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侵權行為損害賠償(交通)

臺灣臺北地方法院民事判決　　　　　　　　　　　　　　　　　114年度北小字第790號原告國泰世紀產物保險股份有限公司法定代理人陳萬祥訴訟代理人魏綺被告王秀玲訴訟代理人周家伃王子錡上列當事人間請求侵權行為損害賠償(交通)事件，本院於民國11 4年3月27日言詞辯論終結，判決如下：　　主　　　文被告應給付原告新臺幣柒仟陸佰零參元，及自民國一百一十三年十一月二十八日起至清償日止，按週年利率百分之五計算之利息。訴訟費用新臺幣壹仟元由被告負擔，並給付原告自裁判確定之翌日起至訴訟費用清償日止，按週年利率百分之五計算之利息。本判決得假執行。但被告以新臺幣柒仟陸佰零參元為原告預供擔保，得免為假執行。　　事實及理由壹、程序方面：　　按因侵權行為涉訟者，得由行為地之法院管轄。民事訴訟法第15條第1項定有明文。查本件侵權行為地為臺北市松山區長春路與長春路339巷口，依上開規定，本院自有管轄權。貳、實體方面：一、原告起訴主張：訴外人阮仲仁於民國111年12月12日17時37 分許駕駛訴外人阮建銘所有、由原告承保之車牌號碼0000－0 0號自用小客車（下稱系爭汽車），行經臺北市松山區長春路與長春路339巷口時，適有被告騎乘車牌號碼000－0000號普通重型機車（下稱系爭機車），因支線道車不讓幹線道車先行而撞擊系爭汽車，致系爭汽車受損，原告因此受有修復費用計1萬3,212元（包含工資4,930元、塗裝5,670元及零件 2,612元）之損害。又因本事故阮仲仁與被告均有責任，是原告僅請求零件折舊後，修復費用共計1萬0,861元（包含工資4,930元、塗裝5,670元及零件261元）之70％費用即7,603 元（計算式：1萬0,861元×70％＝7,603元），爰依民法侵權行為及保險法第53條第1項規定提起本件訴訟等語。並聲明：被告應給付原告7,603元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息。二、被告則以：對原告之主張不爭執等語。三、經查，原告主張系爭汽車與系爭機車於上開時、地發生擦撞，系爭汽車因此受損之事實，業據提出臺北市政府警察局松山分局道路交通事故當事人登記聯單、臺北市車輛行車事故鑑定會鑑定意見書（下稱系爭鑑定報告）、行車執照、車損照片、估價單及電子發票證明聯等件為憑（見本院卷第19至 33頁），核屬相符，且有本院職權調閱本件車禍肇事案相關資料在卷可稽（見本院卷第37至52頁），復為被告所不爭執，自堪信原告上開主張為真實。四、得心證之理由：　　按因故意或過失，不法侵害他人之權利者，負損害賠償責任。汽車、機車或其他非依軌道行駛之動力車輛，在使用中加損害於他人者，駕駛人應賠償因此所生之損害。被保險人因保險人應負保險責任之損失發生，而對於第三人有損失賠償請求權者，保險人得於給付賠償金額後，代位行使被保險人對於第三人之請求權。但其所請求之數額，以不逾賠償金額為限。民法第184條第1項前段、第191條之2及保險法第53條第1項規定分別定有明文。查本件被告騎乘系爭機車因支線道車不讓幹線道車先行而撞擊原告所承保之系爭汽車，致車禍肇事，且與系爭汽車所受損害間有相當因果關係，被告自應就本件車禍負侵權行為損害賠償責任。又侵權行為損害賠償之請求權，以受有損害為成立要件，故被害人得請求賠償之金額，應視其實際所受之損害而定。茲就原告請求金額審究如下：（一）按不法毀損他人之物者，被害人得請求賠償其物因毀損所減少之價額。民法第196條定有明文。又依上開規定請求賠償物被毀損所減少之價額，得以修復費用為估定之標準，但以必要者為限（例如：修理材料以新品換舊品，應予折舊），最高法院77年度第9次民事庭會議決議參照。衡以系爭汽車有關零件部分之修復，既以新零件更換被損害之舊零件，則在計算損害賠償額時，自應將零件折舊部分予以扣除。而依行政院所發布之固定資產耐用年數表及固定資產折舊率表，自用小客車之耐用年數為5年，依定率遞減法每年應折舊369/1000，其最後1年之折舊額，加歷年折舊累積額，總和不得超過該資產成本原額之10分之9 ，是其殘值為10分之1。並以1年為計算單位，其使用期間未滿1年者，按實際使用之月數相當於全年之比例計算之，不滿1月者，以1月計算之。查系爭汽車因本件車禍事故之修復費用為工資4,930元、塗裝5,670元及零件2,612元，有原告提出之估價單及電子發票證明聯等件為證（見本院卷第31至33頁），而系爭汽車係於100年2月出廠領照使用，亦有原告所提出之行車執照在卷足憑（見本院卷第27 頁），則至111年12月12日發生上開車禍事故之日為止，系爭汽車已實際使用11年11月，扣除其零件費用經折舊後價值應為資產成本額10分之1，即261元（計算式：2,612 元×1/10＝261元，元以下4捨5入。），則原告原得請求之車輛修復費用應為1萬0,861元（計算式：工資4,930元＋塗裝5,670元＋零件261＝1萬0,861元）。（二）次按損害之發生或擴大，被害人與有過失者，法院得減輕賠償金額或免除之。民法第217條第1項定有明文。又汽車行駛時，駕駛人應注意車前狀況及兩車併行之間隔，並隨時採取必要之安全措施。道路交通安全規則第94條第3項前段定有明文。本件被告雖有過失，已如前述，惟依初步分析研判表記載：「…A車7627－ZV號自用小客車（即系爭汽車）：涉嫌未注意車前狀況。」（見本院卷第37頁）；系爭鑑定報告「鑑定意見」記載：「一、阮仲仁駕駛7627 －ZV號自用小客車（A車即系爭汽車）：未注意車前狀況並隨時採取必要之安全措施。（肇事次因）」（見本院卷第 23頁），顯見阮仲仁駕駛系爭汽車行經上開路段時，未注意車前狀況作隨時採取必要之安全措施，亦為本件交通事故肇事因素之一，可認本件原告亦有過失，依上開規定，有過失相抵法則之適用。是以，本院依職權權衡雙方違規情節及過失之輕重等情，認被告過失之比例為7成，原告應承擔之過失比例為3成，應減輕被告賠償金額30%，被告僅須賠償70%，計7,603元（計算式：1萬0,861元×70%＝7,6 03元，元以下4捨5入）。（三）末給付無確定期限者，債務人於債權人得請求給付時，經其催告而未為給付，自受催告時起，負遲延責任。其經債權人起訴而送達訴狀，或依督促程序送達支付命令，或為其他相類之行為者，與催告有同一之效力。遲延之債務，以支付金錢為標的者，債權人得請求依法定利率計算之遲延利息。應付利息之債務，其利率未經約定，亦無法律可據者，週年利率為5%。民法第229條、第233條第1項及第2 03條分別定有明文。查原告依據民法侵權行為及保險法第 53條第1項規定請求被告賠償修復費用7,603元，屬給付無確定期限，依前揭說明，原告主張以本件起訴狀繕本送達之翌日即113年11月28日（見本院卷第59頁）起至清償日止，按週年利率5%計算之利息，亦屬有據。　　五、綜上所述，原告依民法侵權行為及保險法第53條第1項規定請求被告賠償7,603元，及自113年11月28日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息，為有理由，應予准許。六、本判決係就民事訴訟法第436條之8適用小額訴訟程序所為被告敗訴之判決，依民事訴訟法第436條之20規定，應依職權宣告假執行。並依同法第436條之23準用第436條第2項，適用同法第392條第2項規定，依職權宣告被告如預供擔保，得免為假執行。七、訴訟費用負擔之依據：民事訴訟法第78條。本件訴訟費用額，依後附計算書及依民事訴訟法第91條第3項規定：「依第1 項及其他裁判確定之訴訟費用額，應於裁判確定之翌日起，加給按法定利率計算之利息。」，確定如主文第2項所示。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　臺北簡易庭　法　官陳家淳以上正本證明與原本無異。如不服本判決，須以違背法令為理由，於判決送達後20日內向本庭（臺北市○○○路0段000巷0號）提出上訴狀。（須按他造當事人之人數附繕本）。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　4 　　月　　7 　　日　　　　　　　　　　　　　　　書記官　蘇炫綺計　算　書項　　　　目　　　　　　金　額（新臺幣）　　　　備　註第一審裁判費　　　　　　 1,000元合　　　　計　　　　　　 1,000元附錄：一、民事訴訟法第436條之24第2項：　　對於小額程序之第一審裁判上訴或抗告，非以其違背法令為　　理由，不得為之。二、民事訴訟法第436條之25：　　上訴狀內應記載上訴理由，表明下列各款事項：　　(一)原判決所違背之法令及其具體內容。　　(二)依訴訟資料可認為原判決有違背法令之具體事實。三、民事訴訟法第436條之32第2項: 　　第438條至第445條、第448條至第450條、第454條、第455條　　、第459條、第462條、第463條、第468條、第469條第1款至　　第5款、第471條至第473條及第475條第1項之規定，於小額　　事件之上訴程序準用之。

2025-03-31

TPEV-114-北小-790-20250331-1

花簡

花蓮簡易庭(含玉里)

侵權行為損害賠償(交通)

臺灣花蓮地方法院民事簡易判決 113年度花簡字第410號原告 GAMBOA CRISTIAN LUMIBAO(克里斯汀) 訴訟代理人陳昭文律師被告施平訴訟代理人徐秉勳上列當事人間請求侵權行為損害賠償(交通)事件，本院於民國11 4年3月19日言詞辯論終結，判決如下：　　主　文被告應給付原告新臺幣956,451元，及自民國113年7月6日起至清償日止，按週年利率5％計算之利息。原告其餘之訴駁回。訴訟費用由被告負擔2分之1，餘由原告負擔。本判決原告勝訴部分得假執行；但被告如以新臺幣956,451元為原告預供擔保，得免為假執行。原告其餘假執行之聲請駁回。　　事實及理由壹、程序方面：　　按民事案件涉及外國人或構成案件事實中牽涉外國地者，即為涉外民事事件，應依涉外民事法律適用法定法域之管轄及法律之適用。又一國法院對涉外民事法律事件，有無審判權，悉依該法院地法之規定為據，惟我國涉外民事法律適用法未就國際管轄權加以明定，即應類推適用民事訴訟法之規定。經查，本件原告為菲律賓籍，具有涉外因素，屬涉外民事法律事件，而原告主張之侵權行為地在本院轄區，則類推適用民事訴訟法第1條第1項、第15條第1項、第22條之規定，本院有國際管轄權，亦有國內管轄權。末依涉外民事法律適用法第25條規定，本件應以我國法為準據法。貳、實體方面：一、原告主張：被告於民國111年7月10日9時1分許，駕駛車牌號碼000-0000號自用小客車，沿花蓮縣秀林鄉臺8線西往東方向行駛，行經該公路161公里100公尺處時，疏未注意車前狀態，且行經未劃中央行車分向線彎道狹路，未充分減速並注意對向來車動態，適有原告騎乘車牌號碼000-000號普通重型機車（下稱原告機車），沿臺8線東往西方向行駛至該處，亦疏未依規定減速，且行經未劃中央行車分向線彎道狹路，未靠右行駛，兩車因而發生碰撞，原告因此受有左手橈骨尺骨粉碎性骨折、肺挫傷、急性呼吸窘迫症候群合併呼吸衰竭等傷害（下稱系爭事故）。原告因系爭事故受有醫療費新臺幣（下同）111,084元、看護費9萬元、不能工作損失151, 500元、勞動能力減損3,360,158元之損害，並得向被告請求精神慰撫金50萬元。爰依侵權行為法律關係，提起本件訴訟等語，並聲明：㈠被告應給付原告2,106,371元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按週年利率5％計算之利息。㈡願供擔保請准宣告假執行。二、被告則以：被告對原告主張系爭事故之發生經過、兩造就該事故之肇事因素、原告因該事故受有醫療費111,084元、看護費90,000元、不能工作損失151,500元、勞動能力減損3,3 60,158元之損害等情不爭執，惟原告請求之精神慰撫金金額過高等語，資為抗辯，並聲明：㈠原告之訴駁回。㈡如受不利之判決，願供擔保請准免為假執行。三、兩造不爭執之事實（見花簡卷第218頁）　㈠系爭事故發生經過如下：被告於民國111年7月10日9時1分許，駕駛車牌號碼000-0000號自用小客車，沿臺8線西往東方向行駛，行經該公路161公里100公尺處時，適有原告騎乘原告機車沿臺8線東往西方向行駛至該處，雙方發生碰撞。　㈡原告因系爭事故所受損害之項目金額如下：　⒈醫療費111,084元。　⒉看護費9萬元。　⒊不能工作損失151,500元。　⒋勞動能力減損3,360,158元。　㈢原告因系爭事故受領強制險給付974,920元。　㈣兩造就系爭事故之肇事原因分別為原告未依規定減速、被告未注意車前狀態。而原告駕駛原告機車行經未劃中央行車分向線彎道狹路，未靠右行駛；與被告駕駛被告汽車行經未劃中央行車分向線彎道狹路，未充分減速並注意對向來車動態，二者同為肇事原因。另原告無照駕車違反規定。　四、得心證之理由　㈠按因故意或過失，不法侵害他人之權利者，負損害賠償責任；違反保護他人之法律，致生損害於他人者，負賠償責任，不法侵害他人之身體或健康者，對於被害人因此喪失或減少勞動能力或增加生活上之需要時，應負損害賠償責任，民法第184條第1項前段、第2項前段、第193條第1項分別定有明文。查原告主張被告過失肇致系爭事故，使其受有醫療費11 1,084元、看護費9萬元、不能工作損失151,500元、勞動能力減損3,360,158元之損害等情，為被告所不爭執，堪予認定。　㈡按不法侵害他人之身體、健康、名譽、自由、信用、隱私、貞操，或不法侵害其他人格法益而情節重大者，被害人雖非財產上之損害，亦得請求賠償相當之金額，民法第195條第1 項定有明文。又慰撫金之賠償須以人格權遭遇侵害，使精神上受有痛苦為必要，其核給之標準固與財產上損害之計算不同，然非不可斟酌雙方身分資力與加害程度，及其他各種情形核定相當之數額。查原告因系爭事故受有左手橈骨尺骨粉碎性骨折、肺挫傷、急性呼吸窘迫症候群合併呼吸衰竭等傷害，進行開放性復位及骨內固定手術，入住加護病房受照護，出院後尚須護具保護患肢，且存有顯著運動障礙等情，有診斷證明書在卷可稽（見花簡卷第31至32頁），致生活上多所不便，其等精神上自受有相當程度之痛苦；而兩造之學經歷、工作、收入、家庭及經濟等狀況，業經兩造陳明在卷（見花簡卷第190、199至206頁），並經本院調閱兩造之財稅資料（見限閱卷）。本院審酌兩造之身分、地位、教育程度、家庭、經濟狀況、被告侵害原告身體、健康之過失情形、原告所受之傷勢致精神痛苦之程度等一切情狀，認原告得向被告請求之精神慰撫金應以15萬元為適當。　　㈢按損害之發生或擴大，被害人與有過失者，法院得減輕賠償金額，或免除之，民法第217條第1項定有明文。查系爭事故發生之原因乃被告「未注意車前狀態，行經未劃中央行車分向線彎道狹路，未充分減速並注意對向來車動態」、原告「未依規定減速，行經未劃中央行車分向線彎道狹路，未靠右行駛」等情，為兩造所不爭執，是原告對本件事故之發生，亦有過失。本院審酌系爭事故之發生經過、兩造之肇事原因、違規情節及過失之輕重等一切情狀，認被告、原告就本件事故應分別負擔50％、50％之過失責任，並依過失相抵原則，減輕被告之賠償責任。　㈣基此，原告得請求被告賠償之項目、金額，分別為醫療費111 ,084元、看護費9萬元、不能工作損失151,500元、勞動能力減損3,360,158元、精神慰撫金15萬元，共3,862,742元（計算式：111,084元＋9萬元＋151,500元＋3,360,158元＋15萬元＝3 ,862,742元）。考量原告所應承擔之50％與有過失，原告得向被告請求之數額為1,931,371元（計算式：3,862,742元×5 0％＝1,931,371元）。復扣除原告已受領之強制險給付974,92 0元後，得向被告請求956,451元（計算式：1,931,371元－97 4,920元＝956,451元）。六、綜上所述，原告依侵權行為法律關係請求被告給付原告956, 451元，及自起訴狀繕本送達翌日即113年7月6日（見花簡卷第131頁）起至清償日止，按週年利率5％計算之利息，為有理由，應予准許。逾此範圍之請求，為無理由，應予駁回。七、本判決原告勝訴部分，係民事訴訟法第427條第1項適用簡易程序所為被告敗訴判決，依同法第436條第2項適用第389條第1項第3款規定，依職權宣告假執行，並適用同法第392條第2項規定，依被告之聲請宣告其預供擔保後得免為假執行。至原告敗訴部分，其假執行之聲請已失所附麗，應併予駁回。八、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊防禦方法及所提證據，經本院斟酌，與判決結果不生影響，爰不逐一論述，併此敘明。九、訴訟費用負擔之依據：民事訴訟法第79條。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　花蓮簡易庭　法　官　林佳玟　　　　以上正本係照原本作成。如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後 20日內補提上訴理由書（須按他造當事人之人數附繕本）。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　　　　　　　書記官　林政良

2025-03-31

HLEV-113-花簡-410-20250331-1

豐小

豐原簡易庭

損害賠償

臺灣臺中地方法院民事裁定 114年度豐小字第304號原告莊鈺德被告許雅芬上列當事人間請求損害賠償事件，本院裁定如下：　　主　　文本件移送臺灣高雄地方法院。　　事實及理由一、按訴訟之全部或一部，法院認為無管轄權者，應依原告之聲請或依職權以裁定移送於其管轄法院，民事訴訟法第28條第 1項定有明文。次按訴訟，由被告住所地之法院管轄；被告住所地之法院不能行使職權者，由其居所地之法院管轄；訴之原因事實發生於被告居所地者，亦得由其居所地之法院管轄，民事訴訟法第1條即開宗明義揭櫫「以原就被」為自然人普通審判籍之原則，考其立法理由，無非係為防止原告濫訴及顧及被告應訴之便利，以維被告權益。又民事訴訟法第 15條第1項定有「因侵權行為涉訟者，得由行為地之法院管轄。」之特別審判籍，此乃因若由侵權行為地之法院管轄，被害人較易蒐集證據證明加害人之不法行為，減輕被害人訴訟進行之困難，且對加害人而言，於該地被起訴並未造成突襲，遂賦予被害人例外得選擇非加害人住居所地之侵權行為地法院為管轄法院。再者，民事訴訟法第15條立法時，媒體或網路尚不發達，而今日媒體及網路之流傳可遍及全世界，若寬認至媒體傳播或網路主機、網路傳播可到達之處均屬侵權行為結果地，應有過度擴張解釋結果發生地，及原告任意創設對自己有利之管轄權之虞，是為免民事訴訟法對於管轄權所採取之保障被告應訴便利、證據獲取之任意性等原則而為土地管轄規定，因網際網路之上開特性而遭架空，在網際網路侵權行為事件中自應以構成侵權行為要件事實之全部或一部與法院管轄之地域間有直接或最重要之牽連關係者為限，如被告連結網路散布流言之行為地、網路交易平台架設所在地、傳送電腦病毒造成特定電子設備癱瘓之結果地等，始能認定該管法院所轄地域屬侵權行為地而有管轄權。準此，民事訴訟法第15條第1項之適用，本院認應目的性限縮於有利原告蒐集證據且未使被告受突襲時，方有適用，反之，仍應回歸民事訴訟法第1條「以原就被」之原則定其管轄，以貫徹當事人間武器平等原則。二、經查：　㈠現今網路詐騙之特性為詐欺集團成員得於任一地點發送詐騙訊息或架設詐騙網站，被害人可於任何地點收受該詐騙訊息，不受時間、地點之限制，隨時使用網路銀行匯款，抑或至鄰近之金融機構或自動櫃員機匯款。換言之，詐騙集團成員發送詐騙訊息、人頭戶提供帳戶、車手提領贓款、被害人瀏覽詐騙訊息及匯款等地點均為侵權行為地，若肯認上開侵權行為地之法院均為管轄法院，無疑是無限擴大法院管轄權之範圍，被告將無從預知原告起訴之法院為何，對被告造成突襲，更導致網路詐騙損害賠償事件變相以「以被就原」定其管轄，實非民事訴訟法第15條第1項訂定之初衷。　㈡本件原告起訴主張其於臺中市大雅區家中遭詐欺集團詐欺，致陷於錯誤，而存款、轉帳至被告所提供予詐欺集團之臺灣銀行帳戶（帳號：000-000000000000，下稱系爭帳戶）之事實，固提出臺中市政府警察局大雅分局大雅派出所受(處)理案件證明單為憑，惟原告被詐欺與匯款行為僅為侵權行為因果之一環，並非實行行為或行為結果，無從以此認為侵權行為地在臺中市，況網路詐欺之物證無非係原告遭詐欺及報案資料、刑事被告帳戶交易明細、對話截圖等，任一法院均可向受理之警察局函調，則原告匯款地之本院並無利於原告蒐證。再者，本件被告係於高雄市某一超商內將系爭帳戶之提款卡及密碼寄予真實姓名、年齡均不詳之人等情，有臺灣高雄地方檢察署檢察官113年度偵字第34825號不起處分書在卷可參，故被告侵權行為地應為高雄市；且被告之戶籍地亦位於高雄市鼓山區，有被告個人戶籍資料可憑，依前開說明，本件應限縮民事訴訟法第15條第1項特別審判籍之適用，回歸民事訴訟法第1條「以原就被」之規定定其管轄，以被告住所地之臺灣高雄地方法院為管轄法院。原告向無管轄權之本院起訴，顯係違誤，爰依職權為移轉管轄之裁定。三、依民事訴訟法第28條第1項，裁定如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　豐原簡易庭　　法　官林冠宇如不服本裁定，應於送達後十日內，向本院提出抗告狀並表明抗告理由，如於本裁定宣示後送達前提起抗告者，應於裁定送達後十日內補提抗告理由書（須附繕本）。以上正本係照原本做成。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　紀俊源

2025-03-31

FYEV-114-豐小-304-20250331-1

湖小

內湖簡易庭

侵權行為損害賠償（交通）

臺灣士林地方法院民事裁定 114年度湖小字第379號原告富邦產物保險股份有限公司法定代理人賴榮崇被告黃俊榮上列當事人間損害賠償事件，本院裁定如下：　　主　文本件移送臺灣新北地方法院。　　事實及理由一、按，訴訟，由被告住所地之法院管轄。因侵權行為涉訟者，得由行為地之法院管轄。民事訴訟法第1條第1項前段、第15 條第1項分別定有明文。又，訴訟之全部或一部，法院認為無管轄權者，依原告聲請或依職權以裁定移送其管轄法院。　　同法第28條第1項亦有明文。二、本件被告住所地係位於新北市新莊區，有其個人基本資料查詢結果可參；而本件原告係本於保險代位及侵權行為法律關係，提起損害賠償之訴，其主張事故之侵權行為地係位於新北市三重區，有卷附新北市政府警察局三重分局函送之道路交通事故相關資料可佐。依前揭規定，本件應由臺灣新北地方法院管轄。爰依職權將本件移送於該管轄法院。三、爰裁定如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　內湖簡易庭法　官　施月燿以上正本係照原本作成。如不服本裁定，應於送達後10日內，向本院提出抗告狀並表明抗告理由，如於本裁定宣示後送達前提起抗告者，應於裁定送達後 10日內補提抗告理由書（須附繕本）。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　　　　　　書記官　趙修頡

2025-03-31

NHEV-114-湖小-379-20250331-1

湖小

內湖簡易庭

侵權行為損害賠償（交通）

臺灣士林地方法院民事裁定 114年度湖小字第378號原告富邦產物保險股份有限公司法定代理人賴榮崇被告黃萬火上列當事人間損害賠償事件，本院裁定如下：　　主　文本件移送臺灣臺北地方法院。　　事實及理由一、按，訴訟，由被告住所地之法院管轄。被告在中華民國現無住所或住所不明者，以其在中華民國之居所，視為其住所；因侵權行為涉訟者，得由行為地之法院管轄。民事訴訟法第　　1條第1項前段、第2項前段、第15條第1項分別定有明文。又　　，訴訟之全部或一部，法院認為無管轄權者，依原告聲請或依職權以裁定移送其管轄法院。同法第28條第1項亦有明文　　。二、本件被告之戶籍係設於基隆市戶政事務所，居所則位於新北市○○區○○路00巷00號2樓，有其個人戶籍資料及卷附臺北市政府警察局道路交通事故調查紀錄表之記載可參；而本件原告係本於保險代位及侵權行為法律關係，提起損害賠償之訴，其主張事故之侵權行為地係位於臺北市信義區，有臺北市政府警察局之道路交通事故相關資料可佐。依前揭規定　　，本件應由臺灣臺北地方法院或臺灣新北地方法院管轄。爰依職權將本件移送於侵權行為地之管轄法院。三、爰裁定如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　內湖簡易庭法　官　施月燿以上正本係照原本作成。如不服本裁定，應於送達後10日內，向本院提出抗告狀並表明抗告理由，如於本裁定宣示後送達前提起抗告者，應於裁定送達後 10日內補提抗告理由書（須附繕本）。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　　　　　　書記官　趙修頡

2025-03-31

NHEV-114-湖小-378-20250331-1

聲

臺灣臺北地方法院

移轉管轄

臺灣臺北地方法院民事裁定 114年度聲字第149號聲請人賴玟伃（原名：賴芬蘭) 相對人元大國際資產管理股份有限公司法定代理人宋耀明上列當事人間債務人異議之訴等事件（本院114年度補字第770號），聲請人聲請移轉管轄，本院裁定如下：　　主　文聲請駁回。　　理　由一、按訴訟之全部或一部，法院認為無管轄權者，依原告聲請或依職權以裁定移送於其管轄法院；執行名義成立後，如有消滅或妨礙債權人請求之事由發生，債務人得於強制執行程序終結前，向執行法院對債權人提起異議之訴；如以裁判為執行名義時，其為異議原因之事實發生在前訴訟言詞辯論終結後者，亦得主張之，民事訴訟法第28條第1項、強制執行法第14條第1項分別定有明文。再所謂專屬管轄，係指法律規定某類事件專屬一定法院管轄之謂，凡法律規定某類事件僅得由一定法院管轄者，縱未以法文明定「專屬管轄」，仍不失其專屬管轄之性質。是以，提起債務人異議之訴，應向執行法院為之，顯已由該法明定此類事件應由執行法院管轄，性質上屬「專屬管轄」（最高法院98年度台抗字第38號裁定要旨參照）。二、聲請意旨略以：聲請人提起本件債務人異議之訴請求撤銷本院113年度司執字第147308號清償票款強制執行事件（下稱系爭執行事件）之強制執行程序，依民事訴訟法第13條規定，應由票據付款地之法院管轄，且該執行標的債權前已歷經數次執行程序，均係由臺灣彰化地方法院（下稱彰化地院）管轄，又相對人尚成立侵權行為待釐清，依同法第15條第1 項應以彰化地院為管轄法院，爰依民事訴訟法第28條第1項規定，聲請移送由彰化地院管轄等語。三、經查，聲請人主張依強制執行法第14條第1項規定，對相對人提起債務人異議之訴，請求撤銷系爭執行事件之強制執行程序等，揆諸前開說明，應專屬由系爭執行事件繫屬之執行法院即本院管轄，是聲請人主張以民事訴訟法第13條、第15 條第1項所定票據付款地、侵權行為地定本件管轄法院，而聲請將本件訴訟移送彰化地院審理，核與上揭專屬管轄規定不符，為無理由，應予駁回。四、據上論結，本件聲請為無理由，爰裁定如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　民事第一庭　法　官　吳宛亭以上正本係照原本作成。本裁定不得抗告。中　　華　　民　　國　　114 　年　　4 　　月　　1 　　日　　　　　　　　　　　　　　　書記官　李品蓉

2025-03-31

TPDV-114-聲-149-20250331-1

訴

臺灣臺北地方法院

確認本票債權不存在等

臺灣臺北地方法院民事判決 113年度訴字第1984號原告蔡王霖訴訟代理人趙平原律師被告梁清騰訴訟代理人林更穎律師複代理人林孟儒律師上列當事人間請求確認本票債權不存在等事件，本院於民國一一四年三月三日言詞辯論終結，判決如下：　　主　　文確認被告就所持有、原告於民國一一二年十月二十五日簽發、以被告為受款人、未載到期日、付款地、面額新臺幣肆佰伍拾萬元、免除作成拒絕證書之本票，對原告之票據債權不存在。被告應將附表一所示之抵押權設定登記塗銷。原告其餘之訴駁回。訴訟費用由被告負擔。　　事實及理由壹、程序方面一、按訴訟，由被告住所地之法院管轄；因不動產之物權或其分割或經界涉訟者，專屬不動產所在地之法院管轄；被告住所、不動產所在地、侵權行為地或其他據以定管轄法院之地，跨連或散在數法院管轄區域內者，各該法院俱有管轄權，民事訴訟法第一條第一項前段、第十條第一項、第二十一條定有明文。本件被告住所固在臺中市，不在本院管轄區域內，然原告起訴聲明第一、三項請求確認被告就所持有、原告於民國一一二年十月二十五日簽發交付、以被告為受款人、未載到期日、付款地、面額新臺幣（下同）四百五十萬元、免除作成拒絕證書之本票（下稱本件本票），對原告之票據債權不存在，及請求返還本件本票，聲明第二項則依民法第七百六十七條第一項中段規定，請求塗銷原告所有、坐落臺北市○○區○○段○○段○○○○地號、權利範圍四分之一之土地，及其上建號同段二三五號、門牌號碼臺北市○○區○○路○○○巷○弄○○ 號四樓房屋（下合稱本件不動產），於一一二年十月二十三日共同設定，以被告為權利人，以原告為債務人兼義務人，擔保債權總金額四百五十萬元、詳如附表一所示之最高限額抵押權，而本件不動產坐落本院管轄區域內，專屬本院管轄，本院自有管轄權。二、次按訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴，但有下列各款情形之一者，不在此限：㈠被告同意者；㈡請求之基礎事實同一者；㈢擴張或減縮應受判決事項之聲明者；㈦不甚礙被告之防禦及訴訟之終結者；被告於訴之變更或追加無異議，而為本案之言詞辯論者，視為同意變更或追加，民事訴訟法第二百五十五條第一項第一至三、七款、第二項亦有明定。原告原起訴聲明第二項未載明請求塗銷之抵押權內容，聲明未臻具體明確，經本院命原告補正，原告於言詞辯論期日前之一一三年八月十九日具狀載明請求塗銷之抵押權內容（見卷第九五頁），並於首次言詞辯論期日之初即更正聲明（見卷第一二七頁筆錄），原告前開變更，訴訟標的相同、基礎事實同一，僅係明確應受判決事項之聲明，無礙被告之防禦及訴訟之終結，並經被告無異議而為本案言詞辯論，於法自無不合，合先敘明。貳、實體方面一、原告部分：（一）訴之聲明：　　１確認被告就所持有之本件本票（即原告於一一二年十月二十五日簽發交付、以被告為受款人、未載到期日、付款地、面額四百五十萬元、免除作成拒絕證書之本票），對原告之票據債權不存在。　　２被告應將附表一所示抵押權設定登記塗銷。　　　３被告應將本件本票返還予原告。　（二）原告起訴主張：兩造於一一二年十月間訂立金錢消費借貸契約，約定由原告向被告借用新臺幣（下同）三百萬元，借用期間自同年月二十五日起至一一三年十月二十五日止，利息按月息百分二‧五計算，於每月二十五日以前匯入指定帳戶清償，本金屆期一次清償；原告除簽發交付被告本件本票外，並以本件不動產（即原告所有、坐落臺北市 ○○區○○段○○段○○○○地號、權利範圍四分之一之土地，及其上建號同段二三五號、門牌號碼臺北市○○區○○路○○○巷○弄 ○○號四樓房屋）共同設定如附表一所示之最高限額抵押權以為擔保；被告固於一一二年十月二十五日①轉帳二百五十四萬五千元入原告設在中華郵政股份有限公司士林劍潭郵局、帳號○○○○○○○○○○○○○○號帳戶，及②匯款二十一萬元入原告指定之訴外人黃鈺婷帳戶以為借款之交付，惟被告共僅給付二百七十五萬五千元之借款，且約定之利息利率遠高於法定利息利率上限，原告乃於一一二年十一月二十七日匯款二百六十一萬八千五百三十五元入約定之被告設在有限責任花蓮第二信用合作社西屯分行、帳號○○○○○○○○ ○○○○○○號帳戶（下稱被告帳戶）以提前清償第①筆（二百五十四萬五千元）債務本息，於同年十二月十五日再匯款二十一萬四千七百四十三元入約定之被告帳戶以提前清償第②筆（二十一萬元）債務本息，至提前清償約定之違約金顯然過高，請求酌減，應認原告已清償以本件本票及附表一所示抵押權擔保之全部債務。兩造間債務既已全數清償，本件本票之基礎原因關係及附表一所示抵押權所擔保之債權均已不存在，爰請求確認被告就本件本票對原告之票據債權不存在，及依民法第七百六十七條第一項中段請求被告塗銷附表一所示抵押權設定登記，以及依民法第三百零八條第一項規定請求被告返還本件本票。二、被告部分：（一）答辯聲明：原告之訴駁回。（二）被告固不否認兩造於一一二年十月二十五日訂立金錢借貸契約，被告交付原告①、②兩筆共二百七十五萬五千元之借款，原告簽發交付之本件本票及附表一所示抵押權均用以擔保前述借款債務之清償，原告於同年十一月二十七日匯款二百六十一萬八千五百三十五元以清償第①筆（二百四十五萬五千元）債務本息，於同年十二月十五日匯款二十一萬四千七百四十三元以清償第②筆（二十一萬元）債務本息等情，但以兩造間金錢消費借貸契約第四條有提前清償違約金之約定，原告未能全數清償債務本息違約金等語，資為抗辯。三、原告主張兩造於一一二年十月二十五日訂立金錢消費借貸契約，約定由其向被告借款三百萬元，利息按月息百分二‧五計算，其除簽發交付本件本票外，並以本件不動產共同設定如附表一所示之最高限額抵押權以為擔保，被告共給付其二百七十五萬五千元之借款，其於同年十一月二十七日匯款二百六十一萬八千五百三十五元入被告帳戶以提前清償第①筆（二百四十五萬五千元）債務本息，於同年十二月十五日匯款二十一萬四千七百四十三元入被告帳戶以提前清償第②筆（二十一萬元）債務本息之事實，業據提出金錢消費借貸契約書、本票影本、建物登記謄本、土地登記謄本、存摺節錄、匯款單影本、永和福和郵局第二一六、二二二、、二三六號存證信函、郵政跨行匯款申請書為證（見卷第十九至五七頁），核屬相符，且為被告所不爭執，應堪信為真實。　　但原告主張其已清償以本件本票及附表一所示抵押權擔保之全部債務部分，則為被告否認，辯稱：兩造間金錢消費借貸契約第四條有提前清償違約金之約定，原告未能全數清償債務本息違約金等語。四、茲分述如下：（一）稱本票者，謂發票人簽發一定之金額，於指定之到期日，由自己無條件支付與受款人或執票人之票據；在票據上簽名者，依票上所載文義負責；本票應記載左列事項，由發票人簽名：㈠表明其為本票之文字；㈡一定之金額；㈢受款人之姓名或商號；㈣無條件擔任支付；㈤發票地；㈥發票年、月、日；㈦付款地；㈧到期日；未載到期日者，視為見票即付；未載發票地者，以發票人之營業所、住所或居所所在地為發票地；未載付款地者，以發票地為付款地；本票發票發票人所負責任，與匯票承兌人同；執票人於匯票到期日前，得向付款人為承兌之提示；付款人於承兌後，應負付款之責；執票人向匯票債務人行使追索權時，得要求左列金額：㈠被拒絕承兌或付款之匯票金額，如有約定利息者，其利息；㈡自到期日起如無約定利率者，依年利六釐計算之利息；第二章第一節第二十八條，關於發票人之規定，第二章第七節關於付款之規定，於本票準用之；發票人得記載對於票據金額支付利息及其利率；利率未經載明時，定為年利六釐，票據法第三條、第五條第一項、第一百二十條第一、二、、四、五項、第一百二十一條、第四十二條、第五十二條第一項、第九十七條第一項第一、二款、第一百二十四條、第二十八條第一、二項定有明文。本件原告在正面上方載有「本票」字樣及記載「憑票於中華民國＿＿＿年＿＿＿月＿＿＿日無條件支付梁清騰或其指定人＿＿＿新臺幣４５０萬元整」、「此票免除作成拒絕證書」、「中華民國１１２年１０月２５日」內容之書面上，「發票人」之欄位簽名、蓋章，並填載地址欄位及書立身分證統一編號後，交付予被告收執，前已述及（參見卷第二三頁本票影本）。本件本票已有表明為本票之文字、一定之金額、無條件擔任支付、發票年、月、日、受款人，雖未載到期日、發票地、付款地，但未載到期日者，視為見票即付，未載發票地者，以發票人之營業所、住所或居所所在地為發票地，未載付款地者，以發票地為付款地，票據法第一百二十條第二、四、五項規定甚明，無礙本件本票之效力，依首揭法條，原告在合於本票含意及應記載事項之書面上簽名後交付被告收執，應按文義所載負責，即於被告提示本件本票時，支付被告四百五十萬元及自提示日起至清償日止，按　　　週年利率百分之六計算之利息。（二）票據債務人不得以自己與發票人或執票人之前手間所存抗辯之事由對抗執票人，票據法第十三條前段亦有明定。　　１依票據法第十條（即現票據法第十三條）之規定，票據債務人祇不得以自己與發票人或執票人之前手間所存抗辯之事由，對抗執票人，若以其自己與執票人間所存抗辯之事由資為對抗，則非法所不許，最高法院四十六年台上字第一八三五號著有裁判可資參照。又票據行為，為不要因行為，執票人不負證明關於給付之原因之責任；票據係文義證券及無因證券，票據上之權利義務悉依票上所載文義定之，與其基礎之原因關係各自獨立，票據上權利之行使不以其原因關係存在為前提，此項票據之無因性，為促進票據之流通，應絕對予以維護，初不問其是否為票據直接前、後手間而有不同，故執票人行使票據上權利時，就其基礎之原因關係確係有效存在不負舉證責任，執票人於上開訴訟中，祇須就該票據作成之真實負證明之責，關於票據給付之原因，並不負證明之責；在原告請求確認債權不存在之訴，如被告主張其債權存在時，固應由被告就債權存在之事實負舉證責任，惟原告請求確認之債權，倘係票據（票款）債權時，由於票據具有無因性之特質，票據權利之行使不以其原因關係存在為前提，原因關係不存在或無效，並不影響票據行為之效力，執票人仍得依票據文義行使權利，因此，於票據債務人請求確認票據債權不存在時，執票人僅須就該票據之真實，即票據是否為發票人作成之事實，負證明之責，至於執票人對於該票據作成之原因為何，則無庸證明，如票據債務人依票據法第十三條規定主張其與執票人間有抗辯事由存在時，仍應先由票據債務人就該抗辯事由之基礎原因關係負舉證之責任，以貫徹票據無因性之本質，與維護票據之流通性，於票據基礎之原因關係確立後，法院就此項原因關係進行實體審理時，當事人於該原因關係是否有效成立或已否消滅等事項有所爭執，始應適用各該法律關係之舉證責任分配原則，最高法院四十八年台上字第一０一號、六十四年台上字第一五四０號、九十七年度台簡上字第十七號、九十八年度台簡上字第十七號、一０一年度台簡上字第二七號、一０二年度台上字第四六六號、一０三年度台簡上字第十九號、一０五年度台簡上字第一號、一０七年度台上字第一五八四號迭著有裁判闡釋詳明。又當事人主張有利於己之事實者，就其事實有舉證之責任，民事訴訟法第二百七十七條前段規定甚明。消極確認之訴，應由被告負立證責任；確認法律關係不成立之訴，原告如僅否認被告於訴訟前所主張法律關係成立原因之事實，以求法律關係不成立之確認，應由被告就法律關係成立原因之事實，負舉證之責；確認法律關係不存在之訴，如被告主張其法律關係存在時，應由被告負舉證責任，最高法院十九年上字第三八五號、二十年上字第七０九號、四十二年台上字第一七０號著有判例可資參佐。是本件執票之被告對原告行使本件本票票據上權利，以證明「本件本票具備本票應記載事項及其上發票人即原告簽名之真正」為已足，就本件本票之基礎原因關係尚不負舉證之責，原告如欲援引票據法第十三條規定之反面解釋為抗辯，應先舉證證明兩造為本件本票之直接前後手及本件本票之基礎原因關係為何，於兩造為本件本票直接前後手及票據基礎原因關係確定後，再依一般法律關係舉證法則就各該有利於己之事實負舉證之責（執票之被告舉證該基礎原因關係之成立生效，票據債務人即原告舉證該基礎原因關係因何事由全部或一部消滅）。　　２經本院行使闡明權，命原告陳明並舉證兩造為本件本票之直接前後手及基礎原因關係為何，原告主張本件本票基礎原因關係係用以擔保其於一一二年十月二十五日向被告借用三百萬元（被告實際共交付二百七十五萬五千元）金錢債務本息之清償（見卷第十一頁書狀），並經被告肯認屬實（見卷第一二七頁筆錄），則原告就「兩造為本件本票之直接前後手」及「本件本票基礎原因關係係擔保兩造間一一二年十月二十五日金錢借貸債務之清償」情節，既經被告自認，已無庸另行舉證，又本件本票基礎原因關係（二百七十五萬五千元金錢借貸）之發生，亦經原告自承不諱，被告就此情節亦無庸另行舉證；至原告指本件本票基礎原因關係已經消滅，係以其業已清償兩造間一一二年十月二十五日之金錢債務本息為論據，此節則經被告否認，是應由原告負舉證之責。　　３兩造間一一二年十月二十五日成立之金錢消費借貸契約，係約定由原告向被告借用三百萬元，借用期間自同年月二十五日起至一一三年十月二十五日止，利息按月息百分二 ‧五計算，惟被告共給付原告二百七十五萬五千元之借款（於一一二年十月二十五日①轉帳二百五十四萬五千元入原告郵局帳戶及②匯款二十一萬元入訴外人黃鈺婷帳戶），且兩造間借款利息利率高達週年利率百分之三十（計算式：「約定每月利息利率」百分之二‧五，乘以「全年月數」十二個月），依民法第二百零五條規定，超過週年利率百分之十六部分之約定無效，是被告僅能收取週年利率百分之十六計算之利息。而原告於一一二年十一月二十七日匯款二百六十一萬八千五百三十五元入被告帳戶以提前清償第①筆（二百四十五萬五千元）債務本息，於同年十二月十五日匯款二十一萬四千七百四十三元入被告帳戶以提前清償第②筆（二十一萬元）債務本息，經以週年利率百分之十六，並依民法第三百二十一條至第三百二十三條規定抵充，其中原告一一二年十一月二十七日提前清償部分，超逾第①筆債務本息總額，就溢付部分，原告既仍基於清償之意思給付，爰逕用以抵充第②筆債務本息，則原告確已舉證於一一二年十二月十五日全數清償對被告之金錢借貸債務本息（計算式詳如附表二），尚溢付三萬五千八百一十六元。　　４被告固指兩造間金錢消費借貸契約第四條有提前清償違約金之約定，原告未能全數清償債務本息違約金云云，然當事人得約定債務人於債務不履行時，應支付違約金；違約金，除當事人另有訂定外，視為因不履行而生損害之賠償總額；其約定如債務人不於適當時期或不依適當方法履行債務時，即須支付違約金者，債權人除得請求履行債務外，違約金視為因不於適當時期或不依適當方法履行債務所生損害之賠償總額；約定之違約金額過高者，法院得減至相當之數額，民法第二百五十條、第二百五十二條規定甚明。當事人約定契約不履行之違約金過高者，法院固得依民法第二百五十二條以職權減至相當之數額，惟是否相當仍須依一般客觀事實、社會經濟狀況及當事人所受損害情形，以為酌定標準，而債務已為一部履行者，亦得比照債權人所受利益減少其數額；約定之違約金是否過高，應就債務人若能如期履行債務時，債權人可得享受之一切利益為衡量之標準，而非以僅約定一日之違約金額若干為衡量之標準，最高法院四十九年台上字第八０七號、五十一年台上字第十九號、七十九年台上字第一九一五號著有裁判闡釋詳明。兩造間金錢消費借貸契約第四條第二款約定：「本次借款期限經雙方協議，約定如次：‧‧‧⑵借款人於借貸期限內，得隨時主張一次全部清償借款，惟自撥款日起１２期（含）內，如有提前全部清償借款之情事，借款人需支付貸與人『清償本金金額２０％』違約金」（見卷第二七頁），該約款並未記載為懲罰性違約金，依前開法條，該違約金視為債務人不於適當時期履行債務所生損害之賠償總額。而借款債務提前清償違約金，多係金融機構貸款時，因約定貸款期間甚長（七年、十年至三十年），且前期貸款利息利率較低（如前三年利息固定按週年利率百分之三計算，其後固定按週年利率百分之十二計算）或設有本金清償緩衝期間（如前三年僅按期支付利息、無庸攤還本金）之情形，為免債務人利用前開優惠利率或緩衝期間反覆在不同金融機構間借款、獲取利差，徒增金融機構放款成本及風險，方訂有債務人提前清償時應支付一定比例違約金之約定；在本件情形，兩造間借貸契約約定借用期間僅一年（一一二年十月二十五日起至一一三年十月二十五日止），且約定利息高達週年利率百分之三十（逾週年利率百分之十六部分無效），亦即被告已得收取顯逾一般貸與款項所能合法獲取之利益，難認有保護之必要，參諸原告本件借款除簽發交付本件本票外，尚以本件不動產設定抵押以為擔保，前業提及，堪認已有足額擔保，被告擔負無法取回貸款本金之風險甚低，再者，被告自交付借款初始即未足額給付（兩造約定借用三百萬元，被告僅實際交付原告二百五十四萬五千元，另代為給付訴外人所謂仲介借款佣金二十一萬元，共二百七十五萬五千元），附表一所示抵押權更登記債務清償期為交付借款五日後之一一二年十月三十日，較兩造約定之清償期提前一年，並設有流抵約定（參見卷第二九、三三、一０三、一０五頁），難謂無藉原告需款孔急之危而強取本件不動產之動機及惡意，況該違約金約定比例高達本金百分之二十，較諸法定利息上限為高，而被告取回之款項仍得立即再次貸與他人或自行應用，亦難認有何損失，本院認本件提前清償違約金之數額顯然過高，爰予酌減至按貸款本金百分之一計算即二萬七千五百五十元。則原告溢付之三萬五千八百一十六元，已足敷支付提前清償違約金（二萬七千五百五十元），原告業已全數清償兩造間一一二年十月二十五日借款本息、違約金，堪以認定，被告此節所辯，委無可採。　　５原告既已全數清償兩造間一一二年十月二十五日借款本息、違約金，本件本票之基礎原因關係已經消滅甚明，兩造為本件本票之直接前後手，本件本票之基礎原因關係既已消滅，原告為原因關係抗辯，據以對抗被告，請求確認被告就本件本票對原告之票據債權不存在，應屬有據。（三）稱最高限額抵押權者，謂債務人或第三人提供其不動產為擔保，就債權人對債務人一定範圍內之不特定債權，在最高限額內設定之抵押權；最高限額抵押權人就已確定之原債權，僅得於其約定之最高限額範圍內，行使其權利；前項債權之利息、遲延利息、違約金，與前項債權合計不逾最高限額範圍者，亦同；原債權確定前，抵押權人與抵押人得約定變更第八百八十一條之一第二項所定債權之範圍或其債務人；最高限額抵押權所擔保之原債權，除本節另有規定外，因下列事由之一而確定：㈢擔保債權所由發生之法律關係經終止或因其他事由而消滅者；最高限額抵押權，除第八百六十一條第二項、第八百六十九條第一項、第八百七十條、第八百七十條之一、第八百七十條之二、第八百八十條之規定外，準用關於普通抵押權之規定，民法第八百八十一條之一第一項、第八百八十一條之二、第八百八十一條之三第一項、第八百八十一條之十二第一項第三款、第八百八十一條之十七已有明定。　　１所謂最高限額抵押契約，係指所有人提供抵押物，與債權人訂立在一定金額之限度內，擔保現在已發生及將來可能發生之債權之抵押權設定契約而言，此種抵押權所擔保之債權，除訂約時已發生之債權外，即將來發生之債權，在約定限額之範圍內，亦為抵押權效力所及；雖抵押權存續期間內已發生之債權，因清償或其他事由而減少或消滅，原訂立之抵押契約依然有效，嗣後在存續期間內陸續發生之債權，債權人仍得對抵押物行使權利；此種抵押契約如未定存續期間，其性質與民法第七百五十四條第一項所定就連續發生之債務為保證而未定有期間之保證契約相似，類推適用同條項規定，抵押人固得隨時通知債權人終止抵押契約，對於終止契約後發生之債務，不負擔保責任；反之，此種抵押契約定有存續期間者，訂立契約之目的，顯在擔保存續期間內所發生之債權，凡在存續期間所發生之債權，皆為抵押權效力所及，於存續期間屆滿前所發生之債權，債權人在約定限額範圍內，對於抵押物均享有抵押權，除債權人拋棄為其擔保之權利外，自無許抵押人於抵押權存續期間屆滿前，任意終止此種契約；縱令嗣後所擔保之債權並未發生，僅債權人不得就未發生之債權實行抵押權而已，非謂抵押人得於存續期間屆滿前終止契約而享有請求塗銷抵押權設定登記之權利。最高限額抵押契約定有存續期間者，其期間雖未屆滿，然若其擔保之債權所由生之契約已合法終止或因其他事由而消滅，且無既存之債權，而將來亦確定不再發生債權，其原擔保之存續期間內所可發生之債權，已確定不存在，依抵押權之從屬性，應許抵押人請求抵押權人塗銷抵押權設定登記，最高法院六十六年台上字第一０九七號、八十三年台上字第一０五五號著有裁判可資參照。　　２是於擔保債權所由發生之法律關係經終止或因其他事由而消滅者，最高限額抵押權所擔保之原債權即告確定，該最高限額抵押權擔保不特定債權之特性消滅，擔保之債權由約定擔保範圍內之不特定債權變更為特定債權，並回復抵押權之從屬性，斯時若所擔保之債權不存在，抵押權即失所附麗，縱有抵押權登記，亦屬無效，抵押人或於抵押權設定後受讓不動產而受抵押權追及效力所及之不動產所有權人，得請求塗銷抵押權設定登記。附表一所示抵押權係用以擔保兩造間一一二年十月二十五日二百七十五萬五千元借款本息、違約金之清償，而兩造間一一二年十月二十五日借貸契約約定之借款期間至一一三年十月二十五日止，是筆二百七十五萬五千元之借款本息、違約金並均已全數清償完畢，此經本院審認如前，則附表一所示最高限額抵押權所擔保之債權（含本金、利息、違約金）不唯至遲於一一三年十月二十五日即應確定，且早於一一二年十二月十五日即經清償而全數消滅，附表一所示抵押權已失所附麗，亦足認定。　　３附表一所示抵押權所擔保之債權已經確定並已經全數因清償而消滅，附表一所示抵押權既已失所附麗，則附表一所示抵押權登記有礙本件不動產所有權之圓滿，原告為本件不動產之所有權人，依民法第七百六十七條第一項中段規定請求被告塗銷附表一所示抵押權設定登記，亦非無憑。（四）末按債之全部消滅者，債務人得請求返還或塗銷負債之字據，民法第三百零八條第一項前段固有明文。原告請求被告返還本件本票，無非以兩造為本件本票之直接前後手，且本件本票之基礎原因關係已經因清償而消滅，被告就本件本票對原告之票據債權不存在為論據，惟民法第三百零八條所謂「負債字據」應指債權之證明文件，內容足以顯示債權人、債務人為何人及債務之具體內容，無從與內容所載債權分離，亦無從發生「證明所記載債權存在」以外之權利、效力，但本件本票之性質為本票，除票據債務人應顯示其上外，票據債權人得僅提示票據為已足，不以記載在票據上為必要，且具流通性，不唯得與基礎原因關係分離、單獨移轉，法律上復具有發生其他權利（票據上債權）之效力，難謂為該條所定之「負債字據」。本件本票既非兩造間一一二年十月二十五日金錢借貸之負債字據，原告以是筆債務已經全數清償為由，依民法第三百零八條第一項規定請求被告返還，難認有據。五、綜上所述，兩造於一一二年十月二十五日訂立金錢借貸契約，約定由原告向被告借用二百七十五萬五千元，原告並簽發交付本件本票及以本件不動產設定附表一所示抵押權以為擔保，原告業於一一二年十一月二十七日、十二月十五日清償是筆債務本息、違約金，本件本票基礎原因關係及附表一所示抵押權所擔保債權已經確定且消滅，從而，原告請求確認被告就本件本票對原告之票據債權不存在，及依民法第七百六十七條第一項中段規定，請求被告塗銷附表一所示抵押權設定登記，洵屬有據，應予准許，逾此範圍之請求（即請求被告返還本件本票部分），則無理由，不應准許，爰予駁回。六、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊防禦方法及所提證據，經本院審酌後，認於判決結果不生影響，爰不一一論列，併此敘明。　　據上論斷，本件原告之訴為一部有理由、一部無理由，依民事訴訟法第七十九條，判決如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　　民事第四庭　法　官　洪文慧以上正本係照原本作成。如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　　　　　　　　書記官　王緯騏附表一：不動產及抵押權詳目㈠土地標示地　　　號所有權人權利範圍坐落臺北市○○區○○段○○段○○○○地號蔡王霖四分之一㈡建物標示建號／門牌號碼所有權人權利範圍臺北市○○區○○段○○段○○○○號門牌號碼臺北市○○區○○路○○○巷○弄○○號四樓蔡王霖全部㈢抵押權內容民國一一二年十月二十三日設定登記收件字號：信義字第０８８４００號權利種類：最高限額抵押權權利人：梁清騰擔保債權總金額：新臺幣肆佰伍拾萬元擔保債權種類及範圍：擔保債務人對抵押權人現在（包括過去所負現在尚未清償）及將來在抵押權設定契約所定最高限額內所負之債務，包括借款、透支、貼現、墊款。清償日期：民國一一二年十月三十日其他擔保範圍約定：⒈取得執行名義之費用。⒉因債務不履行而發生之全部損害賠償。⒊保全抵押物之費用。⒋債務不履行之賠償金。⒌行使抵押權之訴訟及非訴訟費用及強制執行費用之給付。債務人兼義務人：蔡王霖共同擔保地號：臺北市○○區○○段○○段○○○○地號、權利範圍四分之一。共同擔保健號：臺北市○○區○○段○○段○○○○號、權利範圍全部。流抵約定：擔保之債權屆清償期而債務人未為清償時，抵押權人有權要求擔保物提供人將擔保物所有權移屬於抵押權人。　　　　　　　　　附表二：原告債務餘額計算－原告清償（還款）抵充詳目　　　　【小數點以下均四捨五入】　　　　　　　　　日　期本金數額 (新臺幣) 計息起日　　迄日週年利率利息數額 (新臺幣) 還款數額 (新臺幣) 抵充內容（新臺幣） 112.10.25 2,545,000 112.10.25 112.11.27 16％ 37,931 2,618,535 本息全抵，尚溢付 35,604元 112.10.25 　210,000 112.10.25 112.11.27 16％　3,130 　 35,604 利息全抵，本金尚餘 117,526元 112.11.28 　177,526 112.11.28 112.12.15 16％　1,401 　214,743 本息全抵，尚溢付 35,816元合　計 2,755,000 42,462 2,833,278 本息抵充，尚溢付 35,816元

2025-03-31

TPDV-113-訴-1984-20250331-2

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臺中簡易庭

侵權行為損害賠償（交通）

臺灣臺中地方法院民事裁定 114年度中簡字第1057號原告曾英香訴訟代理人謝明智律師曾偉哲律師被告謝文閔上列當事人間請求侵權行為損害賠償（交通）事件，本院裁定如下：　　主　　文本件移送臺灣苗栗地方法院。　　理　　由一、按訴訟，由被告住所地之法院管轄。被告住所地之法院不能　　行使職權者，由其居所地之法院管轄。訴之原因事實發生於　　被告居所地者，亦得由其居所地之法院管轄；因侵權行為涉訟者，得由行為地之法院管轄；訴訟之全部或一部，法院認無管轄權者，依原告聲請或依職權以裁定移送於其管轄法院，民事訴訟法第1條第1項、第15條第1項、第28條第1項定有明文。二、經查，原告依侵權行為之法律關係提起本件訴訟，原告起訴狀固記載被告住所地在臺中市○○路0段000號，惟遍查卷內資料尚難認該址為被告住所地；另被告之戶籍地自106年起均設籍在苗栗縣，有戶役政資訊個人戶籍資料在卷可參，又本件侵權行為地在苗栗線頭份市，有臺灣苗栗地方檢察署檢察官起訴書為憑在卷足憑，亦非本院管轄區域，至前揭起訴書所另記載被告住所地在「臺中市○區○○路0段00號7樓之4」，惟經本院調取上開刑事案卷內容，可知該址經臺灣苗栗地方檢察署寄送司法文書結果為「查無此人」，本院自無管轄權，依民事訴訟法第1條第1項之規定，本件應由臺灣苗栗地方法院管轄。準此，原告向無管轄權之本院起訴，顯係違誤，爰依職權將本件移送該管轄法院。三、依民事訴訟法第28條第1項，裁定如主文。　　　　中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　臺灣臺中地方法院臺中簡易庭　　　　　　　　　　　　　　　　　法　官　陳玟珍　以上正本係照原本作成。如不服本裁定，應於送達後10日內，向本院提出抗告狀並表明抗告理由，如於本裁定宣示後送達前提起抗告者，應於裁定送達後 10日內補提抗告理由書（須附繕本）。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　　　　　　書記官　王素珍

2025-03-31

TCEV-114-中簡-1057-20250331-1

北小

臺北簡易庭

損害賠償(交通)

臺灣臺北地方法院民事判決　　　　　　　　　　　　　　　　　113年度北小字第3682號原告郭彥廷被告李菱珊上列當事人間請求損害賠償(交通)事件，本院於民國114年3月20 日言詞辯論終結，判決如下：　　主　　　文被告應給付原告新臺幣捌仟柒佰伍拾肆元，及自民國一一三年八月九日起至清償日止，按週年利率百分之五計算之利息。原告其餘之訴駁回。訴訟費用新臺幣壹仟元，其中新臺幣貳佰肆拾玖元由被告負擔，並給付原告自裁判確定之翌日起至訴訟費用清償日止，按週年利率百分之五計算之利息；餘新臺幣柒佰伍拾壹元由原告負擔。本判決第一項得假執行。但被告以新臺幣捌仟柒佰伍拾肆元為原告預供擔保，得免為假執行。　　事實及理由壹、程序方面：　按因侵權行為涉訟者，得由行為地之法院管轄。民事訴訟法第15條第1項定有明文。查本件侵權行為地為臺北市○○區○○○ 路000號，依上開規定，本院自有管轄權。貳、實體方面：一、原告起訴主張：原告於民國111年7月26日19時29分許騎乘訴外人林新時所有之車牌號碼000－0000號普通重型機車（下稱系爭機車），行經臺北市○○區○○○路000號時，適有被告駕駛車牌號碼000－0000號自用小客車（下稱系爭汽車），因支線道車未讓幹線道車先行而撞擊系爭機車，致系爭機車受損、原告受有左足挫傷之傷害（下稱系爭傷害），爰依民法侵權行為法律關係請求被告賠償3萬5,130元【包含醫療費用1萬2 ,435元、護具費用1,560元、交通費5,835元、機車修復費30 0元及精神慰撫金1萬5,000元】等語。並聲明：被告應給付原告3萬5,130元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息。二、被告則以：否認原告主張之侵權行為事實，因被告駕駛系爭汽車自光復北路177巷進入光復北路時，係緩慢行駛至光復北路177巷與光復北路交叉路口（下稱系爭路口）之黃色網狀線上，並在確認北向、右側方向並無來車後始進入光復北路之主幹道，而系爭汽車係在被告確認無車輛通行、準備左轉時，遭原告騎乘系爭機車逆向撞擊系爭汽車之左前方，故系爭事故之肇事原因為原告騎乘系爭機車違規逆向行駛所致。又依系爭汽車之行車紀錄器畫面（下稱系爭A畫面）可知，原告騎乘系爭機車自畫面左側出現時已逆向行駛，且系爭機車係因行駛至系爭汽車左前方時，為閃避計程車始向系爭汽車左前方撞擊，而當時系爭汽車並未移動。另因被告對系爭事故並無肇事責任，故原告請求被告賠償醫療費用1萬2,4 35元、護具費用1,560元、交通費5,835元、機車修復費300 元及精神慰撫金1萬5,000元，均無理由等語，資為抗辯。並聲明：原告之訴駁回。三、經查，原告主張系爭機車與系爭汽車於上開時、地發生擦撞，系爭機車因此受損、原告受有系爭傷害之事實，業據提出初步分析研判表、三軍總醫院松山分院附設民眾診療服務處（下稱三軍醫院）診斷證明書及黏貼紀錄表等件為憑（見本院卷第19至25頁、第29至30頁），核屬相符，且有本院職權調閱本件車禍肇事案相關資料在卷可稽（見本院卷第61至74 頁），且為被告所不爭執，堪信為真實。四、得心證之理由：（一）按駕駛人駕駛汽車，應遵守道路交通標誌、標線、號誌之指示，並服從交通指揮人員之指揮。行至無號誌或號誌故障而無交通指揮人員指揮之交岔路口，支線道車應暫停讓幹線道車先行。道路交通安全規則第90條第1項前段及第1 02條第1項第2款前段分別定有明文。停車再開標誌，用以告示車輛駕駛人必須停車觀察，認為安全時，方得再開。設於安全停車視距不足之交岔道路支線道之路口。道路交通標誌標線號誌設置規則第58條第1項亦有明定。又按因故意或過失，不法侵害他人之權利者，負損害賠償責任。汽車、機車或其他非依軌道行駛之動力車輛，在使用中加損害於他人者，駕駛人應賠償因此所生之損害。不法侵害他人之身體或健康者，對於被害人因此喪失或減少勞動能力或增加生活上之需要時，應負損害賠償責任。不法侵害他人之身體、健康、名譽、自由、信用、隱私、貞操，或不法侵害其他人格法益而情節重大者，被害人雖非財產上之損害，亦得請求賠償相當之金額。民法第184條第1項前段、第191條之2前段、第193條第1項及第195條第1項前段分別定有明文。（二）本件原告主張被告於上開時、地，駕駛系爭汽車因支線道車未讓幹線道車先行而撞擊系爭機車，致系爭機車受損、原告受有系爭傷害等情，為被告所否認，辯稱系爭事故之肇事原因為原告騎乘系爭機車違規逆向行駛所致。又依系爭A畫面可知，原告騎乘系爭機車自畫面左側出現時已逆向行駛，且系爭機車係因行駛至系爭汽車左前方時，為閃避計程車始向系爭汽車左前方撞擊，而當時系爭汽車並未移動云云。查參諸本院當庭勘驗事故發生時，系爭汽車之行車紀錄器畫面（即系爭A畫面）顯示：「（0：0至0：05 ）被告駕駛系爭汽車停止於系爭路口之黃色網狀線上。（ 0：06）系爭汽車略微向後倒退。（0：07）原告騎乘系爭機車自畫面左側出現，而系爭機車出現時已遮擋畫面左側之車道線。此時系爭汽車已停止倒車後退。（0：08）系爭汽車開始向前移動，此時系爭機車已位於系爭汽車左前方。系爭機車左側有1台計程車。（0：09）系爭汽車前車頭撞擊系爭機車右側車身，畫面傳出撞擊聲。（0：10）系爭汽車立即停止行進，而原告及系爭機車則均倒地。」、系爭事故發生時之路口監視器畫面（下稱系爭B畫面）顯示：「（0：40至0：44）畫面開始時，被告駕駛系爭汽車沿臺北市松山區光復北路177巷左轉進入光復北路後，系爭汽車之車身以車頭朝西南方之方式，橫切於光復北路南北向之第一、二車道中間。（0：45至0：48）系爭汽車略微向前移動，並於0分48秒停止行進。（0：49至0：54 ）於0分50秒可見原告騎乘系爭機車行駛於光復北路第一車道，而系爭汽車則於0分53秒開始略微向後倒退。而系爭機車於0分54秒時，已位於系爭汽車左前方。（0：55至 0：56）系爭汽車於倒車後退後，於0分55秒再向前移動，而系爭機車則向左前方偏移。（0：57至0：58）系爭汽車之車頭於0分57分撞擊系爭機車之右側車身後，系爭汽車立即停止行進，而原告及系爭機車均倒地。」、路口監視器畫面（下稱系爭C畫面）顯示：「（0：35至0：43）被告駕駛系爭汽車沿臺北市松山區光復北路177巷左轉進入光復北路後，系爭汽車之車身以車頭朝西南方之方式，橫切於光復北路南北向之第一、二車道中間，而此時系爭汽車之左轉方向燈為閃爍狀態。（0：44）原告騎乘系爭機車於畫面右側出現，此時系爭機車由南向北行駛於光復北路第一車道。（0：45至0：47）系爭汽車略微向前移動，並於0分47秒停止行進。（0：48至0：55）系爭汽車於0分 53秒略微向後倒退，而系爭機車於0分55秒已行駛至系爭汽車左前方。（0：56至0：57）系爭汽車於0分56秒開始向前移動後，系爭B車之前車頭撞擊系爭機車之右側車身。」等情，此有勘驗筆錄在卷可稽（見本院卷第143至145 頁），依上開畫面可知，被告所駕駛之系爭汽車自光復北路177巷左轉進入光復北路後，在系爭A畫面0：08、系爭B 畫面0：55、系爭C畫面0：55向前移動繼續轉彎時，系爭機車已位於系爭汽車之左前方；併參以系爭路口並無號誌，且無交通指揮（見本院卷第67頁），屬無號誌而無交通指揮人員指揮之交岔路口，而被告所駕駛之系爭汽車係行駛於臺北市松山區光復北路177巷由東往西路段，此路段設置有停車再開標誌（見本院卷第63頁），指示沿上開路段行駛而來之車輛為支線道車，必須暫停讓沿臺北市松山區光復北路南往北行駛之幹線道車先行。基上，堪認系爭事故為被告駕駛系爭汽車已進入系爭路口，並位於系爭機車之左前方時，系爭汽車疏未讓行駛於幹線道之系爭機車先行所致。至被告辯稱原告於系爭事故發生時已逆向行駛云云，然參以系爭A畫面截圖（見本院卷第147至148頁），系爭機車於系爭A畫面0：07自系爭汽車左前方出現時，其車身已遮擋原位於畫面左側之車道線，尚無法以此逕認其車輪已跨越車道線進入光復北路北往南方向之對向車道內而有逆向行駛之行為，是被告此部分抗辯，並不可採。從而，被告就本件車禍事故之發生具有過失，且與系爭機車所受之損害、原告所受之系爭傷害間有相當因果關係，依上開說明，被告自應就系爭車禍負侵權行為損害賠償責任。（三）又侵權行為損害賠償之請求權，以受有損害為成立要件，故被害人得請求賠償之金額，應視其實際所受之損害而定。茲就原告請求金額審究如下：　 1、醫療費用1萬2,435元：　　①原告主張其因系爭事故受有系爭傷害，於三軍醫院就醫，致支出醫療費用1,390元，業據提出三軍醫院醫療費用明細收據等件為證（見本院卷第31至35頁），核屬相符，是原告請求被告賠償1,390元，應屬有據。　　　　②至原告主張其因系爭事故受有系爭傷害，除至三軍醫院就醫外，尚有至健祐中醫診所看診，共計支出1萬1,045元云云，固據提出健祐中醫診所診斷證明書及費用明細收據為憑（見本院卷第27頁、第37至39頁）。惟原告於系爭事故中所受之傷勢為挫傷（見本院卷第21頁），而有關中醫門診部分，因此部分屬於中醫內科，難認與原告所受之傷害有何關連，自難認原告於健祐中醫診所之診療費用屬醫療上之必要，故不應准許。　 2、護具費用1,560元：　　原告主張其因系爭事故受有系爭傷害，致支出護具費用1, 560元，業據提出統一發票為證（見本院卷第46頁），核屬相符，是原告請求被告賠償1,560元，應屬有據。　 3、交通費5,835元：　　①原告主張其因系爭事故受有系爭傷害，因回診及無法騎乘機車而支出代步交通費計3,640元（計算式：5,835元－460 元－455元－1,280元＝3,640元，扣減部分詳如後述），並提出計程車乘車證明、計程車收據及購票證明等件為證（見本院卷第41至46頁），核屬相符，是原告請求此部分之費用計3,640元，應屬有據。　　②至原告主張其至內湖道場祈福盡快康復，共計支出915元（計算式：460元＋455元＝915元）云云，固據提出計程車乘車證明等件為憑（見本院卷第41至42頁）。惟按損害賠償之債，以有損害之發生及有責任原因之事實，並二者之間，有相當因果關係為成立要件，故原告所主張損害賠償之債，如不合於此項成立要件者，即難謂有損害賠償請求權存在。而所謂相當因果關係，謂無此行為，雖必不生此種損害，有此行為，通常即足生此種損害者，為有相當因果關係。如無此行為，必不生此種損害，有此行為，通常亦不生此種損害者，即為無相當因果關係。倘行為與行為後所生之條件相競合而生結果，二者倘無必然結合之可能，行為與結果，仍無相當因果關係之可言。原告固主張其因系爭事故致受有系爭傷害而至道場祈福盡快康復云云。然查，縱被告確實有駕駛系爭汽車因支線道車未讓幹線道車先行而撞擊原告所騎乘之系爭機車，並造成原告受有系爭傷害之行為，惟原告因此而至道場祈福應屬原告個人化之選擇，而被告上開傷害行為並非必然造成原告至道場祈福之結果，兩者間難認有相當因果關係存在，自難令被告對原告此部分之主張負損害賠償責任。　　③又原告請求臺北捷運公共運輸定期票1,280元部分，固據提出購票證明為憑（見本院卷第46頁）。然臺北捷運公共運輸定期票為月票，且原告係於111年11月23日購買上開定期票，距系爭事故發生日111年7月26日已歷經相當時日，故難認上開支出與系爭傷害間有何關連及其必要性，是原告此部分請求，均屬無據。　 4、機車修復費300元：　　　按因故意或過失，不法侵害他人之權利者，負損害賠償責任，民法第184條第1項前段定有明文。是損害賠償請求權人須為權利受侵害之當事人，倘非權利受害者，即無權依侵權行為損害賠償有所主張。查本件系爭機車之車主即所有權人係訴外人林新時，此有本院依職權調閱之臺北市政府警察局松山分局交通分隊道路交通事故補充資料表在卷可稽（見本院卷第64頁），堪認原告僅為系爭機車之駕駛人，並非系爭機車之所有權人。是原告迄至本院言詞辯論終結前並未舉證說明是否系爭機車之車主已將其損害賠償請求權讓與予原告，亦未舉證證明其對系爭機車有何權利，是難認原告係系爭機車受損之損害賠償請求權人。從而，原告請求為被告賠償300元，即屬無據。　 5、精神慰撫金1萬5,000元：　　　按慰藉金係以精神上所受無形之痛苦為準，非如財產損失之有價額可以計算，究竟如何始認為相當，自應審酌被害人及加害人之地位、家況、並被害人所受痛苦之程度暨其他一切情事，定其數額（最高法院48年度台上字第798號判例意旨參照）。本院審酌被告之侵權行為態樣、原告之傷勢程度，認原告得請求之精神慰撫金以8,000元為適當，逾此部分，不應准許。　 6、基上，原告得請求被告賠償之金額為1萬4,590元（計算式：1,390元＋1,560元＋3,640元＋8,000元＝1萬4,590元）。（四）又按損害發生或擴大，被害人與有過失者，法院得減輕賠償金額或免除之。民法第217條第1項亦有明文。按汽車，指在道路上不依軌道或電力架線而以原動機行駛之車輛（包括機車）。汽車行駛時，駕駛人應注意車前狀況及兩車併行之間隔，並隨時採取必要之安全措施。道路交通安全規則第2條第1項第1款及第94條第3項前段定有明文。查本件被告雖有過失，已如前述，惟參以系爭B、C畫面顯示，系爭汽車於系爭事故發生前，其車身在系爭B畫面0：40至 0：44、系爭C畫面0：35至0：43自光復北路177巷進入光復北路後，迄至兩車於系爭B畫面0：57、系爭C畫面0：56 發生碰撞止，系爭汽車之車身已以車頭朝西南方之方式，橫切於光復北路南北向之第一、二車道中間。堪認系爭事故發生前，系爭汽車已位於原告目視可見之前方範圍內，則原告自應有將系爭機車減速並煞停之注意義務，然原告卻疏未注意而急於自系爭汽車前方通過而與系爭汽車發生碰撞，原告就系爭事故之發生自具有過失，亦為本件交通事故肇事因素之一，是依上開規定，自有過失相抵法則之適用。是以，本院依職權權衡雙方違規情節及過失之輕重等情，認被告過失之比例為6成，原告應承擔之過失比例為4成，應減輕被告賠償金額40%，被告僅須賠償60%，計8 ,754元（計算式：1萬4,590元×60%＝8,754元，元以下4捨5 入）。（五）末按給付無確定期限者，債務人於債權人得請求給付時，經其催告而未為給付，自受催告時起，負遲延責任。其經債權人起訴而送達訴狀，或依督促程序送達支付命令，或為其他相類之行為者，與催告有同一之效力。遲延之債務，以支付金錢為標的者，債權人得請求依法定利率計算之遲延利息。應付利息之債務，其利率未經約定，亦無法律可據者，週年利率為5%。民法第229條、第233條第1項及第203條分別定有明文。查原告依據民法侵權行為法律關係請求被告賠償8,754元，屬給付無確定期限，依前揭說明，原告主張以本件起訴狀繕本送達之翌日即113年8月9 日（見本院卷第83頁）起至清償日止，按週年利率5％計算之利息，亦屬有據。　　　　　五、綜上所述，原告依據民法侵權行為法律關係請求被告賠償8, 754元，及自113年8月9日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息，為有理由，應予准許。逾此範圍，為無理由，應予駁回。六、本判決原告勝訴部分係就民事訴訟法第436條之8適用小額訴訟程序所為被告敗訴之判決，依民事訴訟法第436條之20規定，應依職權宣告假執行。並依同法第436條之23準用第436 條第2項，適用同法第392條第2項規定，依職權宣告被告如預供擔保，得免為假執行。七、訴訟費用負擔之依據：民事訴訟法第79條。本件訴訟費用額，依後附計算書及依民事訴訟法第91條第3項規定：「依第1 項及其他裁判確定之訴訟費用額，應於裁判確定之翌日起，加給按法定利率計算之利息。」，確定如主文第3項所示。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　31　　日　　　　　　　　　臺北簡易庭　法　官　陳家淳以上正本證明與原本無異。如不服本判決，須以違背法令為理由，於判決送達後20日內向本庭（臺北市○○○路0段000巷0號）提出上訴狀。（須按他造當事人之人數附繕本）。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　4 　　月　　2 　　日　　　　　　　　　　　　　　　書記官　蘇炫綺計　算　書項　　　　目　　　　　　金　額（新臺幣）　　　　備　註第一審裁判費　　　　　　 1,000元合　　　　計　　　　　　 1,000元附錄：一、民事訴訟法第436條之24第2項：　　對於小額程序之第一審裁判上訴或抗告，非以其違背法令為　　理由，不得為之。二、民事訴訟法第436條之25：　　上訴狀內應記載上訴理由，表明下列各款事項：　　(一)原判決所違背之法令及其具體內容。　　(二)依訴訟資料可認為原判決有違背法令之具體事實。三、民事訴訟法第436條之32第2項: 　　第438條至第445條、第448條至第450條、第454條、第455條　　、第459條、第462條、第463條、第468條、第469條第1款至　　第5款、第471條至第473條及第475條第1項之規定，於小額　　事件之上訴程序準用之。

2025-03-31

TPEV-113-北小-3682-20250331-1

民專訴

智慧財產及商業法院

排除侵害專利權等

智慧財產及商業法院民事判決 112年度民專訴字第66號原告 ENTEGRIS, INC.（美國安堤格里斯公司）法定代理人 Joseph Colella 訴訟代理人張哲倫律師羅秀培律師複代理人蔡昀廷律師訴訟代理人許文亭專利師林蘭君專利師複代理人古乃任專利師被告兆捷科技國際股份有限公司兼法定代理人高啓全上二人共同訴訟代理人賴安國律師楊啓元律師黃秀禎律師蔡祁芳律師上列當事人間排除侵害專利權等事件，本院於民國114年2月17日言詞辯論終結，判決如下：主文原告之訴及假執行之聲請均駁回。訴訟費用由原告負擔。　　事實及理由壹、程序部分一、按民事事件涉及外國人或外國地者，為涉外民事事件，內國法院應先確定有國際管轄權，始得受理，次依內國法之規定或概念，就爭執之法律關係予以定性後，決定應適用之法律（即準據法），而涉外民事法律適用法並無明文規定國際管轄權，應類推適用民事訴訟法之規定（最高法院98年度台上字第2259號判決意旨參照）。本件原告美商ENTEGRIS, INC. 為依外國法設立之外國法人，具有涉外因素，為涉外民事事件。原告主張被告在我國境內，侵害其所有第I386983號（下稱系爭專利1）、第I466179號（下稱系爭專利2，與系爭專利1合稱系爭專利）「用以增進離子植入系統中之離子源的壽命及性能之方法與設備」專利權，乃依專利法、民法及公司法規定，起訴請求排除防止被告侵害系爭專利及賠償損害，是應定性為專利侵權事件，應類推民事訴訟法第1條前段及第15條第1項因侵權行為涉訟之特別審判籍規定，以行為地之我國法院有國際管轄權。再者，依專利法所保護之智慧財產權益所生之第一、二審民事訴訟事件，智慧財產及商業法院有專屬管轄權，智慧財產及商業法院組織法第3條第1 款、智慧財產案件審理法第9條第1項定有明文。是以本院對本件涉外民事事件具有管轄權，並適用涉外民事法律適用法以定本件涉外民事事件之準據法。二、準據法之選定：　　按關於由侵權行為而生之債，依侵權行為地法；以智慧財產為標的之權利，依該權利應受保護地之法律，涉外民事法律適用法第25條第1項及第42條第1項分別定有明文。依上開規定，本件自應適用我國法為準據法。三、當事人能力：　　按公司法於民國107年8月1日修正、同年11月1日公布施行之第4 條規定：「本法所稱外國公司，謂以營利為目的，依照外國法律組織登記之公司。外國公司，於法令限制內，與中華民國公司有同一之權利能力。」，即廢除外國公司認許制度，尊重依外國法設立之外國公司於其本國取得法人人格之既存事實，而認與我國公司具有相同權利能力。又按有權利能力者，有當事人能力，民事訴訟法第40條第1項定有明文。本件原告為依外國法律設立之外國法人，與我國公司有同一之權利能力，有當事人能力，自得為本件原告。貳、實體部分一、原告主張略以：　㈠原告為系爭專利1、2之專利權人，專利權間至120年2月24日。被告兆捷科技國際股份有限公司（下稱被告公司，與被告高啟全合稱為被告）為公開發行公司，登錄為興櫃股票，主要經營業務為產銷電子化學特殊氣體，其於公開說明書表示，原告與其均通過台灣積體電路製造股份有限公司供應認證，為電子植入氣體可量產之生產廠家等情，可證兩造為競爭同業。　㈡被告公司產銷之離子植入氣體產品「11B Enriched Boron Tr ifluoride (11BF3/H2) - SAG II (同位素濃化之三氟化硼及氫氣之氣體混合物SAGII機械式負壓鋼瓶）」（下稱系爭產品1），經原告發現至少直接侵害系爭專利1之更正後請求項15、18及19，直接或間接侵害系爭專利1之更正後請求項1 、7、9、13、15至18。　㈢被告公司另產銷之「Enriched 72Germanium Tetrafluoride 2 (72GeF4/H2) - SAGII(同位素濃化之四氟化鍺及氫氣之氣體混合物SAGII機械式負壓鋼瓶）」（下稱系爭產品2），經原告發現直接侵害系爭專利1之更正後請求項15至19，間接侵害系爭專利1之請求項1、6、11及13。又原告發現系爭產品2侵害系爭專利2之更正後請求項1、2、4、5、10、12、13 。㈣被告高啟全為被告兆捷公司之負責人，而原告因上開侵害行為受有損害，依專利法第96條第1 項至第3 項、民法第184 條第1項前段、第185條、第179條及公司法第23條第2項規定，請求排除及防止被告等繼續侵害系爭專利，並請被告二人連帶賠償損害。　㈤並聲明：　　⒈被告公司不得直接或間接、自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用、或為上述目的而進口系爭產品1、2 及其他侵害原告系爭專利1、2發明專利權之產品。　　⒉被告兆捷公司應回收並銷毁前項聲明之侵權產品。 ⒊被告等應連帶給付原告新臺幣（下同）2,000萬元整暨自起訴狀繕送達翌日起至清償日止，按年息5%計算之利息。　　⒋第1項及第3項之聲明，原告願以現金或同額之兆豐國際商業銀行安和分行之無記名可轉讓定期存單供擔保，請准宣告假執行。二、被告答辯略以：　㈠系爭專利1 申請時係以「專利審查高速公路」方式，以全部請求項皆與美國對應案第US8237134號完全相同，該對應案業已核准為由申請專利，由經濟部智慧財產局（下稱智慧局）審查後，於101年12月20日核准專利。除專利權人業於申請案中自認全部請求項皆與美國對應案完全相同外，本件原告所主張之系爭專利1 請求項1 、6、7、9、11、13、15至1 9 ，與美國對應案第US8237134號完全相同，而該美國對應案經美國專利商標局（USPTO) 專利複審委員會於西元2018 年(107年)3月29日，就系爭專利1美國對應案US8237134之有效性，作出第IPR2016-01845 號最終書面決定（參乙證4），認定全部請求項皆有一種以上無效證據組合，足以證明其具有應撤銷之原因；並於西元2020年(109年）1月29日公告該美國對應案全部請求項撤銷之公告。原告為乙證4 最終書面決定之當事人，對於乙證4認定系爭專利1請求項1、6、7 、9 、11、13、15至19(本件原告所主張系爭專利1請求項）具有應撤銷原因之事實，自屬明知。原告在本件中所主張之系爭專利2 所有請求項之所有技術特徵，完全涵蓋在系爭專利1 請求項15及請求項11。因此，系爭專利1請求項15及請求項11之應撤銷原因(「Rendon,ATMI VAC,and Gupta」之組合，以及「Rendon,Trace,and Gupta」之組合即為系爭專利 2 請求項1、2、4、5、9、10、12、13、24、26之應撤銷原因。原告明知系爭專利有應撤銷之原因，竟提起本件訴訟，顯非為維護其權利，而係干擾被告公司合法商業活動，具惡意之商業競爭，其起訴不合法，法院應依民事訴訟法第249 條第1項第8款、第2項規定駁回原告之訴訟。　㈡被告提出乙證7及其他證據組合，主張系爭專利1及系爭專利2 皆有應撤銷之原因，對原告不得行使權利，即：　　⒈乙證7足證更正後系爭專利1請求項1不具新穎性或不具進步性；乙證7與自認習知技術之組合，或乙證7與乙證6之組合，或乙證7與乙證8及自認習知技術之組合，或乙證7與乙證9及自認習知技術之組合，或乙證7與乙證8及乙證6 之組合，或乙證7與乙證9 及乙證6 之組合，分別皆足證更正後系爭專利1請求項1不具進步性。　　⒉乙證7足證更正後系爭專利1請求項6、7、9、11、13不具新穎性或不具進步性；乙證7與自認習知技術之組合，或乙證7與乙證6之組合，或乙證7與乙證8及自認習知技術之組合，或乙證7與乙證9及自認習知技術之組合，或乙證7 與乙證8及乙證6之組合，或乙證7與乙證9及乙證6之組合，分別皆足證更正後系爭專利1請求項6、7、9、11、13不具進步性。　　⒊乙證7足證更正後系爭專利1請求項15不具新穎性或不具進步性；乙證7與乙證8之組合，或乙證7與乙證9之組合，分別皆足證更正後系爭專利1請求項15不具進步性。　　⒋乙證7足證更正後系爭專利1請求項16、17、18、19不具新穎性或不具進步性；乙證7與乙證8之組合，或乙證7與乙證9之組合，分別皆足證更正後系爭專利1請求項16、17、 18、19不具進步性。　　⒌乙證7足證更正後系爭專利2請求項1、2、9、10、24、25、 26不具新穎性或不具進步性。　　⒍乙證7與乙證8之組合，或乙證7與乙證9之組合，分別皆足證更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、9、10、12、13、 24、25、26不具進步性。㈢並聲明：　　原告之訴及假執行之聲請均駁回；如受不利判決，請准供擔保免為假執行。三、兩造不爭執事項（見本院卷六第36至37頁）：　㈠原告為系爭專利之專利權人。系爭專利1之專利權期間為102 年2月21日至120年2月24日，原告於104年11月1日因受讓而取得專利權。系爭專利2 之專利權期間為103年12月21日至1 20年2月24日，原告於104年11月1日因受讓而取得專利權。㈡被告製造及販賣系爭產品1，以氣體混合物形式自鋼瓶供給至離子佈植機，供離子植入製程使用。㈢被告為販賣之要約系爭產品2，以氣體混合物形式自鋼瓶供給至離子佈植機，供離子植入製程使用。㈣原告於113年2月2日申請系爭專利第一次更正，智慧局於113 年5月20日准予更正（見甲證24、25，本院卷二第347至350 頁）。㈤原告於113年8月21日申請系爭專利第二次更正，並經智慧局於113年11月8日准予更正（見甲證45、46，本院卷五第567 至570頁）。四、兩造所爭執之處，經協議簡化如下（見本院卷六第36至38頁）：　㈠系爭專利1之第二次更正是否違反專利法第67條第2、4項規定，而有應撤銷之事由？㈡系爭專利2之第二次更正是否違反專利法第67條第2、4項規定，而有應撤銷之事由？㈢系爭專利1是否有應撤銷之事由？ ⒈乙證7是否足以證明系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18 不具新穎性或進步性？ ⒉乙證7及系爭專利1說明書先前技術之組合；或乙證7、6之組合；或乙證7、8及系爭專利1說明書先前技術之組合；或乙證7、9及系爭專利1說明書先前技術之組合；或乙證7 、8及6之組合；或乙證7、9及6之組合；或乙證10、8及13 之組合；或乙證10、9及13之組合；或乙證10、8、11及13 之組合；或乙證10、9、11及13之組合；或乙證10、8及7 之組合；或乙證10、9及7之組合；或乙證14、13、11及8 之組合；或乙證14、13、11及9之組合；或乙證15、13、1 1及8之組合；或乙證15、13、11及9之組合；或乙證16、1 3、11及8之組合；或乙證16、13、11及9 之組合；或乙證 17、13、11及8之組合；或乙證17、13、11及9之組合，是否足以證明系爭專利1更正後請求項1、7、9、13、15至18 不具進步性？ ⒊乙證7、8及13之組合；或乙證7、9及13之組合，是否足以證明系爭專利1 更正後請求項15至18不具進步性？㈣系爭專利2 是否有應撤銷之事由？ ⒈乙證7是否足以證明系爭專利2更正後請求項1、2、10不具新穎性或進步性？ ⒉乙證7及系爭專利2說明書先前技術之組合；或乙證7及6之組合，是否足以證明系爭專利2更正後請求項1、2、10不具進步性？ ⒊乙證7、8及系爭專利2 說明書先前技術之組合；或乙證7、 9及系爭專利2說明書先前技術之組合；或乙證7、8及6之組合；或乙證7、9及6之組合；或乙證10、8及13之組合；或乙證10、9及13之組合；或乙證10、8、11及13之組合；或乙證10、9 、11及13之組合；或乙證10、8、7之組合；或乙證10、9、7之組合；或乙證7、8及13之組合；或乙證 7、9及13之組合；或乙證14、13、11及8之組合；或乙證1 4、13、11及9之組合；或乙證15、13、11及8 之組合；或乙證15、13、11及9之組合；或乙證16、13、11及8之組合；或乙證16、13、11及9之組合；或乙證17、13、11及8之組合；或乙證17、13、11及9之組合，是否足以證明系爭專利2更正後請求項1、2 、4、5、10、12、13不具進步性？㈤專利侵權部分 ⒈系爭產品1是否直接侵害系爭專利1之第二次更正後請求項1 5及18，間接侵害系爭專利1之請求項1及13？ ⒉系爭產品2是否直接侵害系爭專利1之第二次更正後請求項1 5至18，間接侵害請求項1、7、9及13？ ⒊系爭產品2是否侵害系爭專利2之第二次更正後請求項1、2 、4、5、10 12及13？㈥原告依專利法第96條第1 項，請求排除或防止侵害，是否有理由？㈦原告依專利法第96條第3 項，請求回收並銷毁系爭產品，是否有理由？㈧原告依專利法第96條第2項、第97條第1項第2及3款、同條第2 項、民法第184條第1項前段、第185條及第179 條、公司法第23條第2項，請求被告等連帶給付2,000萬元暨自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年息百分之5計算之利息，是否有理由？五、得心證之理由㈠系爭專利技術分析　　⒈系爭專利所欲解決之問題製造半導體時的離子植入步驟，係將摻質氣體（如包含摻質物種之鹵化物或氫化物）由離子源產生並萃取出離子束，再將離子束加速後以使化學物種之高能離子撞擊基板，以將這些物種植入晶圓。離子源失效可歸咎許多原因，包括沉積物積聚在陰極表面，及因電弧室中產生游離氟，引發摻質氣體進行有害蝕刻反應而產生四氟化鍺，導致陰極材料剝離或濺射，使陰極失去物理完整性而縮減離子源性能和壽命（參系爭專利1、2說明書【先前技術】，見本院卷一第68、115頁）。　　⒉系爭專利技術內容　　　為解決前述問題，系爭專利1採取的技術手段係使用「同位素濃化」摻質組成物，其中摻質組成物選自以下所組成之群組：(i)鍺化合物，經同位素濃化成高於原子量70、7 2、73、74或76之至少一鍺同位素的天然含量，其中至少一鍺同位素的同位素濃化量為：就鍺70同位素而言高於21 .2%、就鍺72同位素而言高於27.3%、就鍺73同位素而言高於7.9%、就鍺74同位素而言高於37.1%、及就鍺76同位素而言高於7.4%，且當摻質組成物係由同位素濃化鍺72同位素的四氟化鍺組成時，鍺72同位素的同位素濃化量高於51 .6%；以及(ii)摻質氣體配方，包含摻質氣體和補充氣體，其中補充氣體包括稀釋氣體和共種氣體的至少其一，其中摻質氣體和共種氣體（若有）的至少其一係經同位素濃化（參系爭專利1、2說明書【發明內容】，見本院卷一第 69、116頁）。　　⒊系爭專利1、2圖式，以系爭專利2代表，如附圖1所示。　　⒋系爭專利1申請專利範圍　　　系爭專利1原公告申請專利範圍共20項，其中請求項1、15 為獨立項。原告先後主張二次更正再抗辯，第一次更正內容（見甲證18，本院卷二第105至122頁）經智慧局於113 年5月20日准予更正（見甲證24，本院卷二第347至348頁）。第二次更正內容（見甲證31，本院卷五第31至40頁）經智慧局於同年11月8日准予更正（見甲證45，本院卷五第567至568頁）。原告主張第二次更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18受侵害（見原告民事準備五狀，本院卷五第7至23頁），其內容如下： ⑴請求項1：一種離子植入製程，包含以下步驟：提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應容器；使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中，其中該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋氣體包含氫；條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%。 ⑵請求項7：如申請專利範圍第1項之製程，其中該摻質組　　　　成物包含一或多個鍺化合物，該鍺化合物經　　　　同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或7 　　　　 6之至少一個鍺同位素之天然含量。 ⑶請求項9：如申請專利範圍第7項之製程，其中該摻質組　　　　成物包含經同位素濃化的四氟化鍺。 ⑷請求項13：如申請專利範圍第1項之製程，其中該摻質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼、和四氟化　　　　矽所組成之群組。 ⑸請求項15：一種摻質組成物，其由一摻質氣體及一稀釋　　　　氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋氣體包含氫；條件為，當該摻質組成物的經同位素濃化的該摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%，其中該摻質組成物係儲存於一單一氣體供應容器中。　　　⑹請求項16：如申請專利範圍第15項之組成物，包含一或　　　　多個鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化成　　　　高於原子量70、72、73、74或76之至少一個　　　　鍺同位素之天然含量。 ⑺請求項17：如申請專利範圍第16項之組成物，包含經同　　　　位素濃化之四氟化鍺。 ⑻請求項18：如申請專利範圍第15項之組成物，其中該摻　　　　質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼與四氟化　　　　矽所組成之群組。 ⒌系爭專利2申請專利範圍系爭專利2原公告申請專利範圍共29項，其中請求項1、28 、29為獨立項。原告先後主張二次更正再抗辯，第一次更正（見甲證19，本院卷二第123至141頁）經智慧局於113 年5月20日准予更正（見甲證25，本院卷二第349至350頁）。第二次更正（見甲證32，本院卷五第43至49頁）經智慧局於同年11月8日准予更正（見甲證46，本院卷五第569 至570頁）。原告主張第二次更正後系爭專利1請求項1、2 、4、5、10、12及13受侵害（見原告民事準備五狀，本院卷五第23至28頁），其內容如下：　　　⑴請求項1：一種摻質氣體組成物，其由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物，該稀釋氣體包含氫，且其中　　　　該摻質氣體經同位素濃化(isotopically enr 　　　　 iched)至超過至少一種鍺同位素的天然含量( 　　　　 natural abundance level)，其中該摻質氣　　　　體組成物係儲存於一單一氣體供應容器中。 ⑵請求項2：如請求項1所述之組成物，其中該摻質氣體是　　　　選自由多種鍺化合物所構成的群組，該等鍺　　　　化合物經同位素濃化成高於原子量70、72、7 　　　　 3、74或76之至少一種鍺同位素的天然含量。 ⑶請求項4：如請求項2所述之組成物，其中該摻質氣體包　　　　含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至　　　　其鍺72同位素含量為高於27.3%。 ⑷請求項5：如請求項2所述之組成物，其中該摻質氣體包　　　　含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至　　　　其鍺72同位素含量為高於51.6%。 ⑸請求項10：如請求項1所述之組成物，其中該摻質組成　　　　物包含四氟化鍺。 ⑹請求項12：如請求項10所述之組成物，其中在該四氟化　　　　鍺中的鍺具有高於27.3%的鍺72同位素的同　　　　位素濃化量。 ⑺請求項13：如請求項10所述之組成物，其中在該四氟化　　　　鍺中的鍺具有高於51.6%的鍺72同位素的同　　　　位素濃化量。㈡系爭產品技術分析系爭產品1、2係被告所產銷之離子植入氣體產品（儲存有離子植入氣體之SAG II機械式負壓鋼瓶）：　　⒈系爭產品1：同位素濃化之三氟化硼及氫氣之氣體混合物　　（11B Enriched BoronTrifluoride (11BF3)/Hydrogen 　　 Gas Mixture）SAG II機械式負壓鋼瓶。　 ⒉系爭產品1主要圖示如附圖2所示。　　⒊系爭產品2：同位素濃化之四氟化鍺及氫氣之氣體混合物（ Enriched 72Germanium Tetrafluoride (72GeF4) /Hydro gen Gas Mixture）SAG II機械式負壓鋼瓶。　　⒋系爭產品2主要圖示如附圖3所示。　㈢系爭專利申請專利範圍應以第二次核准更正內容為據　　⒈被告抗辯：原告就系爭專利向智慧局申請兩次更正，其更正內容違反專利法第67條第2項超出申請專利所揭露範圍及同條第4項實質擴大申請專利範圍規定，違反上開規定係專利法第71條第1項第1款提起舉發事項規定，其第二次更正不合法，依智慧財產案件審理法第41條第1項規定請法院自為判斷該更正申請之合法性等語。　　⒉按發明專利權有違反第67條第2至4項申請更正規定者，任何人得向專利專責機關提起舉發，專利法第71條第1項第1 款定有明文。次按當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷之原因者，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不適用民事訴訟法停止訴訟規定，智慧財產案件審理法第41 條第1項設有規定。立法理由略以：有關智慧財產之民事訴訟中，被告主張智慧財產權不存在，而提起行政爭訟時，或有第三人對智慧財產權之有效性提出評定、舉發及行政爭訟時，民事訴訟如依首揭規定停止審判，其權利之有效性與權利之侵害事實無法於同一訴訟程序一次解決；當事人每以此拖延民事訴訟程序，致智慧財產權人無法獲得即時的保障；是審理智慧財產民事訟訟之民事法院，於訴訟中就專利權有無應撤銷或廢止原因之爭點為實質判斷，並排除各訴訟法關於停止訴訟規定等語。依此，本條係針對專利權有效性爭點由民事法院自為判斷，而專利權人申請更正，目的是為修正專利權範圍之瑕疵或錯誤，避免專利權無效，以之調整專利權保護範圍，其申請更正範圍須明確，使公眾知悉其界限，應由專利專責機關專責行使審查權限，是以專利權更正申請合法與否應非本條所定專利權有效性爭點判斷事項。　　⒊再按第41條第1項規定主張或抗辯專利權有應撤銷之原因，專利權人已向專利專責機關申請更正專利權範圍者，應向法院陳明依更正後之專利權範圍為請求或主張；第1項情形，法院得就更正專利權範圍之合法性自為判斷，並於裁判前表明其法律上見解及適度開示心證，智慧財產案件審理法第41條第1項、第43條第1項及第4項分別設有規定。上開第43條規定之立法理由略以：法院於民事訴訟程序就專利權之權利有效性，有判斷權限。伴隨著專利權有效性判斷，必須認定之更正合法性爭點；且基於舉重以明輕之法理，及迅速解決紛爭之精神，參酌日本實務見解，應肯定法院具有更正合法性之判斷權限；關於更正專利權範圍之合法性，既採行司法審理與行政審查之雙軌制架構，法院於專利專責機關作成更正案之審定前，於無礙訴訟之終結者，法院亦得暫不自為判斷專利權人依更正主張之合法性。依此，專利權人為更正再抗辯之主張，如專利專責機關作成更正案審定，法院亦得不自為判斷專利權人更正主張之合法性，而以該機關更正審定之申請專利範圍為據。因之，如依上開第43條之專利權人之更正再抗辯，法院得等待專利專責機關之更正審定結果，則就上述同法第41條專利權有效性判斷，法院亦得依專利專責機關已作成之更正審定處分為據，毋庸自為判斷。　　⒋復按行政處分未經撤銷、廢止，或未因其他事由而失效者，其效力繼續存在。無效之行政處分自始不生效力，行政程序法第110條第3項定有明文；有效之先前行政處分成為後行政處分之構成要件事實之一部分時，則該先前之行政處分因其存續力而產生構成要件效力（最高行政法院108 年度判字第445號判決意旨參照）。又按「前後二程序互有關聯，先前程序所作成之行政處分（尤其是授益處分）未被撤銷前，於事實及法律狀態不變下，對同一處分機關於後續程序作成後續處分具有拘束力，避免兩相矛盾之行政處分同時出現，暨防範原處分機關藉新作處分之便，以達規避撤銷與廢止授益處分之要件規定目的，而為更不利於相對人的決定，此即「行政處分之跨程序拘束力」（最高行政法院108年度判字第376號判決參照）。準此，行政處分具有構成要件效力，其「規制內容」（即行政處分之主旨或主文部分）對處分機關以外其他國家機關有拘束力。本件原告兩次申請系爭專利之更正，其第二次更正已獲得智慧局作成專利更正核准審定書（見甲證45、46），該准予更正審定書為行政處分，具構成要件效力，拘束本院，本件以第二次更正處分作為系爭專利申請專利範圍判斷。　㈣乙證7等證據組合不足以證明系爭專利1更正後請求項不具新穎性或進步性：　　⒈乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、　　　15至18不具新穎性或不具進步性　　　⑴乙證7為我國第I290731號「用於氣體儲存及輸送的離子性液體基礎混合物」發明專利，其公告日為96年12月1 日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103 年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。　　　⑵乙證7技術內容　　　　①乙證7揭露一種用於儲存和輸送氣體的混合物和方法。一方面，提供了一種混合物，其包含：含有陰離子和陽離子的離子性液體；分佈於離子性液體中並可與離子性液體發生可逆化學反應的至少部分氣體；以及任選的未反應氣體。另一方面，提供了一種從含有離子性液體和一種或多種氣體的混合物中輸送氣體的方法，其包括：使至少部分氣體與離子性液體反應以提供含有化學反應氣體和離子性液體的混合物，並從混合物中分離出化學反應氣體，其中經分離步驟後的化學反應氣體與反應步驟之前的化學反應氣體具有基本相同的化學成分（參乙證7摘要，本院卷一第618頁）。　　　　②乙證7圖2係各種混合物的三氟化硼(BF3)容量圖，如附圖4所示。　　 ⒉乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13 　　　　、15至18不具新穎性： ⑴更正後系爭專利1請求項1之技術特徵如下: 1A:一種離子植入製程，包含以下步驟：　　 1B:提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應容器; 1C:使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中， 1D:該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成　，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物且經同　位素濃化，該稀釋氣體包含氫； 1E:條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同　　　　　　位素濃化量高於51.6%。 ⑵經查乙證7說明書第5頁（見本院卷一第579頁）記載「 …半導體生產工業例如要使用許多危險的專用氣體，如磷化氫(PH3)、砷化氫(AsH3)和三氟化硼(BF3)，用以進行摻雜…」，對應揭露（第二次更正，下同）系爭專利1請求項1之1A「一種離子植入製程…」；乙證7 說明書第28頁（見本院卷一第602頁）記載「…用於儲存和分配來自混合物的一種或多種化學反應氣體、任選的未反應氣體，或者上述兩者的體系包括『儲存和分配容器』…」，對應揭露系爭專利1請求項1之1B:「提供儲存有一摻質組成物之單一氣體供應容器」技術特徵；另乙證7請求項21（見本院卷一第622頁）記載用於儲存和輸送氣體的混合物，其包含有可與離子性液體發生可逆的化學反應以提供化學反應氣體，以及未反應氣體，而該化學反應氣體具有路易士酸性並選自「…三氟化硼、…、四氟化鍺、…、同位素富集的同型物及其混合物」，前述乙證7之化學反應氣體、未反應氣體即分別對應於系爭專利1請求項1之1D中的: 摻質氣體、稀釋氣體，且乙證7揭露之三氟化硼、四氟化鍺等均為包含摻質物種（硼或鍺）之鹵化物（氟化物），並可經同位素濃化（即同位素富集之同型物）；又乙證7請求項24記載「該未反應氣體包含惰性氣體，其選自…、氫、…及其混合物」（見本院卷一第 622頁），對應於系爭專利1請求項1之1D「該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋氣體包含氫」技術特徵。　　　　⑶惟乙證7並未明確揭露系爭專利1請求項1之1C「使一摻質組成物流入一離子源」、「從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種」及「將該等離子摻質物種植入一基板中」技術特徵；又乙證7雖揭露四氟化鍺及其同位素富集之同型物作為化學反應氣體，但並未揭露系爭專利1請求項1之「當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵。再者，更正後系爭專利1請求項1，係界定單一氣體供應容器中之摻質組成物係由摻質氣體及稀釋氣體所組成，表示摻質組成物並未包含前述兩種氣體以外之物質，而乙證7所揭露儲存於容器中之混合物，則包含離子性液體、與該離子性液體發生化學反應之氣體，以及未反應氣體（參乙證7請求項21、24，本院卷一第622 頁）。是以乙證7揭露之技術內容與更正後系爭專利1 請求項1間存有前述差異，故乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具新穎性。更正後系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，包含請求項1之全部技術特徵，乙證7既不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具新穎性，則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13不具新穎性。 ⑷更正後系爭專利1請求項15之標的名稱係「摻質組成物」，其全部技術特徵見於請求項1記載之內容。則如同前述乙證7與更正後系爭專利1請求項1之比對，乙證7之化學反應氣體、未反應氣體分別對應於更正後系爭專利1請求項15之摻質氣體、稀釋氣體，即乙證7 揭露更正後系爭專利1請求項15之「一種摻質組成物，其由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物且經同位素濃化，該稀釋氣體包含氫」技術特徵。另乙證7已揭露摻質氣體為「非」四氟化鍺者，如三氟化硼，即無需考量更正後系爭專利1請求項15以四氟化鍺之摻質氣體為前提條件之「條件為，當該摻質組成物的經同位素濃化的該摻質氣體或該共種氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵。 ⑸由更正後系爭專利1請求項1、15界定摻質氣體係「包含摻質物種之鹵化物」，以及稀釋氣體係「包含氫」等技術特徵；乙證7則揭露化學反應氣體（對應系爭專利1之摻質氣體）係「選自乙硼烷、三氟化硼、三氟化硼、三氟化磷、四氟化磷、四氟化矽、鍺烷、四氟化鍺、氰化氫、同位素富集的同型物及其混合物」（乙證7請求項21），未反應氣體（對應系爭專利1之稀釋氣體）係「選自氮、氦、氖、氫、氬、氪、氙、氡及其混合物」（乙證7請求項24，本院卷一第622頁），亦即更正後系爭專利1請求項1、15所界定之發明，相較於乙證7之技術內容，係由乙證7揭露的二個群組個別選出多個或一個成分所組成的選擇發明，並非乙證7已特定揭露者（參見專利審查基準第2篇第3章第2.5.4節「選擇發明」[1]），故乙證7尚不足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具新穎性。更正後系爭專利1請求項16至18係請求項15直接或間接之附屬項，包含請求項15之全部技術特徵，乙證7既不足以證明更正後系爭專利1請求項15不具新穎性，則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項16至18不具新穎性。 ⑹被告辯稱：所屬技術領域中具通常知識者，可直接且無歧異得知乙證7所揭混合物所使用之離子植入製程，參原告起訴狀第10頁於系爭產品1與系爭專利1請求項1之侵權比對自承「使用者在使用此離子植入氣體時，必然實施此等步驟」即明；既屬「必然」，豈有不能「直接且無歧異得知」，因此，應認乙證7亦已隱含要件1C技術特徵(見民事答辯七狀第10頁第10至1 5行，本院卷五第336頁)；另系爭專利1請求項1要件1 E為條件式，僅在「應同位素濃化的摻質氣體由以鍺7 2同位素進行同位素濃化的四氟化鍺為組成時」條件成就時方有適用。乙證7已揭露更正後系爭專利1請求項1E條件未滿足之情況，亦即乙證7揭示有關以「四氟化鍺」為摻質氣體下所需符合條件以外的全部技術特徵，足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具新穎性(見民事答辯七狀第14頁第11至17行，本院卷五第340頁)云云。 ⑺惟查原告於系爭產品1與系爭專利1請求項1之侵權比對自承「使用者在使用此離子植入氣體時，必然實施此等步驟(即1C技術特徵)」(參原告起訴狀第10頁，本院卷一第22頁及民事準備五狀，本院卷五第15至16頁 )，並提出甲證14及甲證15佐證該製程步驟為業界已知之技術，由甲證14第1頁圖1(本院卷一第291頁)及甲證15說明書第[004]段(見本院卷一第299至300頁) 確實可證明更正後系爭專利1請求項1之步驟1C為離子植入製程所必然使用之已知步驟技術，故由乙證7所揭示之內容，即便所屬技術領域中具有通常知識者，可知使用離子植入氣體進行離子植入時必然會使用1C 之步驟，該技術特徵為乙證7實質隱含揭露者，但乙證7與更正後系爭專利1請求項1存在如前述理由所述之差異，故乙證7尚難證明更正後系爭專利請求項1不具新穎性。 ⒊乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13 、15至18不具進步性： ⑴如前述更正後與更正後系爭專利1請求項1之比對，乙證7未明確揭露更正後系爭專利1請求項1之1C「使一摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；將該等離子摻質物種植入一基板中」技術特徵，退而言之，即便該步驟為離子植入所必然之步驟而為乙證7實質隱含揭露者，惟乙證7請求項21揭露「化學反應氣體」可選自三氟化硼、四氟化鍺等多種氣體中，並可經同位素濃化（即同位素富集之同型物），且乙證7請求項24揭露「未反應氣體」可選自包含氫氣之多種惰性氣體中；然通常知識者並無動機由前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體，共同組成為氣體組成物，相較於乙證7，系爭專利1可達成增進離子源壽命與性能之功效（參系爭專利1說明書第8、9頁，本院卷一第72 至73頁），此由乙證7之技術內容尚無法預期，是以乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性。 ⑵更正後系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，均包含請求項1之全部技術特徵，是既乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性，則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項7 、9、13不具進步性。 ⑶更正後系爭專利1請求項15與乙證7技術內容之比對，詳如前述，乙證7請求項21、24之化學反應氣體、未反應氣體固然可對應於更正後系爭專利1請求項15之摻質氣體、稀釋氣體，但通常知識者並無動機由乙證 7前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物，相較於乙證7，系爭專利1可達成增進離子源壽命與性能之功效（參系爭專利1說明書第8、9頁，本院卷一第72至73頁），由乙證7之技術內容尚無法預期，是以乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性。 ⑷更正後系爭專利1請求項16至18係請求項15之直接或間接附屬項，均包含請求項15之全部技術特徵，是既乙證7不足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，則乙證7亦不足以證明更正後系爭專利1請求項16至 18不具進步性。 ⒋乙證7及系爭專利1說明書先前技術之組合，或乙證7及6之組合，不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、 15至18不具進步性　　 ⑴乙證6為我國第I267910號「離子植入的方法及其裝置」發明專利，其公告日為95年12月1日，早於系爭專利1之 102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。　　　⑵乙證6技術內容乙證6揭露習知離子植入裝置(100)之結構大致上包括用以產生離子束(102)的離子源(104)，用以分離主要摻質的質量分析器(106)，用來加速離子束(102)的加速器(1 08)，以及用以讓離子束(102)可以掃描晶圓(112)的掃描裝置(110)等（參乙證6【先前技術】，本院卷一第55 6至558頁）。 ⑶乙證6圖1係習知離子植入裝置的剖面示意圖，如附圖5所示。　　　⑷乙證7技術內容與更正後系爭專利1請求項1間之比對，詳如前述。查系爭專利1說明書【先前技術】記載「用於半導體製造的離子植入涉及藉由使化學物種之高能離子撞擊基板，以將這些物種沉積進入基板(例如微電子裝置晶圓)。為產生離子植入物種，摻質氣體(如包含摻質物種之鹵化物或氫化物)遭離子化。離子化係使用離子源來產生離子束而施行」（見本院卷一第68頁）。另查乙證6說明書【先前技術】記載「離子植入法則是藉由將摻質先解離成離子，經過加速與選擇後，將特定的離子直接打入主材質(host material)中來達到摻雜的目的」（見本院卷一第556頁）。前述系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】所載，均揭露更正後系爭專利1請求項1之1C「使一摻質組成物流入一離子源」、「從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；將該等離子摻質物種植入一基板中」技術特徵。 ⑸惟不論系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】，均未提及如何選擇特定的摻質氣體組成物；是以縱使將系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】，各與乙證7內容予以組合，所屬技術領域中具有通常知識者仍無動機由乙證7揭露的兩個氣體群組中，選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物，相較上開先前技術證據，系爭專利1藉此具有達成增進離子源壽命與性能之功效（參系爭專利1 說明書第8、9頁，本院卷一第72至73頁）。是以乙證7 及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6 之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性。 ⑹更正後系爭專利1請求項15之摻質組成物，其全部技術特徵見於請求項1。則如前述乙證7與更正後系爭專利1請求項1之比對，乙證7之化學反應氣體、未反應氣體固然可對應於更正後系爭專利1請求項15之摻質氣體、稀釋氣體，但通常知識者並無動機由乙證7前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物；且不論系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】，均未提及如何選擇特定的摻質氣體組成物，亦未提及可藉此達成增進離子源壽命與性能之功效。是以縱將系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6說明書【先前技術】，各與乙證7內容予以組合，所屬技術領域中具有通常知識者仍無動機由乙證7揭露的兩個氣體群組中，選擇系爭專利1請求項1所界定之特定摻質組成物，遑論達成相同功效，故乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性。 ⑺系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，請求項16至18則為請求項15之直接或間接附屬項。既乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項1 、15不具進步性。則乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，自不足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。　　⒌乙證7、8及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證 7、9及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7、 8及6之組合，或乙證7、9及6之組合，不足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性 ⑴乙證8為ATMI公司「DS-336b VAC GeF4 Isotopically En riched」產品說明書，被告敘明乙證8係存檔於「網站時光回溯器Wayback Machine」(見民事答辯二狀第8頁第3至4行，本院卷一第502頁)，可認乙證8已於2006年2 月26日公開，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。　　　　①乙證8技術內容　乙證8揭露分子(GeF4)之主要應用是預非晶化離子植入 (PAI)，以實現超淺接面硼植入。72Ge的濃化同位素(50%)可顯著增強束電流和靈活性(2X)。植入72Ge 以代天然的74Ge，有助於隔離砷、氟化鐵和其他污染物之潛在污染；亦已證實可顯著延長離子源之壽命。（參乙證8-1，本院卷一第633至634頁）。　　　　②乙證8之產品外觀及其內含氣體純度分析，如附圖6所示。 ⑵乙證9為Trace Sciences公司「GermaniumIsotopes」（鍺同位素）網頁，被告敘明乙證9於2008年8月28日公開於網路上（民事答辯二狀第8頁第19至20行，本院卷一第50 2頁），經確認乙證9存檔於「網站時光回溯器Wayback M achine」之日期為2008年8月28日，早於系爭專利1、2之申請日。　　　　①乙證9技術內容乙證9記載天然GeF4用於半導體預非晶化植入製程。使用GeF4型態的鍺72可改善製程，同時減少污染。（參乙證9-1，本院卷一第637頁）。 ②乙證9之濃化穩定Ge同位素表，如附圖7所示。　　　⑶乙證7、系爭專利1說明書【先前技術】及乙證6，與更正後系爭專利1請求項1、15之比對，俱如前述。由前述各證據內容，所屬技術領域中具有通常知識者並無動機由乙證7揭露的兩個氣體群組中選擇特定「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物。再者，乙證7之混合物包含有離子性液體，不同於更正後系爭專利1請求項1、15界定摻質組成物係由摻質氣體及稀釋氣體所組成，且儲存於單一氣體供應容器之技術特徵。　　　⑷經查乙證8第一頁左上部揭露一種用於離子植入之摻質氣體運送容器，且該容器所含之摻質組成物，包含「同位素濃化的四氟化鍺(GeF4)」為摻質氣體，且乙證8第1頁左上部第4段教示「鍺72的濃化同位素(50%)可顯著增強束電流/靈活性(2X)。植入鍺72以代天然的鍺74，有助於隔離砷、氟化鐵和其他污染物之潛在污染。亦已證實可顯著延長離子源之壽命」；乙證8另就「純度分析」欄位，記載同位素濃化量為「Ge-72 50-52%」（本院卷一第631、632頁，中譯內容參乙證8-1即本院卷一第6 33、634頁）。是以乙證8已對應揭露更正後系爭專利1 請求項1之1D中之「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」及1E之「條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」等技術特徵。 ⑸另查乙證9揭示「天然GeF4用於半導體預晶化植入製程。使用GeF4型態的Ge-72可改善製程，同時減少污染」以及鍺72同位素濃化量為82-98%等（參本院卷一第635頁，中譯內容參乙證9-1即本院卷一第637頁），亦揭露更正後系爭專利1請求項1之1D中的「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」及1E之「條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵。 ⑹乙證8或乙證9雖均揭示更正後系爭專利1請求項1之1D中的「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」，且乙證8揭露將該等氣體儲存於單一儲存容器(VAC)中，惟乙證8或乙證9並未揭露更正後系爭專利1請求項1、15有關同位素濃化之摻質氣體與含氫氣之稀釋氣體混合為摻質組成物，且一併儲存於單一容器中之技術特徵。而前述乙證7、系爭專利1說明書【先前技術】或乙證6之技術內容，亦無任何教示或建議由乙證7揭露的兩個氣體群組中選擇特定「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物。是以即便將乙證8或乙證9，與乙證7、系爭專利1說明書【先前技術】及乙證6予以組合，仍無法輕易完成更正後系爭專利1請求項1、15之發明。故乙證7、8及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7、9及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7、8及6之組合，或乙證7、9及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性。　 ⑺更正後系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，包含請求項1之全部技術特徵。請求項16至1 8係請求項15之直接或間接附屬項，包含請求項15之全部技術特徵。因前述各證據組合均不足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性，自亦不足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。㈤其餘證據組合可證明更正後系爭專利1請求項具應撤銷事由　　　⒈乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性 ⑴乙證10為我國第200849309號「具氣體混合之離子源的效能改良與生命期延長的技術」專利公開案，其公告日為 97年12月16日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 ①乙證10技術內容乙證10揭露具氣體混合之離子源的效能改良與生命期延長的技術。在一特定例示性實施例中，所述技術可實現為離子植入機中之離子源的效能改良與生命期延長的方法。所述方法可包含將預定量之摻雜氣體導入離子源腔室內。所述摻雜氣體可包含摻雜物質。所述方法亦可包含將預定量之稀釋氣體導入離子源腔室內。所述稀釋氣體可稀釋摻雜氣體以改良離子源之效能並延長離子源之生命期。所述稀釋氣體可進一步包含與摻雜物質相同的協同物質（參乙證10摘要，本院卷二第63頁）。　　　　②乙證10之圖1習知離子植入機系統及圖3A離子源組態示意圖，如附圖8所示。　 ⑵乙證13為我國第201005806號「在半導體處理系統中離子源之清洗」專利公開案，其公告日為99年2月1日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21 日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 ①乙證13技術內容乙證13揭露一種改進離子植入系統性能並且延長其壽命之方法，該方法包括將該陰極與由至少一種清洗氣以及至少一種沉積氣的組成的一氣體混合物進行接觸，其中所述氣體混合物平衡了材料在該陰極上的沉積和該材料或其他材料從該陰極上的剝離。氣體混合物的清洗氣去除了沉積在該陰極上的摻雜劑以及陰極的材料，而氣體混合物的沉積氣直接或間接地引起摻雜劑沉積在該陰極上。此氣體混合物保持了在該陰極上摻雜材料的累積以及它或其他材料的剝離之間的一平衡，並且因此延長了離子源的壽命。該氣體混合物在離子源植入機中的存儲和分配可以利用SDS、VAC等系統（參乙證13說明書第37頁末段至第38頁第1段，本院卷五第445至446頁）。　　　　②乙證13圖1顯示引入原位清洗處理後對離子源壽命延長，如附圖9所示。　 ⑶查乙證10說明書第6頁第2段（見本院卷二第66頁）記載「離子植入為藉由用賦能離子直接轟擊基材而使化學物質沈積至基材內的方法…」，第11頁末段至第12頁第1段（見本院卷二第71、72頁）記載「本發明揭露具氣體混合之離子源的效能改良與生命期延長的技術…所述方法可包含將預定量之摻雜氣體釋放至離子源腔室內。所述摻雜氣體可包含摻雜物質。所述方法亦可包含將預定量之稀釋氣體釋放至離子源腔室內。所述稀釋氣體可稀釋摻雜氣體以改良離子源之效能並延長離子源之生命期」，前述乙證10之技術內容業已揭露更正後系爭專利1請求項1之1A、1C及部分1D「一種離子植入製程，包含以下步驟(1A)：…使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中(1C)，其中該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成(部分1D)」技術特徵，且乙證10之摻雜氣體、稀釋氣體即分別對應於系爭專利1之摻質氣體、稀釋氣體；又乙證10說明書第15頁表一（見本院卷二第75頁）揭露多種鹵化形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4（或見第14頁末段記載「在一實施例中，摻雜氣體可以含鹵素氣體之形式自摻雜氣體源260 中釋放」，本院卷二第74頁)，對應揭露更正後系爭專利1請求項1之「該摻質氣體包含摻質之鹵化物」技術特徵；乙證10說明書第16頁第2段（見本院卷二第76頁）記載「稀釋氣體可包括氫氣(H2)或含氫氣體」，對應揭露更正後系爭專利1請求項1之1D中之「該稀釋氣體包含氫」技術特徵，再者，乙證10說明書第17頁第7至10行（見本院卷二第77頁）記載「藉由將預定量之一或多種氣體，諸如含氫稀釋氣體(或惰性氣體) ，以及預定量之摻雜氣體釋放至電弧室206內，可減少金屬成長速率或鎢堆積速率」，上開段落已揭示鹵化形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4加入氫氣可改良離子源之效能並延長離子源之生命期，其中氫氣的作用可以減少金屬成長速率或鎢堆積速度。綜上，乙證10前揭技術內容與更正後系爭專利1請求項1之差異在於，乙證10未揭露更正後系爭專利1請求項1之1B之「提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應容器」及1D中之摻質氣體「經同位素濃化」技術特徵。 ⑷另查乙證13說明書第4頁第6至14行(見本院卷五第412頁) 記載「離子植入被用於積體電路的製造以便精確地向半導體晶圓中引入受控制量的摻雜雜質並且是微電子/半導體生產中之重要方法。在此類植入系統中，一離子源使一所希望的摻雜元素氣體電離成離子並且該等離子以具有所希望能量的一離子束的形式從源中引出。引出係籍由施用一高的電壓跨過合適成型的引出電極而實現，該等電極將多個孔合併成了引出束的通道。離子束然後在工作件的表面，例如一半導體晶圓上進行定向，以便向該工作件植入摻雜元素」，乙證13說明書第37頁末段至第38頁第1段見（見本院卷五第445至446頁）記載「… 本發明涉及改進具有一陰極的一離子植入系統的性能並且延長其壽命之方法，該方法包括將該陰極與由至少一種清洗氣以及至少一種沉積氣的組成的一氣體混合物進行接觸…延長了離子源的壽命。該氣體混合物在離子源植入機中的存儲和分配可以籍由使用以下各項來完成：一吸附-解吸設備(被稱為SDS-安全遞送源)，它描述於美國專利號5,518,528中，並且其內容籍由引用結合在此；一流體存儲和分配系統(被稱為VAC真空致動氣瓶) ，該系統包括用於保持一流體在所希望的一壓力下的一容器，描述於美國專利號6,101,816中並且其內容籍由引用結合在此；或一SDS與VAC的混合流體存儲和分配系統(被稱為VAC-Sorb)，它描述於美國專利號6,089,027 中並且其內容籍由引用結合在此。該等流體存儲和分配系統提供了氣體在低於大氣壓下的遞送，並且由此比高壓流體存儲和分配系統更安全並且更有效。此外，該氣體混合物中的一些氣體可以一起在SDS、VAC或VAC-Sorb 系統中存儲和分配…」。由前述乙證13之技術內容即對應揭露更正後系爭專利1請求項1之「一種離子植入製程，包含以下步驟：提供儲存有一摻質組成物之一單一氣體供應容器；使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中，其中該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成」技術特徵。進而言之，乙證13之沉積氣、清洗氣，即分別對應系爭專利1請求項1 之摻質氣體、稀釋氣體。且乙證13揭露沉積氣與清洗氣之氣體混合物可存儲於SDS或VAC單一容器中，另乙證13 說明書第39頁第2至4行（見本院卷五第447頁）揭露氣體混合物（清洗氣與沉積氣）為「H2/GeF4」、「H2/BF 3」，對應揭露更正後系爭專利1請求項1之「該摻質氣體包含摻質之鹵化物…，該稀釋氣體包含氫」技術特徵，亦即乙證13揭示更正後系爭專利1請求項1之1A至1C及部分1D。綜上，乙證13與更正後系爭專利1請求項1之差異僅在於乙證13並未揭露1D中之摻質氣體「經同位素濃化」技術特徵。（註：因乙證13揭露之摻雜氣體並非以鍺72同位素進行濃化的四氟化鍺所組成，故無需考慮更正後系爭專利1請求項1之「條件為，當摻質氣體由以鍺 72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72 同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵）。　　 ⑸如前述，乙證8或乙證9均已揭露更正後系爭專利1請求項 1之1D中之「摻質氣體包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」及1E「條件為，當摻質氣體由以鍺72同位素進行同位素濃化的四氟化鍺所組成時，該鍺72同位素的該同位素濃化量高於51.6%」技術特徵。換言之，不論乙證8或乙證9，均揭露乙證13與更正後系爭專利1請求項1間之差異技術特徵。 ⑹因乙證8、9、13之技術內容均關於半導體離子植入系統或其使用之摻雜氣體，屬於相同技術領域；又乙證8、9 、13之目的或所欲解決之問題，均為改善離子源效能或延長其生命期（參乙證8第1頁、乙證9第1頁、乙證13說明書第37頁，本院卷一第631、635頁、本院卷五第445 頁）；且乙證8或乙證9教示採用經同位素濃化之四氟化鍺作為摻質氣體，可延長離子源壽命或改善製程等，亦與乙證13所欲解決的問題相同；則所屬技術領域中具有通常知識者基於乙證13揭示摻質氣體包含四氟化鍺與稀釋氣體包含氫氣等技術內容，為進一步延長離子源壽命，當有合理動機依乙證8或乙證9之建議或教示，採用經同位素濃化之四氟化鍺為摻質氣體，進而輕易完成更正後系爭專利1請求項1之發明，即乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證明更正後系爭專利1請求項1 不具進步性，故乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及 13之組合自足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性。 ⑺更正後系爭專利1請求項7依附於請求項1，並界定「該摻質組成物包含一或多個鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或76之至少一個鍺同位素之天然含量」附屬技術特徵。更正後系爭專利1請求項9依附於請求項7，並界定「該摻質組成物包含經同位素濃化的四氟化鍺」附屬技術特徵；更正後系爭專利 1請求項13依附於請求項1，並界定「該摻質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼、和四氟化矽所組成之群組」附屬技術特徵。如前所述，乙證8或乙證9揭示經同位素濃化的四氟化鍺，且以鍺72同位素濃化至50%高於天然含量，即揭露前述請求項7、9、13之附屬技術特徵。又乙證 10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性，俱如前述，故乙證 10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13不具進步性。 ⑻更正後系爭專利1請求項15之全部技術特徵見於請求項1 ，是既乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證明更正後系爭專利1請求項1不具進步性，俱如前述，自亦足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，則乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合亦足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性。 ⑼更正後系爭專利1請求項16依附於請求項15，並界定「包含一或多個鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或76之至少一個鍺同位素之天然含量」附屬技術特徵。更正後系爭專利1請求項17依附於請求項16，並界定「包含經同位素濃化的四氟化鍺」附屬技術特徵。更正後系爭專利1請求項18依附於請求項15，並界定「該摻質氣體選自由四氟化鍺、三氟化硼、和四氟化矽所組成之群組」之附屬技術特徵。如前所述，乙證8或乙證9揭示經同位素濃化的四氟化鍺為摻質氣體，且以鍺72同位素濃化至高於天然含量，即已揭露前述請求項16至18之附屬技術特徵。又乙證10、8及13 之組合，或乙證10、9及13之組合足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，俱如前述，則前述證據組合自當足以證明更正後系爭專利1請求項16至18不具進步性。 ⒉乙證10、8、11及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18 不具進步性 ⑴乙證11為「使用濃化同位素SDS 72GeF4來減少砷對鍺的交叉污染」論文，其公開日為95年2月26日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。乙證11揭露隨著接面深度減低，預非晶化（PA）植入在 CMOS 加工製程中愈來愈普遍。鍺作為矽的等電子體已展現出在矽中進行預非晶化植入的能力。液態GeF4的氣態蒸氣是鍺離子束的常見來源，通常會選用原子量74的同位素進行植入，因為其具有較高的天然濃度。然而，可能出現與類似質量的摻雜劑（例如砷）交叉污染的問題。使用同位素濃化量50%以上的Ge72可改善可用的束電流，同時減少潛在的交叉污染。透過Eaton GSD200E高電流植入機評估同位素濃化的Ge72安全輸送系統(SDS)源之下，已實證此高電流植入機中的質量解離度。乙證11以SIMS（二次離子質譜分析儀(Secondary Ion Mass Spectrometer )）比對使用天然濃度之GeF4與使用SDS濃化GeF4作為植入源的表面及能量交叉污染程度，並介紹了以物種間潔淨法（between species purge）減少高能砷污染物之有效性（參乙證11摘要，本院卷二第93頁）。　 ⑵乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性，詳如前述，故乙證10、8、11及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合，自當足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性。 ⑶更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18係請求項1、1 5之直接或間接附屬項，前述各請求項之附屬技術特徵均為乙證8或乙證9所揭露，已如前述，故乙證10、8、1 1及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。　　⒊乙證10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性　　　⑴乙證10與更正後系爭專利1請求項1、15之比對，詳如前述。乙證10業已揭露更正後系爭專利1請求項1之「一種離子植入製程，包含以下步驟：…使該摻質組成物流入一離子源；從該離子源的該摻質組成物產生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板中，其中該摻質組成物由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質之鹵化物…該稀釋氣體包含氫；…」技術特徵，以及更正後系爭專利1請求項15「一種摻質組成物，其由一摻質氣體及一稀釋氣體所組成，其中該摻質氣體包含摻質物種之鹵化物…，該稀釋氣體包含氫… 」技術特徵。惟乙證10並未揭露更正後系爭專利1請求項1、15有關「摻質組成物儲存於單一氣體供應容器」，以及「摻質氣體『經同位素濃化』」之技術特徵。 ⑵乙證7與更正後系爭專利1請求項1、15之比對，亦如前述，乙證7雖揭露「化學反應氣體」可選自三氟化硼、四氟化鍺等多種氣體中，並可經同位素濃化（即同位素富集之同型物），並另揭露「未反應氣體」可選自包含氫氣之多種惰性氣體中；然通常知識者並無動機由前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體，共同組成為氣體組成物。 ⑶乙證8或乙證9雖均揭露摻質氣體為經同位素濃化之四氟化鍺，且乙證8揭露將其儲存於單一儲存容器(VAC)中。惟乙證8或乙證9仍未揭露更正後系爭專利1請求項1、15 有關同位素濃化之摻質氣體與含氫氣之稀釋氣體混合為摻質組成物，且一併儲存於單一容器中之技術特徵。 ⑷綜上，乙證10及乙證8（或乙證9）之技術內容均為離子植入製程所使用之氣體，屬相同技術領域；二者之目的均在提高離子源效能，就所欲解決之問題具有共通性；並均藉由摻雜氣體提供離子植入所需之摻質，就功能與作用，亦具共通性；乙證10揭示鹵化形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4加入氫氣可改良離子源之效能並延長離子源之生命期，其中氫氣的作用可以減少金屬成長速率或鎢堆積速度，乙證8（或乙證9）教示經同位素濃化之四氟化鍺，可減少污染或增加離子源壽命，則所屬技術領域中具有通常知識者基於乙證10揭露之摻雜氣體及稀釋氣體，為改良離子源之效能並延長離子源之生命期，自有動機選擇經同位濃化之四氟化鍺作為摻雜氣體，並與氫氣等稀釋氣體相互混合為摻質組成物。乙證10及乙證8（或乙證9）雖未揭露將經同位素濃化之四氟化鍺與氫氣所組成之氣體混合物儲存於單一容器中；然乙證10 已教示將稀釋氣體與摻雜氣體相混合，具有改善離子源效能及生命期之功效，且乙證10實施例業揭露混合氣體不僅可在電弧室中混合，亦可在進入電弧室前混合（對於改善離子源效能及生命期並未產生實質效果），則所屬技術領域中具有通常知識者當能輕易思及將摻雜氣體與稀釋氣體先行混合並封裝於單一容器中，亦即其僅為乙證10將摻雜氣體與稀釋氣體個別封裝於不同容器之簡單變更。另查系爭專利1圖1及說明書第28頁最後一段至第29頁（見本院卷一第92至93頁）記載之內容可知，離子植入處理系統中關於氣體提供至離子植入前，摻雜氣體（裝置於容器304）與稀釋氣體（裝置於容器362，見本院卷一第93頁第10行）分別裝置於不同之容器（氣瓶），之後經管線（366，370）將氣體輸送至混合室360 ，以將氣體混合物通往植入機的離子源，系爭專利1說明書第31頁第2至8行（見本院卷一第95頁）記載「摻雜氣體可含一或多種補充氣體（即稀釋氣體及/或共種氣體）的混合，…例如，在第1圖系統中，容器302可構成含有摻植氣體與補充氣體混合物的單一氣體供應容器（無補充容器362、634）」。由上開系爭專利1說明書內容可證，反應氣體不論以單一容器提供混合氣體，或以兩個容器分別提供摻雜氣體與稀釋氣體再予混合，均能達成改良離子源效能或生命期之功效，另查系爭專利1 說明書通篇亦未記載以「單一」氣體供應容器，對於發明所欲改善離子源效能及生命期之功效具有何無法預期之功效，是對所屬技術領域中具通常知識者而言，更正後系爭專利1請求項1、15之發明，係將乙證10與乙證8 （或乙證9）組合後予以簡單變更所能輕易完成者，故乙證10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性。 ⑸更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18，係請求項1 、15之直接或間接附屬項，且其附屬技術特徵已為乙證 8或乙證9所揭露，詳如前述；故乙證10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18不具進步性。 ⒋乙證14、13、11及8之組合，或乙證14、13、11及9之組合，或乙證15、13、11及8之組合，或乙證15、13、11及9之組合，或乙證16、13、11及8之組合，或乙證16、13、11 及9之組合，或乙證17、13、11及8之組合，或乙證17、13 、11及9之組合，均足以證明更正後系爭專利1請求項1、7 、9、13、15至18不具進步性 ⑴乙證14為我國第200836229號「具氣體稀釋之離子源的改善效能與延長生命期的技術」專利公開案，其公告日為 97年9月1日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。　　　　①乙證14技術內容乙證14揭露一種具氣體稀釋之離子源改善效能並延長生命期之技術。在一特定例示性實施例中，該技術可被實現為一種具氣體稀釋之離子植入機中之離子源改善效能並延長生命期的方法，該方法包含：將預定量之摻雜氣體釋放至離子源腔室中，及將預定量之稀釋氣體釋放至離子源腔室中。稀釋氣體可包含用於稀釋摻雜氣體以改善離子源之效能並延長其生命期的含氙氣體與含氫氣體之混合物（參乙證14摘要，本院卷五第475頁）。 ②乙證14圖3A為離子源組態示意圖，如附圖10所示。　　 ⑵乙證15為美國第7592212號「用於確定植入半導體基板中雜質劑量的方法」專利公開案，其公告日為2009(98)年 9月1日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之 103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 ①乙證15技術內容乙證15揭露一種用於確定電漿摻雜過程中雜質總劑量的方法及其裝置，其係直接測量植入半導體基板中的總離子劑量，例如使用法拉第杯，並以離子質譜直接測量電漿摻雜過程所產生電漿中雜質離子種與非雜質離子種的比例，以及每種雜質離子種與電漿中總雜質離子種的比例，最後以總離子劑量和比例來確定雜質總劑量（參乙證15摘要，本院卷五第599頁）。　　　　②乙證15圖1為確定植入半導體基板雜質總劑量之方法示意圖，如附圖11所示。　　 ⑶乙證16為美國第7534628號「半導體裝置的形成方法及光電裝置的形成方法」專利公開案，其公告日為2009(98) 年5月19日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利 2之103年12月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。 ①乙證16技術內容乙證16揭露一種形成半導體裝置的方法，該半導體裝置包括一個含有由電漿增強化學氣相沉積法（CVD）形成的晶體之矽基沉積半導體層，該方法包括以下步驟：在形成該半導體層時，於高頻電極與基板之間施加偏壓，且使高頻電極為負極；檢測在高頻電極或基板上產生的火花；並根據檢測結果控制至少一個條件，該條件從高頻功率、偏壓電壓、偏壓電流、壓力、氣體流量和電極間距離所構成的組合中選擇，以使持續時間100毫秒或以上的火花數量保持在每分鐘不超過1次（參乙證16摘要，本院卷五第521頁）。 ②乙證16圖11為形成半導體裝置之流程步驟示意圖，如附圖12所示。　 ⑷乙證17為我國第58963號「使用微波能量製造不定形半導體合金及裝置之方法」專利案，其公告日為73年6月1日，早於系爭專利1之102年2月21日及系爭專利2之103年1 2月21日之公告日，為系爭專利1、2之先前技術。乙證17技術內容：乙證17揭露一種用以將不定形半導體合金膜澱積於基底上之方法，包括：供給微波能源；使該微波能配合入裝有該基底之實質上封閉之反應器內；及將包括至少一種含半導體化合物之氣體導入該反應器內以於該器中形成輝光放電漿質及使得自該等反應氣體之不定形半導體膜澱積於該基底上者（參乙證17請求項 1，本院卷五第553頁）。　 ⑸乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合即足以證明更正後系爭專利1請求項1、15不具進步性，詳如前述，故乙證14、13、11及8之組合，或乙證14、13、11及9之組合，或乙證15、13、11及8之組合，或乙證15、13、11及9 之組合，或乙證16、13、11及8之組合，或乙證16、13 、11及9之組合，或乙證17、13、11及8之組合，或乙證 17、13、11及9之組合，自當足以證明更正後系爭專利1 請求項1、15不具進步性。 ⑹更正後系爭專利1請求項7、9、13、16至18之附屬技術特徵均為乙證8或乙證9所揭露，已如前述，故前述各證據組合亦足以證明更正後系爭專利1請求項7、9、13、16 至18不具進步性。 ⒌乙證7、8及13之組合，或乙證7、9及13之組合，均足以證明更正後系爭專利1請求項15至18不具進步性　　　⑴乙證7之技術內容雖可對應於系爭專利1請求項15之技術特徵。但所屬技術領域中具有通常知識者單憑乙證7尚無動機由反應氣體及未反應氣體二個群組中，選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物，以達成系爭專利1增進離子源壽命與性能之功效，俱如前述。　　　⑵惟乙證8及13之組合，或乙證9及13之組合，業已揭露更正後系爭專利1請求項15之全部技術特徵，足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，以及請求項16至1 8之附屬技術特徵為乙證8或乙證9所揭露，均詳如前述。是以乙證7、8及13之組合，或乙證7、9及13之組合足以證明更正後系爭專利1請求項15至18不具進步性。　㈥乙證7等證組合不足以證明系爭專利2更正後請求項　　⒈乙證7不足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、10不具新穎性或不具進步性 ⑴更正後系爭專利2請求項1之全部技術特徵，實質上已見於更正後系爭專利1請求項15之內容；且更正後系爭專利2請求項2、10之附屬技術特徵，同更正後系爭專利1 請求項16、17。被告乃主張乙證7既足以證明更正後系爭專利1請求項15至17不具新穎性及不具進步性，此即足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、10不具新穎性及不具進步性云云（見被告民事答辯七狀第71至74頁，本院卷五第397至404頁）。 ⑵惟如前述，乙證7並不足以證明更正後系爭專利1請求項1 5至17不具新穎性或不具進步性，被告之主張即非可採。詳言之，乙證7雖揭露「化學反應氣體」可選自三氟化硼、四氟化鍺等多種氣體之群組，並可經同位素濃化（即同位素富集之同型物），並揭露「未反應氣體」可選自包含氫氣等多種惰性氣體之群組；然更正後系爭專利2請求項1所界定之發明，係由乙證7揭露的二個群組個別選出多個或一個成分所組成的選擇發明，並非乙證 7已特定揭露者，故乙證7不足以證明更正後系爭專利2 請求項1不具新穎性。再者，通常知識者由乙證7所揭露之技術內容，並無動機由前述兩個群組中選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體，以共同組成為摻質氣體組成物，相較於乙證7，系爭專利2具有可達成增進離子源壽命與性能之功效（參系爭專利2說明書第【0026】段，本院卷一第119頁），由乙證7之技術內容尚無法預期，故乙證7不足以證明更正後系爭專利2請求項1不具進步性。又更正後系爭專利2請求項2、10係依附於請求項1，包含請求項1之全部技術特徵，則乙證7既不足以證明更正後系爭專利2請求項1不具新穎性及進步性，自不足以證明更正後系爭專利2請求項2、10不具新穎性及進步性。 ⒉乙證7及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7及 6之組合，不足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、10不具進步性 ⑴更正後系爭專利2請求項1之全部技術特徵，實質上已見於更正後系爭專利1請求項15之內容，故乙證7技術內容與更正後系爭專利2請求項1間之比對，略同於前述乙證 7與更正後系爭專利1請求項15間之比對，不另贅述。 ⑵被告並未具體指出系爭專利2說明書【先前技術】或乙證 6記載之技術內容，何處對應於更正後系爭專利2請求項 1、2、10之技術特徵。被告係以更正後系爭專利2請求項1、2、10之內容，實質上同於更正後系爭專利1請求項15至17，乃援引其主張更正後系爭專利1請求項15至1 7不具進步性之證據組合，而包含有系爭專利2說明書【先前技術】（註：相同於系爭專利1說明書【先前技術】）及乙證6。惟參照被告抗辯更正後系爭專利1無效之理由（見被告民事答辯七狀第19、20頁，本院卷五第34 5至346頁），可知系爭專利2說明書【先前技術】與乙證6，係被告用來主張對應更正後系爭專利1請求項1有關離子植入之相關步驟。然更正後系爭專利2請求項1並無記載任何離子植入步驟，顯見系爭專利2說明書【先前技術】或乙證6並未揭露系爭專利2請求項1之技術特徵。 ⑶既系爭專利2說明書【先前技術】或乙證6，均未提及如何選擇特定的摻質氣體組成物，是以縱使將系爭專利2 說明書【先前技術】或乙證6，各與乙證7內容予以組合，所屬技術領域中具有通常知識者仍無動機由乙證7揭露的兩個氣體群組中，選擇特定的「包含摻質之鹵化物且經同位素濃化」的摻質氣體，以及「包含氫」之稀釋氣體作為摻質組成物，且系爭專利2藉此達成增進離子源壽命與性能之功效，由乙證7、系爭專利2說明書【先前技術】、乙證6均無法預期。故乙證7及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利2請求項1不具進步性。 ⑷系爭專利1請求項7、9、13係請求項1之直接或間接附屬項，請求項16至18則為請求項15之直接或間接附屬項。既乙證7及系爭專利1說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，均不足以證明系爭專利1請求項1、15不具進步性，則乙證7及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7及6之組合，自不足以證明更正後系爭專利2請求項7、9、13、16至18不具進步性。 ⒊乙證7、8及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7、9及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7 　　　、8及6之組合，或乙證7、9及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12、13不具進步性 ⑴被告抗辯：更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12 、13之實質內容，同於更正後系爭專利1請求項15至17 ，是既前述各證據組合足以證明更正後系爭專利1請求項15至17不具進步性，即足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12、13不具進步性云云。 ⑵惟如前述，乙證7、8及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7、9及系爭專利2說明書【先前技術】之組合，或乙證7、8及6之組合，或乙證7、9及6之組合，均不足以證明更正後系爭專利1請求項15至17不具進步性，故被告之主張並非可採。㈦其餘證據組合可證明更正後系爭專利2請求項具應撤銷事由　　　乙證10、8及13之組合，或乙證10、9及13之組合，或乙證10 、8、11及13之組合，或乙證10、9、11及13之組合，或乙證 10、8及7之組合，或乙證10、9及7之組合，或乙證7、8及13 之組合，或乙證7、9及13之組合，或乙證14、13、11及8之組合，或乙證14、13、11及9之組合，或乙證15、13、11及8 之組合，或乙證15、13、11及9之組合，或乙證16、13、11 及8之組合，或乙證16、13、11及9之組合，或乙證17、13、 11及8之組合，或乙證17、13、11及9之組合，均足以證明更正後系爭專利2請求項1、2、4、5、10、12、13不具進步性 ⒈更正後系爭專利2請求項1之全部技術特徵，實質上已見於更正後系爭專利1請求項15。是既前述各證據組合足以證明更正後系爭專利1請求項15不具進步性，自亦足以證明更正後系爭專利2請求項1不具進步性。 ⒉更正後系爭專利2請求項2係依附於請求項1，並界定「該摻質氣體是選自由多種鍺化合物所構成的群組，該等鍺化合物經同位素濃化成高於原子量70、72、73、74或76之至少一種鍺同位素的天然含量」之附屬技術特徵。系爭專利2 請求項4、5均依附於請求項2，並分別界定「該摻質氣體包含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至其鍺72同位素含量為高於27.3%」、「該摻質氣體包含一鍺化合物，該鍺化合物經同位素濃化至其鍺72同位素含量為高於51.6 %」之附屬技術特徵。如前所述，乙證8揭示經同位素濃化的四氟化鍺，且以鍺72同位素濃化至50-52%高於天然含量；另乙證9記載經同位素濃化的四氟化鍺，以及鍺70、72 、73、74或76之同位素濃化量分別為84-99%、82-98%、72 -99%、94-98%、85-99%等內容，是以乙證8或乙證9之技術內容，均已揭露前述更正後系爭專利2請求項2、4、5之附屬技術特徵。又前述各證據組合足以證明更正後系爭專利 2請求項1不具進步性，俱如前述，是以前述各證據組合亦足以證明更正後系爭專利2請求項2、4、5不具進步性。 ⒊更正後系爭專利2請求項10係依附於請求項1，並界定「該摻質組成物包含四氟化鍺」之附屬技術特徵。更正後系爭專利2請求項12、13均依附於請求項10，並分別界定「該四氟化鍺中的鍺具有高於27.3%的鍺72同位素的同位素濃化量」、「該四氟化鍺中的鍺具有高於51.6%的鍺72同位素的同位素濃化量」之附屬技術特徵。如前所述，乙證8 揭示經同位素濃化的四氟化鍺，且以鍺72同位素濃化至50 -52%高於天然含量；另乙證9揭示經同位素濃化的四氟化鍺，以及鍺72之同位素濃化量為82-98%；是以乙證8或乙證9之技術內容，均已揭露前述請求項10、12、13之附屬技術特徵。又前述各證據組合足以證明更正後系爭專利2 請求項1不具進步性，俱如前述，故前述各證據組合亦足以證明更正後系爭專利2請求項10、12、13不具進步性。　㈧對原告陳述意見之回應　 ⒈原告於言詞辯論時主張：更正後之系爭專利摻質組成物之重要特徵，特徵1：摻質組成物係儲存於一單一氣體供應容器中；特徵2：氣體供應容器所儲存之摻質組成物僅含「摻質氣體」及「稀釋氣體」，而不含其他成分；特徵3: 稀釋氣體經同位素濃化(見114年2月17日庭期簡報第9頁，本院卷六第225頁)，並陳述：　　　⑴系爭專利之功效(1)系爭專利之摻質組成物可增進離子源壽命和性能具有功效(依據系爭專利2說明書之[0022]、 [0026]、[0029]之段落)，並提出相關研究甲證38、39 之論文佐證eBF3與H2、eGeF4與H2可增進離子源壽命且可維持甚至增進「離子束電流」之離子源性能⑵系爭專利之摻質組成物可儲放於單一供應容器且具安全性(見簡報第10至13頁，本院卷六第225至227頁)，並於民事準備六狀第41頁（見本院卷五第91頁）第7至10行主張「系爭專利1/2出乎意外地發現：相較於不含稀釋氣體者，將同位素濃化的摻質氣體與稀釋氣體(氫)組合，所得離子源壽命和性能較佳（系爭專利1第9頁第4至7行，本院卷一第73頁），且該氣體組合不會實質影響離子束電流，甚至額外地增進離子束電流(甲證38及甲證39參照」（見本院卷五第173至185頁）。　　　⑵乙證10揭示使用摻雜氣體源會使電弧室外殼202材料沉積於陰極208而呈現對離子源102效能及生命期造成不利影響，使用「稀釋氣體」（含氫氣體）延長離子源之生命期，亦即採用GeF4（摻雜氣體）+AsH3（稀釋氣體）或G eH4（摻雜氣體）+H2（稀釋氣體）可延長離子源之生命期，但可能衍生「離子束電流減小」之問題，必須選擇特定的「稀釋氣體」(共種氣體)，以避免此問題，且乙證10使用時的「預先混合」不等於安全穩定的儲存，乙證7、8、9、11及13未教示或建議: eBF3/H2、eGeF4/H2 可安全、穩定地儲存於單一容器，故以乙證10為主要證據之相關證據組合，不足以證明系爭專利欠缺進步性（見簡報第17至20頁，本院卷六第229至230頁)。　　　⑶原告另稱：被告稱乙證13可證明「三氟化硼（或四氟化鍺）與氫氣儲存在單一容器」乃習知技術，進而將乙證 13引用於本件前案證據組合中，此係被告自行拼湊乙證 13技術內容所得之錯誤認知（見本院卷六第12頁）。　　　⑷系爭專利具肯定進步性因素（見114年2月17日庭期簡報第44至56頁）：①系爭專利1/2之摻雜組合物顯著提升離子源壽命且不會實質影響片電阻及離子束電流、甚至反而可增加離子束電流（離子源性能之一）（見簡報第45 頁）；②系爭專利1/2將三氟化硼( BF3)或四氟化鍺(GeF 4）與氫氣儲存在單一容器」克服習知將BF3、GeF4及H2 屬於危害物質應隔離分開儲存之技術偏見（見原告簡報第46至48頁，本院卷六第243至244頁)；③系爭專利1/2 產品在短短數年內取得40%以上銷售比例，展現出強勁成長趨勢，故獲得商業成功云云(見簡報第51頁，本院卷六第246頁)。　　⒉惟由系爭專利2（甲證7）與系爭專利1（甲證6）之內容與系爭專利2大致相同，故以系爭專利2為例說明。其說明書第[0002]段記載「本發明係關於使用摻質和摻質氣體混合物進行離子植入，以增進離子植入系統中的離子源壽命及性能」，說明書第[0006]段記載「離子源失效可歸咎許多原因，包括沉積物積聚在陰極表面，其對離子的熱離子發射有負面影響，以致減低電弧電流、降低性能及縮短離子源壽命，及因電弧室中產生游離氟，引發摻質氣體進行有害蝕刻反應而產生四氟化鍺，並因陰極材料剝離或濺射，造成陰極失去物理完整性而縮減離子源性能和壽命」；說明書第[0026]段記載「相較於未使用同位素濃化摻質及/ 或補充材料的離子植入系統和製程，本發明使用同位素濃化摻質及/或補充材料的離子植入系統和製程可增進離子源壽命與性能」；另系爭專利2說明書第[0067]~[0073]段記載內容，可知採用具同位素之鍺、硼摻質之摻質氣體時，其中鍺包含同位素(70、72、73、74、76），因74Ge於離子植入過程中會與砷殘餘物產生及電弧室之不鏽鋼產生交叉汙染，若不採用鍺為摻質且氣體輸送管與電弧室介面採用石墨、鎢或其他材料的植入系統沒有交叉汙染問題，則可採用含74Ge之摻質氣體，故在同一植入機亦用於植入砷的情況下，使用天然含量之鍺摻質氣體，為解決施行砷摻雜之離子植入系統植入鍺時的砷汙染問題，採用天然含量較少的鍺72同位素係有利的，然如四氟化鍺中鍺72同位素的天然含量為24.3%，鍺74同位素則為37.1%（見系爭專利2說明書第14至15頁及表I，本院卷一第127至128頁）。是以使用天然含量之鍺勢必降低可用射束電流，可能減少產量及增加植入成本。系爭專利使用同位素濃化鍺72同位素之四氟化鍺或者鍺烷能有效提高可用射束電流，進而增加離子植入系統產量。使用同位素濃化之摻質組成物，例如同位素濃化70Ge之四氟化鍺或鍺烷，也可達成類似提高射束電流、產量和整體性能的好處，相較於未依天然含量濃度同位素調整之摻質及/或共種氣體的對應系統，有益的同位素濃度係相對其在摻質及/或共種氣體中之天然含量增加成能增進離子植入系統中離子源性能與壽命的程度。上開內容揭示系爭專利提出以經同位素濃化之摻質鹵化物作為摻質氣體可提高射束電流、增加增進離子植入系統中離子源性能與壽命的技術及其原理。　　⒊再系爭專利2說明書第[0029]段記載「稀釋氣體為不含摻質物種且與摻質氣體有效混合的氣體，相較於處理不含稀釋氣體之摻質氣體的相對應離子源壽命和性能，處理具摻質氣體之含稀釋氣體混合物的離子源壽命和性能較佳。稀釋氣體實例包括氫氣、氬氣、氟氣和氙氣。」，另查第[001 12]段記載「本發明係關於使用氨氣做為共流氣體和四氟化鍺，以增進離子植入系統的源壽命，其中四氟化鍺做為摻質氣體，且四氟化鍺可選擇性同位素濃化至少一Ge同位素。當使用氨氣做為補充氣體並與四氟化鍺混合來植入鍺時，氨氣(NH3)的氮與氫分子將有效清除四氟化鍺中的氟。清除氟的結果，將使GeF4/NH3混合物至少部分抑制鹵素在離子源內循環，鹵素循環會因鎢鬚晶生長在弧形槽縫及 /或鎢沉積在陰極及/或對陰極上而造成源壽命不佳」，由上開說明書內容可知，系爭專利係提出以氨氣作為補充氣體，因氨氣(NH3)的氮與氫分子將有效清除四氟化鍺中的氟，抑制鹵素在離子源內循環，抑制鎢鬚晶生長在弧形槽縫及/或鎢沉積在陰極及/或對陰極上而造成離子源壽命不佳，由系爭專利之發明說明雖揭示摻雜氣體含稀釋氣體混合物較不含稀釋氣體之摻質氣體的離子源壽命和性能佳，並舉出稀釋氣體實例包括氫氣、氬氣、氟氣和氙氣。但於第[00112]段記載之具體實施態樣僅係以四氟化鍺做為摻質氣體，以氨氣作為補充氣體，並說明氨氣在解決離子源壽命不佳問題上之作用，系爭專利說明書雖揭示加入稀釋氣體可解決離子源壽命不佳問題，惟說明書通篇並未揭示明確以e-GeF4/H2或e-BF3/H2混合氣體的具體實施態樣，亦未於說明書中提出相關實驗數據以資佐證該二氣體混合物可增進「離子束電流」之離子源性能。經查原證38為原告公司於2018年發表之期刊論文、原證39係於2014年發表之期刊論文，其中一位作者Joseph Sweeney為系爭專利之第二發明人。經查上開二論文係於系爭專利1公告日（201 3年2月21日）之後相當時日始發表，距離系爭專利1、2申請日（優先權日）2010年更長達4、8年之久，原告以此欲證明系爭專利於申請當時以e-GeF4/H2或e-BF3/H2之氣體組合中之氫氣具有增進「離子束電流」之功效，究屬系爭專利申請當時即已知悉（發現）？抑或為系爭專利申請之後甚至公告之後，始由申請人（或發明人）經由實驗試驗始得知者，自非無疑。 ⒋乙證10說明書第11頁末段至第12頁第1段（見本院卷二第71 、72頁）記載「本發明揭露具氣體混合之離子源的效能改良與生命期延長的技術…所述方法可包含將預定量之摻雜氣體釋放至離子源腔室內。所述摻雜氣體可包含摻雜物質。所述方法亦可包含將預定量之稀釋氣體釋放至離子源腔室內。所述稀釋氣體可稀釋摻雜氣體以改良離子源之效能並延長離子源之生命期」；又乙證10說明書第15頁表一（見本院卷二第75頁）揭露多種鹵化物形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4；乙證10說明書第16頁第2段（本院卷二第76 頁）記載「稀釋氣體可包括氫氣(H2)或含氫氣體」，另乙證10說明書第17頁第7至10行（見本院卷二第77頁）記載「藉由將預定量之一或多種氣體，諸如含氫稀釋氣體（或惰性氣體），以及預定量之摻雜氣體釋放至電弧室206內，可減少金屬成長速率或鎢堆積速率」，上開段落已揭示鹵化形式之摻雜物質，例如BF3、GeF4加入氫氣可改良離子源之效能並延長離子源之生命期，其中氫氣的作用可以減少金屬成長速率或鎢堆積速度，此與前述系爭專利2說明書第[00112]段記載氨氣(含氫分子)對於改良離子源之效能並延長離子源之生命期所扮演的功能及作用相同。亦即乙證10已揭示離子植入製程採用鹵化形式之摻雜物質氣體中加入氫氣可以減少鎢堆積速度。另查乙證10說明書第 18頁第2段（見本院卷二第78頁）進一步揭示當AsH3（協同氣體）與GeF4（摻雜氣體）混合時，自由氫與自由氟分子組合雖可延長離子源生命期，然而，所需摻雜物質（Ge ）因電漿中之協同物質(As)缺乏摻雜劑(Ge)而減小，乙證 10第18頁第3段進一步揭示在離子植入期間使用摻雜氣體- 稀釋氣體之互補性組合，以防止Ge離子束電流減少…如GeH 4(稀釋氣體)+GeF4(摻雜氣體)之混合氣體，不僅自由氫與自由氟組合以改良離子源之生命期，而且來自摻雜氣體與稀釋氣體(補充反應之Ge來源)之Ge物質存在可防止任何離子束電流損失，相較系爭專利係採用經同位素濃化之鹵化物(e-GeF4)以增加有益摻質(72Ge同位素)濃度(來源)以維持或增加離子束電流。再乙證10說明書第19頁第14至16行（見本院卷二第79頁）記載「氫氣(H2)可做為額外稀釋氣體與任何摻雜劑-稀釋劑混合物一起(此時Gｅ摻質充足)釋放以便延長離子束電流」。相較於乙證10所揭示以「GeH4 (稀釋氣體)+GeF4(摻雜氣體)之混合氣體」(其中GeH4係為補充並維持Ge摻雜劑量)而系爭專利係以(e-GeF4)或(e-BF 3)之同位素濃化(增加有益的摻雜劑之濃度)來防止任何離子束電流損失(乙證8或乙證9揭示該技術特徵即可達成之功效)前提下，氫氣的作用均可減少鎢堆積進而維持離子束電流，故乙證10已揭示加入氫氣混合後具有延長離子束電流達成功效及原理。乙證8(或乙證9)及乙證10已分別揭示系爭專利1請求項1於離子植入製程中以經同位素濃化之摻質之鹵化物，或摻質之鹵化物加入氫氣作為摻質組成物可防止(Ge)離子束電流損失，以增進離子源壽命和性能之技術手段。至於摻質組成物之摻質氣體及稀釋氣體兩者係分開儲存不同容器或是一起混合儲存在單一容器，對於系爭專利所欲解決增進離子源壽命和性能之問題及功效並未產生實質的影響。 ⒌至於原告主張乙證10使用時的「預先混合」不等於安全、穩定的儲存，系爭專利係在「混合後儲存」於容器中且「涉及長期（例如1至3年或更久）之安全性/穩定性」(114 年2月17日簡報第20頁，本院卷六第230頁)，惟該功效於系爭專利申請時之說明書並未記載，亦未提出將該兩特定氣體混合之實施態樣，故該功效尚難作為系爭專利具進步性之論斷依據（退而言之，該技術亦見於乙證13），故系爭專利請求項中之摻質組成物僅為乙證10及乙證8（或乙證9）之結合，非原告所稱係於系爭專利申請時之意外發現。 ⒍另查甲證38係顯示以單獨使用11BF3、與使用11BF3/H2混合物可增進離子源壽命至兩倍以上（見甲證38第241頁左欄第16至20行與右欄第20至22行、圖5，本院卷五第175頁），再甲證39顯示使用eGeF4可以得到增進離子束電流，增進離子源壽命，使用eGeF4+H2可獲得額外的離子束電流增進（見甲證39第5頁右欄結論第1至5行，本院卷五第183頁），原告主張以該二證據為證明加入氫氣(H2)對於系爭專利具有顯著之功效，惟是否達成該功效應與兩者氣體混合物之特定比例有關，此部分於系爭專利說明書中均未揭示，且上開二文獻並未針對eGeF4/H2（或11BF3/H2）與習知以未經濃化之GeF4/H2（或BF3/H2）做比對。由於乙證8（或乙證9）及乙證10分別揭示e GeF4及H2具有增進離子源壽命之功能及作用，故原告欲以甲證38或甲證39證明系爭專利具有無法預期之功效，實屬牽強，故原告主張並非可採。　 ⒎另查系爭專利2說明書第[00108]段記載之內容可知，系爭專利之摻質氣體與補充氣體係分開儲存在不同容器(304,3 62,364)，透過管線(312,366,368)輸送至植入室後混合，另於說明書第[00109]至[00110]段可將摻雜氣體與補充氣體裝於單一供應容器(co-package共裝混合物)中，並將該混合氣體傳送至植入室，該方式可用於提供鍺烷(GeH4)混合含氫氣、鈍氣或其他稀釋氣體之混合物中，相較於高壓之100%鍺烷，此係較安全的包裝方式，第[00114]段記載「或者可提供含氨氣與四氟化鍺混合物且呈任何適當相對比例之單一供應容器」，系爭專利說明書對於摻質氣體及稀釋氣體混合於單一供應容器的發明，並未揭露eGeF4+H2 及eBF3+H2之實施態樣，更未提出兩者係以該適當比例混合始達成安全、穩定包裝之效果？故將上開二氣體混合於單一容器之方式可達「長期(例如1至3年或更久)之安全性穩定性」究屬系爭專利申請當時即已知悉(發現)？抑或申請人(發明人)於系爭專利申請之後始經由實驗試驗始得知者，自非無疑。 ⒏另查乙證13第37至38頁（見本院卷五第445至446頁）揭示一種氣體混合物，其包含清洗氣及沉積氣，該氣體混合物保持了在離子植入系統之陰極上摻雜材料的累積以及它或其他材料的剝離之間的平衡，並且因此延長離子源的壽命（見乙證13第37頁第14至20行，本院卷五第445頁）。該氣體混合物在離子源植入機中的存儲分配可以藉由一吸附 -解吸設備(被稱為SDS-安全遞送源)；一流體存儲和分配系統(被稱為VAC真空致動氣瓶)；或一SDS與VAC的混合流體存儲和分配系統(被稱為VAC-Sorb)。該等流體存儲和分配系統提供了氣體在低於大氣壓(負壓)下的遞送，並且由此比高壓流體存儲和分配系統更安全並且更有效。乙證13 第38頁第8至10行並載明:「該氣體混合物中的一些氣體可以一起在SDS、VAC或VAC-Sorb系統中存儲和分配，該等氣體在高壓流體存儲和分配系統中的共存係不相容的（參乙證13第37頁第20行至38頁第10行，本院卷五第446頁），該段原申請時之外文說明書為「Moreover, some of the gases of the gas mixture, which are not compatible to co-exist under high pressure fluid storage andd ispensing system, can be stored and dispensed toge ther under the SDS, VAC or VAC-Sorb systems.」（見本院卷六第309至311頁)；又乙證13除了揭示「在以上方法的另一實施方式中，氣體混合物的多種氣體順序地流動以便接觸該陰極」（見乙證13第38頁第13至14行，本院卷五第446頁）外，乙證13說明書第38頁第11至12行亦揭示「在以上方法的一實施方式中，氣體混合物的多種氣體同時地流動以便接觸該陰極」，該段內容意謂氣體混合物係一起在SDS、VAC或VAC-Sorb系統中儲存和分配始可同時地流動。再者，乙證13亦揭示氣體混合物之實例(但不限於) :…H2/GeF4…H2/BF3（見乙證13第39頁第2至6行，本院卷五第447頁），由上開內容，所屬技術領域中具通常知識者應可理解，乙證13揭示氣體混合物(見乙證13第39頁第2至 6行所例示，本院卷五第447頁)可藉由VAC、SDS或VAC-Sor b系統於低於大氣壓下(負壓)的遞送，這樣的傳送方式比以高壓流體存儲和分配系統更安全並且更有效，而且在這些氣體混合物中，一些原本以高壓流體存儲和分配系統中不相容共存的混合氣體，可以SDS、VAC或VAC-Sorb系統( 以低於大氣壓下 (負壓))一起被存儲和分配，故乙證13並未僅限定可一起儲存和分配的氣體係指「在高壓流體存儲和分配系統中的共存不相容」的某些氣體，且未排除原本以高壓流體或低壓流體(負壓)儲存和分配系統中的共存相容的混合氣體（此由乙證13之請求項44及45項所記載之內容並未限定氣體混合物為某些特定氣體可證)。故所屬技術領域中具通常知識者在閱讀乙證13後可得知，乙證13該例示之氣體混合物可透過VAC、SDS或VAC-Sorb等系統以低於大氣壓(負壓)下的遞送將該混合氣體一起儲存、運送之技術教示，故乙證13確實已揭示更正後系爭專利將「四氟化鍺及氫氣」或「三氟化硼及氫氣」混合而安全、穩定地儲放於單一容器中之技術特徵，未有原告所稱「被告自行拼湊乙證13技術內容所得之錯誤認知」，亦無所謂系爭專利克服了習知「四氟化鍺」或「三氟化硼」及「氫氣」分別為具腐蝕性物質或屬易燃氣體應有效隔離分開儲存之技術偏見，故原告主張尚不足採。 ⒐至於原告主張依據甲證38可證明將eGeF4+H2及eBF3+H2儲放於單一容器且具儲存穩定性及安全性係因兩者化學穩定性，熱力學計算顯示在室溫或高溫下，11BF3+H2之間並未產生反應（見甲證38第242頁左欄第37至41行，本院卷五第17 6頁)，該摻質組成物能穩定且安全地存於同一容器中，並能達到至少三年的穩定儲存壽命(甲證38第242頁右欄第1至 2行)；甲證39顯示eGeF4+H2混合物可穩定地儲存於單一容器在高溫的加速安全性測試中，長達25天沒有變化發生(參 114年2月17日簡報第12至13頁，本院卷六第226至227頁）云云。由於乙證13已明確揭示可將GeF4+H2或BF3+H2之混合氣體一起儲存並運送即可達成安全性之問題，其非系爭專利申請時始為之創見，該結果及功效亦為所屬技術領域中具通常知識者所能預期，原告以上開證據主張系爭專利具有之功效，並不可採。 ⒑原告另主張系爭專利之產品在短短數年內，取得40%以上的銷售比例，展現出強勁的成長趨勢，故系爭專利已獲商業上成功（見113年9月5日民事準備六狀第25至27頁，本院卷五第75至77頁）云云。所謂發明是否具商業上成功係指申請專利之發明於商業上獲得成功，且其係由該發明之技術特徵所直接導致，而非因其他因素如銷售技巧或廣告宣傳所造成者，則可判斷具有肯定進步性之因素（參照智慧局發明專利審查基準第3.4.2.3.4節)。經查原告僅概略性提出該公司販售純三氟化硼，以及系爭專利產品所占總銷售額相對比例，尚無從得知該類產品或競爭公司相類似產品於整體市場，特別是我國之銷售情形與市占比例，況且系爭專利產品歷經近10年之銷售，其總銷售額雖有成長，但總銷售額仍未達純三氟化硼產品一半，自難認已獲商業上成功，再者，系爭專利產品進入消費市場上的銷售業績及比例，更可能會因為廠商的品牌形象、銷售策略等因素所致，非係由系爭專利發明之技術特徵所直接導致，故原告以此銷售比例據此主張系爭專利獲得商業上的成功，並非正確。　 ⒒依上述，由於證據8、9、10、13已分別揭露更正後系爭專利之所有技術特徵，且證據間具有結合之動機，系爭專利具有否定進步性因素之理由，原告雖主張系爭專利具有有利功效、克服習知技術偏見及具商業成功之肯定進步性之輔助性判斷因素，惟經審酌後認為上開主張並無理由，綜合考量「否定進步性之因素」及「肯定進步性之因素」後，認為更正後系爭專利之發明為所屬技術領域中具有通常知識者參酌該相關先前技術所揭露之內容及申請時之通常知識所能輕易完成，故不具進步性。六、綜上所述，被告提出之乙證7與其餘證據組合，雖不足以證明系爭專利更正後請求項不具新穎性及進步性，但乙證10、 8及13之組合、或乙證10、9及13之組合，乙證10、8、11及1 3之組合、或乙證10、9、11及13之組合，乙證10、8及7之組合、或乙證10、9及7之組合，乙證14、13、11及8之組合、或乙證14、13、11及9之組合、或乙證15、13、11及8之組合、或乙證15、13、11及9之組合、或乙證16、13、11及8之組合、或乙證16、13、11及9之組合、或乙證17、13、11及8之組合、或乙證17、13、11及9之組合，均足以證明更正後系爭專利1請求項1、7、9、13、15至18不具進步性；乙證7、8 及13之組合、或乙證7、9及13之組合，足以證明更正後系爭專利1請求項15至18不具進步性；乙證10、8及13之組合、或乙證10、9及13之組合、或乙證10、8、11及13之組合、或乙證10、9、11及13之組合、或乙證10、8及7之組合、或乙證1 0、9及7之組合、或乙證7、8及13之組合、或乙證7、9及13 之組合、或乙證14、13、11及8之組合、或乙證14、13、11 及9之組合、或乙證15、13、11及8之組合、或乙證15、13、 11及9之組合、或乙證16、13、11及8之組合、或乙證16、13 、11及9之組合、或乙證17、13、11及8之組合、或乙證17、 13、11及9之組合，均足以證明更正後系爭專利2請求項1、2 、4、5、10、12、13不具進步性。系爭專利有應撤銷之事由，依智慧財產案件審理法第41條第2項規定，原告不得對被告主張專利權。從而，原告依專利法第96條第1 項至第3 項、民法第184條第1項前段、第185條、第179條及公司法第23 條第2項規定請求排除及防止被告等繼續侵害系爭專利，並請求被告二人連帶賠償損害，為無理由，應予駁回。原告之訴即經駁回，其假執行之聲請失其依據，併予駁回。七、本件其餘爭點（系爭產品有無落入系爭專利之專利權範圍、被告應否銷毀系爭產品及負損害賠償責任、損害賠償金額應如何計算及排除、防止侵害系爭專利有無理由部分），經本院審酌後認與判決結果不生影響，爰不一一論列。本件無為中間判決之必要，爰為終局判決，併此敘明。　　八、據上論結，本件原告之訴無理由，依智慧財產案件審理法第 2條、民事訴訟法第78條，判決如主文。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日智慧財產第二庭法官　李維心以上正本係照原本作成。如不服本判決，應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，上訴時應提出委任律師或具有智慧財產案件審理法第10條第1項但書、第5項所定資格之人之委任狀；委任有前開資格者，應另附具各該資格證書及釋明委任人與受任人有上開規定（詳附註）所定關係之釋明文書影本。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。中　　華　　民　　國　　114 　年　　3 　　月　　28　　日　　　　　　　　　　　　　書記官　林佳蘋附註：智慧財產案件審理法第10條第1項、第5項智慧財產民事事件，有下列各款情形之一者，當事人應委任律師為訴訟代理人。但當事人或其法定代理人具有法官、檢察官、律師資格者，不在此限：一、第一審民事訴訟事件，其訴訟標的金額或價額，逾民事訴訟法第四百六十六條所定得上訴第三審之數額。二、因專利權、電腦程式著作權、營業秘密涉訟之第一審民事訴訟事件。三、第二審民事訴訟事件。四、起訴前聲請證據保全、保全程序及前三款訴訟事件所生其他事件之聲請或抗告。五、前四款之再審事件。六、第三審法院之事件。七、其他司法院所定應委任律師為訴訟代理人之事件。當事人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親，或當事人為法人、中央或地方機關時，其所屬專任人員具有律師資格，並經法院認為適當者，亦得為第一項訴訟代理人。

2025-03-28

IPCV-112-民專訴-66-20250328-3