插入層，包含從Mg(鎂)、Al(鋁)、Si(矽　　)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu(銅)、Ga(鎵)、　　Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素」、「依序積層第2強磁性層、非磁性層、第1強磁性層以及第1自旋產生層的積層體…複數個插入層與複數個自旋產生層」之技術特徵　　，故無否定進步性之因素。又請求項14之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」具有無法預期之功效，且引證1及引證2對於系爭申請案之專利發明具有反向教示，故有肯定進步性之因素。因此，系爭申請案請求項14所載之發明具有進步性。此外，請求項15、16具進步性，此為原處分所是認。　⒍綜上，引證1、2之組合不足以證明系爭申請案請求項1至6、8 至14不具進步性；引證1至3之組合不足以證明系爭申請案請求項7不具進步性，系爭申請案符合專利法第22條第2項之進步性要件，原處分與訴願決定駁回本件專利申請，顯然違法且有錯誤，爰請求撤銷原處分及訴願決定，並命被告應作成准予專利之審定等語。 (三)並聲明：　⒈訴願決定及原處分均撤銷。　⒉被告應就系爭申請案做成准予專利之審定。三、被告答辯及聲明： (一)系爭申請案請求項並未限定「間隔開」的複數插入層20B，比對引證1（甲證3）圖2所對應第[0051]段内容揭示「根據金屬插入層2C的位置，可能存在原子堆疊為兩層或三層的部分」，已揭示請求項1上開技術特徵。又系爭申請案藉由插入層20B插入自旋產生層20A中，以達成利用界面Rashba效應　　，降低反轉電流密度，依引證1第[0005]段揭示「SOT是由自旋軌道相互作用或異質材料界面處的Rashba效應產生的純自旋電流引起的，在磁阻元件中感應出SOT的電流沿與磁阻元件的層疊方向交叉的方向上流動，換句話說，不需要在磁阻元件的堆疊方向上流動電流，這有望延長磁阻元件的壽命」　　，已揭示上開技術特徵及降低反轉電流密度相同之功效。退步言，引證1圖2、3揭示藉由自旋軌道轉矩配線2插入金屬插入層2C中，據以產生與系爭申請案相同之功效，故請求項1 之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下　　」技術特徵僅係插入層數量之簡單變更，原告主張並不足採　　。 (二)系爭申請案明確指出在自旋軌道轉矩配線中設置插入層之效果，亦即比較插入層層數為0與層數為1至6之效果，而非比較插入層層數為1與層數為2至6之效果，且說明書及圖17、1 8並未記載當插入層為7層後之寫入電流、電壓，亦非所屬技術領域中具有通常知識者能直接且無歧異得知（例如圖17中寫入電流在插入層為3層時最低，但無法預測7層後為最高、最低或持平；圖18中寫入電壓在插入層為4層後持平，但無法預測7層後會開始變高、變低或持續持平）。原告以不存在内容推定插入層層數超過7層時之寫入功率高於僅有1層之寫入功率乃主觀臆測，並不可採。又關於原告所提寫入功率 -寫入層數量關係圖（本院卷第22頁），未曾揭示於系爭申請案之說明書、申請專利範圍或圖式中，無法由系爭申請案圖17、18得到相同之結果，以銀(Ag)為例，原告主張依關係圖顯示功率（P）約為0.39mW，惟圖17、18中，Ag電流約　　570μA、電壓約0.62V，P=I*V=0.3534mW，兩者顯有落差，並不可採。 (三)原告主張將引證2之第一非磁性層12應用於引證1之自旋軌道轉矩配線2將不產生自旋流，係原告主觀臆測，引證2之　　first nonmagnetic layer12、third nonmagnetic layer16 a對應本案自旋產生層20A，引證2之second nonmagnetic 　　layer14對應本案插入層20B，且依引證2第〔0025~0029〕段揭示内容清楚說明圖1之first nonmagnetic layer12實施方式有其背景與目的，且引證1未教示不可使用相反扭矩之材料，以組成本案之自旋產生層20A與插入層20B，並未構成反向教示。又引證1、2同屬「STT-MRAM」相同技術領域，均同樣藉由「插入層的電阻率（導電率的倒數）比自旋產生層的電阻率更低」，進而改善自旋軌道轉矩配線之電流流動，兩者在「磁阻效應元件」作用或功能、解決「自旋執道轉矩配線之導電率」之問題皆具共通性，該發明所屬技術領域中具有通常知識者有動機結合引證1、2之技術内容，原告上開主張並不足採。 (四)原告所提寫入功率-寫入層數量關係圖並非系爭申請案圖17 　　、18所能直接無歧異得知，原告稱插入層的數量為1時，其實驗數據電壓Cu=0.915、Ag=0.658，惟圖18中並無任何數據，由圖18僅能得知Cu的電壓介於0.8~1之間，Ag的電壓介於0 .6~0.8之間，且原告所稱數值精確到小數點第3位似有臨訟製作之嫌。又系爭申請案說明書第[0120]段揭示設置插入層之效果（亦即比較插入層層數為0與層數為1至6之效果）　　，僅於寫入電流、寫入電壓在定性方面之功效，說明書從未揭示在寫入功率上產生「量」的功效（定量方面之功效）。另原告在審查階段既不爭執引證1揭示請求項1之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」、請求項9之「上述第2層有複數層，上述第2層的層數，在6層以下」、請求項14之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在 6層以下」技術特徵，於訴訟階段卻又以從未揭露之實驗數據主張具有有利功效，其臨訟製作之數據應不可採。再者，有利功效必須是對照先前技術之差異技術特徵所直接產生的技術效果，因前開爭執技術特徵在2層插入層均為Cu或2層插入層均為Ag之情形已揭露於引證1第[0051]段，可知該爭執技術特徵非是對照先前技術之差異特徵，而是先前技術已揭露。縱考量原告補充之實驗數據，該數據顯示之功效亦非是對照先前技術之功效，而是先前技術已揭露的功效，是以，原告對該爭執技術特徵所補充說明有利功效之理由，並不足採。 (五)系爭申請案界定「插入層有複數層，上述插入層的層數，在 6層以下」不是厚度，也不是「不同材料界面」的數量，因插入層係界定「包含從Mg(鎂）…構成的群中選擇之『任何元素』」，不排除各插入層均選擇為相同元素之情形，例如2層插入層均為Cu或2層插入層均為Ag之情形，亦不限制厚度　　。而引證1第[0051]段内容揭示「金屬插入層2C有些部分是原子積層2~3層份量的部分」，已揭露2至3層插入層均為Ag 　　、Cu、Co、Fe、A1、Cr之文義内容。縱認是界定「間隔開的插入層」，引證2亦揭示上開技術特徵，亦即引證2具有間隔開的第二非磁性層14（相當於「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」）。又依引證2第0027、0031段內容、圖2揭示，可知其藉由第一非磁性層12（相當於系爭申請案自旋產生層）、第二非磁性層14（相當於系爭申請案插入層）之堆疊，改善較低的寫入電流，與系爭申請案第[0 120]段所述藉由自旋產生層、插入層之堆疊，改善較低的寫入電流，具有利用相同之方法，改善相同之功效。　　 (六)並聲明：原告之訴駁回。　　四、本件爭點： (一)引證1、2（甲證3、4）之組合，是否足以證明系爭申請案請求項1至6、8至14不具進步性？ (二)引證1至3（甲證3至5）之組合，是否足以證明系爭申請案請求項7不具進步性？　五、本院判斷： (一)應適用之法令：　⒈按系爭申請案申請日為109年11月25日，主張優先權日為西元 2019年11月26日、2020年10月14日，再審查核駁審定日為11 2年11月8日，本件於114年1月2日言詞辯論終結，故系爭專利申請案是否符合專利要件，應以111年5月4日修正公布　　、同年7月1日施行之專利法（下逕稱專利法）為斷。又原處分及訴願決定均係依系爭申請案112年11月2日申請專利範圍修正本進行審查，且於訴訟中原告亦未再申請更正，是本件系爭申請案專利申請範圍即依該次修正內容進行審理。 ⒉按「申請專利之發明經審查認無不予專利之情事者，應予專利，並應將申請專利範圍及圖式公告之。」專利法第47條第 1項定有明文。 (二)系爭申請案之申請專利範圍（主要圖式如附圖）：　　系爭申請案請求項共16項，其中第1、9、10、11、13、14、 15、16項為獨立項，其餘為附屬項。而兩造並未爭執請求項 15、16具有進步性，故僅列請求項1至14如下：　　請求項1：一種磁化旋轉元件，包括：自旋軌道轉矩配線；以及第1強磁性層，相對於上述自旋軌道轉矩配線在第1方向，從上述自旋軌道轉矩配線注入自旋；（1A）　　　　　　其中，上述自旋軌道轉矩配線，在上述第1方向上具有複數自旋產生層、以及在上述複數自旋產生層之間的插入層；上述插入層的電阻率比上述自旋產生層的電阻率更低；上述插入層的厚度，比上述自旋產生層的分別厚度薄；（1B）　　　　　　沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1 強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大；（1C）　　　　　　上述插入層，包含從Mg(鎂)、Al(鋁)、Si(矽)、　　　　　　 Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu(銅)、Ga( 鎵)、Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素；（1D）　　　　　　上述自旋產生層，包含從Mo(鉬)、Ru(釕)、Rh(銠 )、Pd(鈀)、Ta(鉭)、W(鎢)、Ir(銥)、Pt(鉑)、A u(金)、Bi(鉍)構成的群中選擇之任何元素；（1E ）　　　　　　上述插入層的厚度，為構成上述插入層的材料之自旋擴散長度以下；上述插入層有複數層；上述插入層的層數，在6層以下。（1F）　　請求項2：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述自旋軌道轉矩配線，從上述第1方向的平面視中，具有與上述第1強磁性層重疊的重疊區域以及不重疊的非重疊區域；上述插入層，夾住上述重疊區域並涵蓋延伸至上述非重疊區域。　　請求項3：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述插入層的厚度，為構成上述插入層的元素之鍵半徑的5 倍以下。　　請求項4：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述插入層的厚度，為10Å以下。　　請求項5：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述自旋產生層的厚度，分別在8Å以上20Å以下。　　請求項6：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述插入層，包含構成上述自旋產生層的元素。　　請求項7：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述自旋軌道轉矩配線的厚度，在20nm(毫微米)以下。　　請求項8：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述複數自旋產生層中離上述第1強磁性層最近的第1自旋產生層之膜厚，比其它自旋產生層之膜厚更厚。　　請求項9：一種磁化旋轉元件，包括：配線；以及第1強磁性層，相對於上述配線在第1方向；其中，上述配線　　　　　　，包括：第1層，包含從Mo(鉬)、Ru(釘)、Rh(銠) 、Pd(鈀)、Ta(鉭)、W(鎢)、Ir(銥)、Pt(鉑)、Au (金)、Bi(鉍)構成的群中選擇之任何元素；以及第2層，包含從Mg(鎂)、Al(鋁)、Si(矽)、Ti(鈦) 、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu(銅)、Ga(鎵)、G e(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素；上述第1層，在上述第1方向上夾住上述第2層；上述第 2層的厚度，比上述第1層的分別厚度薄；沿著上述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大；上述第2層的厚度，為構成上述第2層的材料之自旋擴散長度以下；上述第2層有複數層；上述第2層的層數，在6層以下。　　請求項10：一種磁阻效應元件，包括：如請求項1~9中任一項所述之磁化旋轉元件；第2強磁性層，相對於上述磁化旋轉元件的上述第1強磁性層，在上述第1方向；以及非磁性層，夾在上述第1強磁性層與上述第2強磁性層之間。　　請求項11：一種半導體元件，包括：如請求項10所述之磁阻效應元件；以及開關元件，與上述磁阻效應元件電氣連接。　　請求項12：如請求項11所述之半導體元件，其中，上述開關元件是場效型電晶體；上述場效型電晶體的源極與汲極之間的距離在30nm以下。　　請求項13：一種磁記錄陣列，具有：複數如請求項10所述之磁阻效應元件。　　請求項14：一種磁阻效應元件的製造方法，包括：成膜步驟　　　　　　　，形成依序積層第2強磁性層、非磁性層、第1強磁性層以及第1自旋產生層的積層體；加工步驟　　　　　　　，蝕刻上述積層體形成柱狀體；配線形成步驟，在上述柱狀體的第1面上依序成膜複數個插入層與複數個自旋產生層，形成自旋軌道轉矩配線；其中，上述插入層的電阻率比上述第1自旋產生層以及上述自旋產生層的電阻率更低，且上述第 1自旋產生層的厚度，比上述自旋產生層更厚，沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大；上述插入層，包含從Mg(鎂)、Al( 鋁)、Si(矽)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷 )、Cu(銅)、Ga(鎵)、Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素；上述自旋產生層，包含從Mo (鉬)、Ru(釘)、Rh(銠)、Pd(鈀)、Ta(鉭)、W(鎢 )、Ir(銥)、Pt(鉑)、Au(金)、Bi(鉍)構成的群中選擇之任何元素；上述插入層的厚度，為構成上述插入層的材料之自旋擴散長度以下；上述插入層有複數層；上述插入層的層數，在6層以下。 (三)被告核駁系爭申請案之引證：　　附表所示引證1至3（即甲證3至5）之公開或公告日，皆早於系爭申請案主張最早優先權日（西元2019年11月26日），故皆可作為認定系爭申請案是否不具進步性之適格證據。 (四)引證1、2之組合，不足以證明系爭申請案請求項1不具進步性：　⒈引證1說明書第[0048]段及圖2揭露「…在自旋軌道轉矩配線2 內亦可設有金屬插入層2C。就算是金屬氧化物具有導電性　　，但導電性劣於金屬。金屬插入層2C能夠調整自旋軌道轉矩配線2的電阻值並抑制自旋軌道轉矩磁化旋轉元件11的耗電的增加、焦耳熱的增加」。第[0049]段揭露「金屬插入層2C 　　，在自旋軌道轉矩配線2的厚度方向的任意位置皆可。圖3是本實施形態相關之自旋軌道轉矩磁化旋轉元件的其他例的剖面示意圖。示於圖3的自旋軌道轉矩磁化旋轉元件12，是以在比自旋軌道轉矩配線2的基準線C離第1強磁性層1還遠的位置具有金屬插入層2C為佳。金屬插入層2C有時會成為阻礙自旋往z方向的移動的散亂起因。在金屬插入層2C在遠離第1強磁性層1的位置之下，使第1強磁性層1近處產生的自旋的移動順暢，能夠提高往第1強磁性層1的自旋的注入效率」。說明書第[0031]段揭露「一旦在自旋軌道轉矩配線2的x方向的兩端賦予電位差則電流I沿著x方向流動。一旦電流I流動，則配向於y方向的第1自旋S1與配向於-y方向的第2自旋S2分別往與電流直交的方向彎曲」。其中「自旋軌道轉矩磁化旋轉元件11」可對應系爭申請案請求項1要件編號1A「一種磁化旋轉元件」，其中「自旋軌道轉矩配線2」可對應系爭申請案請求項1要件編號1A「自旋軌道轉矩配線」，其中「第1 強磁性層1」可對應系爭申請案請求項1要件編號1A「第1強磁性層」，其中圖2之電流垂直的方向（即Z軸方向）可對應系爭申請案請求項1要件編號1A「相對於上述自旋軌道轉矩配線在第1方向」，其中「電流I沿著X方向流動」可對應系爭申請案請求項1要件編號1A「從上述自旋軌道轉矩配線注入自旋」。綜上，引證1已揭露系爭申請案請求項1要件編號 1A「一種磁化旋轉元件，包括:自旋軌道轉矩配線;以及第1 強磁性層，相對於上述自旋軌道轉矩配線在第1方向，從上述自旋軌道轉矩配線注入自旋；」之技術特徵。　⒉引證1說明書第[0048]段及圖2揭露「…在自旋軌道轉矩配線2 內亦可設有金屬插入層2C。說明書第[0052]段揭露：金屬插入層2C的電阻值，如上述低於自旋軌道轉矩配線2的電阻值… 」。說明書第[0051]段揭露「…金屬插入層2C的厚度，是以不到構成金屬插入層的金屬原子的離子半徑的2倍為佳　　。金屬插入層2C的厚度為平均厚度。金屬原子的離子半徑的 2倍，是指原子一層份量的厚度」。其中圖2揭露之「金屬插入層2C」插入後造成自旋軌道轉矩配線2在Z方向上分為間隔之兩層，可對應系爭申請案請求項1要件編號1B「其中，上述自旋軌道轉矩配線，在上述第1方向上具有複數自旋產生層」、「以及在上述複數自旋產生層之間的插入層」；其中「金屬插入層2C的電阻值，如上述低於自旋軌道轉矩配線2 的電阻值」，可對應系爭申請案請求項1要件編號1B「上述插入層的電阻率比上述自旋產生層的電阻率更低」；其中「　　金屬插入層2C的厚度，是以不到構成金屬插入層的金屬原子的離子半徑的2倍為佳」，對所屬技術領域具通常知識者而言，金屬插入層的金屬原子的離子半徑的兩倍（即直徑）相當於金屬插入層的原子單層的厚度，該厚度極薄(為0.1nm尺度)，而自旋產生層需要足夠的厚度才能產生足夠的霍爾自旋電子，故可輕易得知前開段落已實質隱含系爭申請案請求項1要件編號1B「上述插入層的厚度，比上述自旋產生層的分別厚度薄」之技術特徵。綜上，引證1已揭露系爭申請案請求項1要件編號1B「其中，上述自旋軌道轉矩配線，在上述第1方向上具有複數自旋產生層、以及在上述複數自旋產生層之間的插入層;上述插入層的電阻率比上述自旋產生層的電阻率更低，上述插入層的厚度，比上述自旋產生層的分別厚度薄」之技術特徵。　⒊引證1說明書第[0051]段揭露「…金屬插入層2C的厚度，是以不到構成金屬插入層的金屬原子的離子半徑的2倍為佳。金屬插入層2C的厚度為平均厚度。金屬原子的離子半徑的2倍，是指原子一層份量的厚度」。說明書第[0069]段揭露「　　設置於自旋軌道轉矩配線2與第1強磁性層1之間的層，是以不將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋散逸為佳。例如，銀　　、銅、鎂及鋁等，自旋擴散長度達100nm以上，已知自旋不容易散逸。又，此層的厚度，是以構成層的物質的自旋擴散長以下為佳。層的厚度若為自旋擴散長以下，則可以將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋充分傳遞至第1強磁性層1」，對所屬技術領域具通常知識者而言，其中「金屬插入層2C的厚度，是以不到構成金屬插入層的金屬原子的離子半徑的2 倍為佳」，相當於構成金屬插入層2C之原子單層的厚度（銀大約為0.28nm），實質隱含較自旋擴散長度（銀大約為10nm 　　）為短，此為銀金屬之固有特性，且說明書第[0069]段亦已揭露「如果該層的厚度小於自旋擴散長度，則可以將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋充分地傳遞至第1強磁性層1」，是以，前開揭露內容可對應系爭申請案請求項1要件編號1F 「上述插入層的厚度，為構成上述插入層的材料之自旋擴散長度以下，」之部分技術特徵。　⒋引證1說明書第[0050]段揭露「構成金屬插入層2C的金屬，是以使用與構成自旋軌道轉矩配線2的金屬氧化物的金屬元素不同的元素為佳。根據氧的擴散係數依插入不同元素的金屬而不同，可以較能賦予濃度梯度，可以高效率使自旋流產生。構成金屬插入層2C的金屬，例如為選自由金、銀、銅、鎳、鈷、鐵、釕、鋁、鎢、鉻、鉭所組成之族群的金屬或其合金」。其中「金、銀、銅、鎳、鈷、鐵、釕、鋁、鎢、鉻　　、鉭所組成之族群的金屬或其合金」，可對應系爭申請案請求項1要件編號1D「上述插入層，包含從Mg(鎂)、Al(鋁)、　　Si(矽)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu(銅)、Ga( 鎵)、Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素」之技術特徵。　⒌依此，引證1與系爭申請案請求項1之差異在於其並未揭露以下技術特徵：(1)要件1C「且沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大，」；( 2)要件1E「上述自旋產生層，包含從Mo(鉬)、Ru(釕)、Rh( 銠)、Pd(鈀)、Ta(鉭)、W(鎢)、Ir(銥)、Pt(鉑)、Au(金)、 Bi(鉍)構成的群中選擇之任何元素，」；以及(3)要件1F之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」之部分技術特徵。　⒍引證2說明書第[0053]至[0057]、[0099]至[0102]段及圖式4 　　、11揭露「一種磁化旋轉元件1A、1G包含磁阻元件20，該磁阻元件20係由第一磁層22、第二磁層26包夾一間隔層24形成　　，用以儲存磁化資訊。磁化旋轉元件1A及1G又包含一非磁層 10A(圖式4)或10F(圖式11)係由第一非磁層12、第三非磁層1 6(圖式4)或16a(圖式11)包夾一第二非磁層14所形成，用以寫入或抹除儲存於磁阻元件20之磁資訊」。說明書第[0028] 段揭露「第一非磁層12的作用是防止第二非磁層14斷裂和抑制第二非磁層14中的電遷移。通過確保σ1<σ2，電流主要流入第二非磁層14，而不是第一非磁層12，因此可以使用低電流有效地將自旋扭矩施加到磁阻元件20的第一磁層22」，第 [0053]段揭露「非磁性層10A是透過在圖1所示的非磁性層10 的第二非磁性層14上設置第三非磁性層16而獲得，第三非磁性層的導電率低於第二非磁性層14的導電率」，且第[0054] 段揭露第三非磁性層16或16a之功效為「第三非磁層16的作用是保護第二非磁層14，當磁阻元件20被蝕刻時，可以防止自旋霍爾角因第二非磁層14的損壞而劣化。還可以抑制電遷移的發生」，第[0028]段揭露「第二非磁層14具有高自旋霍爾角，以有效地將自旋扭矩施加到磁阻元件20的第一磁層22 」。其中說明書第[0028]段揭露「第二非磁性層14」之功效在於「具有高自旋霍爾角，以有效地將自旋扭矩施加到磁阻元件20的第一磁層22」，對照系爭申請案說明書揭露「插入層20B的自旋霍爾角，比自旋產生層20A的自旋霍爾角更小　　，相較於自旋產生層20A，難以產生自旋軌道交互作用」(參系爭申請案說明書第14頁第[0073]段，原處分卷第46頁)，可知引證2揭露之「第二非磁性層14」與系爭申請案說明書所載「自旋產生層20A」之功效相符，而與「插入層20B」之功效不符，故原處分將引證2之「第二非磁性層14」對應為系爭申請案所載「插入層20B」即有違誤。　⒎又引證2說明書第[0028]段揭露「第一非磁層12的作用是防止第二非磁層14斷裂和抑制第二非磁層14中的電遷移。通過確保σ1<σ2，電流主要流入第二非磁層14，而不是第一非磁層1 2」，表示其揭露「第一非磁性層12」之電阻率必然高於「第二非磁性層14」（註：導電率與電阻率互為倒數，導電率越高則電阻率越低），對照系爭申請案說明書第[0071]段記載「插入層20B的電阻率比自旋產生層20A更低」，可得知引證2所示「第一非磁性層12」與「第二非磁性層14」電阻率之關係，與系爭申請案所載「插入層20B」與「自旋產生層2 0A」之關係顯不相同，故原處分將引證2揭露之「第一非磁性層12」對應為系爭申請案所載「自旋產生層20A」亦有違誤。再者，引證2說明書第[0053]段揭露「第三非磁性層16 的導電率低於第二非磁性層14的導電率」，表示「第三非磁性層16」之電阻率大於「第二非磁性層14」，是以承其電阻率關係，亦難將其揭露之「第三非磁性層16」對應為系爭申請案所載「插入層20B」(參下列對照表)。準此，引證2所揭露「第二非磁性層14」、「第一非磁性層12」、「第三非磁性16或16a」之功效及其電阻率之關係，均與系爭申請案所載「插入層20B」不符，故未實質揭露系爭申請案請求項1要件1C及1F之「插入層」。　　引證2（甲證4）　第一非磁層12 第二非磁層14 第三非磁層16 自旋霍爾角低高(用以寫入) - 電阻率高低高系爭申請案　插入層20B 自旋產生層20A 　自旋霍爾角低高(用以寫入) 　電阻率低高　　⒏綜上，引證1、2均未揭露系爭申請案請求項1要件1C「且沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大，」，以及1F之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」部分技術特徵，且該特徵為系爭申請案請求項1為達成「藉由以位於離第1強磁性層 1遠的自旋產生層20A產生很多自旋，至第1強磁性層1的自旋量增加，可以降低使第1強磁性層1的磁化反轉所需的反轉電流密度」（參說明書第[0070]段）以及「降低資料寫入電壓」（參說明書第[0120]、[0121]段）、「降低使第1強磁性層1的磁化Ml反轉所需的反轉電流密度」（參說明書第[0098 ]段）之發明目的所不可或缺的必要技術特徵。是以，引證1 、2之組合並未揭露系爭申請案請求項1之全部技術特徵　　，不足以證明請求項1不具進步性。　⒐被告之抗辯並不足採：　　⑴按系爭申請案說明書是否已充分揭露使該發明所屬技術領域中具有通常知識者可據以實現核屬專利法第26條第1項所規定之範疇，不應與專利法第22條第2項所規定進步性之概念混淆並一概而論，即被告於審查過程中若認為系爭申請案說明書僅揭露「定性」特性，未揭露「定量」特性致說明書揭露不充分而無法據以實現，應依發明專利審查基準相關規定提供明確且充足的理由，具體指出說明書中缺陷，或以公開文獻支持其理由通知申請人申復或修正。經查，原告於最後一次申復理由中已主張「…上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」之技術特徵　　　，並未揭示或建議於引證文件，也非先前技術之簡單變更或單純拼湊…此外，根據本案說明書【0033】段，本發明的磁阻效應元件可以進一步降低資料的寫入電壓」（參原告112年11月2日申復理由書第4至5頁），並非如被告所述原告在審查階段未爭執插入層在6層以下具有利功效，或不爭執引證1（甲證3）已揭露爭執技術特徵。　　⑵又被告雖以系爭申請案之圖17、18僅於寫入電流、寫入電壓在定性方面之功效，無法判斷寫入功率產生「量」之功效（本院卷第264頁），即圖17、18僅揭露「定性」特性　　　，並未揭露「定量」特性，而認此有利功效揭露不充分，相對於先前技術已揭露而不可採云云；惟觀諸系爭申請案申請歷程，被告均未曾引用專利法第26條第1項敘明系爭申請案說明書有揭露不充分之理由，即逕以系爭申請案違反專利法第22條第2項不具進步性為由作成核駁處分，亦未在原處分作成前通知原告申復、修正。是原處分已違背發明專利審查基準審理原則，即未提供明確且充足的理由　　　，具體指出說明書中缺陷或以公開文獻支持其理由，通知申請人申復或修正之缺失。況系爭申請案圖式17、18係用以說明插入層的數量對寫入電流、電壓有實質影響，且有一使電流或電壓達到最小值的最佳值，對所屬技術領域具通常知識者，記憶體之寫入與讀取通常均以直流電源驅動　　　，在直流電場下，其耗用功率係電流與電壓之乘積屬習知之通常知識，故圖式17、18本身已可表達系爭申請案請求項1「插入層的層數，在6層以下」之技術特徵具有「降低資料之寫入電壓、電流或功率」之有利功效。再者，原告於本院審理中亦提出西元2019年11月25日針對系爭申請案之日本先申請案相關電子郵件所含實驗數據等資料（參甲證6，本院卷第396頁），以說明圖式17、18係基於真實的實驗數值製成，經核該實驗數據與系爭申請案圖式17、18 所載點狀圖均能合理對應，益徵原告之主張為真。而無論專利法、專利法施行細則及發明專利審查基準通篇均未規定發明專利申請案之說明書需以揭露相關技術之實驗數值為必要，實驗數據僅作為參考性質，原告亦無將該實驗數值補充入說明書內之義務。是以，被告逕以系爭申請案有前揭未充分揭露有利功效而不應准予專利之情形，難謂可採。　　⑶觀諸系爭申請案請求項1之要件1B記載內容「…在上述第1方向上具有複數自旋產生層、以及在上述複數自旋產生層之間的插入層…」，可得知在第一方向有複數自旋產生層，而插入層位於該複數自旋產生層之間，故將插入層與自旋產生層之排列關係，解釋為「插入層為複數層且在第一方向上被包夾於該複數自旋產生層之間」係為最合理之解釋；併考量系爭申請案圖式5（如下圖所示）　　　其中20A為自旋產生層，20B為插入層，兩者在Z方向上呈2 0A/20B/20A/20B之順序交互堆疊，益徵前開解釋為最合理之解釋，是被告主張系爭申請案之爭執技術特徵界定「插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」，不是厚度，也不是不同材料界面的數量（即不是「不同材料間隔開的插入層」）」，即不可採。又依引證1說明書揭露「例如，金屬插入層2C有些部分是原子積層2~3層份量的部分」（參甲證3中譯本第[0051]段，本院卷第290頁），所指「金屬插入層2C有些部分是原子積層2~3層份量的部分」係指單一插入層2C之厚度為2至3層原子厚度，參照上開說明書內容，實難謂引證1已揭露複數自旋產生層與複數插入層2C相互交疊之技術特徵，且依引證1說明書所揭露之實施例亦均無自旋產生層與複數插入層2C相互交疊之樣態，故被告辯稱引證1第〔0051〕段內容已揭露上開爭執技術特徵云云，顯然有誤。再者，引證2並未實質揭露系爭申請案請求項1要件1C、1F之「插入層」之理由，已如前述，故被告稱引證2與系爭申請案第〔0120〕段所述藉由自旋產生層、插入層之堆疊，改善較低的寫入電流，具有利用相同之方法，改善相同之功效云云，核屬無據，並不可採。 (五)系爭申請案請求項2至6、8為請求項1之附屬項，包含請求項 1之全部技術特徵，由於引證1、2之組合並不足以證明系爭申請案請求項1不具進步性之理由，已如前述，故其組合自當不足以證明系爭申請案請求項2至6、8不具進步性。 (六)引證1、2之組合，不足以證明系爭申請案請求項9不具進步性：　⒈引證1說明書第[0048]段及圖2揭露「…在自旋軌道轉矩配線2 內亦可設有金屬插入層2C。就算是金屬氧化物具有導電性，但導電性劣於金屬。金屬插入層2C能夠調整自旋軌道轉矩配線2的電阻值並抑制自旋軌道轉矩磁化旋轉元件11的耗電的增加、焦耳熱的增加」。說明書第[0049]段揭露「金屬插入層2C，在自旋軌道轉矩配線2的厚度方向的任意位置皆可。圖3是本實施形態相關之自旋軌道轉矩磁化旋轉元件的其他例的剖面示意圖。示於圖3的自旋軌道轉矩磁化旋轉元件12 ，是以在比自旋軌道轉矩配線2的基準線C離第1強磁性層1還遠的位置具有金屬插入層2C為佳。金屬插入層2C有時會成為阻礙自旋往z方向的移動的散亂起因。在金屬插入層2C在遠離第1強磁性層1的位置之下，使第1強磁性層1近處產生的自旋的移動順暢，能夠提高往第1強磁性層1的自旋的注入效率」。其中「自旋軌道轉矩磁化旋轉元件11」可對應系爭申請案請求項9「一種磁化旋轉元件」；其中「自旋軌道轉矩配線2」整體可對應系爭申請案請求項9之「配線」；其中「第 1強磁性層1」可對應系爭申請案請求項9之「第1強磁性層」；其中圖2之電流垂直的方向（即Z軸方向）可對應系爭申請案請求項9之「相對於上述配線在第1方向」；其中圖3所顯示被夾在「第1強磁性層1」與「插入層2C」之間的「　　自旋軌道轉矩配線2」之一部，可對應為系爭申請案請求項9 之「第1層」；其中「插入層2C」可對應為系爭申請案請求項9之「第2層」；其中「插入層2C」厚度較被夾在「第1強磁性層1」與「插入層2C」之間的「自旋軌道轉矩配線2」之一部還薄，可對應為系爭申請案請求項9「上述第2層的厚度　　，比上述第1層的分別厚度薄」。準此，引證1已揭露系爭申請案請求項9「一種磁化旋轉元件，包括：配線；以及第1強磁性層，相對於上述配線在第1方向；」、「第1層」、「第 2層」及「上述第1層，在上述第1方向上夾住上述第2層；上述第2層的厚度，比上述第1層的分別厚度薄」之技術特徵。　⒉引證1說明書第[0069]段揭露「設置於自旋軌道轉矩配線2與第1強磁性層1之間的層，是以不將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋散逸為佳。例如，銀、銅、鎂及鋁等，自旋擴散長度達100nm以上，已知自旋不容易散逸。又，此層的厚度，是以構成層的物質的自旋擴散長以下為佳。層的厚度若為自旋擴散長以下，則可以將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋充分傳遞至第1強磁性層1」，對所屬技術領域具通常知識者而言，其中「金屬插入層2C的厚度，是以不到構成金屬插入層的金屬原子的離子半徑的2倍為佳」相當於構成金屬插入層之原子單層的厚度（銀大約為0.28nm），實質隱含較自旋擴散長度（銀大約為10nm）為短，此為銀金屬之固有特性，且說明書第[0069]段亦揭露「如果該層的厚度小於自旋擴散長度，則可以將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋充分地傳遞至第1強磁性層1」，是以前開揭露內容可對應系爭申請案請求項9「上述第2層的厚度，為構成上述第2層的材料之自旋擴散長度以下」之技術特徵。　⒊引證1與系爭申請案請求項9之差異，在於其並未揭露以下技術特徵：(1)第1層，包含從Mo(鉬)、Ru(釘)、Rh(銠)、Pd( 鈀)、Ta(鉭)、W(鎢)、Ir(銥)、Pt(鉑)、Au(金)、Bi(鉍)構成的群中選擇之任何元素；以及第2層，包含從Mg(鎂)、　　Al(鋁)、Si(矽)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu( 銅)、Ga(鎵)、Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素　　；(2)沿著上述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大；及(3)上述第2層有複數層；上述第2層的層數，在6層以下。　⒋又引證2未實質揭露系爭申請案之「插入層(即第2層)」之理由，已如前述，故引證2並未揭露系爭申請案請求項9之(2) 「沿著上述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面中　　，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大」以及(3)「上述第2層有複數層；上述第2層的層數，在6層以下」之差異技術特徵。　⒌綜上，引證1、2均未揭露系爭申請案請求項9之(2)「沿著上述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大」及(3)「上述第2層有複數層；上述第2層的層數，在6 層以下」之差異技術特徵，且該特徵為系爭申請案請求項9 為達成「藉由以位於離第1強磁性層1遠的自旋產生層20A產生很多自旋，至第1強磁性層1的自旋量增加，可以降低使第 1強磁性層1的磁化反轉所需的反轉電流密度」(參說明書第[ 0070]段）以及「降低資料寫入電壓」(參說明書第[0120] 　　、[0121]段)、「降低使第1強磁性層1的磁化Ml反轉所需的反轉電流密度」(參說明書第[0098]段及本院卷第21頁）之發明目的所不可或缺的必要技術特徵。是以，引證1、2之組合並未揭露系爭申請案請求項9之全部技術特徵，不足以證明系爭申請案請求項9不具進步性。 (七)系爭申請案請求項10至13係直接或間接引用請求項1、9之內容，包含請求項1、9之全部技術特徵，由於引證1、2之組合不足以證明系爭申請案請求項1、9不具進步性，已如前述，故其組合自當不足以證明系爭申請案請求項10至13不具進步性。 (八)引證1、2組合，不足以證明系爭申請案請求項14不具進步性　　：　　系爭申請案請求項14與請求項1所請之磁阻效應元件均具相同自旋產生層及插入層之堆疊結構，由於引證1、2之組合均未揭露系爭申請案請求項1要件1C「且沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大，」，以及1F「上述插入層有複數層，上述插入層的層數　　，在6層以下」之部分技術特徵，已如前述，故引證1、2之組合亦未揭露系爭申請案請求項14之前開技術特徵。又該特徵為系爭申請案請求項14為達成「藉由以位於離第1強磁性層1遠的自旋產生層20A產生很多自旋，至第1強磁性層1的自旋量增加，可以降低使第1強磁性層1的磁化反轉所需的反轉電流密度」（參說明書第[0070]段）以及「降低資料寫入電壓」（參說明書第[0120]、[0121]段）、「降低使第1強磁性層1的磁化Ml反轉所需的反轉電流密度」（參說明書第[00 98]段及本院卷第21頁）之發明目的所不可或缺的必要技術特徵。是以，引證1、2之組合並未揭露系爭申請案請求項14 之全部技術特徵，不足以證明系爭申請案請求項14不具進步性。 (九)引證1至3之組合，不足以證明系爭申請案請求項7不具進步性：　⒈系爭申請案請求項7依附於請求項1，包含請求項1全部技術特徵，而引證1、2之組合無法證明系爭申請案請求項1不具進步性之理由，已如前述。　⒉引證3說明書第[0077]段揭露「優選以作為這些層的疊層體的自旋軌道轉矩配線2的厚度成為20nm以下的方式設定」，其中「自旋軌道轉矩配線2的厚度成為20nm以下」雖可對應系爭申請案請求項7「其中，上述自旋軌道轉矩配線的厚度　　，在20nm（毫微米）以下」，惟對於請求項7中有關組成自旋軌道轉矩配線之自旋產生層及插入層堆疊結構之處（即請求項1所請範圍），因引證1、2之組合既無法證明系爭申請案請求項1不具進步性，故引證1至3之組合，並不足以證明系爭申請案請求項7不具進步性。六、綜上所述，本件引證1、2之組合不足以證明系爭申請案請求項1至6、8至14不具進步性；引證1至3之組合不足以證明系爭申請案請求項7不具進步性，是以系爭申請案請求項1至14 並未違反核駁時專利法第22條第2項之規定，且無其他不准核予專利之事由，此經被告陳明在卷（本院卷第362頁），兩造復不爭執請求項15、16具有進步性（同上卷第234頁）　　，故本案事證明確，依同法第47條第1項規定即應核予專利　　。從而，被告以系爭申請案違反同法第22條第2項之規定，為不予專利審定之原處分，於法未合，訴願決定予以維持，亦有違誤，原告訴請如主文所示，為有理由，應予准許。七、本件判決基礎已經明確，兩造其餘主張或答辯及訴訟資料經本院斟酌後，核與判決結果不生影響，並無一一論述的必要　　。八、結論：本件原告之訴為有理由，爰依智慧財產案件審理法第 2條、行政訴訟法第98條第1項前段、第200條第3款，判決如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　13　　日智慧財產第一庭審判長法官汪漢卿法官曾啓謀法官吳俊龍以上正本係照原本作成。一、如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示或公告後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。二、上訴未表明上訴理由且未於前述20日內補提上訴理由書者，逕以裁定駁回。三、上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第49條之1第1項第3款）。但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第3項、第4項）。得不委任律師為訴訟代理人之情形所需要件㈠符合右列情形之一者，得不委任律師為訴訟代理人 1.上訴人或其代表人、管理人、法定代理人具備法官、檢察官、律師資格或為教育部審定合格之大學或獨立學院公法學教授、副教授者。 2.稅務行政事件，上訴人或其代表人、管理人、法定代理人具備會計師資格者。 3.專利行政事件，上訴人或其代表人、管理人、法定代理人具備專利師資格或依法得為專利代理人者。㈡非律師具有右列情形之一，經最高行政法院認為適當者，亦得為上訴審訴訟代理人 1.上訴人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親具備律師資格者。 2.稅務行政事件，具備會計師資格者。 3.專利行政事件，具備專利師資格或依法得為專利代理人者。 4.上訴人為公法人、中央或地方機關、公法上之非法人團體時，其所屬專任人員辦理法制、法務、訴願業務或與訴訟事件相關業務者。是否符合㈠、㈡之情形，而得為強制律師代理之例外，上訴人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出㈡所示關係之釋明文書影本及委任書。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　21　　日書記官蔣淑君附表證據系爭專利與引證所在頁碼備註引證1 (甲證3) 2019年9月6日世界智慧財產組織公開案第WO 2019/167575A1號專利說明書乙證2第250至264頁/本院卷第277至303頁（中譯本） (1) 技術摘要：甲證3揭露一種自旋軌道轉矩型磁化反轉元件，具備朝向第一方向延伸的自旋軌道轉矩配線，以及層疊於上述自旋軌道轉矩配線上的第一鐵磁層，上述自旋軌道轉矩配線包含電導特性對溫度呈現金屬性行為的金屬氧化物，以上述自旋軌道轉矩配線的厚度方向中央為基準，第一鐵磁層側的氧濃度與和第一鐵磁層相反側的氧濃度呈現不對稱(參甲證3之摘要，本院卷第82頁)。 (2) 先前技術：強磁性層與非磁性層的多層膜構成的巨大磁阻 (GMR) 元件以及非磁性層中使用的絕緣層（隧道阻障層、阻障層）的隧道磁阻 (TMR) 元件，眾所周知為磁阻效應元件。磁阻效應元件，可以應用至磁感應器、高頻元件、磁頭及非揮發性隨機存取記憶體 (MRAM)。MRAM，係集積磁阻效應元件的記憶元件。MRAM，當磁阻效應元件中夾住非磁性層之兩個強磁性層互相磁化的方向改變時，利用磁阻效應元件的電阻改變的特性，讀寫資料。強磁性層的磁化方向，例如，利用並控制電流產生的磁場。還有例如，強磁性層的磁化方向，利用並控制往磁阻效應元件的積層方向流入電流產生的自旋轉移轉矩 (Spin Transfer Torque(STT))。近年來，集中注目於寫入時不往磁阻效應元件的積層方向流入電流也可以的方法。其中之一的方法，係利用自旋軌道轉矩 (SOT) 的寫入方法。SOT，由根據自旋軌道交互作用產生的自旋流或異種材料的界面的Rashba效應所誘發。磁阻效應元件內用以誘發SOT的電流，流往與磁阻效應元件的積層方向垂直的方向(參甲證3說明書第[0002]至[0005]段，本院卷第83至84頁) (3) 實施方式：甲證3之發明為了解決上述問題，提供以下方案：第一種實施方案的旋轉磁化元件包含：沿著第一方向延展的旋轉磁化配線；以及一層沉積在旋轉磁化配線上的第一強磁性層。旋轉磁化配線的電氣傳導特性對於溫度變化具有金屬般的行為，並且包含金屬氧化物。旋轉磁化配線的厚度方向中央作為基準，第一強磁性層側的氧氣濃度與第一強磁性層對側的氧氣濃度呈現非對稱。上述實施方案的旋轉磁化元件中，旋轉磁化配線的厚度方向可以有氧氣濃度單調上升或單調下降的區域。上述實施方案的旋轉磁化元件中，旋轉磁化配線可以包含選自以下元素氧化物的至少一種：Cr、Fe、Ir、W、Mo 、Re、Ti、V、Nb、Pd、Ru、及Sn。上述實施方案的旋轉磁化元件中，旋轉磁化配線可以包含選自以下元素氧化物的至少一種：Ir、W、Pd、Mo、Nb、及Re。上述實施方案的旋轉磁化元件中，旋轉磁化配線可以具有金屬插入層，且金屬插入層可以位於旋轉磁化配線厚度方向的任何位置。上述實施方案的旋轉磁化元件中，金屬插入層可以位於旋轉磁化配線厚度方向中央與第一強磁性層之間的更遠側位置。上述實施方案的旋轉磁化元件中，金屬插入層的構成元素可以與旋轉磁化配線中金屬氧化物的構成元素不同。上述實施方案的旋轉磁化元件中，金屬插入層的厚度可以小於構成金屬插入層的元素的離子半徑的兩倍。上述實施方案的旋轉磁化元件中，從厚度方向觀察，旋轉磁化配線與第一強磁性層重疊的區域的氧氣濃度可以比旋轉磁化配線與第一強磁性層不重疊的區域的氧氣濃度更低。第三種實施方案的磁性記憶體包含上述實施方案的旋轉磁化元件(參甲證3說明書第[0010]至[0021]頁，本院卷第85至86頁)。 (4) 主要圖式： a.甲證3圖式2係第一實施例中的旋轉磁化配線型磁化旋轉元件另一例的截面示意圖 (甲證3圖式2) b.甲證3圖式5係第二實施例中的旋轉磁化配線型磁阻效應元件的截面示意圖。 (甲證3圖式5) 引證2 (甲證4) 2017年3月16日美國公開案第US 2017/0076769A1號專利說明書乙證2第249至241頁/本院卷第305至343頁（中譯本） (1) 技術摘要：甲證4揭露一種磁性記憶體包含：第一至第三端子；一個磁阻元件，包括第一磁性層、第二磁性層以及第一非磁性層；第二非磁性層，包括第一至第三部分，第一部分位於第二部分和第三部分之間，第二部分和第三部分分別與第二端子和第三端子連接，第一磁性層設置於第一部分和第一非磁性層之間；以及第三非磁性層，包括第四至第六部分，第四部分位於第五部分和第六部分之間，第四部分位於第一部分和第一磁性層之間，第五部分包括從磁阻元件延伸至第二端子的第一區域，第六部分包括從磁阻元件延伸至第三端子的第二區域，且第三非磁性層的電導率比第二非磁性層的電導率高(參甲證4摘要，本院卷第111頁)。 (2) 先前技術：對於磁性隨機存取記憶體（MRAM），人們非常感興趣於其優勢，例如快速讀取速度、快速寫入速度、優異的耐用性、非揮發性以及低功耗。磁性隨機存取記憶體（MRAM）是一種非揮發性記憶體，其包括作為記憶元件的巨磁阻抗（GMR）元件或隧道磁阻抗（TMR）元件，將資訊儲存在記憶元件中。自旋傳輸扭矩磁性隨機存取記憶體（STT-MRAM）是一種MRAM，其中透過使電流流入磁性材料來切換磁性材料的磁化。當使用自旋傳輸扭矩方法時，奈米尺寸的磁性材料的磁化很容易在局部磁場中進行控制。由於磁性材料縮減，用於切換磁化的電流預期也會很低。在STT-MRAM中，透過使用大的寫入電流和小的讀取電流來控制由讀取電流引起的磁化切換，並且使用相同的端子。磁性材料的熱穩定性由指數A(=KV/kBT)給出，其中K₁₁代表磁性材料的磁各向異性，V代表磁性材料的體積，k代表波茲曼常數，T代表絕對溫度。為了在縮小磁性材料的同時維持指數A，必須增加磁各向異性K₁₁。磁各向異性K₁₁的增加需要更大的寫入電流。因此，維持磁各向異性K₁₁是縮小尺寸（高密度）與降低寫入電流之間的權衡。此外，磁性材料的寫入錯誤率會因讀取電流引起的磁性材料的磁化切換而增加。因此，提出了一種使用自旋霍爾效應或自旋軌道交互作用的方法，其中寫入電流端子和讀取電流端子彼此分離，以降低寫入錯誤率。該方法改進了寫入錯誤率。然而，眾所周知，自旋霍爾角 OSH會隨具有自旋軌道交互作用（以下也稱為SOL（自旋軌道層））的層的膜厚而變化。自旋霍爾角代表自旋傳輸與電傳導率的比率。當SOL中的電流密度恆定時，電流值會隨著SOL的厚度而增加。因此，抑制SOL的厚度很重要。然而，當SOL很薄時，在製造磁阻元件的過程中會發生損壞，由於過度蝕刻而導致線路斷裂，並且在施加電流時會發生電遷移。當抑制損壞或過度蝕刻時，磁阻元件部分的蝕刻不足，並且磁阻元件的側壁呈現錐形。結果，元件尺寸增加或尺寸變異增加。因此，在低寫入電流（由於較薄的SOL）與SOL的低特性之間存在權衡。(參甲證4說明書第[0003]至[0007]段，本院卷第118頁)。 (3) 實施方式：甲證4揭露一種磁性記憶體包括：第一至第三端子；第一磁阻元件，包括第一磁層、第二磁層以及電氣連接至第一端子的第二磁層，以及位於第一磁層和第二磁層之間的第一非磁層；第二非磁層，包括第一至第三部分，第一部分位於第二部分和第三部分之間，第二部分電氣連接至第二端子，第三部分電氣連接至第三端子，第一磁層位於第一部分和第一非磁層之間；以及第三非磁層，包括第四至第六部分，第四部分位於第五部分和第六部分之間，第四部分位於第一部分和第一磁層之間，第五部分包括從第一磁阻元件延伸至第二端子的第一區域，第六部分包括從第一磁阻元件延伸至第三端子的第二區域，並且第三非磁層具有比第二非磁層更高的電導率(參甲證4說明書第[0021]段，本院卷第118到119頁)。 (4) 甲證4之主要圖式：甲證4圖式11一個橫截面圖，顯示了根據第七實施例的第二修改的磁性記憶體的記憶元件 (甲證4圖式11) 引證3 (甲證5) 2018年11月23日中國公開案第CN 108886061A號專利說明書乙證2第240至230頁 (1) 技術摘要：甲證5揭露一種自旋流磁化旋轉元件，其具有第一鐵磁性金屬層和自旋軌道轉矩配線，該自旋軌道轉矩配線為自旋傳導層和界面自旋生成層交替疊層的結構，該界面自旋生成層的層數為兩層以上，該自旋軌道轉矩配線中，該界面自旋生成層中的一層最接近於該第一鐵磁性金屬層(參甲證5摘要，本院卷第129頁)。 (2) 先前技術：已知有由鐵磁性層和非磁性層的多層膜構成的巨磁阻 (GMR) 元件，以及將絕緣層（隧道勢壘層、勢壘層）用作非磁性層的隧道磁阻 (TMR) 元件。一般而言，與 GMR 元件相比，TMR 元件的元件電阻較高，但磁阻 (MR) 比比 GMR 元件的 MR 比大。因此，作為磁感測器、高頻元件、磁頭以及非易失性隨機存取記憶體 (MRAM) 用的元件，TMR 元件備受關注。在 MRAM 中，當夾持絕緣層的兩個鐵磁性層彼此的磁化方向變化時，利用 TMR 元件的元件電阻變化的特性，讀寫數據。作為 MRAM 的寫入方式，已知有利用電流製作的磁場進行寫入（磁化反轉）的方式，以及利用沿磁阻效應元件的層疊方向流通電流而產生的自旋傳移轉矩（STT）進行寫入（磁化反轉）的方式。從能量效率的角度考慮時，使用 STT 的 TMR 元件的磁化反轉是有效率的，但用於進行磁化反轉的反轉電流密度較高。這點對於GMR 元件也一樣。因此，近年來，作為通過與 STT 不同的機制降低反轉電流的手段，利用通過自旋霍爾效應生成的純自旋流的磁化反轉方式備受關注（例如，非專利文獻 1）。通過自旋霍爾效應產生的純自旋流感應自旋軌道轉矩（SOT），通過 SOT 引發磁化反轉。純自旋流通過向上自旋的電子和向下自旋電子以相同數目相互逆向地流通而產生，電荷的流通相抵。因此，流通於磁阻效應元件的電流為零，期待反轉電流密度較小的磁阻效應元件的實現。根據非專利文獻 2，報告了通過 SOT 方式的反轉電流密度與通過 STT 方式的反轉電流密度為相同程度。但是，目前以 SOT 方式報告的反轉電流密度為了實現高集成化以及低能耗化是不充分的，存在改善的餘地。另外，作為SOT 方式的磁阻效應元件的自旋軌道轉矩配線（感應 SOT 產生純自旋流的配線）所使用的材料，可舉出如非專利文獻 2 中所使用的以 Ta 為代表的重金屬材料。這樣的重金屬材料的電阻率較高，因此，在做成薄膜或細線的情況下，耗電量高也成為問題。 (3) 實施方式：甲證5揭露一種自旋流磁化旋轉元件，其具備：第一鐵磁性金屬層，其磁化方向變化；自旋軌道轉矩配線，其沿著相對於作為該第一鐵磁性金屬層的法線方向的第一方向交叉的第二方向延伸，且該第一鐵磁性金屬層位於其一個面上，該自旋軌道轉矩配線為自旋傳導層和界面自旋生成層沿該第一方向交替疊層的結構，該界面自旋生成層的層數為兩層以上，該自旋軌道轉矩配線中，該界面自旋生成層中的一層最接近於該第一鐵磁性金屬層。本發明的一個方式還可以提供一種自旋流磁化旋轉元件，其具備：第一鐵磁性金屬層，其磁化方向變化；自旋軌道轉矩配線，其沿著相對於第一鐵磁性金屬層的法線方向的第一方向交叉的第二方向延伸，且與第一鐵磁性金屬層接合，自旋軌道轉矩配線為自旋傳導層和界面自旋生成層沿第一方向交替疊層的結構，界面自旋生成層的層數為兩層以上，界面自旋生成層中的一層與第一鐵磁性金屬層接合(參甲證5第2頁創作說明)。 (4) 甲證5之主要圖式： a.圖式4B一種實施方式的自旋流磁化旋轉元件的示意圖，是圖4A 的自旋流磁化旋轉元件的截面圖。 (甲證5圖式4B) b.圖式5係示意性地表示一個實施方式所涉及的磁阻效應元件的立體圖。 (甲證5圖式5)

2025-02-13

IPCA-113-行專訴-30-20250213-2

自

臺灣臺北地方法院

違反商標法

臺灣臺北地方法院刑事判決 109年度自字第28號自訴人揚聲多媒體科技股份有限公司代表人劉宏達自訴代理人翁林瑋律師王佩絹律師何婉菁律師被告喬安能源開發股份有限公司代表人林伯諺被告李德林上二人選任辯護人李璇辰律師上列被告因違反商標法等案件，經自訴人提起自訴，本院判決如下：　　主　文李德林、喬安能源開發股份有限公司均無罪。　　理　由壹、自訴意旨略以：　　被告李德林原係被告喬安能源開發股份有限公司（下稱喬安公司，現負責人為林伯諺，於民國111年12月26日前原名僑安開發股份有限公司，於111年9月13日前原名咪噠積股份有限公司）之負責人，明知如附件一（卷一第27-34頁）、附件二（卷三第19-22頁）、附件三（卷三第23-24頁）所示視聽著作之重製、散布、公開傳輸及公開上映等權利，於如附件一、二、三所示期間內係專屬授權自訴人揚聲多媒體科技股份有限公司（下稱揚聲公司）享有，且揚聲公司已將上開視聽著作重製為伴唱帶之形式，竟未得揚聲公司之同意或授權，分別為下列行為：一、其明知真實姓名、年籍不詳之人公開傳輸附件三所示視聽著作侵害揚聲公司之著作財產權，竟意圖供公眾透過網路接觸該等視聽著作，基於輸入及銷售載有提供公眾使用匯集該等視聽著作網路位址電腦程式之設備或器材而受有利益之犯意，於109年1月13日前之不詳時間，向廣州鴛鴦科技股份有限公司（下稱鴛鴦公司）購得並自大陸地區輸入載有匯集侵害該等視聽著作網路網址電腦程式之「咪噠 miniK CO」電話亭KTV（下稱本案機台），而受有利益；二、其意圖銷售，基於重製之犯意，於109年1月13日前之不詳時間、地點，自行將附件二所示視聽著作傳輸並重製在其所設置IP位置不詳之雲端資料庫；三、其明知附件二、三所示視聽著作為侵害揚聲公司著作權之重製物，竟意圖供公眾透過網路接觸附件三所示視聽著作，且基於重製、散布附件二、三所示視聽著作及提供公眾使用匯集附件三所示視聽著作網路位址電腦程式之犯意，擅自於10 9年1月13日前之不詳時間、地點，將其內重製有附件二、三視聽著作之本案機台銷售予快樂品涵商行，並透過快樂品涵商行將搭載有匯集附件三視聽著作網路位址電腦程式之本案機台設置在址設臺北市○○區○○○路0段00○0號之臺北車站站前地下街地下1樓Z4區，以此方式散布附件二、三所示視聽著作，並提供公眾使用本案機台中匯集附件三所示視聽著作網路位址之電腦程式，而受有利益；四、其意圖銷售，且為行銷之目的，基於重製、公開上映、公開傳輸及侵害商標權之犯意，於揚聲公司109年3月13日14時許前往上開地點使用本案機台時，透過有線網路，將附件二所示視聽著作公開傳輸並下載至本案機台之儲存設備中，並透過本案機台之播放程式於螢幕上向公眾傳達附件二所示視聽著作之內容，以此方式重製、公開傳輸及公開上映附件二所示之視聽著作，獲取消費者投幣至本案機台之財產收益，且將如附表一所示商標字樣或圖樣使用於附件一備註欄註記「有揚聲LOGO」之伴唱帶商品或提供伴唱之服務上，顯有致公眾混淆誤認之虞，侵害揚聲公司之商標權；五、因認李德林就自訴事實一之行為涉犯著作權法第93條第4款違反第87條第1項第8款第3目之輸入或銷售載有提供公眾使用匯集該等著作網路位址之電腦程式之設備或器材罪嫌；自訴事實二之行為涉犯同法第91條第2項之意圖銷售而擅自以重製方法侵害著作權罪嫌；自訴事實三之行為涉犯同法第93 條第4款違反第87條第1項第8款第1目、第91條之1第2項之明知係侵害著作財產權之重製物而散布等罪嫌；自訴事實四之行為涉犯同法第91條第2項之意圖銷售而擅自以重製方法侵害著作權、同法第92條之公開傳輸、公開上映、商標法第95 條第1款之未得商標權人同意，而於同一商品或服務，使用相同於註冊商標等罪嫌；喬安公司因代表人李德林涉犯上開著作權法部分而涉有同法第101條第1項罪嫌等語（自訴意旨詳如卷一第7-23頁刑事自訴狀、卷二第7-10頁109年7月1日準備程序筆錄、第317-323頁109年12月17日準備程序筆錄、第343-353頁刑事自訴準備㈡狀、第361-365頁110年4月29日準備程序筆錄、第371-378頁刑事自訴準備㈢狀、第517-520 頁110年10月7日準備程序筆錄、第521-527頁刑事自訴準備㈣狀、卷三第15-18頁刑事自訴準備㈤狀、第27-30頁111年3月1 8日準備程序筆錄、第31-33頁刑事自訴準備㈥狀、第63-67頁刑事自訴陳報狀、第71-76頁111年6月10日準備程序筆錄、卷四第79-82頁112年5月24日準備程序筆錄、第395-398頁刑事自訴準備八狀所載）。貳、程序部份一、本案並非不得提起自訴之同一案件：　　按不得提起自訴而提起者，應諭知不受理之判決；已經提起公訴或自訴之案件，在同一法院重行起訴者，應諭知不受理之判決；前開規定於自訴程序準用之，刑事訴訟法第334條、第303條第2款及第343條分別定有明定。被告固辯稱：本案與臺灣臺北地方檢察署（下稱臺北地檢署）108年度偵字第23659號、108年度偵字第25519號、臺灣士林地方檢察署1 09年度偵字第7955號、臺灣高雄地方檢察署109年度偵字第1 2148號（下稱前案）屬同一案件等語（卷三第55至60頁）。惟查，本案自訴狀所載著作雖有部分與前案所涉著作有所重複（詳如卷二第163頁至169頁被告等109年8月24日刑事答辯㈡狀之整理），然嗣經自訴人於本院準備程序中將本案所涉著作更正並排除與前案重複部分（卷三第27至29頁），是本案自訴人所指犯罪事實與前案之告訴事實間，所涉著作既屬不同，且著作被利用之時間、地點亦屬可分，故本案與上開不起訴處分書等所涉之行為應非屬同一案件，自訴人自有權提起本案自訴。二、本案未逾告訴期間：　　按告訴乃論之罪，其告訴應自得為告訴人之人知悉犯人之時起，於6個月內為之。告訴或請求乃論之罪，已不得為告訴或請求者，不得再行自訴，刑事訴訟法第237條第1項、第32 2條分別定有明文。被告等及其辯護人雖辯稱：參照臺北地檢署107年度調偵字第20389號、108年偵字第25519號不起訴處分書之編案年度及告訴事實，自訴人至遲應於106年12月6 日為提起前開告訴而蒐證時，即已知悉被告等涉嫌違反著作權法之事實，且就被告等涉嫌違反同法第87條第1項第8款第 1、3目、第93條部分，前開條文於108年5月3日生效，生效後6個月之108年11月2日即為自訴人提起自訴期限，然自訴人竟遲至109年4月29日始提起本訴，顯然已逾越告訴期間等語（卷二第193至194頁、卷四第32至33頁）。然觀上開臺北地檢署107年度調偵字第20389號、108年偵字第25519號不起訴處分書之告訴事實，並未及於被告等所設置之本案機台，且自訴人主張其係於109年1月間始發現臺北車站站前地下街 Z4區設置有本案機台，因而自訴人於109年4月29日提起本件自訴，並無逾越告訴期間，並非不得再行自訴無疑。三、自訴人為合法自訴權人：　　按著作財產權人之授權他人利用著作，不論專屬授權或非專屬授權，均得為授權利用地域、時間、內容、利用方法或其他事項之約定。但非專屬授權之被授權人，僅得於授權範圍內取得使用著作之權利，非經著作財產權人之同意，並不得將其被授與之權利再授權第三人利用，而與原著作財產權人之地位，尚屬有間。至專屬授權之被授權人，則因契約於授權範圍內取得獨占利用著作之權限，授權人於同一授權範圍之內容，不得更授權第三人，自己亦不得行使權利；如專屬授權之被授權人使用著作財產權之權利受侵害，與原著作財產權人之權利被侵害，並無不同，被授權人應為直接被害人，自得依著作財產權人之地位，提出告訴或自訴（最高法院 101年度台上字第618號判決意旨參照）。被告等雖辯稱：依自訴人所提專屬授權書，無法確認授權人為本案視聽著作之著作權人，自訴人自非有權提起自訴等語（卷1第461-467頁、卷2第8-9頁、第321-322頁）。然查附件一、二、三所示視聽著作，均屬自訴人得著作財產權人就重製、散布、出租、公開上映及公開傳輸等權利之專屬授權等情，有自訴人提出之各唱片公司專屬授權證明書附卷可憑（卷一第35至155 頁），足徵自訴人為附件一、二、三所示視聽著作之重製、散布、公開上映及公開傳輸等權利之專屬被授權人，是自訴人就該等視聽著作所提本案自訴，自屬合法自訴權人。四、又按犯罪事實應依證據認定之，無證據不得認定犯罪事實；有罪之判決書應於理由內記載認定犯罪事實所憑之證據及其認定之理由，刑事訴訟法第154條第2項及第310條第1款分別定有明文。而犯罪事實之認定，係據以確定具體的刑罰權之基礎，自須經嚴格之證明，故其所憑之證據不僅應具有證據能力，且須經合法之調查程序，否則即不得作為有罪認定之依據。倘法院審理之結果，認為不能證明被告犯罪，而為無罪之諭知，即無前揭第154條第2項所謂「應依證據認定」之犯罪事實之存在。因此，同法第308條前段規定，無罪之判決書只須記載主文及理由。而其理由之論敘，僅須與卷存證據資料相符，且與經驗法則、論理法則無違即可，所使用之證據亦不以具有證據能力者為限，即使不具證據能力之傳聞證據，亦非不得資為彈劾證據使用。故無罪之判決書，就傳聞證據是否例外具有證據能力，本無須於理由內論敘說明。參、實體部分一、按犯罪事實應依證據認定之，無證據不得認定犯罪事實；不能證明被告犯罪者，應諭知無罪之判決，刑事訴訟法第154 條第2項、第301條第1項前段分別定有明文。按刑事訴訟法第161條第1項規定，檢察官就被告犯罪事實，應負舉證責任，並指出證明之方法，是檢察官對於起訴之犯罪事實，應負提出證據及說服之實質舉證責任，倘其所提出之證據，不足為被告有罪之積極證明，或其指出證明之方法，無從說服法院以形成被告有罪之心證，基於無罪推定之原則，自應為被告無罪判決之諭知（最高法院92年度台上字第128號判決意旨參照）。再刑事訴訟法第161條係編列在同法第1編總則第 12章「證據」中，則該條第1項檢察官負有實質舉證責任之規定，於自訴程序之自訴人亦有適用。二、自訴意旨認被告等涉有前述罪嫌，無非係以各唱片公司出具之專屬權利授權書、自訴人109年1月13日寄發之存證號0000 31存證信函、臺灣臺北地方法院所屬民間公證人鍾振光事務所（下稱鍾振光事務所）109年3月13日公證書、TOPTEAM冠群國際專利商標聯合事務所（下稱冠群事務所）109年2月15 日鑑定意見書、專利新型第M552173號之專利說明書、我的小巨蛋咪噠-咪噠&咪歌「迷你mini電話亭KTV」臉書網頁截圖、京站實業股份有限公司與咪噠積股份有限公司之「mini KTV機台設置合約書」、咪噠咪歌MINIK 電話亭KTV官方網站截圖、揚聲公司如附表一所示商標註冊資料、廣州鴛鴦科技有限公司聲明書及郵件袋影本等為其主要論據。三、訊據被告李德林固坦承其於上開時間內為喬安公司之負責人，且喬安公司確有向鴛鴦公司購得並輸入本案機台後，將本案機台販售予快樂品涵商行而設置在上開地點等情，惟堅詞否認有何自訴意旨所指犯行，辯稱及其辯護人為其辯稱： (一)著作權法部分：伴唱帶僅係將他人已完成之著作相互結合，不具原創性及創作性，非屬受著作權法保護之著作。況本案機台需透過網路連線至供應商鴛鴦公司之雲端伺服器，始得搜尋、撥放歌曲，如網路連線中斷將無法使用，故本案機台內並無重製如附件二、三所示視聽著作，李德林亦無主動於境外設置伺服器並上傳任何視聽著作之行為，故本案機台僅提供公眾瀏覽網頁，而屬網路中繼性傳輸行為，並非重製，亦不構成公開傳輸或公開上映。再李德林係向鴛鴦公司購得本案機台，每月繳交鴛鴦公司人民幣120元之管理費，且鴛鴦公司保證該伺服器內之視聽著作版權均為合法取得，並無侵害自訴人著作財產權之主觀犯意等語（卷一第469-481頁、卷二第23-35頁、第380-390頁）。 (二)商標權法部分：附件一備註「有揚聲LOGO」部分之視聽著作雖包含自訴人如附表一所示商標，惟該等商標並非李德林所加註於視聽著作上，而係鴛鴦公司提供之網路影片中所內嵌，況消費者亦非以如附表一商標存在與否決定是否消費，故李德林並無將自訴人商標作為自己的商標使用，非屬商標使用等語（卷一第481頁、卷三第35頁、第391-394頁、卷四第 81頁）。四、經查： (一)訊據李德林固不否認其於上開時間內為喬安公司之負責人，且喬安公司確有向鴛鴦公司購得並輸入本案機台後，將本案機台販售予快樂品涵商行而設置在上開地點，並每月向快樂品涵商行收取設備綜合保險費用、公開傳輸授權費、網路版權服務費等費用，且自訴人於109年1月13日蒐證時亦確有透過本案機台播放如附件一、二、三所示視聽著作，附件一備註「有揚聲LOGO」部分之視聽著作亦包含自訴人如附表一所示商標等情，核與自訴人於準備程序中之指述（卷二第7-10 頁、第317-323頁、第361-365頁、第517-520頁、卷三第27- 30頁、第71-76、卷四第79-82頁）大致相符，並有鍾振光事務所公證書（卷一第167-230頁）、冠群事務所鑑定意見書（卷一第235-278頁）、專利新型第M552173號之專利說明書（卷一第273-278頁）、我的小巨蛋咪噠-咪噠&咪歌「迷你m ini電話亭KTV」臉書網頁截圖（卷一第353-362頁）、京站實業股份有限公司與咪噠積股份有限公司之「mini KTV機台設置合約書」（卷一第377-382頁）、咪噠咪歌MINIK 電話亭KTV官方網站截圖（卷一第407-411頁）、揚聲公司如附表一所示商標註冊資料（卷一第431-435頁）、鴛鴦公司聲明書及郵件袋影本乙份（卷一第599-601頁）等件附卷可稽，是此部分事實，首堪認定。又自訴人就本案附件一、二、三所示視聽著作均取得重製、公開傳輸及公開上映等權利之專屬授權，業如前述，亦堪認定。 (二)李德林自訴事實三涉犯同法第91條之1第2項之散布重製物、自訴事實四涉犯著作權法第91條第2項之意圖銷售而重製罪嫌部分：　⒈按著作權法第3條第1項第5款規定「重製：指以印刷、複印、錄音、錄影、攝影、筆錄或其他方法直接、間接、永久或暫時之重複製作。於劇本、音樂著作或其他類似著作演出或播送時予以錄音或錄影；或依建築設計圖或建築模型建造建築物者，亦屬之」；同法第22條規定：「著作人除本法另有規定外，專有重製其著作之權利。表演人專有以錄音、錄影或攝影重製其表演之權利。前二項規定，於專為網路合法中繼性傳輸，或合法使用著作，屬技術操作過程中必要之過渡性、附帶性而不具獨立經濟意義之暫時性重製，不適用之。但電腦程式著作，不在此限。前項網路合法中繼性傳輸之暫時性重製情形，包括網路瀏覽、快速存取或其他為達成傳輸功能之電腦或機械本身技術上所不可避免之現象。」此規定於 92年7月9日修正公布時所增訂，其立法理由：「二、增訂第三項及第四項有關『暫時性重製』權利排除之情形，說明如下：（一）配合本法於第三條第一項第五款明確定義『暫時性重製』為『重製』，參照歐盟二○○一年著作權指令第五條第一項，就應特別排除而不屬於重製權範圍之『暫時性重製』情形，於第三項明定。（二）第三項第一款所稱之『屬技術操作過程中必要之過渡性、附帶性而不具獨立經濟意義之暫時性重製』，雖合於第三條第一項第五款『重製』之定義，但因其係電腦或機械基於自身之功能所產生者，無行為人行為之涉入，並非合理使用，參考歐盟二○○一年著作權指令第五條第一項規定，排除於重製權之外。(三) 由於數位化之技術，各類著作均得被重製於數位化媒介物，而此等媒介物之讀取，往往發生暫時性重製，第三項第二款爰原則規定合法使用著作之情形，排除不賦予重製權。惟合法使用電腦程式著作過程中所為之暫時性重製，參考歐盟一九九一年電腦程式指令第五條第一項規定係屬合理使用，故該項暫時性重製仍屬重製權之範圍，爰於同款增訂但書排除之」。又經濟部智慧財產局102年11月29日智著字第10200096840號（四）說明：「如未進一步將訊號固著於載體上，僅轉換其訊號形式，固非屬著作權法所稱之重製，惟於轉換類比訊號之過程中，因技術之必須，將訊號暫存（固著）於載體（串流影音伺服器）上，如該訊號中載有著作內容，即構成著作權法所稱之重製」。再所謂「串流」（Streaming）技術，係指將即時影音資料經過壓縮後，透過網際網路分段封包之方式，穩定快速的傳輸送到用戶端，並且傳輸至用戶端之多媒體資料並非實際完整重製一份存放在硬碟之內，而是將該多媒體資料儲存在客戶端的緩衝記憶體（Buffer）之內，並且一經用戶端讀取播放後隨即丟棄（刪除）已讀取播放之封包，以節省本機端磁碟儲存空間，並未留存在客戶端設備（手機、平板電腦、桌上型電腦）之中，此並非「關閉電源後影音檔案亦隨之逸失」，而是「觀覽過後之影音片段隨即逸失」，故若視聽著作播放係經由上開串流技術，自有可能僅屬暫時性重製，而未固著於客戶端載體，即難以認為其構成著作權法所規範之重製行為。　⒉查自訴人固提出冠群事務所109年2月15日本案機台技術分析鑑定意見書，分析意見略以：現今一般使用的儲存裝置有硬碟機(hard-disk　drive，HDD)以及固態硬碟（solid-state disk，SSD)，硬碟機有3.5吋及2.5吋兩種尺寸，其連接介面現今多為SATA介面；固態硬碟則有多種連接介面，其中SATA 介面、mSATA介面、M.2介面、PCIE介面的固態硬碟在市面上較為常見，而根據臺北地檢署108年度偵字第23659號之本案機台勘驗報告、勘驗影片光碟截圖及「唱歌機各類狀況排除文件」說明文件，本案K歌亭所使用之主機板型號為「18014 P」，依18014P主機板之規格表，可知18014P主機板可提供1 個供容量最多為8GB的DDR3L1333MHz記憶體使用之記億體插槽，亦提供了2個mini-PCIe插槽，可分別供mSATA儲存裝置及無線網卡使用，再對照18014P主機板之空版產品照中未含記憶體或硬碟，但本案機台之主機板確有安裝DDR3L記憶槽及mSATA固態硬碟，且唱歌機各類狀況排除文件亦說明當軟件不能正常啟動時，工程師後端排除的方式為「顯示適配器驅動程序遺失需重新安裝驅動程序」，可見主機板上必然有儲存裝置來儲存顯示適配器，又上開勘驗影片中，於2分23 秒時拔除網路線，但本案機台的影片畫面仍然持續播放了54 秒，嗣因播放畫面停止，蒐證人員點選觸控螢幕以回到操作界面後，可清楚看出本案機台之操作界面顯示出「當前網絡不給力，我們正在努力連接！」的訊息，亦可判斷本案機台可至少存放54秒的影片片段，此有上開技術分析意見書及所附臺北地檢署108年度偵字第23659號卷證中檢察事務官108 年11月12日另案機台勘驗報告、唱歌機各類狀況排除文件、另案機台勘驗影片光碟、冠群事務所109年2月15日派員實際操作本案機台及點播歌曲之影片光碟、本案機台主機板型號之相關資料（卷一第235-278頁）等件附卷可稽。　⒊然查本案機台於拔除網路線後數秒，操作界面將顯示「當前網絡不給力，我們正在努力連接！」的訊息，亦有上開技術分析意見書中所附採證畫面（卷一第248頁）在卷足憑。又查鴛鴦公司107年1月30日曾出具聲明書載明：「本公司所生產之『咪噠電話亭KTV』，其設備內建之歌曲均已取得著作權版權授權標的為合法取得『中國音像著作權集體管理協會』授權取得方，於契約有效期間內，將提供網絡連接對應方式取得播放標的，…並擔保其對授權標的有轉授權著作財產權之權利。並擔保本著作之內容並無不法侵害他人權利或著作權之情事」等文字，經臺灣士林地方檢察署檢察官109年度偵字第795 5號不起訴處分書認定在案。再查李德林提出之鴛鴦公司108 年3月30日聲明書載明：「本公司所銷售之迷你KTV機台，其設備系統己内建鏈接至本公司之服務器，歌曲是由用户操作接口搜索，经由本公司之雲端服務緝指向不特定之瀏覽位置，如網路連機中斷將無法使用，與本公司合作之電話亭迷你 KTV機台，每台每月需另收120元人民幣之系統管理費」，亦有上開聲明書在卷可憑（卷一第599頁）。　⒋依上開各項證據所示，由於本案機台與上開臺北地檢署108年度偵字第23659號所涉機台均為喬安公司所引入，可認兩機台之型號、出廠時內部構造設計均屬相同，均提供有裝設儲存裝置之插槽。惟消費者使用本案機台之方式，係於連接網路之情況下，先搜尋歌曲之名稱，再透過本案機台提供之超連結，經由鴛鴦公司之雲端服務器連結至不特定之瀏覽位置而播放伴唱帶影片，倘網路線經拔除即無法播放，而難認本案機台中確有永久儲存而重製有如附表二、三所示視聽著作之檔案，是本案機台透過網路超連結至外部伺服器或網站播放如附表二、三所示著作之行為，應僅屬所謂串流技術之使用，而屬網路中繼性傳輸之暫時性重製情形，故揆諸前揭規範意旨，自難認構成著作權法所稱之重製行為，而侵害如附表二、三所示視聽著作之重製權。既無從證明李德林有重製如附表二、三所示視聽著作於本案機台中，則李德林自訴事實三之銷售本案機台予他人設置於上開地點之行為，自不構成著作權法第91條之1第2項之散布重製物行為；自訴事實四中自訴人於本案機台點播如附表二、三所示視聽著作之行為，亦無由認定李德林構成同法第91條第2項之意圖銷售而擅自以重製之方法侵害他人之著作財產權犯行。 (三)李德林自訴事實四涉犯著作權法第92條公開傳輸、公開上映罪嫌部分：　　　按以公開傳輸方式侵害著作權之成立，客觀上須有公開傳輸之行為，即以有線電、無線電之網路或其他通訊方法，藉聲音或影像向公眾提供或傳達著作內容，包括使公眾得於其各自選定之時間或地點，以上述方法接收著作內容，倘行為人未以公開傳輸方法向現場公眾傳達著作內容，則與擅自以公開傳播方法受害他人著作權罪之成立要件有間。再按提供「超連結」之行為是否符合著作權法第3條第1項第10款「公開傳輸」之定義，基於「技術中立原則」，應以其技術本身客觀上之運作方式資為認定。所謂的「超連結」，乃使用者藉由點選連結路徑開啟、新增外部網站，將使用者帶至該經連結之網頁為瀏覽，是超連結之技術手段只是「提供」外部原始已經存在足以供不特定大眾瀏覽、播放各該著作之「路徑」，事實上向公眾提供或傳達著作內容者為將影片上傳之外部影音平台之人，並不是提供超連結之人，故而單純提供超連結，似與「公開傳輸」之構成要件不該當。倘若行為人是使用嵌入式超連結技術，也就是使用者點選連結後，實際上已經連結到外部網站觀看影片，但行為人透過內部程式語言運作，讓頁面外觀看起來仍然停留在原來操作介面的錯覺，這種嵌入式超連結的行為，似仍非「公開傳輸」行為。至於行為人是否基於營利意圖、所彙整之超連結數量多寡、超連結後之影音檔是否集盜版之大成等，係涉及行為人主觀要件，與其所為之客觀行為是否構成「公開傳輸」無涉（最高法院109年度台上字第2616號刑事判決參照）。是以，行為人倘以提供超連結之方式，令使用者得以連結至外部網站播放觀賞影音內容，並非屬公開傳輸行為。而依前開說明，本案機台遭拔除網路線後，即無法完整播放伴唱帶，可見本案機台之運作方式，僅係單純提供連結至外部網站之路徑，而播放原已存在於該外部網站之影音，是自訴事實四部分，尚難認構成公開傳輸之行為。 (四)李德林自訴事實一、三涉犯著作權法第93條第4款違反第87 條第1項第8款第1目、第3目部分、自訴事實二涉犯同法第91 條第2項之意圖銷售而擅自以重製方法侵害著作權部分：　⒈按著作權法第87條第1項第8款第1目及第3目，係以行為人明知他人公開播送或公開傳輸之著作侵害著作財產權，意圖供公眾透過網路接觸該等著作，製造、輸入或銷售載有匯集該等著作網路位址之電腦程式之設備或器材，而受有利益者，為其犯罪構成要件。所謂明知，係指直接故意，即行為人對於構成犯罪之事實，明知並有意使其發生者而言，如行為人對於構成犯罪之事實，僅係有所預見，而消極放任或容任犯罪事實發生，即非明知（最高法院95年度台上字第3887號判決、91年度台上字第2680號判決意旨參照）。　⒉查鴛鴦公司既提出聲明書如上所示，表明本案機台內連結之視聽著作均係存於鴛鴦公司所設置之雲端伺服器，且保證均屬合法，又李德林倘知悉鴛鴦公司所建置之雲端資料庫內視聽著作有侵權之情事，應無按月給付鴛鴦公司管理費之理，應足認李德林係因鴛鴦公司保證該伺服器上之視聽、歌曲版權均為合法取得，乃輸入本案機台，並販售予他人於上開地點擺設本案機台，且存有如附件二、三視聽著作之雲端伺服器為鴛鴦公司所建置，而難以遽認被告李德林確有將如附件二所示視聽著作傳輸並建置在雲端資料庫之行為，是自訴事實二部分，並不構成著作權法第91條第2項之意圖銷售而擅自以重製方法侵害著作權。再由自訴人所舉事證，既無法證明被告於輸入本案機台及將本案機台提供予他人設置在上開地點時，主觀上明知鴛鴦公司公開傳輸至雲端資料庫之視聽著作在臺、彭、金、馬地區未獲合法授權而侵害著作財產權，故李德林自訴事實一、三部分，亦不構成著作權法第87條第 1項第8款第1目、第3目之情形。 (五)李德林自訴事實四涉犯商標法第95條第1款罪嫌部分：　⒈按商標法第95條第1款未得商標權人同意，而於同一商品或服務，使用相同於註冊商標罪，行為人除須在客觀上於同一商品或服務上有使用相同於註冊商標之商標之行為以外，其主觀構成要件，以行為人有侵害商標權之故意為前提。倘行為人欠缺此項主觀要件，縱其行為有所過失，而造成侵害他人商標權之結果，要屬民事損害賠償之問題，即無從以商標法之刑事責任相繩。　⒉查自訴人固提出上開公證書所附109年1月13日於本案機台播放如附件一註記「有揚聲LOGO」部分之視聽著作之畫面，有上開畫面附卷可佐（本院卷一第171-223頁），而可認上開視聽著作畫面上確標示有自訴人公司商標權圖樣或字樣，復為李德林所不爭執。然上開視聽著作既係由鴛鴦公司管理之雲端伺服器點播而來，自訴人之商標僅隨視聽著作之播放而出現在畫面中，而無法證明係李德林將自訴人商標內嵌於影片中，而鴛鴦公司既保證其管理之視聽著作均屬合法，自訴人復無提出其他證據佐證李德林主觀上知悉鴛鴦公司所管理之視聽著作有侵害他人商標權之情事，則尚難僅以部分視聽著作畫面上出現自訴人之商標乙節，據認李德林主觀上有未經自訴人同意而使用如附表一所示商標之故意，實難率以商標法第95條第1款之罪相繩。 (六)又被告李德林既無自訴意旨所主張違反著作權法之犯行，業經本院說明如前，則自訴意旨主張被告喬安公司應依著作權法第101條第1項規定負擔刑事責任云云，亦屬無由，一併敘明。 (七)駁回調查證據之聲請：　　自訴人固聲請由法務部調查局資通安全處資安鑑識實驗室鑑定臺北市○○區○○○路0段000號C棟11樓之電話亭KTV，待證事實為1.證明本案機台內設置有儲存裝置，供儲存重製之視聽著作；2.證明本案機台螢幕所撥放之視聽著作係透過下載至機台後再播放，屬重製行為；3.證明本案機台內存有匯集侵權網址之電腦程式，及該等網址所指向之特定資料庫，係未經自訴人授權使用本案視聽著作之資料庫（本院卷四第43-4 5頁）。然而，經本院函詢法務部調查局，依自訴人所提書狀，可否為鑑定、鑑定方式為何等事項，經法務部調查局11 1年12月21日調資伍字第11114531730號函覆以：依來函資料無法確認該機台之廠牌型號及內存資料狀態，故無法判定能否協助鑑定等語（本院卷四第49頁），而屬不能調查。復參諸前述證據及說明，本案事證已臻明確，無再調查之必要。是此部分調查證據之聲請，依刑事訴訟法第163條之2第1項、第2項第1款、第3款等規定，應予駁回。 (八)綜上所述，本案率難僅憑自訴人所指事證，驟以推斷認定李德林涉有上開著作權法及商標法等犯行、喬安公司因李德林涉犯上開著作權法部分而涉犯著作權法第101條第1項之犯行，揆諸前開規定及說明，被告等之犯罪既屬不能證明，自應為被告有利之認定，而應為無罪判決之諭知。據上論斷，應依刑事訴訟法第343條、第301條第1項前段，判決如主文。　　　　　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　12　　日　　　　　　　　　刑事第十一庭　法　官　鄧鈞豪　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　趙德韻　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　林記弘　　　　　上正本證明與原本無異。如不服本判決應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，並應敘述具體理由；其未敘述上訴理由者，應於上訴期間屆滿後20日內向本院補提理由書（均須按他造當事人之人數附繕本）「切勿逕送上級法院」。　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　洪婉菁中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　12　　日附表一、揚聲公司商標編號商標字樣或圖樣註冊審定號指定使用商品/服務名稱 1 00000000 影碟、雷射影碟、錄影帶捲軸、電視節目錄影帶、已錄錄影帶、錄影帶、伴唱錄影帶、錄影帶盒、影碟盒、雷射影碟片、影音光碟、伴唱帶、已錄之錄影碟、已錄錄影碟、已錄之影碟、數位影音光碟 2 00000000 影音光碟機、數位影音光碟機、K歌機、電腦自動點唱機 3 00000000 影碟、雷射影碟、錄影帶捲軸、電視節目錄影帶、已錄錄影帶、錄影帶、伴唱錄影帶、錄影帶盒、影碟盒、雷射影碟片、影音光碟、伴唱帶、已錄之錄影碟、已錄錄影碟、已錄之影碟、數位影音光碟、影音光碟機、數位影音光碟機、K歌機、電腦自動點唱機

2025-02-12

TPDM-109-自-28-20250212-1

自

臺灣臺北地方法院

違反商標法

臺灣臺北地方法院刑事裁定 109年度自字第28號自訴人揚聲多媒體科技股份有限公司代表人劉宏達自訴代理人翁林瑋律師王佩絹律師何婉菁律師被告王健發選任辯護人陳瑜珮律師上列被告因違反商標法等案件，經自訴人提起追加自訴，本院裁定如下：　　主　　文追加自訴駁回。　　理　　由一、本件追加自訴意詳如自訴人所提民國113年3月18日刑事自訴追加起訴狀所示（本院卷四第213至215頁）。二、按追加起訴係就與已經自訴之案件無單一性不可分關係之相牽連犯罪（指刑事訴訟法第7條所列案件），在原自訴案件第一審辯論終結前，加提獨立之新訴，俾便及時與原自訴案件合併審判，以收訴訟經濟之效，此觀刑事訴訟法第343條準用同法第65條自明（最高法院87年度台上字第540號判例意旨參照）。查自訴人於本院言詞辯論終結前之113年3月18 日，以刑事自訴追加起訴狀追加被告王健發為本案之共同被告，依上開追加自訴之犯罪事實形式觀之，與已自訴之犯罪有數人共犯一罪或數罪之關係，屬刑事訴訟法第7條第2款之相牽連案件，形式上雖合於追加自訴之要件，惟有下述情形，分別敘明之。三、按法院或受命法官，得於第一次審判期日前，訊問自訴人、被告及調查證據；第1項訊問及調查結果，如認為案件有第2 52條、第253條、第254條之情形者，得以裁定駁回自訴，刑事訴訟法第326條第1項前段、第3項明文規定。自訴案件因未經偵查程序，因此賦予法官於第一次審判期日前審查之權，於自訴有第252條各款應不起訴原因、第253條認為以不起訴為適當之得不起訴原因與第254條於應執行刑無重大關係得為不起訴原因者，得以裁定駁回自訴，以免程序勞費，明定法院或受命法官於第一次審判期日前，得審查提起之自訴，有無檢察官偵查結果之應為不起訴、得不起訴之情形。自訴程序除自訴章（刑事訴訟法第319條至第343條）有特別規定外，準用公訴章第2節、第3節關於公訴之規定，刑事訴訟法第343條明文規定。又「案件有左列情形之一者，應為不起訴之處分：…五、告訴或請求乃論之罪，其告訴或請求已經撤回或已逾告訴期間者。…十、犯罪嫌疑不足者…」，刑事訴訟法第252條第5、10款亦分別定有明文。為貫徹無罪推定原則，檢察官就被告犯罪事實，應負舉證責任，並指出證明方法，刑事訴訟法第161條第1項定有明文。刑事訴訟法第16 1條、第163條關於舉證責任與法院調查義務之規定，編列在刑事訴訟法第一編總則第12章「證據」，原則上於自訴程序同有適用，除其中第161條第2項起訴審查機制、同條第3項、第4項以裁定駁回起訴之效力，自訴程序已分別有第326條第3項、第4項及第334條特別規定外，關於第161條第1項檢察官應負實質舉證責任規定，於自訴程序之自訴人同有適用。自訴程序，法院如認案件有同法第252條至第254條情形，自得逕依同法第326條第3項規定，裁定駁回自訴，無須先裁定定期通知自訴人補正（最高法院91年度第4次刑事庭會議決議參照）。因遭提起公訴或自訴之對象，無論事實上或法律上，於精神、時間、經濟、家庭社會層面均承受極大負擔，故必有確實、高度犯罪嫌疑，始允提起公訴或自訴。因此提起公訴或自訴應以「有罪判決之高度可能」為要件，此與開始偵查之單純嫌疑（刑事訴訟法第228條第1項）及有罪判決之毫無合理懷疑之確信（刑事訴訟法第299條第1項）均不相同。提起公訴或自訴既以「得為有罪判決之高度可能性」為前提要件，則公訴或自訴之提起無明顯成立犯罪可能時，如令被告應訴而負擔刑事訴訟程序之苦，顯與正當法律程序之要求有違。因此若公訴或自訴之提起，尚不足以認定被告有犯罪成立之可能者，程序上應將之遏阻於「實體審理」之前，拒絕其進入實體審理。四、自訴人認被告王健發共同涉犯著作權法、商標法等罪嫌，無非係以本院108年度金重訴字第2號刑事判決等件為其主要論據。經查： (一)著作權法部分：　　按告訴乃論之罪，其告訴應自得為告訴人之人知悉犯人之時起，於6個月內為之，刑事訴訟法第237條第1項定有明文。再按刑法第284條之罪，依刑法第287條規定，須告訴乃論。次按著作權法第七章之罪，原則上均須告訴乃論，有著作權法第100條可參。查自訴人與同案被告李德林及喬安能源開發股份有限公司（下稱喬安公司，現負責人為林伯諺，於11 1年9月13日前原名咪噠積股份有限公司，106年8月2日前原名緯環科技股份有限公司）素因「咪噠 miniK CO」電話亭K TV（下稱本案機台）而有多起案件，最早於臺灣臺北地方檢察署檢察官107年度調偵字第2038號、108年度偵字第25519 號等不起訴處分書（於108年10月23日偵結）中，即已引用被告王健發於臺灣士林地檢署檢察官108年度偵字第9243號不起訴處分書（於108年7月4日偵結）中關於本案機台之證言。再本院108年度金重訴字第2號刑事判決固認定被告王健發曾為同案被告喬安公司之前身緯環科技股份有限公司之負責人，然該案件亦於111年8月10日即已宣判。故自訴人應於臺北地方檢察署檢察官107年度調偵字第2038號等不起訴處分書送達於自訴人時，或本院108年度金重訴字第2號刑事判決宣判時，即得知悉被告王健發曾為同案被告喬安公司之實際負責人之事實。而自訴人所指被告王健發之本案行為，均發生於109年1月13日以前，就本案之犯罪事實而言，自訴人既已得知悉被告王健發曾為同案被告喬安公司之實際負責人，卻遲至113年3月18日始對被告提出追加自訴，顯已逾6個月告訴期間，且自訴人未指出本案有何著作權法第100條非告訴乃論之事由，依前揭規定，自不得對被告王健發提起追加自訴。 (二)商標法部分：　　被告王健發及其辯護人為其辯稱：其於105年前確為同案被告喬安公司更名前之「緯環科技股份有限公司」實際負責人，但於106年8月將喬安公司賣予同案被告李德林後，已非公司負責人而與本案無涉等語（卷4第283-288頁刑事自訴答辯狀）。又本院108年度金重訴字第2號刑事判決固認定被告王健發曾為同案被告喬安公司之負責人，惟該案所涉犯罪事實，均發生於104年前，自訴人復未提出被告王健發於本案案發之109年1月13日前有何涉犯本案犯行，並獲有罪判決之高度可能之證據供本院勾稽，而無從證明被告王健發有共同違反著作權法及商標法等罪之行為。五、綜上各情，依追加自訴意旨指訴內容，被告王健發涉犯著作權法部分已逾告訴期間，被告王健發涉犯商標法部分則罪嫌不足，應認有刑事訴訟法第252條第5款、第10款所定情形，揆諸前開說明，自應裁定駁回追加自訴。據上論斷，應依刑事訴訟法第326條第3項、第252條第5款、第10 款規定，裁定如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　12　　日　　　　　　　　　刑事第十一庭　審判長法　官　鄧鈞豪　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　趙德韻　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　林記弘　　上正本證明與原本無異。如不服本裁定，應於裁定送達後10日內向本院提出抗告狀。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　洪婉菁中　　華　　民　　國　　114 　年　　2 　　月　　12　　日

2025-02-12

TPDM-109-自-28-20250212-2

補

臺灣士林地方法院

確認事實上處分權存在

臺灣士林地方法院民事裁定 113年度補字第298號原告蘇新全訴訟代理人翁林瑋律師王佩絹律師被告楊林雄上列當事人間請求確認事實上處分權存在事件，原告起訴未據繳納裁判費。按訴訟標的之價額，由法院核定。核定訴訟標的之價額，以起訴時之交易價額為準；無交易價額者，以原告就訴訟標的所有之利益為準，民事訴訟法第77條之1第1項、第2項分別定有明文。查本件原告起訴請求確認原告及黃蘇毓秀等人就坐落新北市○○區○○段000○000○000○000地號土地上如建造執照82年汐建字第1171號建築之地上物（下稱系爭地上物）之事實上處分權全部存在，而系爭地上物之交易價額經本院囑託先鑑不動產估價師事務所鑑定為新臺幣（下同）22,917,000元，有不動產估價報告書在卷可稽，是本件訴訟標的價額核定為22,917,000元，應徵第一審裁判費213,696元。茲依民事訴訟法第249條第1項但書之規定，限原告於收受本件裁定送達後5日內補繳，逾期不繳，即駁回其訴，特此裁定。中華民國 114 年 1 月 21 日民事第一庭法官方鴻愷以上正本係照原本作成。核定訴訟標的價額部分，如不服裁定得於收受送達後10日內向本院提出抗告狀，並繳納抗告費新臺幣1,500元（若經合法抗告，命補繳裁判費之裁定，並受抗告法院之裁判）。中華民國 114 年 1 月 21 日書記官傅郁翔

2025-01-21

SLDV-113-補-298-20250121-2

補

臺灣臺北地方法院

返還借款

臺灣臺北地方法院民事裁定 113年度補字第2525號原告陳冠州訴訟代理人翁林瑋律師何婉菁律師被告境觀室內裝修設計有限公司兼法定代理人蘇泂和上列當事人間請求返還借款事件，本院於民國113年10月28日所為之裁定，其原本暨正本應更正如下：　　主　　文原裁定原本及其正本中關於「本件訴訟標的金(價)額核定為新台幣3,308,969元(本金為6,000,000+15,466,000，自請求日起至起訴日前一日止利息為946,243+2,362,726)，應繳裁判費新台幣33 ,769元」之記載，應更正為「本件訴訟標的金(價)額應核定為新台幣24,774,969(即本金6,000,000+本金15,466,000元+自請求日起至起訴日前一日止利息3,308,969元《946,243+2,362,726》，應繳裁判費230,064元」。原告應於本裁定送達日起5日內，補繳裁判費新台幣196,295元，逾期不繳，即駁回其訴。　　理　　由一、按判決如有誤寫、誤算或其他類此之顯然錯誤者，法院得隨時或依聲請以裁定更正之；其正本與原本不符者，亦同，民事訴訟法第232條第1項定有明文。上開規定於裁定準用之，同法第239條亦有明定。二、查本件原告聲請對被告發支付命令(113年度司促字第10926 號)，惟被告已於法定期間內對支付命令提出異議，應以支付命令之聲請視為起訴，而本件訴訟標的金(價)額應核定為新台幣(下同)24,774,969元(即本金6,000,000+本金15,466, 000元+自請求日起至起訴日前一日止利息3,308,969元《946, 243+2,362,726》，合計為24,774,969元)，應可確定；但本院113年10月28日裁定於計算時，僅加總利息金額卻漏未加總計算本金數額，因而將訴訟標的金額誤載為3,308,969元，並因此誤載而計算錯誤之應繳裁判費33,769元，對此誤寫誤算之顯然錯誤，應予更正如主文第一項所示。三、本件應繳納應繳裁判費230,064元，扣除前繳支付命令裁判費500元、33,269元，尚應補繳196,295元，茲限原告應於本裁定送達日起5日內補繳，倘未於期限內補繳，即駁回原告之訴，特此裁定。中　　華　　民　　國　　113 　年　　12　　月　　10　　日　　　　　　　　　民事第二庭　　法　官　蘇嘉豐以上正本係照原本作成如不服本裁定關於核定訴訟標的價額部分，應於送達後10日內向本院提出抗告狀，並繳納抗告費新臺幣1,000元。中　　華　　民　　國　　113 　年　　12　　月　　11　　日　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　陳亭諭

2024-12-10

TPDV-113-補-2525-20241210-2

司票

臺灣士林地方法院

本票裁定

臺灣士林地方法院民事裁定 113年度司票字第23064號聲請人台新大安租賃股份有限公司法定代理人張南星相對人和鑽國際有限公司兼代理人翁林瑋律師相對人林志良上列當事人間本票裁定事件，本院裁定如下：　　主　文相對人於民國112年11月12日簽發之本票，內載憑票交付聲請人新臺幣590,000元，其中之新臺幣526,363元，及自民國113年6月 16日起至清償日止，按週年利率百分之16計算之利息，得為強制執行。聲請程序費用新臺幣1,000元由相對人負擔。　　理　由一、聲請意旨略以：聲請人執有相對人於民國112年11月12日簽發免除作成拒絕證書之本票1紙，內載金額新臺幣（下同）5 90,000元，到期日民國113年6月16日。詎於屆期提示後，尚有票款本金526,363元未獲清償。為此提出本票1紙，聲請裁定准許強制執行等情。二、經查，本件聲請，核與票據法第123 條規定相符，應予准許。三、爰裁定如主文。四、如不服本裁定，應於裁定送達後10日內，向本院提出抗告狀，並繳納抗告費新臺幣1,000元。五、發票人如主張本票係偽造、變造者，得於接到本裁定後20日內，對執票人向本院另行提起確認債權不存在之訴。發票人已提起確認之訴者，得依非訟事件法第195 條規定聲請法院停止執行。中　　華　　民　　國　　113 　年　　12　　月　　5 　　日　　　　　　　　　簡易庭　　　司法事務官　陳思頴

2024-12-05

SLDV-113-司票-23064-20241205-1

訴

臺北高等行政法院

營利事業所得稅

臺北高等行政法院裁定高等行政訴訟庭第四庭 113年度訴字第486號原告佳和桂科技股份有限公司代表人魏士益（董事長）訴訟代理人翁林瑋律師何婉菁律師被告財政部北區國稅局代表人李怡慧（局長）訴訟代理人張佩君輔助參加人經濟部產業發展署代表人楊志清（署長）訴訟代理人傅一茜林育諄吳振中上列當事人間營利事業所得稅事件，本院裁定如下：　　主文本件於本院113年度訴字第1172號行政訴訟裁判確定前，停止訴訟程序。　　理由一、按行政訴訟之裁判，除前項情形外，有民事、刑事或其他行政爭訟牽涉行政訴訟之裁判者，行政法院在該民事、刑事或其他行政爭訟終結前，得以裁定停止訴訟程序，行政訴訟法第177條第2項定有明文。二、緣原告為其他化學原材料製造業，於民國110年度依據中小企業發展條例第35條及中小企業研究發展支出適用投資抵減辦法（下稱投資抵減辦法）第12條規定，向中央目的主管機關即輔助參加人經濟部產業發展署（下稱產發署）提報「新穎前列腺素（Prostaglandins）開發案」研發計畫（下稱系爭計畫），經產發署於111年11月11日召開「研發活動創新認定生技醫藥領域第3次審查會議」（下稱系爭審查會）認定略以：序號1.2及序號1.4專利未見110年研發實績，無法判斷符合創新性；序號1.3及序號1.5專利未明確就進步性、新穎性等足證一定創新度之內容為說明，無實際內容可供審查，無從判斷原告提出專利與其110年投入研發行為之關連性，因未見原告110年研發實績，無法判斷符合創新性等語。嗣原告辦理110年度營利事業所得稅結算申報，申報研究發展支出新臺幣（下同）23,856,982元，可抵減稅額3,578, 533元，經被告函詢產發署，該署乃以111年12月16日工化字第11101316170號函（下稱產發署111年12月16日函）檢送依據系爭審查會決議出具之審查意見，認定系爭計畫無法判定符合創新性，被告乃據以核定原告申報110年研究發展支出及可抵減稅額關於系爭計畫之部分均剔除。原告不服，申請復查未獲變更，提起訴願復經駁回，乃提起本件行政訴訟。三、經查，原告以產發署112年12月16日函未送達於原告而提起訴願，業經經濟部以訴願決定限期被告另為處分，被告乃重新以民國113年4月15日產化字第11300356400號函（下稱產發署113年4月15日函）通知被告並副知原告，其認定原告11 0年之系爭計畫研究發展活動難謂具創新性；本件訴訟原告之訴是否有理由，牽涉原告之系爭計畫是否經產發署認定符合投資抵減辦法第2條、第3條規定「一定創新程度之研究發展」之定義及活動態樣，而原告就產發署113年4月15日函，業於訴願後提起行政訴訟，刻由本院以113年度訴字第1172 號審理中一節，業經兩造陳述在卷，有本院113年10月22日準備程序筆錄可參（本院卷第156頁），是於本院113年度訴字第1172號事件裁判確定前，本件有停止訴訟程序之必要，爰依首開規定，裁定如主文。中　　華　　民　　國　　113　年　　11 　月　　25 　日　　審判長法官　陳心弘　　　法官　鄭凱文　　　法官　林妙黛一、上為正本係照原本作成。二、如不服本裁定，應於送達後10日內，向本院高等行政訴訟庭提出抗告狀並敘明理由（須按他造人數附繕本）。三、抗告時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第49條之1第1項第3款）。但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第3項、第4項）。得不委任律師為訴訟代理人之情形所需要件 (一)符合右列情形之一者，得不委任律師為訴訟代理人 1.抗告人或其代表人、管理人、法定代理人具備法官、檢察官、律師資格或為教育部審定合格之大學或獨立學院公法學教授、副教授者。 2.稅務行政事件，抗告人或其代表人、管理人、法定代理人具備會計師資格者。 3.專利行政事件，抗告人或其代表人、管理人、法定代理人具備專利師資格或依法得為專利代理人者。 (二)非律師具有右列情形之一，經最高行政法院認為適當者，亦得為上訴審訴訟代理人 1.抗告人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親具備律師資格者。 2.稅務行政事件，具備會計師資格者。 3.專利行政事件，具備專利師資格或依法得為專利代理人者。 4.抗告人為公法人、中央或地方機關、公法上之非法人團體時，其所屬專任人員辦理法制、法務、訴願業務或與訴訟事件相關業務者。是否符合(一)、(二)之情形，而得為強制律師代理之例外，抗告人應於提起抗告或委任時釋明之，並提出(二)所示關係之釋明文書影本及委任書。中　　華　　民　　國　　113　年　　11 　月　　25 　日書記官李建德

2024-11-25

TPBA-113-訴-486-20241125-2